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Estudio de celdas solares de silicio nanoestructurado

Conference Paper · July 2015

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Jorge De la Torre
Autonomous University of Zacatecas
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 AI-15
PON 123

ESTUDIO DE CELDAS SOLARES DE SILICIO NANO-

ESTRUCTURADO
O.R, Medina Valles, J.De la Torre y Ramos, C.Sifuentes Gallardo.
Unidad Académica de Ingeniería Eléctrica
Universidad Autónoma de Zacatecas
Av. López Velarde 801,Col.Centro, Zacatecas, Zac. Mx. C.P. 98000
Email: yeoma_88@hotmail.com, jorgetorre@uaz.edu.mx
.

RESUMEN
En este trabajo se reportan los resultados obtenidos tras la
fabricación de películas delgadas de nitruro de silicio (SiNx)
realizadas mediante el sistema de deposición química en fase de
vapor asistido por luz ultravioleta (UVCVD). Dicha película de
Nitruro de Silicio (SiNx) presenta posibles aplicaciones para
celdas solares. Estas películas poseen propiedades eléctricas, las
cuales están relacionadas con las nanoestructuras de silicio, y
ésto, como resultado de una variación en el flujo de gases
percusores suministrados (amoniaco y silano), a lo cual se
manejó la hipótesis de que estas nanoestructuras ocasionan la
generación de pares electrón-hueco.
Fig. 1- . Eficiencia de celdas Solares.
Finalmente, este material podría representar una tentativa
opción para el mejoramiento de la eficiencia teórica predicha por
la teoría de Schockley para celdas solares. También se sabe, que el bajo índice de conversión en la
eficiencia de celdas solares de silicio se debe principalmente a
los procesos mostrados a continuación en la Fig. 2. Donde la
INTRODUCTION región marcada como (A) representa los fotones con baja
Actualmente, el mercado de celdas solares se encuentra energía que no son aprovechados por el material semiconductor
dominado por la tecnología del silicio, principalmente debido a y por lo tanto, perdidos. La región marcada como (B) son
los desarrollos que se han ido solidificado en la industria de la aquellos fotones con alta energía que tampoco son
electrónica a lo largo del tiempo. aprovechables por el material semiconductor, y por ende,
también perdidos.
Comercialmente, las celdas solares están constituidas por
silicio, principalmente de silicio monocristalino y policristalino.
Sin embargo, una de las principales desventajas de éste tipo de
tecnología es su baja eficiencia, la cual oscila entre un 15 y 20%
(Fig. 1).

RVP-AI/2015  AI-15 PONENCIA RECOMENDADA

POR EL CAPITULO DE APLICACIONES INDUSTRIALES
DEL CAPITULO DE POTENCIA DEL IEEE
SECCION MEXICO Y PRESENTADA EN LA REUNION
INTERNACIONAL DE VERANO, RVP-AI/2015,
ACAPULCO GRO., DEL 19 AL 25 DE JULIO DEL 2015.
Fig. 1. Fig. 2- Procesos de pérdidas de fotones con alta y baja energía en celdas
solares de silicio.
De acuerdo con el modelo de Schokley-Queisser. [1], la
eficiencia máxima de conversión para celdas solares de silicio
está limitada un 31%. Sin embargo, para mejorar este límite se
han propuesto varias alternativas en la literatura [2] [3], como
por ejemplo; celdas solares basadas en nanoestructuras. De
hecho, el uso de matrices de nanoestructuras de silicio han sido
ya reportadas [4], mostrando una mejora considerable en la
absorción de fotones de alta energía, mas la mayoría de estas
películas delgadas se obtienen a través de otros métodos como:
PECVD o LPCVD, los cuales requieren de altas temperaturas
(por encima de los 500°C).
En este trabajo, nosotros reportamos los resultados
concernientes a la caracterización eléctrica de las películas de
nitruro de silicio (SiNx) obtenidas a través de un sistema de
depósito UVCVD, y cuyo objetivo es emplearlas como
tecnología de celdas solares de tercera generación.
temperatura, se implementó un controlador AUTONICS modelo
TZN4S, indicando la temperatura a la cual se realiza el
crecimiento y adhesión de la película sobre la muestra. El
sistema es complementado con un scrubber, el cual tiene la
finalidad de neutralizar todos los excedentes que salen de la
cámara de depósito; como partículas de silano que no alcanzaron
a descomponerse completamente, así como amoniaco o incluso
partículas aisladas de silicio, nitrógeno e hidrógeno. Con la
finalidad de evitar una reacción con el oxígeno, por tal razón el
scrubber contiene agua, para neutralizar éstos excedentes
haciéndolos inertes. Dicha descripción puede apreciarse en la
Fig.4, donde se muestra el arreglo del sistema y en seguida en la
Fig.5, se muestra el arreglo real montado en el laboratorio de
energías alternas.

DETALLES EXPERIMENTALES
La película de nitruro de silicio (SiNx) fue crecida en un
sistema UVCVD, sobre un substrato de ITO (oxido conductor
transparente, Fig. 3). El ITO presenta una alta transmisión óptica
(transparente al espectro visible, opaco en el ultra violeta e
infrarrojo cercano) en la región visible y posee una baja
resistividad eléctrica, por lo que resultan adecuados como
electrodos conductores y transparentes. Es un semiconductor Fig
.4 Arreglo esquemático del sistema UVCVD.
tipo n altamente dopado con un gran intervalo de banda de
alrededor de 4eV.

Fig.3 ITO (Oxido de Indio Estaño)

La estequiometria [5] de la película delgada fue modificada

variando el flujo de los gases percusores (amoniaco y silano,
NH3/SiH4, respectivamente.). La relación de los gases
(R=[NH3]/[SiH4]) es monitoreada mediante unos flujómetros
092-04ST DWYER. Así como la alteración de temperatura se
consideró como otro parámetro para realizar distintos depósitos
con diferentes condiciones, tal y como se muestra en la TABLA
I. La presión óptima a partir de la cual se comienza a inyectar
los gases percusores dentro de la cámara del sistema es de Fig. 5. Arreglo real del sistema de depósito UVCVD.
23X10-3 mBar o 17.4X10-3 Torr. Se utiliza una bomba de vacío
SD2005 Pascal Series, para alcanzar dichos valores de presión TABLA I. CONDICIONES DE DEPÓSITOS.
dentro de la cámara de depósito. En cuanto a la descomposición
del silano se utiliza una lámpara ultra violeta modelo UVGL-58, Muestras Condiciones de Depósito
con longitud de onda de 254nm. Para el controlador de
 Temperatura (°C)
Tiempo
Relación (sccm) Como se puede apreciar; a mayor concentración de
(min.)
amoniaco (NH3) la película de nitruro de silicio se vuelve menos
3ITO-M 120 40 25/100 resistiva (TABLA 2), debido a que se da una mayor
4ITO-M 120 40 50/100 concentración de nanoestructuras de silicio. Las encargadas de la
generación par electrón-hueco (generación de corriente
6ITO-M 120 40 10/100 eléctrica)
7ITO-M 75 40 10/100
TABLA 2. RESISTIVIDAD ELÉCTRICA PRESENTADA POR LAS MUESTRAS.

Las muestras fueron caracterizadas eléctricamente utilizando Muestra Pendiente de la recta Resistividad
(m) Eléctrica (1/m)
un medidor de voltaje y corriente de muy alta sensibilidad. El
6ITO-M 0.02087 47.9157 Ω/cm
equipo empleado fue un KEYTHLEY 2420 SourceMeter, en
conjunto con un simulador solar POWER SUPPLY. Modelo 3ITO-M 0.05895 16.9635 Ω/cm
5C1200, el cual genera un haz de luz solar de hasta 500W,
4ITO-M 0.07188 13.9121 Ω/cm
siendo de ayuda para simular la parte visible del espectro
electromagnético.
El mismo proceso se realiza para las muestras 6ITO-M y
RESULTADOS 7ITO-M. Para este caso, ambas muestras conservan el mismo
La caracterización eléctrica fue realizada dentro de las tiempo de depósito (t) y la misma relación de gases (R),
instalaciones de la Universidad Autónoma de Zacatecas, en el variando como factor de depósito la Temperatura (T), tal y como
laboratorio de energías alternas. Dichas pruebas constaron en se puede apreciar en la Fig. 7.
colocar las muestras sobre un soporte, el cuál permita una
posición fija. Una vez asignada la posición a la muestra se le
hace incidir un haz de luz emitido por el simulador solar.
Posteriormente, la muestra se expone perpendicularmente al haz
de luz, se procede a realizar un barrido de voltaje (repitiendo las
pruebas y obteniendo un promedio). Se obtienen gráficas que
pueden ser comparadas de acuerdo a los parámetros de depósito
que se varían. Para la Fig. 6., tenemos que de la TABLA 1.,
tomamos las muestras 3ITO-M, 4ITO-M y 6ITO-M, ya que las
tres muestras presentan un tiempo de depósito (t) y Temperatura
(T) constantes, el único parámetro que se varía es la relación de
gases (R).

Fig. 7. Gráfica comparativa donde el parámetro a variar es la Temperatura (T).

Es perceptible que la Temperatura juega un factor

fundamental también para que la película presente una menor
resistividad eléctrica (TABLA 3). Atribuyendo que a mayor
temperatura mejor descomposición de los gases percusores en la
cámara durante el proceso, así como una mejor adhesión de la
película sobre el substrato.

TABLA 3. RESISTIVIDAD ELÉCTRICA PRESENTADA POR LAS MUESTRAS.

Muestra Pendiente de la recta Resistividad
(m) Eléctrica (1/m)
Fi 6ITO-M 0.08348 11.9790 Ω/cm
g. 6. Gráfica comparativa donde el parámetro a variar es la relación de gases (R).
7ITO-M 0.04706 21.2495 Ω/cm

A su vez, las muestras se analizaron de manera individual
(en modo amperímetro), sometiendo las muestras a lecturas de
corriente eléctrica en ausencia de luz y posteriormente
iluminadas (Fig. 8). Para observar si hay una pequeña
generación o variación de corriente eléctrica cuando las
muestras son iluminadas (efecto foto eléctrico).
Fig. 8. Medición de corriente para muestras con y si luz
Se observa en las gráficas como cada una de las muestras
presenta una variación en la corriente al momento que se pasa de
un estado de ausencia de luz, a ser expuestos al haz de luz. Esa
variación parece ser muy pequeña, pero debe recordarse que son
muestras de no más de 2cm2, por tal motivo es una detección de
corriente considerable y apreciable.
CONCLUSIONES
Las películas de nitruro de silicio (SiNx) elaboradas en el
laboratorio han presentado interesantes propiedades eléctricas y
fotoeléctricas. Siendo posible la manipulación de estas
propiedades a nivel cuántico, jugando con los parámetros de
depósito.
La película delgada que se ha desarrollado puede ser una
tentativa viable para la mejora en la eficiencia de celdas solares,
más aún, si las pruebas realizadas fueron en muestras de
alrededor de 2cm2, si se continúan haciendo pruebas y se
desarrolla una muestra que presente mejores propiedades.
Colocar las pequeñas muestras en serie, podría ser capaz de
fungir como una celda solar convencional. Ofreciendo la ventaja
de que la técnica por UVCVD es más barata.
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REFERENCIAS
[1] ShockleyW, Queisser H.J., \ Detailed Balance limit of eficiency of pn
junction solar cells" in J.Appl. Phys.,Vol.32,510, (1961).
[2] G. Conibeer, M. Green, R. Corkish, et al. Thin solid films, Vol. 511-512,
(2006), pp. 654-662.
[3] V. Svrcek, A. Slaoui, J.C. Muller, \Silicon Nanocrystals as light converter
for solar cells", Thin solid films, Vol. 451-452, (2004), pp. 384-388.
[4] De la Torre J., Reta Hernández M., Álvarez Pérez J.A., Bañuelos Ruedas
F. “Utilización de nanoestructuras de silicio para la mejora de la eficiencia
en celdas solares" Zacatecas, México (2007).
[5] T. V. Torchynska, J. L. Casas Espinola, E. Vergara Hernandez, L.
Khomenkova, F. Delachat, and A. Slaoui, "Effect of the stoichiometry of
Si-rich silicon nitride thin films on their photoluminescence and structural
properties," Thin Solid Films, vol. 581, pp. 65-69, 4/30/ 2015.
Un especial agradecimiento al Consejo Nacional de Ciencia
Y Tecnología (CONACYT) por su apoyo durante el desarrollo
de este tema. Y un grato reconocimiento a la Universidad
Autónoma de Zacatecas (UAZ) por su incondicional ayuda
durante este tiempo de trabajo de investigación.
Omar Rosalío Medina Valles. Ingeniero en
Comunicaciones y Electrónica, egresado de la
Universidad Autónoma de Zacatecas. Actualemente
dedicado al estudio de las energías renovables en el
ámbito de las celdas solares.
Jorge de la Torre y Ramos. Doctorado en ciencias de la
ingeniería con especialización en óptica, campo de
investigación; área de materiales nanostructurados y celdas
solares. Actualmente trabaja en el laboratorio de energías
alternas en la Universidad Autónoma de Zacatecas.
Claudia Sifuentes Gallardo. Doctora en ciencias con
especialidad óptica, campo de la investigación; láseres de fibra
óptica y materiales nanoestructurados. Actualmente trabaja
como profesor investigador en el laboratorio de procesamiento
de señales digitales de la Universidad Autónoma de Zacatecas.