FUNDAMENTO DE ELECTRICIDAD

UNIDAD I Componentes básicos electrónicos

Introducción:
En los últimos años la investigación de la física del estado sólido de la
materia, ha provisto a los científicos de los conocimientos necesarios para producir nuevos
dispositivos electrónicos, los semiconductores que ocupan hoy día un lugar de prominencia
en el mundo de la electrónica.

Componentes prácticamente desconocidos hace treinta años, surgen hoy,

desplazando a las válvulas de vacío (tubos) de funciones que hasta hace poco se creían de
su exclusiva propiedad.

Para el estudio y comprensión de los fenómenos que ocurren en dispositivos

semiconductores, es necesario conocer algunos detalles del mundo atómico, como por
ejemplo:
Su estructura
Propiedades de las partículas que lo Integran

El ATOMO
Modelo atómico de BOHN PROTONES:
POSEEN CARGA
ELÉCTRICA
POSITIVA (+)

NEUTRONES: NO
POSEEN CARGA, SON
ELÉCTRICAMENTE
NEUTROS

ELECTRONES: POSEEN
CARGA ELECTRICA
NEGATIVA (-), GIRAN
NUCLEO K L M N O P Q ALREDEDOR DEL NUCLEO
Fig.1
 El componente fundamental de la materia, es decir, de todo lo que nos rodea, es el
átomo que se le asigna una estructura como lo indica la Fig. (1), compuesto de un núcleo,
el que contiene partículas llamadas:

- Protones: Carga eléctrica positiva (+) de masa mayor que el neutrón.

- Neutrones: Sin carga eléctrica, menor masa y más inestable
- Alrededor del núcleo giran partículas llamadas electrones, de carga
eléctrica negativa (-), constituyen el elemento fundamental de la
electricidad.

Propiedades del átomo

1) Los protones que poseen carga eléctrica positiva de igual magnitud que la del electrón,
son aproximadamente 1800 veces más pesado.
2) Un átomo normal, el número de electrones que giran alrededor del núcleo, es igual al
número de protones, y por ello se dice que un átomo es eléctricamente neutro.
3) Debido al movimiento de rotación de los electrones alrededor del núcleo a, actúa sobre
él una fuerza centrífuga que trata de alejarlos del núcleo. Esta fuerza se equilibra con la
fuerza de atracción del núcleo lo que mantiene al electrón en una órbita estable.(Fig. 2)

Fn Fc
-
e
NUCLEO

Fig. 2
4) Todo lo que nos rodea, es decir, todos los materiales que forman nuestro mundo diario,
están formados por aproximadamente 100 sustancias básicas o elementos.

Ejemplo:
H , Ca , N , O , K , Cl , Cu, Na, etc

O bien una combinación de dos o más elementos básicos

Ejemplo:
Agua, Sal, Acero, Bronce, etc.

5) Cada elemento básico posee una cantidad diferente de electrones girando alrededor del
núcleo, en diferentes órbitas que se designan con las letras:

K, L, M, N, O, P, Q

La órbita más cercana al núcleo es la capa K; y la mas alejada del núcleo se designa
con la letra Q.
La última capa u orbital de un átomo se denomina capa de valencia.
Un átomo que posee en su última capa un número máximo de 8 e -, este elemento se
comporta como un aislador.

Ejemplo:

Gases Nobles como el Neón, Argón,. Kriptón, etc.

Aquellos átomos que poseen 1, 2 o 3 electrones en el último orbital son buenos

conductores.

Ejemplo:

Oro, Plata, Cobre, etc.

Los átomos que poseen 4 electrones en su último orbital se denominan semi

conductores.

Ejemplo:

Germanio, Silicio, etc.

6) Los electrones ubicados en la última capa, son los que determinan las propiedades
químicas y eléctricas de un elemento y se denominan electrones de valencia y la
capa que los contiene capa de valencia.

7) Sobre la capa de valencia existen niveles vacantes en las que se denominan niveles de
excitación.

Banda de valencia: Es la zona en que los electrones se encuentran

semilibres.
 Banda de conducción: Es la zona donde los electrones se encuentran con
la suficiente energía como para moverse libremente en una estructura
cristalina.
Banda prohibida: Zona cerrada al paso libre de los electrones entre las
bandas de conducción y de valencia.

(NIVELES DE EXCITACIÓN)
E BANDA DE CONDUCCION
N
E
R BANDA PROHIBIDA
G
I
A (NIVELES DE VALENCIA)
BANDA DE VALENCIA

Fig. 3

Para que los electrones de la banda de valencia puedan servir como portadores deben
pasar a la banda de conducción, ello implica entregarles una cierta cantidad de energía,
que puede tener la forma de calor, luz, radiaciones, etc. La magnitud de dicha energía es
igual a la altura de la banda prohibida. Se mide en eV. (1 eV = 1,6 х 1019 Joules)

- BANDA DE CODUCCION

- BANDA DE VALENCIA

Fig. 4
Conductores: El cobre es un buen conductor eléctrico, la razón es evidente si se tiene en
cuenta su estructura atómica. El núcleo o centro del átomo contiene 29 protones (cargas
positivas). Cuando un átomo de cobre tiene una carga neutra, 29 electrones (cargas
negativas) se disponen alrededor del núcleo, los electrones en distintos orbitales, llamados
“capas o niveles de energía”

Átomo de cobre (Cu)

Z = 29

Protones
(29)
e=e=8
Neutrones
e=2 e=8 e=18 e=1
(29)

Fig. 5

La parte interna: En la electrónica, lo único que importa es el orbital exterior, el cual se

denomina orbital de valencia. Es este orbital exterior el que determina las propiedades
eléctricas del átomo.

Electrón libre: Como el electrón de valencia es atraído muy débilmente por la parte
interna del átomo, una fuerza externa puede arrancar fácilmente este electrón, al que se
conoce como electrón libre y por eso mismo, el cobre es un buen conductor. Incluso la
tensión o fuerza mas débil puede hacer que los electrones libres de un conductor se
muevan de un átomo al siguiente.
Los mejores conductores son: El Oro, la Plata, el Cobre, el Eridio, etc.
 Átomo de cobre (Cu)
(Fig. 6) Diagrama de la
parte interna
de un átomo
de cobre

-1

+1

Ejercicio: Supongamos que una fuerza exterior arranca el electrón de valencia de un

átomo de cobre.
¿Cuál es la carga resultante del átomo de cobre?
¿Y si un electrón exterior entra en la orbital de valencia, cual es la carga resultante
del átomo de cobre de la figura anterior (Fig. 6)?

Solución:
Cuando un electrón de valencia se va, la carga resultante del átomo es de +1. Si un
átomo neutro pierde uno o mas electrones se convierte en un átomo cargado
positivamente, que recibe el nombre de Ion positivo.
Cuando un electrón exterior entra dentro del orbital de valencia, la carga resultante
del átomo es igual a –1. Si un átomo tiene un electrón extra en la orbital de
valencia, llamamos al átomo que cargado negativamente, Ion negativo.

Semiconductores: Los mejores conductores (Plata, Cobre, Oro) tienen un electrón de

valencia mientras que los mejores aislantes poseen ocho electrones de valencia. Un
semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de un conductor y las
de un aislante (Germanio – Silicio)
Ejemplo:
Átomo de Silicio
Z = 14

+4
–
–

Fig.7

Un átomo de Silicio tiene 14 protones y 14 electrones. En el primer orbital posee 2

electrones y el segundo 8 electrones. Los 4 electrones restantes se encuentran en el
orbital de valencia, como lo indica la figura 5, la parte interna tiene una carga resultante
de + 4 porque contiene 14 protones en el núcleo y 10 electrones en los dos primeros
orbitales.
Los 4 electrones de valencia nos indican que el silicio es un semiconductor.

Ejercicio:

¿Cuál es la carga resultante del átomo de silicio si pierde uno de los electrones de
valencia?
¿Y si gana un electrón extra en el orbital de valencia?

Solución:
Si pierde un electrón de valencia, se convierte en un Ion positivo, con carga +1.
Si el átomo de silicio gana un electrón de valencia extra, se transforma en un Ion
negativo –1.
Cristales de silicio: Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido, lo
hacen en una estructura ordenada llamada cristal. Cada átomo de silicio (Si) comparte sus
electrones de valencia con los átomos de silicio vecinos de tal manera que suman 8
electrones en el orbital de valencia.

Fig.8 a Fig.8 b
Un átomo de cristal tiene 4 electrones Enlaces covalentes

Enlaces covalentes: Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo central, de
esta forma el átomo central parece tener cuatro electrones adicionales, sumando un total
de ocho electrones en su orbital de valencia. En realidad, los electrones dejan de
pertenecer a un solo átomo, ya que cada átomo central y sus vecinos comparten
electrones y así sucesivamente dentro de la estructura cristalina.

Saturación de valencia: Cada átomo en un cristal de silicio tiene ocho electrones en su

orbital de valencia. Estos ocho electrones producen una estabilidad química que da como
resultado un cuerpo compacto de material de silicio. Nadie esta seguro porqué el orbital
exterior de todos los elementos tiene una predisposición a tener ocho electrones. Cuando
no existen ocho electrones de forma natural en un elemento este tiende a combinarse y
compartir electrones con otros átomos vecinos con el fin de obtener ocho electrones en el
orbital exterior, estableciendo con ello una estructura compacta.
 Establecimos como ley:

Saturación de valencia: n = 8

Dicho de otro modo, el orbital de valencia no puede soportar más de ocho

electrones. Un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente
(aprox. 25º C )

Semiconductores Intrínsecos: Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro.

Un cristal de Si o Ge es un semiconductor intrínseco si cada átomo del cristal es un átomo
de la misma especie. A temperatura ambiente, un cristal puro de Si o Ge se comporta mas
o menos como un aislante ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus
huecos correspondientes, producidos por la energía térmica que posee dicho cristal.

Dos tipos de semiconductores extrínsecos: Un semiconductor se puede dopar para

que tenga un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. Debido a ello existen dos
tipos de semiconductores dopados.

Semiconductor extrínseco del tipo N: Al silicio o germanio que ha sido dopado con
una impureza pentavalente se llama semiconductor extrínseco tipo N, donde N hace
referencia a negativo. En un semiconductor extrínseco del tipo N como los electrones
superan a los huecos reciben estos el nombre de portadores mayoritarios, mientras que los
huecos reciben el nombre de portadores minoritarios.(Fig. 9)

Si

Electrón

Si As Si

Si

Fig. 9
Dador de electrones, queda cargado negativamente
Semiconductor extrínseco del tipo P: El silicio o germanio que ha sido dopado con
impurezas trivalentes se llama semiconductor extrínseco tipo P, donde P hace referencia a
positivo. Como el numero de huecos supera a los electrones libres, los huecos reciben el
nombre de portadores mayoritarios y los electrones se les denomina portadores
minoritarios.(Fig. 10 )

Si

Si Al Si

Si Hueco o espacio

Fig. 10

Receptor de electrones, queda cargado positivamente

Características de la unión pn: (El diodo no polarizado) Por si mismo un cristal

semiconductor del tipo P o N tiene la misma utilidad que una resistencia de carbón; Pero
ocurre algo nuevo cuando un fabricante dopa un cristal de la forma que una parte sea tipo
P y la otra sea tipo N. La separación o frontera física de esta se llama unión pn. La unión
pn tiene propiedades tan útiles que ha propiciado toda clase de inventos, entre los que se
encuentran los diodos, transistores y circuitos integrados.(Fig.11)
Comprender la unión pn permite entender toda clase de dispositivos fabricados con
semiconductores.
 Zona de contacto (unión)

+ + - -

P +

+
+

+
-

-
-

-
N
Fig. 11

En el cristal pn se va a producir una difusión de portadores mayoritarios en ambas

zonas. Los electrones de la zona N pasaran a la zona p y los huecos de la zona P pasaran a
la zona n cruzando la unión. Esta difusión de produce debido a que los electrones tienden
a llenar los huecos adyacentes a la unión, dejando a su vez una zona de huecos en la
posición original, la difusión se manifiesta en los lados adyacentes de la frontera y se
denomina zona de transición.(Fig. 12)

Zona de transición o deflexión

+ + + - - -

+ + + - - -

+ + + - - -

Fig. 12
 Debido al proceso de difusión, se produce una concentración de cargas opuestas a
ambos lados de la unión, cargas negativas en la zona P y cargas positivas en la zona N,
siendo cerca de la unión, mayor la concentración de cargas opuestas.
Por la concentración de cargas opuestas se genera un campo eléctrico y una
diferencia de potencial que se conoce como barrera de potencial.
La barrera de potencial detiene el proceso de difusión de portadores. La carga
negativa concentrada rechazará a los electrones que intenten pasar, los cuales no tendrán
la suficiente energía para saltar la barrera.(Fig. 13)
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada barrera de potencial. La barrera de potencial es del orden de los (mV) y
dependerá de los valores de temperatura y de la naturaleza del cristal.
La barrera de potencial es aproximadamente de 0,3 V para diodos de Germanio y de
0,7 V para diodos de Silicio.

Fig. 13

P N

- +

Polarización directa: Se ve una fuente de corriente continua conectada a un diodo. El

Terminal negativo de la fuente esta conectado al material tipo n y el Terminal positivo al
material tipo p. Esta conexión se llama polarización directa. En este caso existe una
inyección de portadores mayoritarios por la diferencia de potencial aplicada, con lo cual se
reduce la barrera de potencial y se produce la conducción. (flujo de electrones) (Fig. 14)
 Fig. 14

P N

La barrera de potencial disminuye

Polarización inversa: Si se invierte la polaridad de la fuente de continua, entonces el

diodo quedara polarizado en inversa. Al revés de la situación anterior, los portadores
mayoritarios son atraídos por el potencial contrario aplicado en sus extremos, lo cual hace
que aumente la barrera de potencial; por lo tanto, los electrones no tendrán la suficiente
energía para atravesar la barrera y la corriente será prácticamente nula. Esta conexión se
denomina polarización inversa.(Fig. 15)

Fig. 15

P N

La barrera de potencial aumenta

 Los fenómenos anteriormente mencionados corresponden al funcionamiento
de un diodo de “unión” cuyo símbolo se muestra a continuación:(Fig. 16)

Fig. 16

La barrera de potencial y la temperatura: La temperatura de la unión es la

temperatura dentro del diodo, exactamente en la unión pn. La temperatura ambiente es
diferente, es la temperatura del aire fuera del diodo. Cuando el diodo esta conduciendo, la
temperatura de la unión es más alta que la temperatura ambiente a causa del calor creado
en la recombinación. La barrera de potencial depende de la temperatura creada en la
unión. Un incremento en la temperatura de la unión crea más electrones libres y huecos,
que se difunden en la zona de deflexión. Esta se estrecha lo que significa que hay menos
barrera de potencial a temperaturas altas en la unión.