Fet

En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para

regular la corriente de colector. En el FET el control se hace mediante la
aplicación de una tensión entre puerta y fuente.

La potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es

siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

- En un transistor bipolar la corriente de base I B controla la magnitud de

corriente de colector I C.
- En un FET, la tensión entre puerta y fuente V GS controla la corriente de
drenaje I D .
- En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra
bastante mayor.

Tipo Meseta, Tipo Sección Vertical, Transistor Bipolar de Potencia

Multiemisor.
En la electrónica de potencia los transistores de juntura bipolar se
utiliza en saturación y corte

Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del

signo de los voltajes de Este se puede encontrar en alguna de las cuatro
regiones:

Figura 4.4 – Condiciones de un transistor de juntura bipolar

- Región activa directa:

 polarización directa de la unión emisor - base y a una polarización
inversa de la unión colector - base o polarización inversa de la unión emisor -
base y a una polarización directa de la unión colector - base. Esta región es
usada raramente.

- Región de corte:

Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. El

transistor actúa como un interruptor abierto ( I C =0 ).

- Región de Cuasi-Saturación

Es una condición previa a la saturación del transistor BJT.Sube la

corriente de base I B, también I C, por lo tanto V CE disminuye
considerablemente. V CE =V CC −I C ∙ R d tensión entre base y colector V jCB
disminuye. V CB =V CE −I C ∙ Rd Donde Rd es la resistencia de la capa de
expansión.

- Región de saturación:

Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. El límite de

la zona activa se alcanza cuando: V CB =0, por lo tanto V CE =I C ∙ Rd . Si V jCB>0
habrá inyección de huecos desde p a n- desplazando a la derecha de la unión
efectiva, Rd Disminuye Aumento del ancho efectivo de la base, β Disminuye.
- Tiempo de retardo (Delay Time, t d): Se define como el tiempo que
tarda el componente a conducir, desde que se activa la señal de mando
hasta que alcanza el 10% de su valor final.
- Tiempo de subida (Rise time, t r): Se define como el tiempo que tarda el
componente en subir su conducción del 10 % al 90 %.
- Tiempo de conmutación a conducción (turn-on time t ON ): Es el
tiempo que tarda en conducir el 90 % de la corriente.
- Tiempo de conmutación a corte (turn-off time t OFF): Es el tiempo que
tarda en disminuir su conducción un 90 %.

Diagrama temporal del transistor BJT en régimen de conmutación.

Los tiempos de encendido y apagado

( t ON ) ( t OFF )

limitan la frecuencia máxima ( f max ) a la cual puede conmutar el transistor:

Área de operación segura en un BJT de potencia o límites de conmutación

Segunda ruptura o segunda

avalancha circulación de
corriente por la unión entre
emisor y base no es uniforme.
dando lugar a mayor disipación de
potencia localizada y por lo tanto
genera “puntos calientes”
produciendo un aumento de corriente.
 Área de operación segura en polarización directa: Es toda el
área que está debajo de la curva de segunda avalancha y el límite
térmico.

Efecto producido por carga inductiva.

Protecciones.

Con una carga inductiva como en

el circuito
anterior el transistor pasa a saturación
recorriendo la curva ABC, mientras que el
paso a corte lo hace por el tramo CDA.
Podría fácilmente
sobrepasar el límite de avalancha secundaria, con valor

muy superior al valor de la fuente . Red

V CE V CC

de snubber: En la tercera protección, al cortarse el transistor la intensidad

inductiva sigue pasando por el diodo y por el condensador CS, el cual tiende
a cargarse a una tensión V CC .

Vemos que con esta red, el paso de saturación (punto A) a corte (punto
B) se produce de forma más directa y sin alcanzar valores de V CE superiores a
la fuente V CC .
4.3 - El transistor MOSFET

fina película metálica (Metal -M); oxido de silicio (Óxido - O); región
semiconductora (Semiconductor- S); por último FET es por transistor de
efecto de campo. Son controlados por tensión aplicada en la puerta (G) y
requieren solo una pequeña corriente de entrada,
Ventajas de los MOSFET frente a los BJT

o La velocidad de conmutación para los MOSFET está en el orden

de los nanosegundos, por esto los MOSFET son muy utilizados en
convertidores de pequeña potencia y alta frecuencia.
o Los MOSFET no tienen el problema de segunda ruptura
o Mayor área de funcionamiento.
o Mayores ganancias.
o Circuito de mando más simple.
o Alta impedancia de entrada.
- Inconvenientes de los MOSFET
o Los MOSFET tienen el problema de ser muy sensibles a las
descargas electrostáticas y requieren un embalaje especial.
o Es relativamente difícil su protección.
o Los MOSFET son más caros que sus equivalentes bipolares.
o La resistencia estática entre Drenador - Surtidor, es más grande,
lo que provoca mayores pérdidas de potencia cuando trabaja en
Conmutación.
4.3.1 - Tipos de MOSFET
MOSFET de Deplexión o empobrecimiento: existe un
canal por el cual circula la corriente aunque no se
aplique tensión en la puerta.
MOSFET de Acumulación o enriquecimiento: el
canal por el cual circula la corriente se crea cuando se le
aplica una tensión en la puerta. enriquecimiento de canal
n o de canal p, dependiendo del tipo de sustrato utilizado
y del tipo de portadores mayoritarios por el canal.
4.3.2 - Regiones de trabajo de los MOSFET
- Zona de corte: V GS <V T , I D ≅ 0; el transistor se considera un interruptor
abierto.
- Zona de saturación: V GS−V T <V DS , I D ≅ constante
- Zona óhmica: V GS−V T >V DS,
En esta zona el transistor se considera un interruptor
cerrado, con una
resistencia.
 Zona de ruptura, V DS >V BD .

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):

- Características de funcionamiento:

o Alta capacidad de manejar corriente

(como un bipolar)
o Facilidad de manejo (MOSFET)
El IGBT se suele usar cuando se dan estas
condiciones:
o Bajo ciclo de trabajo
o Baja frecuencia (< 20 kHz)
o Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
o Alta potencia (>5 kW)
Características eléctricas.
o Bajo ciclo de trabajo
o Aplicaciones de alta tensión (>1000V)
o Alta potencia (>5kW)
o La caída total es menor en el IGBT para tensiones a partir de
600V. (1.6V para 1.200 Voltios)
o En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300
Voltios
o Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios
- Funcionamiento del transistor IGBT

- Se pueden combinar IGBTs en paralelo para manejar corrientes muy

grandes y altas tensiones con señales de entrada pequeñas (15V), por ello
se usan en aplicaciones de grandes potencias y energía (la operación en
paralelo provoca mayores perdidas de calor). Es muy importante a la hora
de conectar los IGBTs en serie que se activen y desactiven al mismo
tiempo y que posean las mismas características de ganancia,
transconductancia, voltaje de umbral, voltaje en estado activo, tiempo de
encendido y tiempo de apagado. Para conectarlos en paralelo los IGBTs
deben tener idénticos parámetros de ganancia, transconductancia, voltaje
de saturación, tiempo de encendido y apagado.
- Una gran I C (Corriente de colector) puede producir enclavamiento (Latch
up).
- Tiene pequeñas perdidas de conmutación debido a la corriente de cola en
el apagado.
- V ¿ (tensión puerta-emisor) está limitada por el espesor del óxido de silicio.
- Soporta temperaturas de 150ºC.
- La V ¿ (tensión colector-emisor), tensión de ruptura es muy baja y apenas
varía con la temperatura.
- Está diseñado para que soporte corrientes de cortocircuito V ¿ max
(tensión
máxima puerta-emisor) 4-10 veces la nominal durante 5-10us y se pueda
actuar cortando desde la puerta.
- Al contrario que los MOSFET, los tiempos de conmutación no dan
información sobre las pérdidas de conmutación.

- Área de Operación Segura (SOA) de un Transistor IGBT.

- I Dmax - I Cmax, es la máxima corriente que no provoca latch up.
- V DSmax - V CEmax , es la tensión de ruptura de la unión B-C del transistor
bipolar.
- Limitado térmicamente para corriente continua y pulsos duraderos.
dV DS
- La RBSOA se limita por la en el momento del corte para evitar el
dt
latch-up dinámico.
- Características y valores límite del IGBT.
- I Dmax - I Cmax: Limitada por efecto Latch-up.
- V GSmax - V CEmax : Limitada por el espesor del óxido de silicio.
- Se diseña para que cuando V GS=V GSmax (V ¿ =V GEmax ) la corriente de
cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con
V DS=V max (V CE =V max )), pueda soportarla durante unos 5 a 10 μs. y pueda
actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
- V DSmax - V GEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy
baja, será V DSmax=BV CB0. Existen en el mercado IGBTs con valores de 600,
1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV).
- La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC.
- Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400A o
600A
- La tensión V DS apenas varía con la temperatura. Se pueden conectar en
paralelo fácilmente. Se pueden conseguir grandes corrientes con
facilidad, (1.200 o 1.600 Amperios).
- En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios
kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

- Aplicación del IGBT en PWM:

La Modulación por Ancho de Pulso (PWM) es un sistema de control

para los inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables
características y elevada prestación, con reducido contenido armónico y
según sea la aplicación se puede optar por una salida de parámetros fijos o
variables:

- Variación de la tensión de salida.

- Variación de la frecuencia.
- Variación a relación constante Tensión – Frecuencia.

El circuito de potencia es el puente, en este caso monofásico,

normalmente implementado con transistores MOSFET o IGBT, debido a que
en general trabaja con una frecuencia de conmutación del orden de los 15
KHz. Según la aplicación, en PWM se lo utiliza entre 1KHz y 40 KHz y de
hecho los elementos operan en conmutación.

Figura 4.39 – Puente H para control de velocidad de un motor CC o CA mediante PWM

Además el ruido puede ser reducido a una frecuencia del orden de los
20Khz.

- El inversor puente trifásico

El motor AC puede ser controlado a velocidades diferentes a su valor

nominal y aún conservar las características nominales de su torque.

La única forma de poder conseguir una onda de voltaje que cumpla con
el requisito de cambiar proporcionalmente su voltaje y frecuencia al mismo
tiempo, es por medio de un circuito Inversor. En la figura 4.40 se muestran
las partes que conforman la etapa de potencia de todo tipo de variador de
velocidad de motor AC en la actualidad e incluso posee una etapa
regenerativa.

5 - Rectificadores no controlados
Los rectificadores no controlados están formados exclusivamente por
diodos, no necesitando circuitos de mando, por lo que los diodos conmutan
de manera natural forzados por la fuente de alimentación.
 Para entender cómo funciona un rectificador bastan con fijarnos en dos
aspectos:

1. Los conjuntos de diodos o conmutadores.

2. La forma como están conectados los devanados que suministran
las tensiones alternas a rectificar: el tipo de montaje.

Dos tipos de conmutadores, cuyos esquemas se muestran en la

siguiente figura:

a. Los conmutadores con cátodos comunes o "más positivo", donde el

voltaje de salida toma el valor en cada instante de la mayor tensión
de entrada.
b. Los conmutadores con los ánodos unidos o "más negativos", donde
la tensión de salida toma en cada instante un valor igual al voltaje
de entrada más negativo.
✔ Rectificador tipo paralelo (P) o de media onda: Las q fases están
conectadas en estrella. Los q devanados secundarios, cada uno en serie
con su diodo, están montados en paralelo entre los bornes de salida. El
punto M está siempre unido al borne más positivo 1, 2,...,q. El voltaje
rectificada ud se recoge entre M y el punto neutro N. (Ver figura 5.2)
✔ Rectificador tipo paralelo doble (PD) o en puente con la fuente
conectada en estrella: Los q devanados están también conectados en
estrella, pero utilizando 2 q diodos. Por tanto están formados por dos
conmutadores de q diodos cada uno, uno con cátodos unidos y el otro
con ánodos unidos. El voltaje rectificado es igual a la diferencia entre
la más positiva y la más negativa de las tensiones alternas en cada
instante. (Ver figura 5.3)
✔ Rectificador tipo serie (S) o en puente con la fuente conectada
en polígono: Los devanados donde aparecen las tensiones alternas se
conectan en polígono (la suma de q tensiones que forman un sistema
equilibrado es nula). Existen 2 q diodos agrupados en dos conmutadores
de q diodos cada uno, uno con cátodos unidos y el otro con ánodos
 unidos. Este tipo de rectificador trabaja no por comparación sino por
suma, poniendo en serie, entre los bornes de salida, los devanados
donde se encuentran las tensiones del mismo signo. (Ver figura 5.4)

Figura 5.2 – Rectificador polifásico de media onda (tipo P)

Figura 5.3 – Rectificador polifásico de puente con la fuente conectada en estrella (tipo P.D.)

Figura 5.4 – Rectificador polifásico de puente con la fuente conectada en polígono (tipo S)
5.1 - Rectificadores tipo P3 o de media onda.

Para el estudio de rectificadores de media onda ignoraremos los de tipo

monofásico ya que fueron tema de estudio en otras materias, como el caso de
Electrónica Básica.

Es el montaje más sencillo para los rectificadores alimentados desde la

red trifásica. Su esquema se muestra en la figura 5.5.

Tal como muestra la figura este rectificador está formado por un

conmutador con cátodos comunes o del tipo "más positivo", de forma que a la
salida se obtiene el voltaje mayor en cada instante. Por tanto si la red de
acometida trifásica la consideramos como tres tensiones senoidales de valor
eficaz y frecuencia iguales pero desfasadas 120° (2π/3), entonces cada diodo
conducirá un tercio de T.

Figura 5.5 – Rectificador P3 o Rectificador trifásico de media onda.

Figura 5.6 – Forma de onda a la salida de un rectificador P3 o rectificador trifásico de media

onda.
 A partir del análisis del circuito podemos obtener los intervalos de
conducción de cada uno de los diodos, pues por ejemplo para el diodo D 1, su
duración dependerá del instante en que V 1=V 2 y V 1=V 3:

V R=V mx ∙sin sin ( ωt ) ec. 5.1

2π
(
V S =V mx ∙ sin sin ωt−
3 ) ec. 5.2

4π
(
V T =V mx ∙ sin sin ωt−
3 ) ec. 5.3

Estando el diodo D 1 conduciendo, el diodo D 2 comienza a conducir

cuando V R=V S

2π π 5π
(
sin sin ( ωt 1 )=sin sin ωt 1−
3 )
. → ωt 1= ∙ ∙ ∙∙ ∙∙ ∙ ∙∙
6 6
ec. 5.4

Operando análogamente se obtienen los siguientes intervalos de

funcionamiento:

π 5π
Para V R ≤ ωt ≤ V ≡V 1 es la mayor de las tensiones: D 1ON
6 6 R

5π 9π
Para V S ≤ ωt ≤ V ≡ V 2 es la mayor de las tensiones: D 2ON
6 6 S

9π 13 π
Para V T ≤ ωt ≤ V T ≡ V 3 es la mayor de las tensiones: D 3ON
6 6

De esta manera el voltaje rectificado estará formada por q (q=número

de tensiones a rectificar) cúspides de senoide, de amplitud la tensión eficaz
de los voltajes a rectificar, por período T . El período del voltaje rectificado
por cada diodo será T /q; para el caso de un rectificador trifásico sería T /3.

Por otra parte nos interesa calcular el voltaje inverso máximo que debe
soportar cada diodo. Suponiendo D 1 en conducción, el voltaje inversa en D 2
será:
 ❑
2π
[ (
V inv =V R −V S =V mx ∙ sin sin ( ωt )−sin sin ωt−
3 )]6
5
6
ec. 5.5

Figura 5.7 – Forma de onda del voltaje inverso V inv , sobre el diodo D1, en un rectificador P3 o
rectificador trifásico de media onda.
Figura 5.8 – (a) forma de onda del sistema trifásico – (b) forma de onda de la corriente en el diodo D1 -
(c) forma de onda de la corriente en el diodo D2 - (d) forma de onda de la corriente en el diodo D3 - (e)
forma de onda de la corriente en la carga – (f) forma de onda de la tensión inversa en el diodo D1.
 Mientras conduce el diodo D1 la caída de tensión en sus bornes es la

5
de un diodo polarizado en directa, esto ocurre entre ❑ < ωt< . Fuera de este
6 6
intervalo el diodo queda polarizado en inversa debido a que en el ánodo
aparece la tensión de la fase R y en el cátodo la tensión rectificada de los
otros dos diodos.

En la figura 5.7 podemos ver en color azul (trazo fino) la forma de la

tensión inversa que debe soportar el diodo mientras está polarizado en
inversa, esta se desprende de la diferencia de tensión entre las fases R y S en

5π 9π
el intercalo ≤ ωt ≤ y la diferencia de tensión entre las fases R y T en el
6 6

9π 13 π
intervalo ≤ ωt ≤ .
6 6

Calculemos su máximo valor derivando la expresión e igualando a

cero, obtenemos:

π 4π
ωt= ( √3 )={ D no es posible ya que D 2 está encendido ec. 5.6
3 3

Entonces la tensión inversa máxima será:

V inv (max) =√3 ∙ V mx ec. 5.7a

V inv (max) =√ 3 ∙ ( √ 2 ∙V ef ) ∴V inv (max )=√ 6 ∙V ef ( fasen ) ec. 5.7b

Calculemos ahora las características del rectificador:

2π 4π π 5π
V out ={V R =V mx ∙ sin sin ( ωt ) V S=V mx ∙ sin sin ωt− ( 3 ) (
V T =V mx ∙sin sin ωt− )
3 6
≤ ωt ≤
6
∴ 30 ° ≤ x ≤ 150°

El valor medio resulta ser:

- En la carga resistiva
 5π
6
1 3∙ 3
V m= ∙ ∫ ❑V mx ∙ ( ωt ) ∙ dωt= √ ∙ V mx ∴ V do ( V m ) ≅ 0,826 ∙V mx ec. 5.8a
2π π 2π
3 6

3 ∙ √3 3∙ 3
V do ( V m ) = ∙V mx= √ ∙ √ 2 ∙V ef ∴V m =1,168∙ V ef ec. 5.8b
2π 2π

El valor eficaz resulta ser:

5π

√
6
1
V RMS= ∙ ∫ ❑V mx 2 ∙ ( ωt ) ∙ dωt ec. 5.9a
2π π
3 6

V RMS=V mx ∙
√ 3 π √3
∙ +(
2π 3 4 )
≅ 0,84 ∙ V mx ec. 5.9a

V RMS ≅ 0,84 ∙V mx ≅ 0,84 ∙ √ 2∙ V ef ∴ V RMS ≅ 1,188 ∙V ef ec. 5.9b

Para la señal de corriente en la entrada del rectificador es de vital

interés conocer el valor medio y efectivo de dicha corriente. Primero
analizaremos para cargas resistivas donde el valor medio y valor eficaz en la
carga estará dado por:

- Corriente media en la carga

V do ( V m ) V RMS
I m= ; I RMS = ec. 5.10
R R

V do ( V m ) 1,168∙ V ef
I m= = ec. 5.11
R R

- Corriente media en cada diodo

Im
I do= ec. 5.12
3

- Corriente eficaz en la carga

V RMS 1,188 ∙V ef
I RMS = = ec. 5.13
R R
- Corriente eficaz en cada diodo

√ 3 ∙ I RMS ec. 5.14

I RMSdo =
3

u0
Umx i D1 i D2 i D3
 5 uR 3 uS 13 uT t
6 6 2 6

Corrientes más
significativas
Figura 5.9 – Forma de onda de las corrientes mas significativas

5.2.1 - Rectificador PD3.

Este rectificador alimentado de la red trifásica, compuesto por seis
diodos es uno de los sistemas de rectificación más utilizados en electrónica
de potencia.

Figura 5.16 – Estructura del rectificador PD3.

 Figura 5.17 – Forma de onda del rectificador de onda completa PD3.

Podemos observar que la tensión de salida rectificada es periódica de

período 2π/6 y por tanto de frecuencia seis veces superior a la frecuencia de
red.

Figura 5.18 – Forma de onda del rectificador de onda completa PD3, tensión sobre el diodo d1, intervalos
de conducción de cada diodo y armónicos sobre la fase R.
 Figura 5.20 – Forma de la corriente con carga inductiva.

Rectificador PD6
hexafásico. Compuesto dos 2 q diodos (12 diodos) rectifican seis
tensiones alternas desfasadas en π /3 radianes. Estas tensiones pueden
obtenerse partiendo de una red trifásica por conexión de dos sistemas
trifásicos en oposición de fase.

Figura 5.22 – Esquema de un rectificador hexafásico.

 Figura 5.23 – Forma de onda de tensión para un rectificador hexafásico.

Caída de tensión en funcionamiento real.

En la exposición anterior hemos supuesto la fuente y los elementos del
rectificador como elementos ideales. Si ahora consideramos el
comportamiento real, habrá que considerar las impedancias de los elementos
del rectificador y de la red que lo alimentan, las cuales supondrán una
disminución de la tensión rectificada a la salida. Podemos considerar que la
tensión real será:

U d =U do −∆ U d ec. 5.48

∆ U d=∆1 U d + ∆2 U d +∆ 3 U d ec. 5.49

Donde la caída total se obtiene sumando:

a- ∆ 1 U d : La caída debida a las conmutaciones.

b- ∆ 2 U d: La caída debida a las resistencias.
c- ∆ 3 U d: La caída debida a los diodos
- Caída debida a las conmutaciones

Cuando el número de fases es igual o superior a 3, la transferencia de

la corriente Id de una fase a la siguiente, cuando la tensión de ésta pasa a ser
la mayor, se produce de la misma forma que para el rectificador de media
onda. Las expresiones del ángulo de conmutación y la reducción del valor
medio de la tensión VM −Vo son las mismas. Para este caso de onda completa,
el ángulo de superposición y la reducción de tensión para la tensión VN −Vo
será la misma. De ahí que las expresiones sean:

X L∙Id
1−cos cos μ= q
π ; ∆1Ud= ∙ XL ∙ I d ec. 5.50
Vm∙
q() π

Estas fórmulas son válidas cuando sólo hay solape de dos diodos y no
conducen a la vez los dos diodos unidos a la misma fase secundaria (figura
5.18). Para el puente monofásico con cuatro diodos PD2, las expresiones
anteriores no se verifican pues durante el solape conducen los cuatro diodos.

Figura 5.25 – Conmutaciones naturales de un rectificador trifásico.

- Caída debida a las resistencias.

Se calculan igual que para el rectificador de media onda.

q
PJ =Rd ∙ I d 2 . ⇒ ∆2 U d= ∙ X L ∙ I d ec. 5.51
π

- Caída debida a los diodos

El circuito de la corriente Id pasa por dos diodos, uno de cada uno de

los grupos. La caída será debida a los dos diodos:
 ∆ 3 U d=2 ∙ [ v forward ]I ec. 5.52
d

De todas las caídas de tensión la más importante es la debida al solape

de conducción de los diodos, si suponemos despreciables las demás caídas,
podemos calcular la tensión media real a la salida de un rectificador de tipo
PD de la siguiente manera:

q π
U d =U d −∆U d 1= ∙ 2∙ V max ∙
real
π
vacio
q [ ()
− XL ∙ I d
] ec. 5.53

Figura 5.26 – Factor de utilización del Secundario (FUS o TUF) y Factor de Ondulación (Km) en función
del número de fases (m) del rectificador.

5.2.4.- Rectificador trifásico con filtro capacitivo

El filtro capacitivo no se usa normalmente en los sistemas de
rectificación polifásica, en virtud de las elevadas corrientes de carga para la
cual se diseñan. El empleo de un condensador de filtro en estos sistemas
impone grandes valores de capacidad, lo cual no es viable desde el punto de
vista práctico.

Para corrientes de carga comprendidas entre 2 y 10 A, en sistemas de

potencia que operan con baja tensión (< 1 KV) o media tensión (1 KV a 10
KV), cabe utilizar el filtro Inductivo – Capacitivo o LC. Este filtro combina las
ventajas inherentes a cada uno de ellos, obteniéndose factores de rizado muy
reducidos.

Un rectificador trifásico que contiene filtro de tipo condensador,

funciona de la misma forma que el monofásico, la diferencia consiste en que
la tensión de salida de un puente trifásico tiene menor rizado y el voltaje que
permanece en el condensador será comparado con el voltaje de salida del
rectificador para determinar los instantes en que existe circulación de
corriente.

Recordemos que sólo existe corriente en cuanto la parte senoidal de la

señal es mayor al voltaje del condensador. Así tendremos seis pulsos de
corriente, y esto se traduce en un cambio de la señal de corriente que llega a
la red.

Figura 5.27 – Rectificador trifásico con filtro capacitivo

La forma de onda típica y espectro armónico de corriente de línea con

este tipo de carga se muestra a continuación:

Figura 5.28 – Forma de onda de la corriente en una fase del secundario del transformador
 Figura 5.29 – Espectro armónico

5.3 - Trabajo práctico: Rectificadores tipo P3 o de media onda y Rectificadores tipo P.D. o
rectificadores en onda completa con la fuente conectada en estrella.

Utilizando el transformador trifásico disponible en nuestro laboratorio

construir un rectificado trifásico de media onda y otro de onda completa
similar al que se presenta en la siguiente figura.

Figura 5.30 – Transformador DY similar al disponible en el laboratorio de UADER.

 Figura 5.31 – Rectificador de media onda tipo P3.

Figura 5.32 – Rectificador de onda completa tipo PD3.

Utilizar cuatro tipos de cargas.

- Predominantemente resistiva.
- Predominantemente inductiva.
- Predominantemente capacitiva.
- Predominantemente no lineal.

Utilizando el osciloscopio FLUKE y la teoría desarrollada

anteriormente obtener:

- Forma de onda rectificada

- Forma de onda de la corriente en cada diodo, en la carga y en el
secundario del transformador.
- Forma de onda de la tensión conexiones de un diodo y en la carga.
- Calcular en cada diodo, en la carga y en el secundario del transformador:
o valor eficaz de la tensión y corriente
o valor medio de la tensión y corriente
o valor pico a pico de la tensión y corriente
o valor de pico inverso de la tensión y corriente
- Verificar ángulo de conducción con las diferentes cargas.
- Cuando se aplique carga inductiva verificar forma de onda de la corriente
y tensión con diodo volante y sin diodo volante.
- Calcular el valor de la corriente en el primario y secundario del
transformador para todos los tipos de cargas.
- Obtener el espectro de armónicos en el secundario del transformador
6 - El tiristor

Un puente rectificador controlado o semicontrolado es la sustitución de

los diodos por los tiristores. Antes de comenzar el análisis de los
rectificadores controlados nos meteremos en el estudio de estos dispositivos.

El tiristor engloba una familia de componentes semiconductores que

trabajan en conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas
semiconductoras en una secuencia P-N-P-N, la cual presenta un
funcionamiento biestable (dos estados estables).

La gran ventaja que tienen estos semiconductores es la capacidad de

poder determinar el valor de tensión a partir del cual se aplica potencia a
una carga (de ahí el nombre SCR o RCS en español) y controla corrientea
importantes en la carga IA (corriente de ánodo) mediante una pequeña
corriente aplicada en la puerta IG.

La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de

conducción (“ON”) se realiza normalmente por una señal de control externa,
mientras que la conmutación desde el estado “ON” al estado “OFF” se
produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding
current”), específica para cada tiristor.

Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs

(tiristores unidireccionales), GTOs, IGCT, TRIACs (tiristores bidireccionales),
etc.

6.1 - Rectificados controlado de silicio (SCR - Silicon Controlled Rectifier –

Rectificador Controlado de Silicio)

El SCR es el miembro más conocido de la familia de los tiristores,

incluso muchas veces al SCR se lo suele denominar tiristor. El SCR es uno de
los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la Electrónica de
Potencia (data de finales de los años 50). Además, continua siendo el
dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia debido a su
capacidad para soportar altas tensiones inversas y mayor circulación de
corriente, como limitante tiene la frecuencia de operación.

El SCR está formado por cuatro capas semiconductoras,

alternadamente P-N-P-N, teniendo 3 terminales: ánodo (A) y cátodo (K), por
los cuales circula la corriente principal, y la puerta (G) que, cuando se le
inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido
ánodo-cátodo.

(a)

(b) (c)
Figura 6.1 – (a) Estructura y símbolo del SCR – (b) Distribución de huecos y electrones en el tiristor para
VAK < 0 – (c) Flujo de electrones y huecos en el tiristor.

Si entre ánodo y cátodo se aplica una tensión en polarización directa

que llamaremos “V AK ”, las uniones J 1 y J 3 estarán directamente polarizadas,
en cuanto que la unión J2 estará inversamente polarizada. No habrá
conducción de corriente hasta que la tensión V AK aumente hasta un valor que
provoque la ruptura de la barrera de potencial en J 2.

Si hay una tensión positiva entre puerta y cátodo que llamaremos “ V GK

”, circulará una corriente a través de J 3, con portadores negativos yendo del
cátodo hacia la puerta. Por la propia construcción, la capa P donde se
conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de los
electrones que atraviesen J 3 tengan energía cinética suficiente para vencer la
barrera de potencial existente en J 2, siendo entonces atraídos por el ánodo.

De esta forma, en la unión inversamente polarizada, la diferencia de

potencial disminuye y se establece una corriente entre ánodo y cátodo, que
podrá persistir aún sin la corriente de puerta.

Cuando la tensión V AK es negativa (figura 6.1a), J 1 y J 3 quedarán

inversamente polarizadas, en cuanto que J2 quedará directamente
polarizada. Teniendo en cuenta que la unión J 3 está entre dos regiones
altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones elevadas, de modo
que la unión J 1 es la responsable de mantener el estado de bloqueo del
componente.

Existe una analogía entre el funcionamiento del tiristor y el de una

asociación de dos transistores bipolares, conforme se muestra en la figura
6.2.
 Figura 6.2 – Estructura y símbolo del SCR.

Cuando se aplica una corriente de puerta I G positiva, I c2 e I K

aumentarán. Como I c2 = I b 1, T1 conducirá y tendremos I b 2=I c1 + I G, que
aumentará I c2 y así el dispositivo evolucionará hasta la saturación, aunque se
elimine la corriente de puerta I G. Tal efecto acumulativo ocurre si las
ganancias de los transistores son mayores que 1. El componente se
mantendrá en conducción luego que la corriente de ánodo supere un valor
llamada corriente de enclavamiento I H “latching current”.

Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga

por debajo del valor mínimo de mantenimiento I H , permitiendo que se
restablezca la barrera de potencial en J 2. Para la conmutación del dispositivo
no basta con aplicar una tensión negativa entre ánodo y cátodo. Dicha
tensión inversa acelera el proceso de desconexión por dislocar en los
sentidos adecuados los portadores en la estructura cristalina, pero ella sola
no garantiza la desconexión.

Para el transistor pnp:

I C 1=−α 1 ∙ I E 1−I C 01 ec. 6.1

Para el transistor npn:

I C 2=−α 2 ∙ I E 2−I C 02 ec. 6.2

Como:
I K =−I E 2 =I A + I G ec. 6.3

I A=I E 1 ec. 6.4

Sustituyendo 6.3 y 6.4 en 6.1 y 6.2 respectivamente, se obtiene:

I C 1=−α 1 ∙ I A −I C 01 ec. 6.5

I C 2=−α 2 ∙ ( I A + I G )−I C 02 ec. 6.6

Teniendo en cuenta que la suma de corrientes en T1 es cero, se

obtiene:

I C 2=I A −I C 1 ec. 6.7

Y, sustituyendo IC1 e IC2 en 6.7 por sus valores dados por sus
respectivas expresiones 6.5 y 6.6, se obtiene:

I A−α 1 ∙ I A−I C 01 =α 2 ∙ ( I A + I G ) + I C 02 ec. 6.8

Finalmente, se despeja IA en 6.8 y se obtiene:

I G ∙ α 2+ I C 01 + I C 02
I A= ec. 6.9
1−α 1−α 2

Debido a las características constructivas del dispositivo, la aplicación

de una polarización inversa del terminal de puerta no permite la
conmutación del SCR. Este será un comportamiento de los GTOs, como se
verá más adelante.

6.1.1 - Características tensión-corriente o características estáticas.

La curva de la figura 6.3 representa las características estáticas de un
SCR. En su estado de apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensión
directa y no conducir corriente. Así, si no hay señal aplicada a la puerta,
permanecerá en bloqueo independientemente del signo de la tensión V AK. El
SCR debe ser disparado o encendido al estado de conducción (ON) aplicando
un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeño
intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La
caída de tensión directa en el estado de conducción (ON) es de pocos voltios
(1-3 V).

Una vez que el SCR empieza a conducir, éste permanece en conducción

(estado ON), aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser
bloqueado por pulso de puerta. Únicamente cuando la corriente del ánodo
tiende a ser negativa, o inferior al valor de corriente de enclavamiento, por la
influencia del circuito de potencia, el SCR pasará a estado de bloqueo.

Dibujas las potencias en forma de vectores, identifique los fasores y ángulos.

Figura 6.3 – Características de funcionamiento del SCR.

 En régimen estático, dependiendo de la tensión aplicada entre ánodo y
cátodo podemos distinguir tres regiones de funcionamiento:

1. VAK < 0 → zona de bloqueo inverso. Dicha condición corresponde al

estado de no conducción en inversa, comportándose como un diodo.
2. VAK > 0 sin disparo → zona de bloqueo directo. el tiristor se
comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensión de ruptura
directa.
3. VAK > 0 con disparo → zona de conducción Se comportará como un
cortocircuito, sí una vez ha ocurrido el disparo, por el SCR circula una
corriente superior a la corriente de enclavamiento. Una vez en
conducción, se mantendrá si el valor de la corriente ánodo cátodo es
superior a la corriente de mantenimiento.
6.1.2 - Características dinámicas del SCR.
La característica de conmutación de un tiristor determina sus pérdidas
de conmutación y su frecuencia máxima de funcionamiento, de la misma
forma que se hizo para el transistor. En particular, para el caso del tiristor
las curvas de conexión y desconexión presentan el siguiente
comportamiento:

Figura 6.5 - Características dinámicas: Curvas de Tensión y Corriente del SCR durante la Conmutación

- Transitorio a conexión o tiempo de encendido.

La forma de la curva de conexión es muy similar a la del diodo de

potencia, donde la corriente a través del componente aumenta según
disminuye la tensión ánodo-cátodo. El tiempo para alcanzar una conducción
del 10%, medido desde la aplicación de la excitación de puerta se denomina
tiempo de retraso o retardo t d, y aquel entre el 10% y el 90% es el tiempo de
subida t r. La suma del tiempo de retardo y el tiempo de subida es el tiempo
de conexión del tiristor o tiempo de encendido t on=t d +t r. El tiempo de
conexión se reduce si el pulso de puerta que se utiliza es de subida abrupta y
la potencia de excitación se incrementa.

- Transitorio a corte o tiempo de apagado

Si el circuito externo fuerza una reducción muy brusca de la intensidad

del ánodo e intenta la conducción en sentido inverso, los portadores de las
uniones no pueden reajustarse, por tanto hay un tiempo de retraso por
almacenamiento donde se comporta como un cortocircuito conduciendo en
sentido contrario al estar polarizado positivamente, produciendo un pico de
corriente IRR. El tiempo entre el inicio de la corriente de recuperación inversa
y cuando ha caído por debajo del 25% de su valor se denomina tiempo de
recuperación inversa t rr. Cuando ha disminuido la concentración, la puerta
recupera su capacidad de gobierno, pudiendo aplicar tensión directa sin
riesgo de cebado. A este tiempo se le denomina tiempo de recuperación de
puerta t gr . La duración del proceso de corte (figura 6.6) es t off =t g=t q =t gr +t rr ,
como se puede observar en detalle en la siguiente figura, mucho menos
idealizada que la anterior. A partir de esta figura puede observarse que t q es
el menor tiempo que debe transcurrir entre que se invierte la intensidad por
el ánodo y el instante en que aplicamos tensión ánodo-cátodo positiva sin que
entre en conducción.

t on=t d +t r ec.
6.10

t off =t g=t q =t gr +t rr ec. 6.11

 Los parámetros que influyen sobre el tiempo de apagado, t off son:

✔ Corriente en estado de conducción, IT: Elevados picos de corriente

implican mayores tiempos de apagado.
✔ Tensión inversa, VR: Pequeños valores de VR implican grandes tiempos
de extinción. Para limitar esta tensión aproximadamente a un voltio, se
coloca un diodo en antiparalelo con el tiristor.
✔ Velocidad de caída de la corriente de ánodo, dI /dt: Altos valores de dI /dt
implican bajos tiempos de apagado.
✔ Pendiente de tensión, d VD /dt : Elevados valores de pendiente de tensión
implican mayores t off .
✔ Temperatura de la unión, T j o del contenedor, T C: Altas temperaturas
implican mayores t off .
✔ Condiciones de puerta: La aplicación de una tensión negativa de puerta
durante la recuperación inversa reduce el t off . Es importante no aplicar
un valor excesivo de tensión inversa en la puerta.

Figura 6.6 - Características dinámicas: Curvas de Tensión y Corriente del SCR durante la Conmutación

6.1.3 - Activación o disparo y bloqueo de los SCR

Para el desarrollo del estudio de funcionamiento del SCR nos
basaremos en el circuito de la figura 6.7 y la curva de tensión corriente de la
figura 6.3.
 Mediante la manipulación del conmutador “S” podemos controlar la
aplicación de potencia en la carga R1, donde R1 es la encargada de limitar la
corriente de ánodo-cátodo cuando el SCR comience a conducir, R 2 por su
parte se encarga de limitar la corriente de puerta IG.

Supongamos en primera instancia que el interruptor “S” está abierto,

por lo tanto IG=0. Si se aumenta levemente la tensión en la carga V AA,
partiendo desde 0VCC, comenzará a circular una corriente despreciable
(corriente de fuga) por el SCR y la caída de tensión en R 1 será prácticamente
0VCC y VAK= VAA. Se cumplirá que VAK= VAA hasta que V AA ≅ V AK =V BO , una vez
superado ese valor el SCR comenzará a conducir y la tensión entre ánodo y
cátodo pasará a ser la caída de tensión en conducción del SCR; V AK= VT, en
esa situación la corriente de ánodo IA pasará a ser:

V AA −V T
I A= ec.
R1
6.12

Si hacemos el proceso inverso, o sea que comenzamos a disminuir la

tensión VAA, también lo hará IA, esto ocurrirá hasta que se alcance el valor de
corriente de mantenimiento IH a partir del cual el SCR pasa a estado
bloqueado extinguiéndose la corriente.

Una vez que el tiristor pasa a estado bloqueado hay que comenzar
nuevamente con el proceso de cebado.
 Figura 6.7 – Circuito práctico para la obtención de las características directas del SCR.

Para el próximo análisis cerramos el interruptor “S”, luego

aumentamos la tensión VGG hasta que IG alcanza una valor IG1 y repetimos el
proceso anterior partiendo desde un valor de V AA=0 vamos a ver que el SCR
queda conduciendo a una tensión VAA= VB01< VB0, ver figura 6.3. Una vez
lograda esta situación el valor de la corriente I A va depender de la resistencia
de carga R1 y el valor de VAA alcanzado.

Si abrimos el interruptor “S” no varía la condición del circuito de ánodo

debido a que este es independiente de las condiciones de puerta una vez que
está cebado. El SCR va pasar al estado de corte una vez que la tensión
VAK<VT (caída de tensión en el SCR) y/o que I A<IH (corriente de
mantenimiento).

Si reiteramos los pasos anteriores para valores de I G, tales que

IG1<IG2<IG3; se irán obteniendo valores de tensión de cebado ánodo-cátodo
cada vez menores de tal forma que VB01>VB02>VB03 hasta alcanzar un valor de
tensión de cebado VAK=VT lugar que se comporta igual que un diodo.

De lo anterior podemos resumir:

⮚ La magnitud de la corriente de puerta I G controla el valor de la

tensión entre ánodo y cátodo VAK a la que se ceba el SCR.
⮚ Una vez que el SCR se encuentra en conducción, la corriente I A
depende del circuito de carga exterior.
 ⮚ El SCR volverá a estar bloqueado:
o cuando la tensión ánodo-cátodo VAK sea menor que la caída
de tensión VT en conducción del SCR.
o cuando la corriende de ánodo IA sea menor a la corriente de
mantenimiento IH.
⮚ Con pequeñas corrientes de puerta IG se pueden controlar
grandes corrientes de ánodo IA.

Podemos considerar ocho maneras distintas de hacer que el SCR entre

en conducción las cuales se detallan a continuación:

- Disparo por tensión excesiva

Cuando está polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la

tensión de polarización se aplica sobre la unión J2 (ver figura 6.1). El
aumento de la tensión VAK lleva a una expansión de la región de transición
tanto para el interior de la capa de la puerta como para la capa N adyacente.
Aún sin corriente de puerta, por efecto térmico, siempre existirán cargas
libres que penetren en la región de transición (en este caso, electrones), las
cuales son aceleradas por el campo eléctrico presente en J2. Para valores
elevados de tensión (y, por tanto, de campo eléctrico), es posible iniciar un
proceso de avalancha, en el cual las cargas aceleradas, al chocar con átomos
vecinos, provoquen la expulsión de nuevos portadores que reproducen el
proceso. Tal fenómeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo
de cargas por la unión J2, tiene el efecto similar al de una inyección de
corriente por la puerta, de modo que, si al iniciar la circulación de corriente
se alcanza el límite IL (corriente de mantenimiento), el dispositivo se
mantendrá en conducción (ver figura 6.4).

- Disparo por impulso de puerta

Siendo el disparo a través de la corriente de puerta la manera más

usual de disparar el SCR, es importante el conocimiento de los límites
máximos y mínimos para la tensión V GK y la corriente IG, como se muestra en
la figura 6.8. Para una misma familia de tiristores existe una gran dispersión,
por lo que es necesario dibujar un determinado número de curvas
pertenecientes a cada una de las uniones de las familias anteriormente
mencionadas para así poder prever cada una de las posibles variaciones
particulares. Para no complicar demasiado el proceso, se dibujan únicamente
las dos curvas extremas, puesto que todas las demás quedan comprendidas
entre ambas.

El valor VGmin indica la mínima tensión de puerta que asegura la

conducción de todos los componentes de un tipo determinado, para la
mínima temperatura especificada.

El valor VGmax es la máxima tensión de puerta que asegura que ningún

componente de un tipo determinado entrará en conducción, para la máxima
temperatura de operación.

La corriente IGmin es la mínima corriente necesaria para asegurar la

entrada en conducción de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mínima
temperatura.

Se define ciclo de trabajo (δ) como el cociente entre la potencia media

y la potencia de pico:

PG (AV )
δ= ec.
PGM
6.13

- Disparo por corriente alterna

El circuito típico de disparo por corriente alterna es el representado en

la siguiente figura, donde:

i. La excursión inversa de VG debe permanecer menor al máximo

admitido (diodo D).
ii. La potencia de ataque máxima de pico PGDSmáx puede aumentarse sin
rebasar PGAV.
 Figura 6.10 – Circuito básico para el disparo por C.A.

VSmín: igual que para el disparo por c.c.

VSmáx:

2
1 1 √2 ∙V Smax
2
2
P= ∙ I ef R G ∴ PG ( AV ) max= ∙
( )
2 2 ∙ ( R Smin + RG )
∙ RG ec. 6.17

Relación cíclica efectiva para el cebado:

PG ( AV )
δ= ∙ 100 % ≤ 25 % ec.
PGM
6.18

- Disparo por derivada de tensión.

Si a un SCR se le aplica un escalón de tensión positivo entre ánodo y

cátodo con tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los
portadores sufren un desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la
tensión exterior aplicada.

Como se comentó para el caso de disparo por tensión excesiva, si la

intensidad de fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el
proceso regenerativo, el tiristor entrará en conducción estable y
permanecerá así una vez pasado el escalón de tensión que lo disparó.

El valor de la derivada de tensión dv /dt depende de la tensión final y de

la temperatura, por lo que la tensión será menor cuanto mayor sea la
temperatura.
- Disparo por impulso único

El disparo de un SCR por impulso único equivale al disparo en c.c.

Circuito de puerta: atacado con un generador de corriente de forma:

o IG debe superar la especificada como mínima, IGT (figura 6.11)

o El tiempo de subida: lo más corto posible (de 0,1 a 1 ms).
o Duración del impulso: tal que IGT < IG < IL (IL = I. de enganche
anódica).

Figura 6.11 – Forma del impulso de corriente en puerta.

- Disparo por trenes de onda

Cuando se trabaja con cargas inductivas, este tipo de disparo se utiliza

para evitar que la corriente en el elemento inductivo persista tras el paso por
cero de la primera semionda de tensión que produjo el cebado del elemento,
no permitiendo el recebado en el siguiente impulso.

Consume poca energía y facilita el ataque al elemento por

transformador aislándolo de los circuitos de control. En la figura 6.12
tenemos un sistema de transferencia de pulsos a la puerta de un tiristor
amplificador con un transformador de pulsos de relación de transferencia 1.
 Figura 6.12 – Circuito de disparo por trenes de ondas.

Se trata de un amplificador con un transformador de pulsos de relación

de transferencia unitaria. Está formado por:

o T: transistor saturado cuando el pulso Vp=1, y bloqueado para Vp=0.

o D1: limita sobretensiones en bornes de T cuando este se bloquea.
o DZ: desexcita más rápidamente el transformador de pulsos.
o RC: limita la corriente de colector durante la saturación del
transformador de pulsos.
o D2: bloquea el impulso negativo producido en la desconexión del
transformador de pulsos.
o R0: actúa como una carga definida.
o RG: limita la corriente en puerta.
En la figura 6.13 podemos observar las formas de ondas idealizadas de
este sistema.

Figura 6.13 – Formas de ondas idealizadas.

- Disparo por temperatura

A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unión P-N

inversamente polarizada aproximadamente se duplica con el aumento de
8ºC. Así, el aumento de temperatura puede llevar a una corriente a través de
J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conducción.

- Disparo por luz

 La acción combinada de la tensión ánodo-cátodo, temperatura y
radiación electromagnética de longitud de onda apropiada puede provocar
también la elevación de la corriente de fugas del dispositivo por encima del
valor crítico y obligar al disparo.

Los tiristores diseñados para ser disparados por luz o tiristores

fotosensibles LASCR (“Light Activated SCR”) suelen ser de pequeña potencia
y permiten un aislamiento óptico entre el circuito de control y el circuito de
potencia.

6.1.4 Importancia de la velocidad de crecimiento de la corriente

Durante el proceso de cebado, la zona de conducción se reduce a una
parte del emisor próxima al electrodo de control. Si, durante esta fase, el
circuito exterior impone un rápido crecimiento de la intensidad, la densidad
de corriente que atraviesa la superficie activada podrá alcanzar un valor
importante.

Paralelamente, el descenso de tensión en los bornes del dispositivo

durante el paso desde el estado de bloqueo al de conducción no se efectúa
instantáneamente. En consecuencia, podrá producirse la presencia
simultánea de valores elevados de corriente y de tensión.

6.1.5 - Desactivación o descebado de los SCR cuando se trabaja en continua

Cuando el tiristor funciona en corriente alterna, la tensión que se
invierte en sus bornes en cada semiciclo provoca el descebado, pero en las
aplicaciones donde el circuito de potencia es de corriente continua es
necesario aplicar un circuito de descebado de desactivación del SCR ya que
estos dispositivos pasan a bloque cuando VAK< VT o IA<IH. El descebado se
puede hacer mediante conmutación forzada o en forma mecánica.

Para producir el descebado del SCR se puede abrir el circuito de

potencia o bien cortocircuitar los terminales de ánodo y cátodo.
 Esta interrupción puede ser producida por un interruptor mecánico, o
por un tiristor o transistor auxiliar

6.1.6 Protección de los tiristores.

Las primeras protecciones incluidas en los semiconductores
bloqueables fueron las precauciones térmicas, los radiadores, las
protecciones eléctricas y los fusibles. A menudo, es indispensable, y en todos
los casos deseables, proteger estos dispositivos con circuitos electrónicos
encargados de limitar los efectos de las dv /dt y las sobrecargas de intensidad.

- Protección contra di/ dt

Los mejores resultados son los que se obtienen por medio de una
inductancia saturable. Mientras la inductancia no se sature, la corriente que
la atraviesa será relativamente baja; cuando la inductancia se satura, se
comporta como un cortocircuito; su acción viene a retardar el
establecimiento de la corriente.

Figura 6.19 – Circuito con inductancia saturable en serie.

 Figura 6.20 – Curva de evolución de la potencia durante la conmutación.

- Protección contra dv /dt

La conexión brusca a la alimentación de circuitos próximos que

contengan una carga inductiva o variaciones exageradas en la fuerza
contraelectromotriz de la carga

Las variaciones bruscas de dv /dt amenazan con recebar de forma

intempestiva el SCR (o TRAC, o GTO).

En la mayoría de las aplicaciones de SCR que existen cargas

inductivas, entre ánodo y cátodo, se utilizan las redes RC o SNUBBER para
eliminar los riesgos de cebados intempestivos por parásitos o de recebados
espontáneos por dv /dt.
 Figura 6.21 – Diagrama temporal de conexión de una SCR.

dv
Figura 6.22 – Red Snubber en paralelo con el SCR para disminuir el valor de .
dt

6.1.7 - Bloqueo con carga inductiva

Supongamos que en un circuito de potencia disponemos de dos SCR en
antiparalelos y en formato equivalente a un TRIAC donde la carga está
alimentada desde una fuente de corriente alterna alimentando una carga
inductiva que desfasa la tensión con respecto a la corriente en 90°.
 Figura 6.25 – SCR en antiparalelo y TRAIC

- Diagramas de cálculo de la red RC

Los valores de la resistencia R y el capacitor C se calculan en función

dv
de la corriente eficaz de la carga y del valor de admisible. Estos valores
dt
han sido establecidos para el peor de los casos posibles: una carga
puramente inductiva donde el cos cos φ=0. En los casos que el cos cos φ mejore,
el valor de la tensión de pico debe reducirse en la misma proporción

Para utilizar estos gráficos, debemos situamos en el diagrama

correspondiente a la tensión deseada y proceder del modo siguiente:

a. Trazar una vertical a partir de la corriente nominal prevista.

dv
b. El corte de esta vertical con la recta oblicua admisible, marcada
dt
con trazo continuo, tiene como ordenada, en la escala de la
izquierda, el valor de C en microfaradios.
dv
c. Su corte con la recta oblicua , marcada en línea de puntos,
dt
proporciona el valor de R en ohmios en la escala de la derecha.

6.1.8 - Potencia disipada

La disipación de potencia no es otra cosa que las pérdidas que tiene el
dispositivo semiconductor. Existen dos mecanismos que provocan las
pérdidas. Lo que se denominan pérdidas en conducción, es decir, cuando el
interruptor está cerrado y por tanto hay circulación de corriente. Además
existen unas pérdidas adicionales, denominadas pérdidas en conmutación,
que se producen cuando un semiconductor pasa del estado de bloqueo a
conducción y viceversa. con lo que en cada conmutación se producen unas
determinadas pérdidas cuantas más veces por segundo abra y cierre un SCR,
más potencia estará disipando el semiconductor.

para el correcto funcionamiento, evacuar el calor debido a la potencia

disipada en la unión. Esta potencia depende de las cinco causas siguientes:

a. Las pérdidas por conducción directa.

b. Las pérdidas por conmutación durante el cebado.
c. Las pérdidas por conmutación durante el descebado.
d. Las pérdidas durante el bloqueo.
e. Las pérdidas en el circuito de puerta

Figura 6.29 – Curvas para selección de la red RC.

6.1.9 – Límite de frecuencia

Existen tiristores rápidos y lentos. Dependiendo del tiempo de
apertura, los tiristores se pueden clasificar en dos grupos: Tiristores de corto
tiempo de apertura (tiristores rápidos) y tiristores que no exigen, por sus
condiciones de utilización, características especiales de apertura. El tiempo
de apertura puede superar los 100 µs. A estos tiristores se les define como
tiristores lentos.
 Los tiristores lentos son para aplicaciones que operen a frecuencias
industriales y de la red de alimentación. En cambio los rápidos son para
aplicaciones especiales, pero en general no superan los 20KHz.

6.2 - TRIAC

El TRIAC es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso

de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con
tensiones de puerta de ambos signos.

poder controlar los dos sentidos de circulación de la corriente.

Figura 6.34 – Símbolo y estructura interna de un TRIAC.

Se puede observar que presenta estado de conducción tanto para I A

positiva como negativa, y puede ser disparada desde el estado de corte al de
conducción tanto para VA1A2 positiva como negativa. Además, la corriente de
puerta que fuerza la transición del estado de corte al de conducción puede
ser tanto positiva como negativa.

Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto,

requiriendo únicamente un único circuito de control, dado que sólo dispone
de un terminal de puerta.

6.2.1 - Encendido
A diferencia de los SCR, el TRIAC estándar puede ser disparado por
circulación de corriente positiva o negativa entre compuerta y A2. (Las
reglas para VGT, IGT e IL son al igual que para el SCR). Esto permite el disparo
del TRIAC en cuatro “cuadrantes" como se muestra a continuación.

(a) (b)
Figura 6.36 – (a) Cuadrantes de disparo de un TRIAC – (b) Características I-V del TRIAC.

los TRIAC medios hace que la compuerta este más alejada desde la
región de portadores mayoritarios cuando opera en el 3º cuadrante. Esto
resulta en:

1. IGT más alta, esto implica un pico más alto de IG requerido.

2. Retraso mayor entre IG y el principio de la circulación de corriente
principal, esto requiere una mayor duración de IG.
3. Mucha menor capacidad de di/ dt esto puede implicar una degradación
progresiva de puerta cuando controlamos cargas con di/ dt iniciales, por
ejemplo filamentos de lámpara incandescente fría.
4. Mayor IL (también cierto para la 1º operación) - > I G más largo, la
duración mayor podría necesitarse para cargas muy pequeñas cuando
conduzcan desde el comienzo de un semiciclo para permitir la corriente
de carga alcanzar el IL

1. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en

que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son
positivas con respecto al ánodo MT1 y este es el modo mas común
(Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1
 2. El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel
en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son
negativos con respecto al ánodo MT1 (Intensidad de compuerta
saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota.
3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en
que la tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y
la tensión de disparo de la compuerta es negativa con respecto al
ánodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
4. El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel
en que la tensión del ánodo MT2 es negativa con respecto al ánodo
MT1, y la tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto
al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).

GTO

El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo, esto significa

que desde la puerta se controlan los dos estados: paso de bloqueo a
conducción y viceversa.

Figura 6.37 – Símbolo y estructura interna de un GTO.

6.3.1 - Principio de funcionamiento

El GTO tiene una estructura de 4 capas, típica de los componentes de
la familia de los tiristores. Su característica principal es su capacidad de
entrar en conducción y bloquearse a través de señales adecuadas en el
terminal de puerta G.
 El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que está
directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula
corriente entre puerta y cátodo. Si ésta corriente se mantiene por encima de
la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la señal de
puerta para mantenerse en conducción.

El funcionamiento como GTO depende, por ejemplo, de factores como:

1. Facilidad de extracción de portadores por el terminal de puerta

2. Rápida desaparición de portadores en las capas centrales
3. Soportar tensión inversa en la unión puerta-cátodo, sin entrar en
avalancha
4. Absorción de portadores de toda la superficie conductora

Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear

tensiones inversas.

Figura 6.38 – Proceso de conmutación (abertura y cierre) del GTO.

IA
Para cortar el GTO se aplica una corriente −I G= muy grande, ya que
β off
β off es del orden de 5 a 10.

Resumiendo: Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor

pasará del estado “OFF” al estado “ON”. Por el contrario, si la corriente por
la puerta es negativa, el semiconductor dejará de conducir, pasando del
estado de “ON” a “OFF”. Con ello se tiene un control total del estado del
semiconductor en cualquier momento. Nótese que al tratarse de un tiristor,
la corriente sólo puede circular de ánodo a cátodo, pero no en sentido
contrario.

Figura 6.39 – Forma de onda de la corriente de puerta I G para encendido y bloqueo del GTO.

Figura 6.41 – Circuito típico de un GTO en la etapa de potencia.

(a) (b)

6.4 - IGCT

- Desarrollo de los conmutadores de potencia de silicio

 EL IGCT es un conmutador de semiconductores, este puede conmutar
más rápidamente y con menores pérdidas que los tiristores GTO e IGBT.

Los transistor IGBT han permitido conseguir frecuencias de

conmutación más altas, pero sus pérdidas de conmutación sólo se mantienen
en un nivel aceptable a bajas tensiones.

Las pérdidas se producen en cualquiera de los cuatro estados de

servicio (on, off, conexión, desconexión). Con tensiones medias, las pérdidas
de conducción de los tiristores GTO son muy bajas, el funcionamiento de
conmutación exige circuitos de protección contra las sobretensiones
(snubber).

Tabla 6.1 – La técnica IGCT aúna las ventajas de los tiristores GTO e IGBT

- Ventajas de la técnica IGCT de media tensión

Existen diferentes ventajas en la técnica de los IGCT cuando se

implementan en media tensión:

a) Bajas pérdidas de conmutación

b) Reducción de tamaño de los circuitos auxiliares
c) Mejores precios de componentes y sistemas
 d) Fiabilidad y disponibilidad

La técnica IGCT, desarrollada especialmente para aplicaciones en la

gama de tensión media, proporciona máxima fiabilidad gracias a las
características siguientes:

- conmutación homogénea
- técnica robusta de apilado, semejante a la de los tiristores (sin cableado)
- simplificación de los circuitos de control de compuertas
- menor número de componentes

- Aplicaciones de la técnica IGCT

La mayor ventaja del tiristor IGCT es su capacidad para desconectar en

3 microsegundos y para conducir como un tiristor normalconvertidores de
frecuencia para alimentación ferroviaria

- acoplamiento de redes
- compensadores de corriente reactiva para regular el factor de potencia de
desfasaje
- reguladores de flujo de potencia para centrales nucleares
- accionamientos de media tensión para tensiones de red de hasta 6,9 KVeff
- accionamientos de bombas y ventiladores para la industria química y
petroquímica
- accionamientos eléctricos principales para barcos
- alimentación de corriente ferroviaria sin transformadores
- accionamientos para locomotoras eléctricas
- convertidores de resonancia para calefacción inductiva
- interruptores automáticos estáticos.
6.4 – Elementos de disparo de los tiristores

6.4.1 – Diodo de corriente alterna “DIAC”

Debido a su comportamiento bidireccional y a su bajo valor de tensión
de cebado, se suele emplear como elemento de disparo de un SCR o un
TRIAC.

Figura 6.48 – (a) Estructura del TRIAC – (b) Estructura del DIAC

Figura 6.49 – Curva característica de un DIAC

6.4.2 - Transistor de uniunión o unijuntura UJT

(a) (b) (c)

Figura 6.50 – (a) Estructura interna de un UJT (b) Circuito equivalente. (c) Símbolo usual para
este transistor en el que se observa que la punta de la flecha apunta hacia el terminal B 1.

6.4.3 - Transistor uniunión programable PUT

Las siglas PUT proviene de su nombre en inglés Programmable
Unijunction Transistor es un elemento cuyo comportamiento es similar al
UJT, con la diferencia que en el PUT se puede programar la relación
mediante un divisor de tensión exterior.

A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el

que el terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de
cátodo. Al terminal de puerta, para diferenciarle de los tiristores, se le suele
denominar puerta anódica.

(a) (b) (c)

Figura 6.52 – (a) Estructura interna del PUT - (b) Circuito equivalente de un UJT – (c) Símbolo del PUT

La forma típica de polarizar al PUT se muestra en la figura 6.53, en la

que se observa el divisor de tensión de puerta formado por R 1 y P. Aplicando
el teorema de Thévenin al terminal de puerta, se obtiene el circuito
equivalente 6.51b, en el que el valor de Vs y RG vienen determinados por las
expresiones:
P
V S= ∙V ∴ V S =∙V ¿ ec. 6.25
P+ R 1 ¿
R1 ∙ P 1
RG = ∴ RG =
P+ R 1 1 1 ec.
+
P R1
6.26
Para una VS determinada y mientras VAA permanezca inferior a aquélla,
la corriente de ánodo IA o IF es prácticamente despreciable, estando el PUT
en estado de bloqueo. Si la tensión V AA supera en cierta cantidad (llamada
tensión de offset: Voffset) a VS se produce una inyección de portadores en el
diodo formado por A y GA dando lugar a un efecto de avalancha que provoca
el cebado del PUT. Al valor V AK necesario para provocar este cebado se le
llama tensión de pico VP, por analogía con el UJT. El potencial de disparo VP,
o voltaje necesario para disparar el dispositivo, está dado por:
P
V P= ∙V +V ∴ V P =∙ V ¿ +V D ∴ V P=V S + V D ec. 6.27
P+ R1 ¿ D
 Figura 6.53 – (a) Estructura interna del PUT - (b) Circuito equivalente de un UJT – (c) Símbolo del PUT

Para el silicio generalmente V D=0,7 V ; en algunas bibliografías al valor

de tensión V S suelen denominarlo V G, pero hace referencia al mismo
concepto.
Una vez cebado el PUT, si se reduce la tensión V AA de manera que la
corriente de ánodo pase por debajo de un valor llamado de valle I V, se
produce el paso al estado de bloqueo, al igual que ocurría en el UJT.
La figura 6.54 representa la curva característica eléctrica del PUT, en
la que IGAO representa la corriente inversa de la unión ánodo-puerta, estando
el terminal de cátodo abierto.

Figura 6.54 – Características eléctricas del PUT

Una vez visto el comportamiento básico de ambos elementos

pasaremos a estudiar su principal aplicación: la de generador de relajación.

6.5 – Tipos de disparos y extinción para la familia de tiristores

Se entiende por extinción del tiristor, el proceso mediante el cual, se

obliga al tiristor que estaba en estado de conducción a pasar al estado de
corte. Es necesario recordar que en el momento en que un tiristor empieza a
conducir, se pierde completamente el control sobre el mismo.

Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo se

pueden agrupar en dos grandes grupos: conmutación natural y conmutación
forzada
 En los circuitos de conmutación natural, la conmutación del tiristor se
produce de forma espontánea debido a la propia alimentación principal. Si la
tensión de alimentación es del tipo de corriente alterna, la corriente en el
tiristor pasará naturalmente por cero en un momento de su operación, y una
tensión inversa será aplicada entre sus terminales de ánodo y cátodo. El
tiristor es en consecuencia apagado por la operación normal del circuito. En
este tipo de circuitos el tiristor es disparado en cada semiciclo positivo para
controlar la entrega de energía a la carga. El control de potencia podrá ser
realizado por control de fase, disparando al tiristor en todos los semiciclos
positivos y modificando el ángulo de disparo, o bien actuando sobre el
número de semiciclos positivos en los cual el tiristor es disparado y
realizando siempre su disparo al inicio de cada semiciclo con ángulo de
disparo cero. Los circuitos alimentados con tensión alterna son el ejemplo
típico de conmutación natural, pero existe otros circuitos, donde la
naturaleza oscilante de la carga hace que la corriente pueda anularse, aún
con alimentación de continua.

Como ya se dijo anteriormente, con los tiristores se logra regular la

potencia media que pasará a la carga. La corriente y la tensión media que un
tiristor dejará pasar a la carga variarán en función del instante en el que se
produzca el disparo, del que van a depender factores tales como la potencia
entregada y la potencia consumida por el dispositivo, de forma que cuanto
mayor sea el ángulo de conducción, mayor potencia se tendrá a la salida del
tiristor.
 Como se deduce directamente de la figura 6.55, cuanto mayor sea el
ángulo de bloqueo (ángulo de disparo), menor será el ángulo de conducción:

180° = ángulo de bloqueo + ángulo de conducción.

Figura 6.55 – Ángulo de bloqueo y conducción de un tiristor cuando la señal de entrada es alterna
senoidal

Es muy importante conocer la variación de la potencia total en el

elemento semiconductor debido a las pérdidas del mismo en función de los
diferentes ángulos de conducción, para así poder determinar la temperatura,
tanto en la unión de montaje, como en la cápsula, y así poder calcular las
protecciones (disipadores) oportunos para la protección del circuito.

Ejemplo 6.3

Para el circuito simple de control de potencia con carga resistiva de la

figura, calcular: La tensión de pico en la carga, la corriente de pico en la
carga, la tensión media en la carga y la corriente media en la carga. Realizar
también un estudio del circuito mediante el programa Pspice, obteniendo las
formas de onda para un ángulo de retardo α = 60º. Comprobar que los
apartados calculados en el ejercicio, coinciden con las simulaciones.

Datos: Vef(RMS) = 120V, f = 50Hz, α = 60º, RL = 10Ω

Solución:

- Tensión de pico en la carga:

 Se corresponde con el valor de la tensión máxima suministrada por la
fuente:

V P(carga)=V max =√ 2∙ V ef (RMS )=√ 2∙ 120 V ∴ V P (carga) =169,7V

Figura 6.56 – Disparo SCR de un rectificador monofásico de media onda

- Corriente de pico en la carga

Se obtiene a partir del valor de la tensión de pico en la carga

V P(carga) 169,7 V
I P (carga)= = ∴ I P(carga)=16,97 A
RL 10

- Tensión media en la carga

V P (carga) 169,7 V π
V med =
2∙π
∙ ( 1+cos cos α )=
2∙ π [
∙ 1+cos cos ( )]
3
∴V med =40,5V

- Corriente media en la carga

Se calcula utilizando la ecuación anterior, pero sustituyendo el valor de

Vmax por el valor de Imax

I P (carga) 16,97 V π
I med =
2∙ π
∙ ( 1+cos cos α )=
2∙ π [∙ 1+cos cos( )]
3
∴ I med =4,05 V

Otra forma sería aplicando ley de Ohm

V med 40,5 V
I med = = ∴ I med =4,05V
RL 10
 (a)

(b)
Figura 6.57 – Con un resistencia RL=10ohm – (a) Forma de onda en la carga – (b) Forma de onda en el
SCR.

Para este ejemplo podemos concluir:

a. 0 ≤ ωt <α. El SCR está bloqueado. En estas condiciones no circula

ninguna corriente por la carga (IL = 0) y la tensión V AK =V P ∙ ωt α0
b. α ≤ ωt ≤ π. En el instante ωt=α el circuito de disparo aplica un pulso
que hace entrar el SCR en conducción. Aparece una corriente por la
carga de valor
V P ∙ ωt πα
I L=
ZL
 si se desprecia la caída de tensión en el SCR (V AK ≅ 0V). En estas
condiciones
V S =V L +V AK

c. π ≤ωt ≤ 2 π . En el instante α = π el SCR conmuta a corte de forma

natural. En el semiperiodo negativo el SCR se mantiene a corte
porque la tensión del ánodo es inferior a la del cátodo. La corriente
es nula (IL = 0) y la tensión V AK =V P ∙ ωt 2π π

Los tipos de disparo de SCR, TRIAC y GTO’s son los siguientes:

- Disparo en CC
- Disparo en CA
- Por impulsos.
- Por trenes de ondas.

Para precisar las condiciones de disparo se usa la gráfica de la figura

6.8 o la siguiente. Cuando el disparo se realiza en alterna la excursión
máxima de la tensión de puerta debe permanecer por debajo del valor
máximo admisible.
 Figura 6.58 – Curva de puerta de un SCR.

6.5.1 - Disparo por un impulso

Para poder disparar por impulsos se debe considerar que impulso hace
que el disparo coincida con el obtenido en corriente continua, de una
duración de una o varias decenas de microsegundos, según el elemento que
se desea cebar.

El cebado por impulsos permite obtener una potencia de pico superior

a la potencia media de puerta admisible, y pueden aplicarse tolerancias
mayores al circuito de cebado. Además, puede reducirse aun valor mínimo el
retardo entre la señal de puerta y la subida de la corriente anódica, lo que
hace posible una sincronización muy precisa. Por último, se limita la
disipación debida al aumento de la corriente residual hasta cerca del nivel de
cebado. Estas tres razones explican la preferencia que se otorga, siempre
que sea posible, a este modo de disparo que procura al mismo tiempo una
disipación menor y un aumento en la precisión.

Este tiempo de retardo disminuye cuando se aumenta la amplitud del

impulso de control, y tiende hacia 0,2 y 0,5 ms para impulsos de 500 mA o
más. En la práctica, conviene tener en cuenta los principios siguientes para
la obtención de los mejores resultados (en los casos más generales):

- El circuito de puerta debe recibir con preferencia la señal de ataque de un

generador de corriente.
- La corriente de control debe ser bastante superior al valor mínimo I GT
especificado y, por ejemplo, de 3 a 5 IGT.

Figura 6.59 – Curva de impulso en puerta de un SCR.

- El tiempo de subida ha de ser lo más breve posible, desde 0,1 a 1 ms,

sobre todo si el tiristor tiene que soportar una fuerte rampa de corriente
después del cebado.
- La duración del impulso debe ser tal que la corriente de control
permanezca por encima de IGT mientras no se alcance la corriente de
enganche de ánodo. Conviene además reservarse un margen de
seguridad, que es obligatoriamente importante en el caso de circuitos con
carga inductiva donde los fenómenos son más complejos.
6.5.2 - Disparo por trenes de ondas
En funcionamiento en corriente alterna sobre carga inductiva con un
TRIAC o dos SCR en montaje en antiparalelo, la corriente en el elemento
inductivo se prolonga más allá de la duración del primer semiciclo de tensión
en que ha tenido lugar el cebado, este desfase se corresponde a grandes
rasgos con el ángulo ϕ del cosϕ de la carga.

Puede entonces suceder que esta corriente no se haya anulado todavía

cuando se transmita el siguiente impulso de disparo; en consecuencia, el
TRIAC o uno de los SCR permanecerá cebado durante el paso de este
impulso y sólo se bloqueará tras su paso, sin posibilidad de que se vuelva a
cebar antes del semiciclo siguiente, que es de la misma polaridad que el
primero: de ello se sigue un efecto de rectificación que puede ser perjudicial
para los circuitos.

Figura 6.60 – Representación de disparo de trenes de impulsos de un tiristor con carga inductiva.

Para evitar este fenómeno, es preciso adoptar una de las dos decisiones
siguientes:

- Prolongar la duración de cada impulso (c).

- Enviar trenes de impulsos que se repitan hasta el fin de cada semiciclo
(d).
6.5.3 - Oscilador de relajación con UJT
En la figura 6.57a se representa un circuito típico de oscilador de
relajación con UJT y en el que la resistencia R 2 cumple la función de
estabilizar térmicamente al transistor. La figura 6.57b muestra las formas de
onda de salida de este circuito.

El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor

UJT. Cuando esto sucede, éste se descarga a través de la unión E-B1.

El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que

se llama de valle VV que es de aproximadamente 2.5 voltios (línea roja). Con
este voltaje el transistor UJT se apaga, o sea que deja de conducir entre E y
B1; y el capacitor inicia su carga otra vez (línea verde).

(a) (b)
Figura 6.61 – (a) Oscilador de relajación realizado un UJT – (b) La forma de onda de arriba representa lo
que se aplica al emisor y la forma de onda de abajo representa la salida del oscilador de relajación.

La línea negra en el segundo gráfico representa el voltaje que aparece

en el resistor R3, conectado entre B1 y neutro, cuando el capacitor se
descarga. Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar
tanto el valor del capacitor C como el valor del resistor R 1, para ello
generalmente se coloca una resistencia variable en serie con R 1. R2 y R3
también son importantes encontrar la frecuencia de oscilación.
 La frecuencia de oscilación está aproximadamente dada por:

1
F= ec.
( R1+ P ) ∙ C
6.28
Es muy importante saber que R 1 (o R1 + P) debe tener valores que deben
estar entre límites aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos
valores se obtienen con las siguientes fórmulas:

V S−V P
R1 max = ec.
IP
6.29

V S−V V
R1 min = ec.
IV
6.30

Donde:

- V S = es el valor del voltaje de alimentación, en el circuito de la figura 6.57

es de 20V.
- V P = valor obtenido dependiendo de los parámetro del UJT en particular
- I P = dato del fabricante
- V V = dato del fabricante
- I V = dato del fabricante

El proceso de carga VC se realiza a través de R1+P, se inicia con la

tensión VV y tiende a cargarse hasta VBB. La tensión VC viene dada por la
siguiente ecuación:

−t
V C (t )=V BB + ( V V −V BB ) ∙ e R ∙C ec. 6.31

El período de oscilación está definido por el tiempo to que tarda el

condensador en llegar a la tensión de activación V P del UJT. Es decir, el
tiempo to necesario para que la tensión V C (t =t ) =V P se obtiene desde la
0

ecuación 6.30:

V BB−V V
t 0=( R1 + P ) ∙ C ∙ ln ( V BB −V P ) ec. 6.32

V OB 1 es un valor de tensión proporcionada por el fabricante en forma de

gráfica en función de la resistencia RB1 asociada a la base de UJT y
suponiendo que RB1<< RBB. El tiempo de validez de esta tensión depende del
tiempo de conmutación y corte del UJT y suelen ser del orden del 1% del
período de oscilación del circuito. Por ejemplo un UJT 2N2646 produce una
tensión V OB 1=5 V (típico) si la resistencia RB1=20Ω y VB1B2=20V.

El método de disparo del SCR consiste en la inyección de un pulso de

corriente en su terminal de puerta, que activa al SCR y lo pone en
conducción.

El oscilador de relajación con UJT es un generador de pulsos por lo que

viene a ser un circuito de disparo ideal para el SCR.

Además, es posible determinar con toda precisión  la frecuencia con

que se producen los pulsos de disparo en el oscilador de relajación mediante
la variación de la constante de tiempo RC.

Al aplicar estos pulsos de disparo a la puerta de un SCR implica que es

posible retardar el disparo del SCR mediante el retardo en el disparo del
UJT, dentro de los límites de la frecuencia de oscilación, impuestos por la
constante de tiempo RC. A su vez, esto supone que es posible obtener un
control de fase sobre el voltaje en la carga, en el circuito de potencia.

Sin embargo, todo esto será válido sólo si los circuitos de control y de
potencia están sincronizados. Si el circuito de disparo y el oscilador de
relajación se alimenta con una batería independiente del circuito de
potencia, no se puede garantizar la sincronización entre el pulso de disparo
del UJT y la polaridad del voltaje alterno a través del SCR.
 Es decir, los pulsos producidos por el UJT tienen la misma probabilidad
de ocurrencia tanto en el semiciclo positivo como en el semiciclo negativo,
del voltaje alterno presente en el SCR.

Puede suceder que los pulsos de disparo se produzcan en puntos

diferentes para semiciclos diferentes del voltaje alterno en el SCR,
resultando en ángulos de disparo diferentes en cada semiciclo positivo. Los
pulsos que se produzcan en semiciclos negativos del voltaje en el SCR no
tendrán ningún efecto sobre él.

Si estos pulsos se producen muy al principio o al final de los semiciclos

negativos, el SCR no se dispara en los semiciclos positivos anterior o
siguiente, respectivamente. Esto provocaría "saltos" de semiciclos positivos
en el voltaje resultante en la carga.

            Los problemas mencionados se evitan si los circuitos de control

y de potencia están sincronizados. Una manera de lograr esta sincronización
consiste en alimentar el oscilador a partir de la misma fuente de voltaje
alterno que alimenta al circuito de carga. De esta forma se garantiza que
cada vez que el UJT entregue un pulso, la polaridad del SCR será la correcta
y hará que éste pase al estado de conducción. Además, también se asegura
que los ángulos de disparo sean uniformes para todos los semiciclos
positivos.

            A continuación presentamos un circuito que muestra una forma

de sincronizar los circuitos de control y de carga. Este oscilador de relajación
con UJT generalmente es empleado como circuito de disparo para un SCR
donde el circuito de disparo está sincronizado con la línea, al mismo tiempo,
está aislado del circuito de potencia.
 Figura 6.62 – Circuito de sincronización.

Análisis del circuito: En primer lugar, nótese que la alimentación para

el circuito de disparo proviene de la misma fuente de voltaje alterno (Eac)
que alimenta al circuito de potencia, a través de un transformador de
aislamiento, T1. Este transformador, al mismo tiempo que proporciona la
sincronización entre ambos circuitos, también aísla al circuito de control del
de potencia.

En la figura 6.62 se indica que el transformador entrega en su

arrollamiento secundario una quinta parte del voltaje de línea, ya que la
relación de transformación es 5:1. Esta fracción del voltaje de línea es un
nivel más adecuado para la alimentación del oscilador, que opera con
voltajes de entre 10 y 35 VCC. El secundario del transformador está conectado
a un puente rectificador, que entrega al punto A un voltaje rectificado de
onda completa, de la forma que muestra la figura 6.63.

Más adelante, el diodo Zener engancha este voltaje rectificado a un

nivel fijo, limitando y regulando los picos de tensión. De manera que el punto
B se genera un voltaje directo de onda casi cuadrada, como se muestra en la
figura 6.63.
 La parte del circuito hasta ahora descrita (el transformador de
aislamiento, el puente rectificador y el diodo Zener) constituye la fuente de
alimentación de corriente directa que requiere el oscilador de relajación para
su operación. El resto del funcionamiento del circuito de relajación es el
mismo que se indicó anteriomente.

La salida del circuito de relajación se inyecta en la puerta del SCR lo

que produce el disparo del mismo.
 Figura 6.63 – Forma de onda del circuito de sincronización.

- Cálculo de los parámetros del circuito

Las condiciones para el diseño del circuito de disparo con UJT, no son
muy rigurosas. Generalmente se limita R 1 a un valor que no supere los 100Ω.
El valor de R1 debe ser lo suficientemente pequeño para impedir que la
corriente que fluye a través de esta resistencia, aún después de disparado el
UJT, pueda generar un pulsos que cebe inadvertidamente al SCR. Pero, a la
vez, R1 debe ser lo suficientemente grande para que el pulso generado
alcance para cebar con seguridad al SCR.

 El valor de la resistencia de emisor, R E debe estar dentro del rango

comprendido entre 3 kΩ y 3MΩ. El límite inferior lo determina el hecho de
que la recta de carga de RE debe cortar la curva característica del UJT a la
izquierda del punto valle, de manera que el UJT regrese al estado  de corte
cuando el voltaje de emisor caiga por debajo del voltaje de valle.

El límite superior de RE está determinado de forma que la corriente

máxima de emisor sea superior a la corriente de pico, de manera que el UJT
pueda dispararse y entrar en conducción.

El voltaje de alimentación del oscilador, provisto por el diodo Zener en

nuestro circuito debe situarse entre 10 y 35 Volts. Generalmente se escoge
un Zener de 20V para ser utilizado con una fuente Ac de 120 V RMS, como es
nuestro caso.

Para el diseño del circuito de disparo se utiliza el UJT 2N2646 cuyas

características eléctricas se presentan a continuación.

De la hoja técnica podemos extraer los siguientes datos:

- Voltaje de Interbase Máximo VB1B2 =35V.

- Razón Intrínseca de Apagado, = 0,56 (min); 0,65 (típico); 0,75 (max).
- Resistencia de Interbases, RBB = 4,7 kΩ (min); 7,0 kΩ (típico); 9,0
kΩ (max).
- Voltaje de saturación de Emisor, VEB1(SAT) = 3,5 V.
- Corriente de Punto Valle, IV = 4,0 mA (min); 6,0 mA (típico).
- Voltaje de Punto Valle, VV = 2V (típico)

Los límites de frecuencia de oscilación del circuito de disparo, que

determinan el rango de control de fase sobre el voltaje en la carga, a su vez
están determinados por la constante de tiempo del oscilador:
T =( R E + P E ) ∙C E ec.
6.33

Se desea un control de fase sobre los 180º del semiciclo positivo del
voltaje alterno de alimentación, cuya frecuencia es de 50 Hz. Por lo tanto, la
mínima frecuencia de oscilación, correspondiente a la máxima resistencia de
emisor RE, debe ser del orden de la mitad del período del voltaje de
alimentación. En términos de tiempo, el período de una onda de 60 Hz de
frecuencia, es:

1 1
T= = ∴ T =20 ms
f 50 Hz
Por lo tanto, la máxima frecuencia de oscilación del circuito debe tener
un período de la mitad del cálculo. Esto es:

T 20 ms
T max= = ∴T max =10 ms
2 2

A este valor debe tender la máxima constante de tiempo ( R1 + P ) ∙ C .

V S−V P 20V −3,5 V

R1 max = = ∴ R 1max =16,5 M
IP 1 x 10−6 A
V S−V V 20 V −2V
R1 min = = ∴ R1 min =3 K
IV 6 x 10−3 A
Del cálculo anterior podemos definir que R1=3 K y P=16,2 M

Ahora debemos definir cual será el capacitor necesario para que el

período del oscilador sea de t 0 max=10 ms cuando se aplica la máxima
R1 max =16,5 M . De la ecuación 6.31 despajamos C, lo que nos arroja:

t0 0,01 seg
C= = ∴C ≅ 7 nF
V −V 20 V −2V
(
( R1 + P ) ∙ ln V BB −V V
BB P
) (
16,5 M ∙ ln )
20 V −3,5V
 Teniendo el valor de C ahora podemos obtener el mínimo período que
se logrará cuando utilicemos R1 min =3 K .

V BB−V V 20V −2V

t 0 min =( R1 + P ) ∙ C ∙ ln ( V BB−V P )
=3 K ∙ 7 nF ∙ ln (
20 V −3,5V )
∴ t 0 ≅ 2 μs

1 1
f min = = ∴ F=100 Hz
t 0 max 0,01 seg

1 1
f max = = ∴ F=500 KHz
t 0 min 2 x 10−6 seg

Figura 6.64 – Circuito de relajación para el cálculo.

6.5.4 – Disparo de TRIAC con DIAC

El circuito que se muestra en la figura 6.65, representa la forma más
elemental de un control de fase de onda completa que emplean DIAC para
disparar un TRIAC.
 Figura 6.65 – Circuito de disparo de TRAIC con el uso de DIAC para onda completa.

En el circuito el DIAC gobierna el TRIAC que alimenta en corriente

alterna a la carga, la potencia que ésta recibe varía con el ángulo de
conducción impuesto por la resistencia variable R2. Una vez que se aplica el
voltaje de alimentación, en cuanto se presenta el primer semiciclo, el
capacitor C1 empieza a cargarse a través de la resistencia R1+R2.

Cuando la carga de C1 alcanza el voltaje de ruptura del DIAC (V BO

alrededor de 30V), este último entra en conducción y C 1 se descarga sobre la
puerta del TRIAC, que entonces se dispara y permite el flujo de corriente
hacia la carga.

Cuanto más baja sea la resistencia en serie con el capacitor, o sea

R2=0, menor será la constante de tiempo (R 1+R2)xC1, el voltaje en el
capacitor alcanzará más rápidamente el valor de voltaje de ruptura del DIAC
VBO y el DIAC se disparará pronto en el semiciclo lo mas cercano al inicio del
ciclo.

Inversamente cuanto mayor sea la resistencia en serie, o sea R 2

máxima, la constante de tiempo será mayor (R 1+R2)xC1; C1 tardará más en
cargarse al voltaje de ruptura del DIAC, y el TRIAC se disparará más tarde
entregando menos corriente.

La operación del circuito debería ser la idéntica en ambos sentidos,

puesto que el DIAC entra en conducción al mismo voltaje de ruptura en
ambos sentidos de polarización.

6.5.5 Conmutación por carga de un capacitor

En este circuito se pueden distinguir dos partes bien diferenciadas:

● El circuito de potencia constituido por la fuente E, el SCR “T 1” y la

carga R0 (resistiva pura)
● El circuito auxiliar de bloqueo formado por la resistencia R, el
condensador C y un SCR “T2”.

La principal ventaja de este circuito, es que el valor del tiempo T ON no

estará sujeto, como en los casos anteriormente estudiados, a los parámetros
intrínsecos del sistema, sino que puede variar según se precise. Solo
dependerá del instante en el que se produzca el disparo del segundo SCR.

Figura 6.66 – Circuito de conmutación por carga de condensador

- T1 en conducción y T2 al corte (0 < t < TON)

Se supone que para t=0 no conduce ninguno de los SCR

El condensador “C” se cargará a través de la resistencia “R” hasta un

valor de tensión “E” dado por la fuente de tensión de la entrada.

T1 en corte y T2 al conducción (TON < t < T)

 Un instante posterior a T ON se dispara T2 pasando a conducción. Como
consecuencia de la carga alcanzada anteriormente por el condensador, el
cátodo de T1 se hace más positivo con respecto al ánodo, provocando la
conmutación del mismo. En este momento es la resistencia R la que estará
conectada a la batería, mientras que a través de R0 se produce la nueva
carga del condensador hasta un valor de -E.

6.6 - Utilización de optoacopladores

Un acoplador óptico, está constituido por la asociación dentro de una

misma cápsula de un fototiristor o fototransistor y un diodo LED. Este tipo de
dispositivos va a permitir un buen aislamiento entre el circuito principal
(circuito de potencia) y el circuito de control.

La intensidad de disparo necesaria es del orden de 50 mA,

obteniéndose aislamientos de unos 2000V. En algunos casos se puede
encontrar por separado el fototiristor y el diodo luminiscente con el fin de
poder usarlo como detector de posición o un captador.

Figura 6.70 – Esquema de un acoplador óptico con Tiristores.

Los optoacopladores MOC3040 y MOC3041 de Motorola son un claro

ejemplo de este tipo de dispositivos.

6.6.1 - Aplicaciones en alterna

Una de las aplicaciones de los Optoacopladores es el control de disparo
de Tiristores y Triacs de potencia que conmutan cargas que consumen una
gran potencia, puesto que con el empleo de este tipo de dispositivos se
garantiza un perfecto aislamiento entre el circuito de disparo y el circuito de
potencia.

Figura 6.71 – Circuito de control de potencia, para una carga resistiva pura, con optoacoplador.

En el caso de Optoacopladores con TRIAC, el uso de cargas inductivas

tales como motores, relés e imanes, crearán ciertos problemas para el
funcionamiento correcto del circuito. El problema mayor reside en que la
corriente de carga a través del TRIAC está retrasada con respecto a la
tensión de red un determinado ángulo. Después de la desactivación de las
señales de potencia permanece en conducción hasta que la corriente de
carga haya caído por debajo del valor de su corriente de mantenimiento.

7. Rectificación controlada

Estos sistemas permitirán la regulación del valor medio de la

tensión en la carga. La sustitución del diodo por el tiristor permite retardar
la entrada en conducción del mismo, lo cual ocurre no sólo cuando la tensión
entre sus bornes es positiva, sino cuando, siendo positiva se inyecta un pulso
de cebado a la puerta del tiristor.

El parámetro fundamental en estos rectificadores con tiristores será el

ángulo de retardo α, de forma que un tiristor conduce con un retardo de
tiempo α /w con relación al instante en el cual conduciría el diodo al que ha
sustituido.

Aquí hay que distinguir entre dos tipos:

 a. Rectificadores semicontrolados. Formados por tiristores y diodos.
b. Rectificadores totalmente controlados. Formados únicamente por
tiristores.

El principio de funcionamiento consiste en disparar los tiristores con

un cierto ángulo respecto del punto de conmutación natural o paso por cero
de la señal de entrada. Con ello se consigue aplicar la tensión de la fuente
sobre la carga un tiempo variable, que depende del momento del disparo y
por tanto se conseguirá variar los valores medios y eficaces de la tensión en
la carga.

7.1 - Rectificadores tipo P3 o de media onda con SCR.

Este tipo de montaje se refería a la rectificación mediante q SCR de un

sistema de q tensiones alternas suministradas por una fuente conectada en
estrella.

Es el montaje más sencillo para los rectificadores alimentados con la

red trifásica. Como en cada fase hay un solo semiconductor, éste deberá de
ser un SCR, no habiendo montajes de media onda semicontrolados.

Figura 7.1 – Rectificado trifásico controlado de media onda.

9π 13 π
Para V T ≤ ωt ≤ V T ≡ V 3 es la mayor de las tensiones: D 3ON
6 6

El ángulo α, es el ángulo existente entre el momento en que un SCR

queda polarizado directo hasta que finalmente conduce por efecto del pulso
de corriente aplicado. No debe contarse el ángulo de conmutación desde el
origen de la señal. Sabemos que aunque un SCR reciba una tensión directa
no conducirá ya que debe recibir una tensión mayor que el resto de los
diodos para poder entrar en conducción, además de esto en el caso de los
SCR necesitan también el pulso de disparo en la puerta.

Para calcular el voltaje medio en la salida del convertidor tenemos que

tomar en cuenta dos condiciones; cuando el ángulo de conmutación es menor
a 30º, la señal de voltaje de salida tiene una forma que comienza en α hasta
α +120º y cuando el ángulo es mayor a 30º comienza en α finalizando en 180º.
Podemos observar que para 0 ° <α ≤ 30 ° la tensión rectificada es continua y
entre 30 ° <α ≤ 150° es continua pulsante.

Cuando el ángulo de conmutación es menor a 30º, las formas de onda

de interés serán las siguientes:

<
Cuando el ángulo de conmutación es mayor a 30º o los que

π 5π
corresponde decir que está comprendido entre el intervalo <α ≤ , las
6 6
formas de onda de interés serán las que se muestran en la figura 7.4.

Figura 7.4 – Forma de onda para un rectificado trifásico controlado de media onda y un valor de

π 5π
<α ≤ .
6 6

I m ( carga )
I m (T )=
3

√ 3 ∙ I RMS ( carga)
I RMS (T )=
3

La expresión de I m (T ) y I RMS (T ) de entrada es lógica, ya que cada SCR

conduce por un lapso de 120º y el área de cada señal de corriente en la línea
es un tercio el área de la corriente en la carga, además la corriente efectiva
de entrada no depende de α, ya que el ángulo de conmutación sólo desplaza
la señal pero no modifica su forma de onda.

7.1.1 - Análisis con carga altamente inductiva

A diferencia del estudio realizado para esta configuración carga
resistiva, con carga altamente inductiva el voltaje en la carga tiene una
forma diferente debido a la conducción forzada de los SCR. Ahora el voltaje
efectivo y voltaje medio es la carga estarán dados por una expresión general
en función de α, sin importar si el ángulo de conmutación es mayor o menor
a 30º.

Con este tipo de carga el convertidor puede trabajar también en modo

inversor (α >90 º ). La forma de onda de voltaje en la carga para diversos
ángulos típicos de conmutación se presenta en la figura 7.6.

Figura 7.6 – Forma de onda de la tensión en la carga inductiva.

La corriente en la carga cuando se alimenta un consumo inductivo

tiende a tener un valor continuo y las componentes armónicas de corriente
son filtradas por la inductancia de la carga tal como se muestra en la figura
7.7.

Figura 7.7 – Forma de la corriente en la carga y en cada fase de la red de alimentación.

7.1.2 - Armónicos en el Convertidor
La siguiente tabla nos sirve para calcular los voltajes armónicos que
aparecen en la salida del convertidor analizado. Para ciertos ángulos típicos
de conmutación se puede calcular fácilmente multiplicando el valor de
tensión VRMS de entrada al rectificador por el valor de tabla 7.1. Para ángulos
distintos a los tabulados se podría interpolar y obtener un valor para el
armónico deseado, pero teniendo en cuenta que siempre existirá en dicho
caso un margen de error a considerar.

Tabla 7.1 - Armónicos de voltaje en convertidor trifásico de media onda

7.2 Puente rectificador trifásico PD3 de onda completa totalmente controlado

El circuito de disparo ha de suministrar 6 impulsos de control para

cada período de la tensión de alimentación, separados π /3 en el tiempo, con
un intervalo de aplicación por impulso de 180 °−α, contando α desde el
instante de conmutación natural si fueran diodos. El orden en que los
tiristores reciben sus impulsos se debe al orden de encendido y su ubicación.

Figura 7.8 - Montaje para el puente rectificador trifásico totalmente controlado. Es de onda completa
con 6 tiristores y se usa en aplicaciones industriales de más de más de 120kW.
- Instante A: encendido simultáneo de T5 y T1 que da origen al siguiente
circuito:

Figura 7.9 – Representa la parte habilitada del circuito para el instante A de la figura 7.10

- Instante B: una vez encendido T1 y tras un desfase de 60°, llega un

impulso hasta la puerta de T6, y esto hace que dicho tiristor conduzca y
que la corriente conmute de T5 a T6 dando origen al circuito siguiente de
la figura 7.11

Figura 7.10 – Forma de onda con carga resistiva y α=π/6.

 Figura 7.11 – Representa la parte habilitada del circuito para el instante B de la figura 7.10

- Instante C: T2 recibe el impulso principal 60° después de la entrada en

conducción de T6. Esto hace que T2 conduzca y la corriente conmute de
T1 a T2, donde resultará el siguiente circuito:

Figura 7.12 – Representa la parte habilitada del circuito para el instante C de la figura 7.10
Figura 7.13 - Formas de onda de la tensión en la carga para los ángulos de control: α = 0°, 30°, 60°, 90°.

7.2.1 - Estudio para un ángulo de retardo α ≤ 60 ° :

Con estas condiciones tendremos en la carga una tensión continuada
positiva. Tomando como ejemplo la figura 7.10, para α =30 °, vemos que cada
SCR empieza a conducir 30 ° después de que lo hiciera el mismo montaje pero
con diodos. Cada elemento conducirá durante 60 °, igual que lo hacía en el
puente no controlado.

7.2.2 - Estudio para un ángulo de retardo α >60 °:

Cuando el ángulo de disparo α >60 ° la tensión pasa de ser continua a
continua pulsante tal como se puede observar en la figura 7.15; figura 7.17 o figura
7.19a.

Figura 7.16 - Puente rectificador trifásico totalmente controlado con carga inductiva

✔ En caso de carga inductiva, el valor de la tensión en la carga se puede

hacer negativo para algunos tramos de un ciclo.
✔ Si tenemos una carga altamente inductiva y sin diodo volante, habrá
una corriente continuada en la carga y aplicaremos las ecuaciones ec.
7.20 y ec. 7.22 para hallar la V ' m y la V ' RMS respectivamente.

3 ∙ √3
V ' m= ∙ V mx(fase) ∙ cos cos α ∴ V ' m=1,654 ∙ V mx(fase) ∙ cos ( α ) ec. 7.20
π

1 3 √3
V ' RMS=√ 3 ∙V mx(fase) ∙
√ +
2 4π
∙ cos cos 2 α ec.

7.22
 ✔ Si tenemos carga altamente inductiva y diodo volante o la carga es
resistiva, los SCR conducirán desde que se disparan (para α>60°)
hasta que el valor instantáneo de la tensión en la carga sea cero. Por lo
tanto tendremos corriente discontinua en la carga.

Figura 7.17 - Formas de onda del puente rectificador trifásico totalmente controlado con carga inductiva
y diodo volante para α=90°.
Podemos apreciar que no tenemos tensiones negativas en la carga.

7.2.3 - Puente rectificador trifásico semicontrolado:

En la figura 7.19 se muestra la tensión entregada a la carga para
distintos ángulos de disparo en un puente rectificador trifásico totalmente
controlado y en un puente rectificador trifásico semicontrolado. La tensión
instantánea en la carga se anula para α =60 °, y se acentúa más a medida que
aumenta α, por lo que la tensión media en la carga va de un máximo positivo
para α =0 °, hasta un valor nulo para α =180 °. El armónico fundamental de la
tensión rectificada es de 150Hz, en caso de redes de 50Hz.