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ANALOGICA
ANALOGICA
CARRERA:
MECATRONICA
ESTUDIANTES:
EDWIN ASTUDILLO
RICARDO RIOS
JAVIER MOGROVEJO
1. El Cobre al tener un único electrón en su última capa (complete 29 electrones) es un
elemento con los electrones de valencia incompletos por lo que lo hace mejor conductor
que el silicio y el germanio, los cuales ya tienen completos sus electrones de valencia.
2.
Material intrínseco: es un material semiconductor previamente refinado para que sea lo
mas puro possible y asi tenga el menor numero de impurezas.
Coeficiente de temperatura negativo: son materiales con un decaimiento de resistencia a
medida que la temperatura incrementa.
Enlace covalente: es la compartición de electrones entre átomos cercanos.
3.
Materiales con coeficiente de temperatura negativo:
Germanio
Carbón
Silicio
Tungsteno
Cobre
Aluminio
4.
A través de la ecuación de la diferencia de potencial que se define como:
1 𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒𝑠 (𝐽)
1𝑉𝑜𝑙𝑡(𝑉) =
1 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏 (𝐶)
Procedemos a calcular la energía que se requiere para mover una carga de 6 C a través de
una diferencia de potencial de 3V. Por lo tanto
1 𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒𝑠 (𝐽)
3𝑉 = 6𝐶
𝐽 = 6𝐶 ∗ 3𝑉
𝑱 = 𝟏𝟖 𝑱
Respuesta: la energía en Joules que se requiere para mover una carga de 6 C a través de
una diferencia de potencial de 3V es de 18 Joules.
5.
Para proceder a ocupar la ecuación, se requiere convertir los eV en Joules, por lo tanto:
7.690 ∗ 10−18 𝐽
𝑄=
12 𝑉
𝑸 = 𝟔. 𝟒𝟎𝟖 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟗 𝑪
Respuesta: La carga implicada es de 6.408 ∗ 10−19 𝐶
6.
GaP: Fosfuro de Galio (III)
2.26 eV
1.5
Tenemos como diferencia que las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen
como átomos donadores y en cambio las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se
llaman átomos aceptores. Por lo tanto, su diferencia consta en el numero de electrones de valencia.
10. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como se demostró
para el silicio en la figura 1.7.
11. Repita el problema 10, pero ahora inserte una impureza de indio.
12. Consulte su biblioteca de referencia y busque otra explicación del flujo de huecos contra el de
electrones. Con ambas descripciones, describa con sus propias palabras el proceso de conducción
de huecos