Práctica no. 2.

”Parámetros del transistor de efecto de

campo (JFET).”
Objetivo.

Obtener los parámetros y curva de transconductancia de un Transistor de Efecto de

Campo (JFET).

Desarrollo.

En esta práctica, se obtendrán los dos principales parámetros de un transistor JFET.

La obtención de los parámetros del JFET se basa en la propia definición de las

características de operación de este transistor. Se realizarán dos experimentos con el
propósito de obtener la corriente IDSS así como la curva de transconductancia.

1. Medición de IDSS.

Del circuito anterior, se puede observar que la polarización de la unión de la compuerta

fuente se encuentra en polarización inversa al conectar la compuerta a tierra, se tiene
una fuente de corriente directa de 0 a 15 volts. Esta fuente tiene el propósito de
incrementar el voltaje VDS hasta alcanzar la región de saturación del canal del FET.

Para la obtención de IDSS realizamos lo siguiente:

- Ajustamos el voltaje de la fuente variable a 0 volts.

 - Incrementamos el voltaje de la fuente variable lentamente y se observa el
aumento de la corriente hasta que esta permanezca constante, en ese punto la
corriente en el amperímetro es IDSS (ID = IDSS).

Al aumentar la fuente variable de voltaje, vimos como la corriente fue aumentando su

valor hasta que esta ya no cambió por más que incrementábamos el voltaje, esta
corriente es la corriente máxima y para nuestro caso fue de:

IDSS = 1.63 mA.

2. Obtención del Vp ó VGS(off).

El parámetro VGS(off) es el voltaje de compuerta-fuente en el que la corriente se hace 0

Amp. Así para la medición de este parámetro se implementa el siguiente circuito:

En este circuito se observa que el voltaje de alimentación es fija de 12 volts.

A la compuerta se le está aplicando un voltaje negativo utilizando un potenciómetro

conectado a una fuente de -5V a Gnd, con lo que es posible aplicar un voltaje variable
negativo en la compuerta.

Para la medición de VGS(off) se incrementa el voltaje de compuerta (negativo) hasta que

ID sea cero. En este momento VGS=Vp.

Al momento en que ID fue cero el voltaje que medimos fue:

VGS(off) = -1.1V.
3. Obtención de la curva de transconductancia.

Para obtener la curva de transconductancia o transferencia del JFET completamos la

siguiente tabla, tomando las medidas del circuito anterior.

VGS ID (mA)
(volt)

0 1.63

-0.12 1.29

-0.2 1.07

-0.3 0.83

-0.4 0.62

-0.5 0.45

-0.61 0.28

-0.7 0.17
Gracias a estos datos pudimos obtener la curva de
-0.8 0.07 transconductancia del JFET, la cual coincide con la que se ha
-0.9 0.03 visto en clases.

-1 0.01

-1.1 0

4. Obtención de las curvas de operación.

Del circuito 2, sustituimos la fuente fija de 12V por una fuente variable. La obtención de
las curvas de operación se realizará llenando las siguientes tablas:
 VGS(off) = 0V VGS(off) = 0.25V VGS(off) = 0.49V VGS(off) = 0.76 V VGS(off) = 1.1V

Valim ID Valim ID Valim ID Valim ID Valim ID

1 1.02 1 0.20 1 0.40 1 0.10 1 0

2 1.51 2 0.89 2 0.44 2 0.10 2 0

3 1.58 3 0.91 3 0.44 3 0.10 3 0

4 1.59 4 0.92 4 0.45 4 0.10 4 0

5 1.60 5 0.93 5 0.45 5 0.10 5 0

6 1.61 6 0.93 6 0.45 6 0.10 6 0

7 1.61 7 0.93 7 0.46 7 0.10 7 0

8 1.61 8 0.94 8 0.46 8 0.11 8 0

9 1.62 9 0.94 9 0.46 9 0.11 9 0

10 1.62 10 0.94 10 0.46 10 0.11 10 0

11 1.62 11 0.94 11 0.46 11 0.11 11 0

12 1.62 12 0.94 12 0.46 12 0.11 12 0

Graficando los datos obtenidos en las tablas de arriba tenemos la siguiente gráfica: