Reporte: Transistores FET
Transistores FET
Angelica Suarez , Brayan Quiceno, Deisy Parra , Juan Betancur
angeliksh102@gmail.com​, ​braianquiceno555@gmail.com​,, ​deisyyulianapanesso1999@gmail.com​,
pablo1326699@gmail.com
Facultad de ciencias exactas y aplicadas, Instituto Tecnológico Metropolitano ITM
Medellín, Colombia
Resumen--​En esta práctica se tiene como objetivo principal
comprender el comportamiento de los transistores FET y
conocer las relaciones entre las corrientes y voltajes de las
terminales compuerta, drenaje y fuente de un transistor
unipolar para así familiarizarse con los componentes y
poder comparar los resultados prácticos respecto de los
teóricos calculados.
Se utilizaron equipos como Fuente de alimentación,
transistores Mosfet, transistores FET y BJT
condensadores, diodos, un motor, leds y resistores, los
cuales fueron indispensables para la práctica. El paso a
seguir fue realizar los respectivos montajes y de ahí
obtener los datos requeridos.
palabras claves-​ - MOSFET, Transistores FET.
I. INTRODUCCIÓN
Es sorprendente como los avances de la tecnología ofrecen
múltiples mejoras a la hora de realizar montajes electrónicos
cada vez más complejos y mucho más útiles. Gracias al
descubrimiento del transistor, la industria electrónica ha tenido
múltiples avances desde sus inicios hasta nuestros días. Pero,
¿cómo funcionan dichos dispositivos? , ¿Cómo identificar la
manera correcta de utilizarlos?, ¿Cómo emplearlos en los
diferentes montajes que se tengan que realizar?, ¿Cómo saber
el tipo de transistor que se necesita?... A Todos estos
interrogantes se les tratará de buscar respuesta mediante la
realización del laboratorio y el siguiente informe.
El transistor de unión unipolar FET, más conocido como
transistor de efecto de campo es un dispositivo, que a
diferencia de los BJT, es controlado por voltaje [2]; es decir, la
corriente del drenaje I D que será una función del voltaje
V GE aplicado al circuito de entrada. En cada caso la corriente
del circuito de salida la controla un parámetro del circuito de
entrada: en un caso un nivel de corriente, y en el otro un
voltaje aplicado.
Así como hay transistores bipolares NPN y PNP (BJT),
también existen transistores de efecto de campo de canal N y
de canal P. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el
transistor BJT es un dispositivo bipolar que indica que el nivel
de conducción es una función de dos portadores de carga,
electrones y huecos mientras que el FET es un dispositivo
unipolar ya que la corriente existe tanto en forma de electrones
como de huecos, en un FET de canal N, la corriente se debe a
los electrones, mientras que en los de canal P, se debe a los
huecos.
Está compuesto por 3 terminales:
● D = Drenaje: Es el terminal por el que salen los
portadores del dispositivo (los electrones en el JFET
de canal N y los huecos en el de canal P).
● S = Fuente: Es el terminal por el que entran los
portadores.
● G = Puerta: Es el terminal mediante el que se
controla la corriente de portadores a través del canal.
En este informe se comprobará el funcionamiento del
transistor FET y su comportamiento. Se encontrará los
respectivos cálculos y diagramas realizados en el laboratorio y
su debida justificación. Seguidamente, se procederá a realizar
el análisis de los resultados obtenidos, incluyendo tablas e
imágenes con el objetivo de hacer mucho más clara la
práctica, y finalmente se elaborará una conclusión,
evidenciando todo lo aprendido respecto al tema.
II. CÁLCULOS Y DIAGRAMAS
Caracterización experimental del JFET:
De los tipos de configuración que se pueden aplicar a este
conjunto de transistores, normalmente se modela basado en el
estado que genere un resultado ecuacional satisfactorio. Tal es
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el caso, de utilizar la ecuación de Schockley [1], como nuevamente de forma asertiva ya que si se visualiza la Fig 1,
principal referente para la exactitud de I D : las terminales del drenaje y la fuente están sin interrupción, es
V decir, hay un flujo continuo entre los dos. Por lo tanto basado
I D = I DSS (1 − VGS )2 , ​ (1)
P en la hoja de datos del JFET 2SK117 se obtiene en un
en donde se define a I DSS como corriente entre drenaje-fuente promediado a I DSS = 7.6 mA.
que se explica por la resistividad interna que se forma en el
campo del canal específico del transistor FET. Para el caso de Ahora pasando a otra configuración, distintiva del voltaje de
V GS , es el voltaje entre compuerta-fuente y, V P es el voltaje estrangulamiento V P , está:
de estrangulamiento del canal principal, esto quiere decir que
se forma una corriente casi nula en dicho canal. Lo anterior se
entiende con mayor claridad visual en Fig 1.

Fig 3. Circuito JFET característico de voltaje pinch off

Fig 1. Estructura interna de un JFET de canal N.

El circuito de la Fig. 3 se puede solucionar de la siguiente

Aplicando estos conceptos al circuito de la Fig 2, se
manera:
establecen dos factores principalmente: 1) El voltaje de la
- Como en el laboratorio se lograron calcular los valores de
compuerta V G y el voltaje de la fuente V S son 0V ya que
I D y de V GS para este circuito, se puede hallar el valor de
están conectados directamente a tierra y, 2) de lo anterior
V P fácilmente utilizando la ecuación (1); además, por el
sustituido en al ecuación (1) permite definir a I D = I DSS .
datasheet (hoja de datos) utilizado para este JFET, y los datos
descritos anteriormente del circuito de la Fig 1 se puede hallar
un valor promedio de I DSS de aproximadamente 7.6 mA.
Para el caso de V GS , se hace una malla entre
drenaje-fuente(descrito visualmente en la Fig 4), por lo tanto:
I G RG + V GS + I S RS = 0 ,
donde I G RG son la corriente y resistencia de compuerta
respectivamente y, I S RS son la corriente y resistencia de
fuente igualmente respectiva. Pero, ya que I G es
aproximadamente igual a 0 A y I S = I D , nos queda que V GS :
V GS = − I D RS ​(2)

Fig 2. Circuito JFET con drenaje y fuente en solitario.

Para la solución puntual del circuito, primero se basan dos

estructuras principales. Que V GS sea 0 V, lo cual ya se
cumple; y que el voltaje entre drenaje-fuente V DS sean
iguales o alrededor de 10V. Esto último se cumple
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Fig 4. Malla entre compuerta y fuente del circuito característico de voltaje

pinch off.

Luego con I D = 0.5 mA se obtiene reemplazando valores en la

ecuación (2) que V GS = -1.35 V; entonces se tiene de la
Fig 5. MOSFET tipo enriquecimiento [1]
ecuación (1):
−1.35 2
0.5 mA = 7.6 mA(1- V V )
P
+ √ 0.5 1.35
7.6
= 1 + V
V
P
1.35
V P1 = −0.744
V=-1.8 V
1.35
V P2 = −1.27
V= -1.1 V
Como se sabe que el Vp debe ser menor (en signo) que el
V GS y menor que 0 para un correcto y máximo
funcionamiento, se escoge el signo negativo, por ende:
V P = -1.8 V.
Se comprueba que este resultado está correcto, dirigiéndose al
datasheet, el cual indica que el máximo Vp posible es de -50V.

Caracterización transistor MOSFET:

El nombre MOSFET significa transistor de efecto de campo
semiconductor de óxido metálico, debido a que está formado
por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer
una capa de óxido (SiO2). ​ ig 6. MOSFET tipo empobrecimiento [1]
F

Existen diferentes tipos de MOSFET, dependiendo de la forma

cómo están construidos internamente. Así, tenemos MOSFET
de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento. El de
enriquecimiento se basan en la creación de un canal entre el
drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La
tensión de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el
canal, de manera que se forma una región de inversión, es
decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato
originalmente. Véase en Fig 5. El término enriquecimiento
hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica
debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en
la región correspondiente al canal. se puede visualizar mucho
mejor en Fig 6.
De la guía de laboratorio [3], se referencia el diseño de un
puente H de tipo BJT-MOSFET , del cual se obtuvieron los
resultados respectivos de la tabla 1 y 2. El comportamiento de
este puente H es muy análogo, ya que el switch de doble
abertura y cerrado, puede permitir o no el flujo de cierta
corriente hacia la base de los BJT. Lo anterior es determinante
ya que la amplificación o no amplificación de corriente hacia
el MOSFET, que se será el impulso necesario para determinar
el estado en que estará el motor.
En al análisis del tramo del S2 en ON (S1 OFF), la corriente
al bobinado será un flujo contrario a las manecillas del reloj,
por lo que el motor estará en reversa. Ahora con S1en ON (S2
OFF) será el caso contrario del flujo de corriente y el motor
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estará en avance. Analizando los estados de los switchs en ON

ON, se generando dos problemas: 1) la sobresaturación de
corriente en los transistores, y 2) un contraflujo de corriente en
el motor, ya que no hay dominio establecido de corriente. Con
lo anterior se establece el daño que puede causar al circuito y
los componentes.
Finalmente el análisis de OFF OFF es menos complicado y
simplemente es: corriente neta de 0 en ambas bases de los
BJT, que resulta en una corriente amplificada sin valor
funcional.

TABLA 1. Estados del transistor en puente H BJT-MOSFET

SWITCH ESTADO DEL TRANSISTOR

S1 S2 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6

OFF OFF Cor. Cor. Sat. Cor. Sat. Cor.

Fig 7. Configuración caso especial
OFF ON Sat. Cor. Cor. Cor. Sat. Sat. Para este montaje se procedió a hallar el valor de I D con el
multímetro y se obtuvo un I D =3.24 mA. Al momento de
ON OFF Cor. Sat. Sat. Sat. Cor. Cor.
realizar los cálculos matemáticos se pudo definir a I D = I DSS ,
ON ON No permitido una vez determinada esta igualación, se sacó del datasheet del
transistor el valor de I DSS y se puedo afirmar que el valor
obtenido es correcto debido a que este se encuentra en su
rango de I DSS =1.2 mA como mínimo e I DSS =14 mA como
TABLA 2. Estados del motor y el diodo LED en puente H
máximo valor.
BJT-MOSFET
SWITCH COLOR ESTADO DEL Montaje 2 → ​Para este montaje su configuración está dada en
LED MOTOR autopolarización, aquí se tiene una fuente de CD y el voltaje
S1 S2 de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el
voltaje a través de un resistor RS introducido en la rama de la
OFF OFF Apagado Paro
fuente de la configuración.
OFF ON Encendido Retroceso

ON OFF Apagado Avance

ON ON No permitido

III. ANÁLISIS Y RESULTADOS

Análisis Caracterización experimental del JFET:

Montaje 1→ E ​ n este montaje la configuración es más

conocida como un caso especial debido a que hay conexión
directa entre la compuerta y la fuente a tierra, produciendo un
V GS = 0.
Esto quiere decir, que en cualquier condición de CD (Current Fig 8. Configuración en autopolarización.

direct) el voltaje de la compuerta a la fuente será de cero volts. En este montaje se pide hallar el valor de V p , pero para
poderlo encontrar se tuvo que determinar con multímetro los
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valores de V G e I D , siendo V G =-1.35 V e I D =0.5 mA y
del datasheet, se sacó un promedio del valor de I DSS .
Después de obtenidos estos datos, se tomó la ecuación de
Shockley para despejar el valor de V p = ​-1.8 V.
Análisis Caracterización transistor MOSFET:
Fig 9. Puente H
En este circuito se busca usar los transistores como un
conmutador o switch electrónico, donde cada transistor es un
conmutador. De esta manera, cuando se coloca una fuente de
voltaje, y se activa el Dipswitch ya sea en 1 o en 2, la tensión,
sea positiva o negativa, hará que el motor gire en un sentido o
en el otro.
Esto es debido a la forma en la que están creado los
transistores mosfet, haciendo que trabajen en su zona de
enriquecimiento o empobrecimiento dependiendo del tipo de
polarización utilizada.
Con los datos medidos en el laboratorio, se reafirma que los
transistores, al funcionar en su estado de corte y saturación,
sirven únicamente en este circuito como un conmutador.
IV. CONCLUSIONES
Se debe estar muy atentos al valor de las resistencias ya que
esta es de suma importancia en el circuito, y una resistencia de
valor diferente al indicado, puede llevar a una alteración en el
circuito o a que este no funcione correctamente.
Al momento de medir los voltajes de el transistor, se debe
tener presente cual punta del multímetro se pone en cual pata
del transistor, para así, por ejemplo, estar seguros que el
voltaje que se mide si es compuerta fuente, o el que se
necesite. De lo contrario podría dar el resultado negativo o en
el peor de los casos, erróneo.
Se comprende y se observa cómo y por qué los transistores
FET, a diferencia de los BJT, se controlan por medio de
voltaje y no de corriente, además de entender el por qué de su
alta impedancia.
Al concluir con el puente H, se determinó que hubo un
mal posicionamiento de los transistores al principio por falta
de práctica teórica sobre el tema y de cómo leer los dibujos
circuitales de estos.
V. BIBLIOGRAFÍA
[1] R. L. Boylestad y L. Nashelsky, “Electrónica: Teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos,” 10.​a​ Ed., México:
Prentice Hall, 2009, pp. 376-388.
[2] M.Vega, “Qué es un transistor unipolar”, tomado de:
https://www.scribd.com/doc/116757294/Que-es-un-transistor-
unipolar
[3] J. P. Murillo y C. de J. Pino, Guía de trabajo
práctico-experimental: Transistores FET, Colombia: ITM,
2014.
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