Transistor

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Transistor

Transistorer (cropped).jpg

El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de manejar

Tipo Semiconductor

Invención John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (1947)

Símbolo electrónico

BJT symbol NPN.svg

Terminales Emisor, base y colector

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El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de

salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer
resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Índice

1 Historia

2 Funcionamiento

3 Tipos de transistor

3.1 Transistor de contacto puntual

3.2 Transistor de unión bipolar

3.3 Transistor de efecto de campo

3.4 Fototransistor

4 Transistores y electrónica de potencia

5 Construcción

5.1 Material semiconductor

6 El transistor bipolar como amplificador

6.1 Emisor común

7 Diseño de una etapa en configuración emisor común

7.1 Base común

7.2 Colector común

8 El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica

9 Véase también

10 Referencias

11 Bibliografía

12 Enlaces externos

Historia

Artículo principal: Historia del transistor

Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una patente
para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que
se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que estaba
destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también solicitó patentes
en los Estados Unidos en los años 19262 y 1928.34 Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún
artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta
calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de
estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930, aunque acabara de
construir un dispositivo de este tipo.5

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un dispositivo
similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron
experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro de potasio, usando
tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de 1 Hz, pero sus
investigaciones no condujeron a usos prácticos.7Mientras tanto, la experimentación en los
Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones sobre
rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés
Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de vacío.7

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos

estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8llevaron a
cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran
aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida mayor que
la de entrada.9 El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley vio el potencial
de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en gran medida el conocimiento
de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense
John R. Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el
termistor y el varistor y basándose en la propiedad de transrresistencia que mostraba el
dispositivo.10 Según una biografía de John Bardeen, Shockley había propuesto que la primera
patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y
que él fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld
que quedaron en el olvido años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la
propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su
lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de
contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de
junio de 1946,11a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo.12
1314 En reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".15

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes
Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux,
una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré tenía experiencia previa
en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con
Welker en el desarrollo de un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este
conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la "interferencia" que había observado
en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo
resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por
Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en diciembre de
1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el
transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo
llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia.16El 26 de junio de 1948,
Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión17 y el 24 de agosto de 1951
solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,18 tal como se declaró en ese
documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George
Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,19
cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.20 Meses antes, el 9 de mayo de
ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores
conocido actualmente como transistor Darlington.21

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio

desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en
1953,22capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo, se usó un
procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas
depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato de indio
hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las
depresiones formó el colector y el emisor.24El primer receptor de radio para automóviles que
fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también
fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa época.2526
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954
por el químico Morris Tanenbaum.27El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller,
solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos
semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas
Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado
previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta pureza.29 El primer
transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio
Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.3031

Funcionamiento

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales

específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las
dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la

que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de sí
mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga
por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia
logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones
de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación
de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales
como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor,
etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los
transistores son emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,

JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la
compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual

Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de
ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar

Artículo principal: Transistor de unión bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o el
arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico y las
de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas
sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el
sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como el arsénico o el fósforo;
mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o «huecos») se
logran contaminando con átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el
galio.

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación
entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Transistor de efecto de campo

-Símbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo
en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N
y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el
surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que
llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en
función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del
canal mediante un dieléctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-

Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.

Fototransistor

Artículo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la

de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de
base. (IP) (modo de iluminación).
Transistores y electrónica de potencia

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos

semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido
su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores son empleados en
conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de
corriente dentro de un circuito cerrado.

Construcción

Material semiconductor

Características del material semiconductor

Material

semiconductor Tensión directa

de la unión

V @ 25 °C Movilidad de electrones

m2/(V·s) @ 25 °C Movilidad de huecos

m2/(V·s) @ 25 °C Máxima

temperatura de unión

°C

Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200

Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los transistores
de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de microondas y de
alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la
aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un
elemento (Ge y Si) se describe como elemental.

Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para
fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros variarán con el aumento de
la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros factores diversos.

La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor

bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente específica. La
corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en directa de la
unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los mismos
valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de la unión en
directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energía para colocar en conducción
al transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada disminuye con el aumento
de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es de –2.1 mV/°C.34 En algunos
circuitos deben usarse elementos compensadores especiales (sensistores) para compensar
tales cambios.

La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del campo
eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel de impurezas en
el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen deliberadamente en la
fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento eléctrico.

Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la

velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del material
semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del material. En
general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar más
rápido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este respecto. Sin
embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con el silicio y
arseniuro de galio:

Su temperatura máxima es limitada.

Tiene una corriente de fuga relativamente alta.

No puede soportar altas tensiones.

Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.

Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los huecos para
todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser más rápido
que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio tiene el valor más alto de movilidad
de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se utiliza en aplicaciones de
alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta
movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre diferentes
materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio
(GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de barrera GaAs-
metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en los receptores
de satélite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los HEMT basados en nitruro de
galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT) proporcionan una movilidad de los
electrones aún mayor y se están desarrollando para diversas aplicaciones.

Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados a
partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o el
transistor puede dañarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-semiconductor
de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente como diodos Schottky. Esto
está incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de potencia de silicio tienen un diodo
Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y el drenaje como parte del proceso de
fabricación. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito del cual
forma parte.

El transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno
entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en
inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión
directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el
germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la

corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores
normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para el amplificador
transistorizado: emisor común, base común y colector común.

Emisor común

Emisor común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta al
punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal de entrada como para la de salida. En
esta configuración, existe ganancia tanto de tensión como de corriente. Para lograr la
estabilización de la etapa ante las variaciones de la señal, se dispone de una resistencia de
emisor, (RE) y para frecuencias bajas, la impedancia de salida se aproxima a RC. La ganancia de
tensión se expresa:

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{E}}}}{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{E}}}}

El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la señal de
entrada.

Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la siguiente

forma:
{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{e}}}}{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{e}}}}

Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se
puede suponer que existe una tensión constante, denominada {\displaystyle
V_{BE}}{\displaystyle V_{BE}} y que el valor de la ganancia (β) es constante. Del gráfico adjunto,
se deduce que la tensión de emisor es:

{\displaystyle V_{E}=V_{B}-V_{BE}}{\displaystyle V_{E}=V_{B}-V_{BE}}

Y la corriente de emisor:

{\displaystyle I_{E}={\frac {V_{E}}{R_{E}}}={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}}{\displaystyle

I_{E}={\frac {V_{E}}{R_{E}}}={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}}.

La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

{\displaystyle {\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}{\beta

}}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}{\displaystyle
{\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac
{1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}

Despejando la corriente de colector:

{\displaystyle I_{C}={\frac {I_{E}}{1+{\frac {1}{\beta }}}}}{\displaystyle I_{C}={\frac

{I_{E}}{1+{\frac {1}{\beta }}}}}

La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:

{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac
{I_{E}}{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}}{\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac {I_{E}}{1+\displaystyle
{\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}}

Como β >> 1, se puede aproximar:

{\displaystyle 1+{\frac {1}{\beta }}=1}{\displaystyle 1+{\frac {1}{\beta }}=1}

y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:

{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}{\frac

{V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}-
R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-
R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}{\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg
(}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}-R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}

La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la restante

expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada 180º
respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia es expresada como:

{\displaystyle {\begin{aligned}G_{V}&={\frac {V_{C}}{V_{B}}}\\&=-{\frac

{R_{C}}{R_{E}}}\end{aligned}}}{\displaystyle {\begin{aligned}G_{V}&={\frac {V_{C}}{V_{B}}}\\&=-
{\frac {R_{C}}{R_{E}}}\end{aligned}}}

La corriente de entrada, {\displaystyle I_{B}={\frac {I_{E}}{1+\beta }}}{\displaystyle I_{B}={\frac

{I_{E}}{1+\beta }}}, si {\displaystyle \beta >>1}{\displaystyle \beta >>1} puede expresarse como
sigue:

{\displaystyle {\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}{R_{E}\beta

}}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}}{\displaystyle
{\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-
V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}}

Suponiendo que {\displaystyle V_{B}>>V_{BE}}{\displaystyle V_{B}>>V_{BE}}, podemos escribir:

{\displaystyle I_{B}={\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}{\displaystyle I_{B}={\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}

Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda como:

{\displaystyle {\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}{\displaystyle
{\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}{\displaystyle
{\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}{\displaystyle {\frac
{V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más
elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Diseño de una etapa en configuración emisor común

Recta de carga de un transistor en configuración de emisor común

Amplificador de emisor común

Recta de carga

Esta recta se traza sobre las curvas características de un transistor que proporciona el
fabricante. Los puntos para el trazado de la misma son: {\displaystyle Ic={\frac
{Vcc}{Rc+Re}}}{\displaystyle Ic={\frac {Vcc}{Rc+Re}}} y la tensión de la fuente de alimentación
{\displaystyle Vcc}{\displaystyle Vcc}

En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturación, que tienen
utilidad cuando el transistor actúa como interruptor. Conmutará entre ambos estados de
acuerdo a la polarización de la base.

La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización. Un criterio extendido
es el de adoptar {\displaystyle Vce={\frac {Vcc}{2}}}{\displaystyle Vce={\frac {Vcc}{2}}}, si el
circuito no posee {\displaystyle Re}{\displaystyle Re}. De contar con {\displaystyle
Re}{\displaystyle Re} como es el caso del circuito a considerar, el valor de {\displaystyle
Vce}{\displaystyle Vce} se medirá desde el colector a masa.

El punto Q, se mantiene estático mientras la base del transistor no reciba una señal.

Ejercicio

Procederemos a determinar los valores de {\displaystyle Rc(R3),Re(R4),R1,R2,Zin,Zo\,y\

Gv}{\displaystyle Rc(R3),Re(R4),R1,R2,Zin,Zo\,y\ Gv}
Datos: {\displaystyle Vcc=20V,Icq=10mA,Vceq=8V,\beta =100}{\displaystyle
Vcc=20V,Icq=10mA,Vceq=8V,\beta =100}

{\displaystyle V_{E}={\frac {1}{10}}V_{CC}={\frac {1}{10}}20=2V}{\displaystyle V_{E}={\frac

{1}{10}}V_{CC}={\frac {1}{10}}20=2V}

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{E}={\frac {V_{E}}{I_{E}}}\approxeq {\frac

{V_{E}}{I_{C}}}={\frac {2V}{10mA}}=200\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} }
_{E}={\frac {V_{E}}{I_{E}}}\approxeq {\frac {V_{E}}{I_{C}}}={\frac {2V}{10mA}}=200\Omega }

Esta aproximación se admite porque {\displaystyle \beta \gg 10}{\displaystyle \beta \gg 10}

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-V_{CE}-

V_{E}}{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} }
_{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-V_{CE}-V_{E}}{I_{C}}}={\frac {20V-8V-
2V}{10mA}}=1K\Omega }

{\displaystyle V_{B}=V_{BE}+V_{E}=0.7V+2V=2.7V}{\displaystyle
V_{B}=V_{BE}+V_{E}=0.7V+2V=2.7V}

Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del divisor de voltaje
{\displaystyle R_{1}}{\displaystyle R_{1}} y {\displaystyle R_{2}}{\displaystyle R_{2}}, debe ser
mucho mayor que la corriente de base; como mínimo en una relación 10:1

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq {\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac

{1}{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq {\frac
{1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac {1}{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega }

{\displaystyle V_{B}={\frac {R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}}{\displaystyle V_{B}={\frac

{R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}} utilizando el valor de {\displaystyle V_{B}}{\displaystyle V_{B}}
obtenido anteriormente

{\displaystyle V_{B}=2.7V={\frac {(2k\Omega )(20V)}{R_{1}+2k\Omega }}}{\displaystyle

V_{B}=2.7V={\frac {(2k\Omega )(20V)}{R_{1}+2k\Omega }}} {\displaystyle \quad \therefore
\quad }{\displaystyle \quad \therefore \quad } {\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 1={\frac
{(2k\Omega )(20V)}{2.7V}}-(2k\Omega )=12.8k\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} }
1={\frac {(2k\Omega )(20V)}{2.7V}}-(2k\Omega )=12.8k\Omega }

La resistencia dinámica del diodo en la juntura del emisor {\displaystyle r_{e}}{\displaystyle

r_{e}}, se calcula tomando el valor del voltaje térmico en la misma, y está dado por:
{\displaystyle r_{e}={\frac {V_{T}}{I_{E}}}\approxeq {\frac {V_{T}}{I_{C}}}={\frac
{26mV}{10mA}}=2.6\Omega }{\displaystyle r_{e}={\frac {V_{T}}{I_{E}}}\approxeq {\frac
{V_{T}}{I_{C}}}={\frac {26mV}{10mA}}=2.6\Omega }

Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa; {\displaystyle G_{V}=-
{\frac {R_{C}}{r_{e}}}=-{\frac {1K\Omega }{2.6\Omega }}=-385}{\displaystyle G_{V}=-{\frac
{R_{C}}{r_{e}}}=-{\frac {1K\Omega }{2.6\Omega }}=-385}

No se toma en cuenta {\displaystyle R_{E}}{\displaystyle R_{E}} ya que el emisor se encuentra a

nivel de masa para la señal por medio de {\displaystyle C_{E}}{\displaystyle C_{E}}, que en el
esquema se muestra como {\displaystyle C_{3}}{\displaystyle C_{3}}; entonces, la impedancia
de salida {\displaystyle Z_{O}}{\displaystyle Z_{O}}, toma el valor de {\displaystyle
R_{C}}{\displaystyle R_{C}} si el transistor no tiene carga. Si se considera la carga {\displaystyle
R_{L}}{\displaystyle R_{L}}, {\displaystyle Z_{O}}{\displaystyle Z_{O}} se determina por
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{C}}}+{\frac
{1}{R_{L}}}}}}{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{C}}}+{\frac
{1}{R_{L}}}}}} considerando que {\displaystyle R_{L}}{\displaystyle R_{L}} tiene el valor
{\displaystyle 5K\Omega }{\displaystyle 5K\Omega }, {\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} }
_{O}={\frac {1}{{\frac {1}{1K\Omega }}+{\frac {1}{5K\Omega }}}}=830\Omega }{\displaystyle
\mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{1K\Omega }}+{\frac {1}{5K\Omega
}}}}=830\Omega }

Al considerar la{\displaystyle R_{L}}{\displaystyle R_{L}}, la ganancia de tensión se ve

modificada: {\displaystyle G_{V}=-{\frac {830\Omega }{2.6\Omega }}=-319}{\displaystyle
G_{V}=-{\frac {830\Omega }{2.6\Omega }}=-319}

La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por
{\displaystyle Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega }{\displaystyle Z_{b}=r_{e}\beta
=(2.6)(100)=260\Omega }

Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina: {\displaystyle \mathbf

{\mathbb {Z} } _{i}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{1}}}+{\frac {1}{R_{2}}}+{\frac {1}{Z_{b}}}}}={\frac
{1}{{\frac {1}{12.8k\Omega }}+{\frac {1}{2k\Omega }}+{\frac {1}{260\Omega }}}}=226\Omega
}{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{i}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{1}}}+{\frac {1}{R_{2}}}+{\frac
{1}{Z_{b}}}}}={\frac {1}{{\frac {1}{12.8k\Omega }}+{\frac {1}{2k\Omega }}+{\frac {1}{260\Omega
}}}}=226\Omega }
La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los cálculos, porque se han
elegido de una capacidad tal, que su reactancia {\displaystyle X_{C}\rightarrow 0}{\displaystyle
X_{C}\rightarrow 0} en las frecuencias de señales empleadas.

Base común

Base común

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las
masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia
solo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que
uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia
de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis
similar al realizado en el caso de emisor común, da como resultado que la ganancia
aproximada es:

{\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}

{\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida
como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.