TRANSISTORES DE POTENCIA

y transistor bjt
 Transistores de potencia

★ El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al

de los transistores normales.
★ Se busca que sean lo más ideales posibles
★ Se clasifican en cuatro categorías :
a. Transistores bipolares de juntura (BJT)
b. Transistores semiconductores de metal de óxido de efecto de campo
(MOSFET)
c. Transistores de inducción estática (SIT)
d. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
 Composición

Un transistor bipolar es un dispositivo electrónico de

estado sólido y se forma añadiendo una segunda
región P o N a un diodo de unión PN.

★ Si se tienen dos regiones N y una P se forma un

transistor NPN, esto permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje.
★ Si se tienen dos regiones P y una N se forma un
transistor PNP.
★ También está compuesto de un cristal
conductor.
 Funcionamiento
Transistor bipolar. El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de
su denominación inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres
terminales denominados emisor, base y colector.lector.|
Transistor BJT BC547
Datasheet
En un transistor existen 3 regiones : de corte, activa y de saturación.

● Región de corte: El transistor está desactivado.

● En la región activa, el transistor actúa como un amplificador.
● En la región de saturación, la corriente de base es lo suficientemente alta
para que el voltaje colector-emisor sea bajo(Interruptor).
 Propiedades dinámicas y estáticas

Características estáticas
● Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
● Parámetros en conducción.
● Modelo estático.

Características dinámicas
● Tiempo de recuperación inverso (trr).
● Influencia del trr en la conmutación.
● Tiempo de recuperación directo.
 Propiedades estáticas

Parámetros en bloqueo
● Tensión inversa de trabajo (VRWM)
● Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM)
● Tensión inversa de pico único (VRSM)
● Tensión de ruptura (VR)

Parámetros en estado de conducción

● Intensidad media nominal (IFAV)
● Intensidad de pico repetitivo (IFRM)
● Intensidad de pico único (IFSM)

Modelo estático
 Propiedades dinámicas

Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa
instantáneamente.

Influencia del trr en la conmutación:

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable.

Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx)

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

 Conmutación y saturación
La conmutación influye en el comportamiento de activación y desactivación del
transistor y tiene estas características:

.Una unión PN con polarización directa exhibe dos capacitancias paralelas: una
capacitancia de la capa de agotamiento y una capacitancia de difusión.

.Una unión PN con polarización inversa sólo tiene una capacitancia de

agotamiento.
Conmutación y saturación
Podemos distinguir entre el tiempo de encendido y el
tiempo de apagado. A su vez, estos tiempos se
pueden dividir en dos:

.Tiempo de retardo (Td)

.Tiempo de subida (Tr)

.Tiempo de almacenamiento (Ts)

.Tiempo de caída (Tf)

Ton= Td + Tr

Toff= Ts + Tf
 Saturación

Corresponde a una
polarización directa de
ambas uniones. La operación
en esta región corresponde a
aplicaciones de conmutación
en el modo encendido, pues el
transistor actúa como un
interruptor cerrado
Saturación
Fórmulas
Fórmulas
Problema
Problema (todos)
 Aplicaciones

Amplificador de
corriente:

Los transistores BJT

poseen la capacidad de
amplificar la corriente
que pasa entre los
terminales emisor y
colector, los cuales
dependen de la corriente
aplicada a la base del
transistor
 Aplicaciones
Interruptores :

Un transistor funciona como un interruptor, conectado al colector si se hace pasar

rápido de corte a saturación y viceversa. en corte en un interruptor abierto y en
saturación es un interruptor cerrado
MODO DE CORTE MODO DE SATURACIÓN