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TDC - Pequeña Señal PDF
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CAPÍTULO 3
En la Figura 24 se representa un diodo que se polariza con dos fuentes de alimentación, una
genera una diferencia de potencial constante entre sus extremos y la otra una diferencia de
potencial variable con el tiempo y de media cero. Las fluctuaciones de tensión generadas por esta
fuente son, por hipótesis, muy pequeñas. Si se polarizara el diodo sólo con la primera fuente, la
corriente que circularía sería la dada por la característica estática (ver Figura 25). Sin embargo, al
existir el segundo generador, la corriente fluctúa con el tiempo alrededor de este valor de equilibrio.
El modelo de pequeña señal del diodo permite calcular estas fluctuaciones.
Figura 24: Superposición de una pequeña señal a la tensión de polarización del diodo.
conveniente hacer un cambio de ejes coordenados cuyo origen coincide con el punto de
polarización (ver Figura 25). Si las fluctuaciones son de amplitud pequeña no se comete un error
apreciable si en vez de considerar la curva característica se toma la recta tangente a ella en el punto
de polarización. En definitiva, lo que se obtiene es una relación lineal entre la componente
fluctuante de corriente y la componente fluctuante de la tensión de polarización, por lo que el
modelo de pequeña señal del diodo es una conductancia, g, de valor la pendiente de la curva
característica en el punto de polarización (resistencia de valor 1/g).
di D Io ⋅ eVD / VT I
g= | v =VD = ≈ D
dv D D VT VT
67
donde ID y VD son la corriente y tensión en el punto de polarización del diodo (valor de corriente y
tensión del diodo si la fuente alterna de pequeña señal se anula). La aproximación que se hace en la
ecuación anterior es válida si el diodo está fuertemente polarizado en directa ( eVD / VT >> 1 ). La
corriente g·v representa la corriente fluctuante que atraviesa el dispositivo, cuya conductividad es g,
debido a los cambios de tensión en torno al punto de polarización.
3.2.1 Modelo en π
El resto de componentes del circuito corresponden con lo que físicamente ocurre en las
dos uniones y en la región activa de la base. Entre los nodos B'-E y B'-C' nos encontramos las
uniones de emisor y colector, respectivamente. Por tanto, las ramas eléctricas equivalentes se
corresponden con los modelos de pequeña señal de un diodo, es decir, un condensador y una
resistencia en paralelo. En la región activa de funcionamiento, la unión de emisor está polarizada en
directa y la unión de colector en inversa. Por tanto, rb'e es mucho menor que rb'c'. Un valor típico
para la primera es 1KΩ y para la segunda decenas de MΩ. Sin embargo, Cb'e será mucho más
grande que Cb'c' ya que el exceso de portadores de la base se carga y descarga en mayor medida a
través de la unión del emisor17.
17
En la unión de emisor, polarizada en directa, tiene gran peso la capacidad de difusión. Mientras, en la unión de
colector, polarizada en inversa, la capacidad de difusión es mucho menor.
69
Al variar la tensión vb'e, varía la corriente a través de la unión de emisor, que por efecto
transistor llega hasta el colector. Por ello es necesario una fuente de corriente entre el colector
(nodo C') y el emisor que dependa de la tensión Vb'e. El parámetro gm, que tiene dimensiones de
Ω −1 , se llama transconductancia y es el parámetro más importante cuando se utiliza el transistor
como amplificador. Por último, como se observa en la característica de salida en emisor común
(Figura 22.(a)), por efecto Early, en región activa, al variar la tensión VCE aumenta levemente la
corriente de colector. Este efecto se puede modelar mediante una resistencia rc'e entre colector y
emisor. Un valor típico de esta resistencia es 100KΩ.
• Las resistencias rbb' y rc'c' son muy pequeñas y pueden considerarse como cortocircuitos.
• Consideraremos que las tensiones variarán con una frecuencia suficientemente baja para
que los condensadores se comporten como circuitos abiertos. Este hecho no tendrá ninguna
influencia en el resultado final que obtengamos.
cuando éste esta cortocircuitado con el emisor. Teniendo en cuenta que las variables de pequeña
señal son pequeños incrementos entorno el punto de polarización, el cociente anterior se puede
expresar mediante
∂iC di
gm = = C vCE es cons tan te
∂v BE dv BE
IC
gm =
VT
18
En este apartado y en lo sucesivo se ha asumido el siguiente convenio: las variables de pequeña señal se denotan por
la letra y el subíndice minúscula (Ej: ic, vbe, ... ), las variables globales o de gran señal con la letra en minúscula y los
subíndices en mayúscula (Ej: vCE, iE, ... ) y los puntos de polarización con todo en mayúscula (Ej: IC, IB, ... )
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v BE = v BE (i B , vCE )
iC = iC (i B , vCE )
∂v BE ∂v
v BE ≈ v BE ( I B , VCE ) + ⋅ (i B − I B ) + BE ⋅ (v CE − VCE )
∂i B ∂vCE
∂i ∂i
iC ≈ iC (i B , vCE ) + C ⋅ (i B − I B ) + C ⋅ (v CE − VCE )
∂i B ∂vCE
72
∂v BE v βVT ∂v BE v VT
hie = |Q ≈ be |vce =0 ≈ hre = |Q ≈ be |ib =0 ≈
∂i B ib IC ∂vCE vce VA
∂iC ic ∂iC i IC
h fe = |Q ≈ |vce =0 ≈ β hoe = |Q ≈ c |ib =0 ≈
∂i B ib ∂vCE vce VA
En las definiciones de los parámetros h dadas en la Ecuación 42 , la letra Q indica que las
derivadas parciales se evalúan en el punto de polarización, es decir, iB=IB y vCE=VCE. Nótese
además que las derivadas pueden aproximarse por el cociente de las variables de pequeña señal y
que las condición de considerar constante la variable de gran señal (implícita en la definición de
derivada parcial) es equivalente a anular la correspondiente variable de pequeña señal (Ej.: vCE es
constante equivale a que vce=0). El conjunto de ecuaciones dado por la Ecuación 41 es equivalente
al circuito de la Figura 30. Valores típicos son: hie=1KΩ, hre=10-4, hfe=100 y h-1oe=80KΩ.
Los parámetros de pequeña señal dependen fuertemente del punto de polarización del
dispositivo. Expresiones aproximadas son:
IC βVT
gm ≈ rb 'e ' ≈
VT IC
βVA VA
rb 'c ' ≈ rc 'e ' ≈
IC IC
A modo de ejemplo obtengamos los parámetros hie y hfe en función de los parámetros del
modelo en π. De la Ecuación 42 se observa que hie=vbe/ib cuando vce=0. Si cortocircuitamos la
salida del modelo en π y consideramos que rb'c es un circuito abierto, el circuito restante queda
como en la Figura 31. Por tanto, hie=(vbe / ib)=r b'b+r b'e. Aplicando la definición de hfe obtenemos:
hfe =ic/ib}=gm·vb'e /ib= gm·ib·r b'e/ib=gm·r b'e
Vcc
R1 Rc C
C
Q1
Vo RL
Vi R2
Amplificador
Figura 32
75
-5 V -10 V
Rb Rc C
C
Q1
Vo RL
Vi
Figura 33
3) El circuito de la Figura 34 representa a un amplificador compuesto por dos transistores bjt, más
una fuente de pequeña señal con una resistencia interna Rs. Se pide:
a. Calcular el valor de la resistencia Rc1 para que Q1 esté polarizado en activa y Q2
justo en medio de la zona activa.
b. Calcular el valor de la resistencia Rc1 para que Q1 esté polarizado en activa y Q2
justo en el límite entre el corte y la zona activa.
c. Dibujar el modelo de pequeña señal del amplificador.
v ⎞
d. Obtener los parámetros AvO = o ⎟⎟ , Ri, Ro.
vi ⎠CA
e. Suponiendo que la señal de entrada, vs(t), es la representada en la figura, dibujar la
tensión instantánea de salida, vO(t), en los casos de polarización a y b.
Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100, hie = 1KΩ, Rb1 = 100 KΩ, Rb2 = 7,6 KΩ,
RC2 = 1 KΩ, RS = 1 KΩ, Vcc = 10 V
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Vcc
Rc2 C
Vs(mV)
Rb1 Rc1
Q2 1
C
Rs
1 2 3 4
Q1
Vo (t)
-1
Vs Vi Rb2
-2
Figura 34
4) Suponiendo que los condensadores del amplificador de la Figura 35 se han diseñado para que se
comporten como cortocircuitos a las frecuencias de trabajo, hallar:
a. El valor de la resistencia Rb2, sabiendo que la tensión de colector de polarización es
VC = 5 V.
b. Dibujar el modelo de pequeña señal del amplificador.
v ⎞
c. Obtener los parámetros AvO = o ⎟⎟ , Ri, Ro.
vi ⎠CA
d. Modificar el circuito para conseguir duplicar la ganancia sin variar el punto de
polarización del transistor.
e. Modificar el circuito para conseguir elevar la tensión de polarización VO sin variar
la ganancia del amplificador.
Datos: VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100, hie = 1KΩ, Rb1 = 10 KΩ, RC = 3 KΩ, Re1 =
100Ω, Re2 = 50Ω, Vcc = 10 V
Vcc
Rc
Rb2 C
C
Q1
Re2 Vo
Vi C
Rb1
Re1
Figura 35
Vcc
Rc
9R C
C Ir
Q1
Vo
Vi R Re
C
Figura 36
78
Resultados:
1)
a) VBE = 0.7 V, VCE = 5 V, IB = 50 μA, IC = 5 mA
b) hfe = 100, hie = 0,5 KΩ, (hoe)-1 = 10 KΩ
-1
Vi R1//2 hie hfe·ib hoe RC vo RL
c)
d) vo
Av = = −95,3
vi
vo ⎞
e) AvO = ⎟ = −182 , Ri =0,483 KΩ, Ro =0,91 KΩ
vi ⎟⎠CA
f) vo
Av = = −95,3
vi
10
9
vCE(t) vCE(t)
5 5
4
vO(t) vO(t)
-4
Apd. f -5 Apd. g
g)
2)
a) VEB = 0.7 V, VEC = 5.7 V, IB = 43 μA, IC = 4.3 mA
b) hfe = 100, hie = 0,58 KΩ
Vi Rb hie hfe·ib RC vo RL
c)
vo
d) Av = = −86.2
vi
3)
a) RC1 = 63 KΩ
b) RC1 = 104 KΩ
ib1 C1=B2 ib2 C2
B1
E1 E1=E2 E2
c)
79
vo ⎞
d) AvO = ⎟ = −10000 , Ri =1 KΩ, Ro =0,88 KΩ
vi ⎟⎠CA
9.36 9.36
vO(t) vO(t)
4.68 4.68
1 2 3 4 (t) 1 2 3 4 (t)
e) Apd. a Apd. b
4)
a) Rb2 = 81 KΩ
ib
hie hfe·ib
vi R1//2 RC vo
RE1
b)
vo ⎞
c) AvO = ⎟ = −30 , Ri =5 KΩ, Ro =3 KΩ
vi ⎟⎠CA
d) Cambiando el condensador de Re2 a Re1.
e) Opciones:
• Aumentar Rb2 => ib baja => ic baja => Vo sube
• Disminuir Rb1 => ib baja => ic baja => Vo sube
• Aumentar Re2 => ic baja => Vo sube
5)
a) VB = 1 V, VE = 0.3 V, VC = 7 V
b) R = 330 Ω
ib
c)
vo
d) Av = = −100
vi
e) V = pequeña señal + componente continua
• Vi = 5 + K ⋅ sen(ωt )
• VB = 1 + K ⋅ sen(ωt )
• VE = 0.3 + 0
• VC = 7 − 100K ⋅ sen(ωt )