Laboratorio 2: Tiristores

Diego Armando Mendoza Castillo Universidad Popular del Cesar, Estudiante de Ingeniería
Electrónica, Laboratorio de Electrónica de Potencia.

Resumen—En el desarrollo práctica se llevó a cabo la

simulación, mediante herramientas de software de un tiristor de
propósito general (en este caso el ‘MCR706AT4G‘) para
observar las características del mismo con respecto a sus
parámetros de encendido y su respuesta al disparo.
Figura 1: Composición y funcionamiento del tiristor
I. INTRODUCCIÓN (Modelo de dos transistores retroalimentados)

E l tiristor es un dispositivo importante para la electrónica

de potencia pues presenta las características de un diodo
con la diferencia de que el diodo es un dispositivo no
Funcionamiento: Cuando el voltaje de ánodo se hace positivo
con respecto al cátodo, las uniones J1 y J3 tienen polarización
controlado más el tiristor sí. En esta práctica, en primera
directa mientras que la J2 tiene polarización inversa; se dice
instancia, se medirán los parámetros del tiristor (tales como la
entonces que el tiristor está en condición de bloqueo directo.
corriente de enganche IL y la corriente de mantenimiento o
Si el voltaje ánodo cátodo se incrementa a un valor lo
IH) utilizando un circuito que permite variar la corriente de
suficientemente grande (mayor al voltaje de ruptura directa),
puerta (IG) y otro que permite variar la corriente de ánodo
la unión J2, polarizada inversamente, entrará en ruptura. Esto
para observar su comportamiento cuando ésta tiene igual o
se conoce como ruptura por avalancha. Dado que J1 y J2 están
menor valor que la corriente de mantenimiento .En segundo
en directa, conducirán a través de las tres uniones; El
lugar se diseñará un control de disparo resistivo con un ángulo
dispositivo estará activo.
de disparo entre 10° y 80°
La caída de voltaje del dispositivo se deberá a la caída
II.OBJETIVOS
óhmnica de las cuatro etapas y será pequeña (comúnmente de
A. Objetivo General: 1V); La corriente de ánodo debe de ser mayor a la corriente de
enganche o IH a fin de mantener la cantidad requerida de flojo
- Comprobar los parámetros del tiristor de portadores a través de la unión. De lo contrario, al reducirse
- Hacer uso del tiristor como elemento de control de el voltaje ánodo cátodo, el dispositivo volverá a bloquearse.
fase
Una vez activo se comporta como un diodo y ya no hay
B. Objetivos Específicos:
control sobre el dispositivo, más si se reduce la corriente
directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como
- Ampliar conocimientos en los software de simulación corriente de mantenimiento (IH) el tiristor volverá a
- Comprender las limitaciones del tiristor para poder bloquearse.
realizar diseños según nuestras necesidades
Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al ánodo,
la unión J2 tiene polarización directa pero las uniones J1 y J3
III. MARCO TEÓRICO.
tienen polarización inversa. El tiristor estará bloqueado; aun
Tiristor – Es un dispositivo electrónico que tiene dos así fluirá una corriente de fuga inversa a través del dispositivo.
estados de funcionamiento: conducción y bloqueo. Posee tres
terminales: Ánodo (A), Cátodo (K) y puerta (G). Dicho
componente se utiliza como interruptor controlado, ya sea para
conducir o interrumpir la corriente eléctrica. Es un dispositivo Activación del tiristor: Un tiristor se activa incrementando
de potencia debido a que maneja grandes cantidades de la corriente de ánodo; esto se puede lograr mediante:
corriente y voltaje en comparación con otros semiconductores.
Su funcionamiento se basa en la realimentación regenerativa Disparo por puerta.
de una estructura pnpn.
Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor.
Consiste en la aplicación en la puerta de un impulso positivo
de intensidad, entre los terminales de puerta y cátodo a la vez
que mantenemos una tensión positiva entre ánodo y cátodo. 
- El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es:  
VT = VG + IG × R - R viene dada por la pendiente de la recta
tangente a la curva de máxima disipación de potencia para
obtener la máxima seguridad en el disparo 
R = VFG / IFG                                                     

  

Disparo por módulo de tensión. 

Es el debido al mecanismo de multiplicación por avalancha.
Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de
manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita
provocada por sobre tensiones anormales en los equipos
electrónicos. 

         
Disparo por gradiente de tensión.
Una subida brusca del potencial de ánodo en el sentido directo
de conducción provoca el disparo. Este caso más que un
método, se considera un inconveniente. 
Figura 2: Curva Característica del tiristor.

Disparo por radiación.

Está asociado a la creación de pares electrón-hueco por la Parámetros:
absorción de la luz del elemento semiconductor. El SCR
activado por luz se llama LASCR.  Corriente de Enganche (IL). – Es la corriente mínima
(ánodo cátodo) que debe de haber justo después de ser
disparado el dispositivo para que éste empiece a conducir

Disparo por temperatura. Corriente de Mantenimiento (IH). – Es la corriente mínima

El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares
electrón - hueco generados en las uniones del semiconductor.
Así, la suma de las corrientes tiende rápidamente al aumentar
la temperatura. La tensión de ruptura permanece constante
hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al
aumentar ésta.
que debe de haber para mantener el dispositivo encendido
luego de ser activado
Voltaje Pico Inverso (VRMS). – Es el máximo voltaje
inverso que puede soportar el tiristor en conducción inversa.
Voltaje de Ruptura Directo Inverso (VDRM). – Máximo
voltaje que con el que el tiristor puede mantenerse en bloqueo
directo

Corriente Máxima de Disparo de Compuerta (IGTM). –

Máxima corriente DC de disparo que soporta la compuerta
para encenderlo

Corriente Mínima de Disparo de Compuerta (IGT). – La

corriente DC mínima para encender el SCR
.
Voltaje Mínimo de Disparo en Compuerta (VGT). – Voltaje
mínimo de compuerta a cátodo requerido para encender el
dispositivo

Características de conmutación:

Al conmutar también hay un factor importante que no

ostenta el diodo; un retraso llamado tiempo de activación (ton)
que es el tiempo dado entre la aplicación de la señal de
compuerta y la conducción.

Aunque la hoja de datos nos entrega una corriente en

compuerta mínima de 25µA no se puede realizar un diseño
en base a esta corriente ya que está condicionada a una
resistencia de 24Ω. Por esto se determinó primero la
corriente IGT por tanteo, entregando un valor de
aproximadamente 50 µA.

,
Fig 3. Tiempo de activación.

El tiempo de activación es la suma del tiempo de retraso

(td) y el tiempo de elevación (tr), donde td se define como el Fig 5. Circuito de medición de IH
intervalo de tiempo entre el 10% de la corriente de compuerta
(0.1IG) y el 10% de la corriente activa del tiristor (0.1I T) y tr es
el tiempo requerido para que la corriente de ánodo se eleve del El diseño de R5 fue hecho a partir de la corriente mínima de
10% del estado activo (0.1IT) al 90% (0.9IT) del estado mantenimiento cuyo valor fue obtenido de la operación
activo. R 6=12V /5 mA , en el que nos da 2400Ω. Para observar
mejor el fenómeno se redujo el valor de R6 a la mitad.
Como en el Datasheet no es especificado el valor de la
IV. DESARROLLO. corriente mínima de mantenimiento se dispuso de un
potenciómetro de 25K para hacer la medición de dicha
corriente por tanteo
4.1) Mediante la herramienta de simulación Multisim, se
realizó el modelo de un tiristor controlado por una
resistencia fija y un potenciómetro, una resistencia de carga
12 V
fija ( R 2= ) y una fuente de voltaje DC fijada en
80 mA
12V

Fig 5. Circuito de disparo resistivo

Para este montaje se determinaron las resistencias de

compuerta:
Fig 4. Circuito de medición IG
(Diseñado para una IT de 80mA)
 10 V∗sin ( 10 ) 10V ∗sin ( 80 )
R 2= y R 1=
25 µA 25 µA

Fig 6. Respuesta con R1 al 100%

V. CONCLUSIONES

VI. RECOMENDACIONES
1. Leer de manera detenida la guía de laboratorio
2. Tener a la mano el datasheet del componente a
evaluar