Tema1 Teor A de Semiconductores Diod PDF

Teoría de Semiconductores – Diodo Semiconductor 1/20
1. Introducción
La electrónica hace uso de los dispositivos lineales en combinación con los no lineales
para producir un efecto o acción específica que requiera de cierta precisión. Esta acción
puede ser: generación de señales, detección de frecuencias, amplificación de señales,
comparación y detección de niveles de señal, etc.
Un dispositivo no lineal es aquel cuyo comportamiento no puede representarse por

medio de una línea recta con pendiente constante en el tiempo, a diferencia de los
dispositivos lineales como resistencias, condensadores, inductores.
El dispositivo mas simple y de mayor utilidad en la electrónica es el diodo, el cual es un

dispositivo electrónico no lineal de dos terminales cuyas características básicas son:
La no linealidad: Su comportamiento no puede describirse a través de una línea

recta.
La no bilateralidad: Lo que significa que tiene una baja resistencia si se polariza en
una dirección y alta resistencia con la polarización contraria.
Esta última característica indica que el diodo es un dispositivo semiconductor y de

hecho está construido en base a materiales semiconductores.
2. Teoría de Semiconductores
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede

considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en
orden creciente. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas
negativas. En los semiconductores se producen corrientes producidas por el
movimiento de electrones como de las cargas positivas.
Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la tabla

periódica, caracterizados por ser tetravalentes. El modelo atómico de Bhor nos sugiere
una idea del átomo formado por tres partículas fundamentales: electrón, protón y
neutrón. Los protones y neutrones forman el núcleo y los electrones giran alrededor del
núcleo en órbitas fijas. Los electrones que se ubican en la capa orbital externa se
conocen como electrones de valencia.
Los semiconductores más conocidos el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, el
comportamiento del silicio es más estable que el germanio frente a todas las
perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, es el primero (Si) el
elemento semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes
electrónicos de estado sólido; el proceso del germanio es absolutamente similar, pero
con frecuencia se hará referencia aquí al silicio.
Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo,
como electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es de
14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición
Electrónica Prof. Julima Anato

de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos
conocidos, un electrón se siente más ligado al núcleo cuanto mayor sea su cercanía
entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte
del núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en
las órbitas exteriores. Estos electrones pueden, según lo dicho anteriormente, quedar
libres al inyectarles una pequeña energía. En estos recaerá nuestra atención y es así
que en vez de utilizar el modelo completo del átomo de silicio (figura 1), utilizaremos la
representación simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro interés.
La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona

sombreada de la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la

fuerza de atracción del núcleo son cuatro.
2.1. Semiconductor Intrínseco
Cuando el material semiconductor se encuentra formado por átomos del tipo explicado
en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o más usualmente que
es un semiconductor intrínseco.
Un material semiconductor consiste de una red de unidades repetidas, las cuales

ocupan un espacio cúbico, tal como se ilustra en la figura 3. Dentro de cada unidad
cúbica se encuentra un átomo localizado en el centro con cuatro átomos alrededor de
él, ubicados cada uno de ellos en cuatro de los ocho vértices del cubo. Cada electrón
de valencia se comparte con otro electrón de valencia del átomo vecino formando así
un enlace covalente.

Una barra de material semiconductor puro está formada por la repetición de esta unidad
cúbica repetida formando una determinada estructura geométrica que se conoce como
red cristalina.
Si en estas condiciones inyectamos energía desde el exterior, algunos de esos

electrones de las órbitas externas dejarán de estar enlazados y podrán moverse.
Lógicamente si un electrón se desprende del átomo, este ya no está completo, decimos
que está cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha
aparecido un hueco y al mismo tiempo un electrón libre (figura 4). Asociamos entonces
el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrón.
El átomo siempre tendrá la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus
cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentará atraer un electrón de otro átomo para
rellenar el hueco que tiene.
Toda inyección de energía exterior produce pues un proceso continuo que podemos
concretar en dos puntos:
Electrones que se quedan libres y se desplazan de un átomo a otro a lo largo de la

barra del material semiconductor.
Aparición y desaparición de huecos en los diversos átomos del semiconductor.

Queda así claro que el único movimiento real existente dentro de un semiconductor es
el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas
positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando
lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es
absolutamente falso. Los huecos no se mueven, sólo parece que lo hacen.
Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores identificaremos a los

electrones libres y a los huecos como portadores, en vista de que su movimiento es
capaz de provocar la conductividad.
2.2. Semiconductor Extrínseco
La pureza de los materiales intrínsecos es tan alta que existen muy pocos electrones
libres, además la movilidad de los portadores es muy baja y por consiguiente la
conductividad. Por esta razón la utilidad de los materiales semiconductores intrínsecos
es limitada sólo a dispositivos especiales como por ejemplo: el termistor, el cual es un
resistor dependiente de la temperatura.
En vista de que la corriente que aparece en los materiales intrínsecos es de muy

pequeño valor, pues son pocos los electrones que se pueden arrancar de los enlaces
covalentes, se tienen dos posibilidades para el aumento de esta corriente:
Aplicar una tensión de valor superior.

Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión

aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solución elegida es la
segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado" y el material

semiconductor resultante se le llama extrínseco.
El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de material puro semiconductor por

átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas.
Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o
intrínseco aparecen dos clases de semiconductores extrínsecos:
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P
2.2.1. Semiconductor Tipo N
Si en una red cristalina de material semiconductor intrínseco de silicio (figura 5)

sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa
exterior) por un átomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa

exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los
átomos de la red y el quinto queda libre tal como se muestra en la figura 6.
A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo
N".
En esta situación hay mayor número de electrones que de huecos. Por ello a estos
últimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los
electrones libres.
Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el arsénico, el

antimonio y el fósforo.
2.2.2. Semiconductor Tipo P
Si en un material intrínseco de silicio, como el mostrado en la figura 5, se sustituye uno

de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un
átomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior (figura 7),
resulta que estos tres electrones llenarán los huecos que dejaron los electrones del
átomo de silicio, pero como son cuatro, quedará un hueco por ocupar.

O sea que ahora la sustitución de un átomo por otros provoca la aparición de huecos en
el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" serán los huecos y los
electrones los portadores minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo P"
2.2.3. Representación de los semiconductores extrínsecos
Los semiconductores extrínsecos se representan indicando dentro de los mismos el tipo

de portadores mayoritarios, tal como se muestra en la figura 8.
3. El Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma con sólo juntar los materiales tipo N y tipo P, dando
como resultado un dispositivo de dos terminales (Figura 9), por lo que al dispositivo
también se le conoce como diodo de Unión o simplemente Unión NP o Unión PN.
En el momento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en
la región de la unión se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la
región cercana a la unión, como se indica en la figura 10.

A esta región de iones positivos y negativos descubiertos se le llama región de
agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta región.
La presencia de iones positivos y negativos en la zona de unión representa un potencial

que dificulta el movimiento de portadores de una región hacia la región opuesta y por
esta razón la región de agotamiento representa una barrera de potencial que
proporciona un equilibrio en cuanto a corriente debida al movimiento de portadores.
Este equilibrio sólo puede romperse sometiendo la unión a una tensión externa a través
de sus terminales, de tal forma que los portadores adquieran suficiente energía para
romper la barrera de potencial.
La aplicación de una tensión entre los terminales de un dispositivo se conoce como

polarización. Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicación de un
voltaje (VD) a través de sus terminales permite tres posibilidades: No polarización,
Polarización directa y Polarización inversa.
3.1. Diodo No Polarizado (VD = 0V)
En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier

dirección para un diodo semiconductor es cero. (Figura 11)
3.2. Polarización inversa (VD < 0V)
Si un potencial externo de V voltios se aplica a la unión de tal forma que la región tipo P
esté a un nivel de tensión menor que la región tipo P, se dice que el diodo está
polarizado inversamente.
El efecto de esta polarización, como ilustra la figura 12, es ampliar la barrera de

potencial a través del exceso de electrones libres que son arrastrados hacia el terminal
positivo de la fuente, aumentando el número de iones positivos en la unión y por
consiguiente el de iones negativos también. Con esto se reduce la posibilidad de
conducción debido al movimiento de portadores mayoritarios a través de la unión.

No obstante, si el voltaje aplicado es demasiado alto puede ocurrir la conducción debido

al movimiento de portadores minoritarios teniéndose así una corriente muy pequeña
llamada Corriente de Saturación Inversa (IS).
De todo esto se concluye entonces que en un diodo polarizado inversamente la

corriente debido a portadores mayoritarios (ID) es cero o aproximadamente cero y un
gran aumento en la tensión inversa aplicada sólo produciría una corriente muy pequeña
saturada, puesto que esta no variará significativamente con aumentos sucesivos de
tensión.
3.3. Polarización Directa (VD > 0V)
Un diodo semiconductor tiene polarización directa cuando se aplica a la unión una

tensión externa V tal que el material tipo P esté a un nivel de tensión mayor que el
material tipo N.
El efecto (mostrado en la figura 13) es contrario a la polarización inversa, ya que en la

polarización directa se reduce la barrera de potencial provocando un mayor movimiento
de portadores mayoritarios y por tanto de la conducción. La corriente en circulación (ID)
dependerá de la magnitud de la tensión aplicada.

Todo esto indica que existe una corriente en el dispositivo cuando éste está polarizado
directamente.
3.4. Símbolo del Diodo de Unión PN
La estructura del diodo y su comportamiento ante la aplicación de una señal de tensión

entre sus terminales permite establecer su símbolo, mostrado en la figura 14.
En el símbolo circuital, el terminal identificado como A se conoce como Ánodo y

corresponde en la unión al material tipo P; el terminal identificado como K, Cátodo, se
relaciona con el material tipo N. La conducción se presenta entonces de Ánodo a
Cátodo durante la polarización directa.
En un diodo común comercial, la barra o marca cercana a uno de los terminales del
dispositivo corresponde al Cátodo del diodo.
3.5. Característica Ideal del Diodo
El comportamiento del diodo ante la señal de tensión aplicada entre sus terminales
permite idealizar al dispositivo a través de una gráfica corriente-voltaje en el diodo.
(Figura 15).
La característica ideal del diodo indica que él mismo se comporta como un interruptor,
que actúa como circuito abierto para tensión inversa aplicada y como corto circuito para
tensión inversa. La figura 16 muestra este comportamiento de forma gráfica.

De la figura 16 se estable el modelo ideal del diodo resumido en la tabla 1.
Tabla 1. Modelo Ideal del Diodo de Unión PN

Diodo Símbolo Modelo Ideal
Polarización
Inversa
- + - +
VD < 0 V
Directa
+ - + -
VD > 0 V
3.6. Característica Real del Diodo
En la realidad la característica corriente-voltaje del diodo no es tan determinante como

en la característica ideal, puesto que en realidad para la polarización inversa siempre
habrá un nivel de tensión tal que provocará la conducción en el dispositivo. Este nivel
de tensión se conoce como tensión de ruptura (Vrup) o de disrupción inversa y la
corriente para este nivel de tensión, aunque es de valores muy pequeños (por el orden
de los µA) varía significativamente ante pequeños aumentos en la tensión inversa
aplicada. Una vez que la tensión aplicada supera este Vrup, el dispositivo entra en una
zona de corriente descontrolada llamada “zona de avalancha” (figura 17).

Además en la realidad el dispositivo no conduce inmediatamente cuando se polariza

directamente, sino que mas bien la corriente en el diodo para esta polarización aumenta
en forma exponencial a partir de cierto nivel de tensión conocido como voltaje de
conducción (Vγ) tal como muestra la figura 18.
El valor de Vγ depende de las características del material, asumiéndose que:
Vγ ≈ 0.7 V para el Silicio y

Vγ ≈ 0.3 V para el Germanio
La corriente en el diodo polarizado directamente es del orden de los mA y al igual que

para la polarización inversa aumenta considerablemente ante pequeños aumentos en la
tensión aplicada.
La curva completa corriente-voltaje en el diodo se muestra en la figura 19.

3.7. Corriente del Diodo
La característica real del diodo puede expresarse matemáticamente a través de la

ecuación para iD:
i D = I s (e qvD mKT
−1)
Donde:
iD: corriente a través del diodo

Is: corriente de saturación inversa
q: carga del electrón
vD: voltaje en el diodo
K: constante de Boltzman 1.38x10-23 J/ºK
m: constante empírica del material, 1 para el Ge y 2 para el Si
El factor KT/q se expresa en voltios y tiene un valor aproximado de 25 mV a

temperatura ambiente 300ºK.
Esta ecuación permite obtener una gráfica mas detallada de corriente-voltaje en el

diodo tabulando los valores de corriente que se obtendrían para diferentes valores de
tensión aplicada a temperatura ambiente o cualquier otra.
Si vD es negativa y con magnitud mucho mayor al factor KT/q se obtiene entonces la
corriente de saturación inversa: iD = Is.
Si vD es positiva y con magnitud mucho mayor al factor KT/q se obtiene la corriente en

sentido directo:

iD = I s (e qvD mKT
)
3.8. Resistencia del Diodo
La curva real del diodo así como también la expresión para iD permiten determinar la
resistencia del dispositivo.
La resistencia de un dispositivo eléctrico corresponde a la pendiente de la curva voltaje-

corriente del dispositivo. Así para una resistencia común se tiene de acuerdo a la figura
20:
En el caso del diodo la curva corriente-voltaje no es lineal, lo que indica que la

resistencia del diodo no es variable, pero se puede obtener el valor de la resistencia del
diodo en cualquier punto de operación dentro de la gráfica tomando en cuenta que la
pendiente de la línea tangente que pasa por el punto de operación seleccionado es la
derivada de la función iD(vD) en ese punto.
La resistencia del diodo es entonces el inverso de la derivada de la función iD(vD) con

respecto al voltaje:
diD
=
d
dv D dv D
[
I s (e qvD mKT
]
− 1) =
q
mKT
(I + I s )
diD q
Si I >> Is ∴ = I
dv D mKT
di D I
Y como KT/q =25mV a 300ºK, a esta temperatura se tiene: =
dv D m × 25mV
m tiene un valor de 1 para el Ge y 2 para el Si, pero las curvas corriente-voltaje tanto
para Ge como Si son iguales en la zona lineal y por tanto se toma m=1. De tal forma
que:
diD I
=
dv D 25mV

Y como la resistencia es el inverso de esta derivada, se calcula rD como:
dv D 25mV
rD = =
di D I en el pto de operación
3.9. Modelo Linealizado del Diodo
El análisis de los circuitos con diodos requiere de la sustitución del dispositivo por su
circuito equivalente o modelo.
Un modelo del diodo ideal se vió en la sección 1.4: corto circuito para polarización
directa y circuito abierto para polarización inversa.
En el caso del diodo real debe tomarse en cuenta tanto la resistencia del diodo como el
voltaje de conducción del mismo. En vista de que la característica del diodo real no es
lineal y esto indica una resistencia variable, la especificación de un modelo en base a la
resistencia del diodo calculada en un punto determinado no ofrecería un resultado
general para todo nivel de tensión aplicado al diodo, ni para todo tiempo. Por tal razón
se recurre la linealización de la característica real del diodo con lo cual se puede
determinar un valor de resistencia aproximado del diodo valido para un cierto rango de
operación en voltaje y tiempo. (Ver figura 21).
La linealización divide a la característica real en tres tramos, tomando en cuenta las

zonas mas lineales dentro de la curva. Así, tal como se muestra en la figura 21 se
observan tres tramos de línea recta con características de polarización asociadas:

Polarización directa, vD > Vγ
Polarización inversa, Vrup < vD < Vγ
Zona de avalancha, vD < Vrup
En base a la característica linealizada del diodo, el voltaje de conducción del dispositivo

Vγ, la resistencia para polarización directa RD y la resistencia para polarización inversa
RR, se resume el modelo linealizado del diodo en la tabla 2.
Tabla 2. Modelo Linealizado del Diodo

Diodo Símbolo Modelo Linealizado
Polarización
Directa RD Vγ
+ - A K
VD > Vγ + -
Inversa RR
A K
- +
Vrup < VD < Vγ - +
Zona de Avalancha
- + - +
VD < Vrup
En la tabla se observa que para la zona de avalancha el modelo lineal del diodo está
dado por un circuito abierto, puesto que para esta zona se considera el daño del
dispositivo y por tanto la conducción es nula.
4. Diodo Zener
El diodo zener es un dispositivo de unión pn diseñado para utilizar al máximo la zona de

avalancha. La zona de avalancha comienza para una tensión inversa tal que el
incremento en la corriente es considerable comparado con los pequeños aumentos de
tensión inversa aplicada.
El diodo zener se obtiene añadiendo un mayor número de átomos de impurezas al

material intrínseco durante el proceso de dopaje.
La curva característica del diodo zener (figura 22) es parecida a la curva característica
del diodo común de Si o de Ge. La diferencia está en que para ciertos niveles de
tensión inversa aplicada el diodo común adquiere la característica de circuito abierto,
mientras que el diodo zener adopta un estado de conducción para estas tensiones.
Además la conducción en polarización inversa para un diodo zener está en el orden de

los mA y comienza con niveles de tensión pequeños, mas no así para diodos comunes.
La tensión inversa que provoca la conducción del zener se conoce como Vz; este nivel
de tensión es pequeño comparado con la tensión inversa (Vrup) que provoca la

conducción del diodo común con niveles de corriente saturada (Is) por el orden de los
µA o nA.
La zona zener viene especificada en la hoja de datos del zener, dada por el fabricante,
a través de los valores de IZMIN e IZMAX, los cuales garantizan la operación lineal del
zener una vez superada la tensión Vz.
El símbolo del diodo zener es muy parecido al símbolo del diodo común de Si o Ge. La
figura 23 muestra el símbolo del zener.
Figura 23
Y al igual que el diodo común pn el diodo zener también tiene su modelo linealizado. En
base a la linealización de su característica, mostrada en la figura 24, se resume el
modelo ideal y linealizado del zener en la tabla 3.

Tabla 3. Modelo Linealizado del Zener

Zener Símbolo Modelo Linealizado
Polarización
Directa RD Vγ
A K
VD > Vγ + - + -
Inversa RR
A K
Vz < VD < Vγ
- + - +
Zona Zener Rz Vz
VD < Vz
- + A K
- +
De la tabla 3 se observa que una vez superado el voltaje del zener Vz, su modelo
corresponde a una resistencia Rz en serie con una fuente de valor Vz, lo cual es un
modelo muy parecido al modelo del diodo cuando este está polarizado directamente.
La idealización del diodo zener, es sencilla. Para polarización directa e inversa se sigue
el mismo modelo del diodo ideal, para la zona zener el modelo ideal del zener se
representa sólamente con una fuente de valor Vz.

5. Otros Tipos de Diodos
Además del diodo común, determinadas variantes de diodos de unión presentan en

algunas circunstancias comportamientos singulares, que pueden aprovecharse en
ciertas aplicaciones electrónicas. Así tenemos una amplia gama de diodos:
Diodo Schottky
Diodo Varactor
Diodo Túnel
Diodo Emisor de Luz (LED)
Fotodiodo
Diodo PIN
5.1. Diodo Schottky
El diodo Schottky se forma al enlazar un metal, como aluminio o platino, a silicio de tipo
n. Se utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutación de alta
velocidad. El diodo Schottky tiene una característica de tensión contra corriente similar
a la del diodo de unión pn de silicio, excepto porque la tensión en directo, Vγ, es 0.3 V
en vez de 0.7V. La capacitancia asociada con el diodo es pequeña.
El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a
través de la unión debido al movimiento de los electrones del semiconductor a la
interfaz metálica.
5.2. Diodo Varactor
Los diodos de unión perenne normales exhiben capacitancia cuando se operan en

modo de polarización inversa. El diodo varactor se fabrica específicamente para operar
en este modo. La capacitancia es una función de la inversa de tensión. Por tanto, el
diodo actúa como capacitor variable, donde el valor de la capacitancia es una función
de la tensión de entrada.
Un uso común de este diodo es en el oscilador controlado por tensión (VCO).
5.3. Diodo Túnel (Diodo Esaki)
El diodo túnel está más contaminado que el diodo zener, provocando que la zona de
unión sea más pequeña. Esto aumenta la velocidad de operación, por lo que el diodo
túnel es útil en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la polarización
directa, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce la ruptura.
Entonces la corriente cae rápidamente. Lo más curioso es la zona de resistencia
incremental negativa, es decir una región en la que un incremento positivo de la tensión
V se traduce en un incremento negativo de la intensidad I. Las aplicaciones de los
diodos túnel aprovechan precisamente esta zona. El diodo túnel es útil debido a esta
resistencia negativa. La región de resistencia negativa de un diodo túnel se desarrolla
de manera característica en el intervalo de 50 mV a 250 mV.

5.4. Diodo Emisor de Luz (LED)
Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energía eléctrica en fuente
de energía lumínica. El diodo emisor de luz (LED, ligth emitting diode) transforma la
corriente eléctrica en luz. Es útil para diversas formas de despliegues, y a veces se
puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra óptica.
Los LED’s son diodos fabricados con un semiconductor compuesto. Su cápsula es

transparente para dejar pasar la luz (fotones) emitida cuando se recombinan en la zona
de unión huecos y electrones libres en tránsito. La intensidad de la luz emitida puede
modularse variando la tensión directa aplicada. El color de la luz depende del
semiconductor; así:
Tabla 4. Colores en los LED´s

Semiconductor Color
AsGa infrarrojo
PGa verde
AsPGa Diferentes según proporción de As y P
Se utilizan para los mandos a distancia por infrarrojos, e indicadores (displays)

alfanuméricos. La tecnología de los LED se está desarrollando continuamente. Se
fabrican ya LED de luz blanca (mezcla de los colores fundamentales rojo, verde y azul)
y de intensidad luminosa elevada, lo que explica que vayan sustituyendo a la luz de
incandescencia y fluorescente en iluminación urbana y doméstica y otras aplicaciones.
Por ejemplo, están utilizándose cada vez más en pilotos e intermitentes de coches,
semáforos y, por supuesto paneles murales de publicidad o información. El rendimiento
(intensidad luminosa/watio) es mucho mayor, por lo que el consumo energético es
mucho menor que en los sistemas tradicionales.
5.5. Fotodiodo
Un fotodiodo realiza la función inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de energía
lumínica en corriente eléctrica. Se aplica polarización inversa al fotodiodo y la corriente
de saturación inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina el diodo. La luz
genera pares electrón-hueco, que inducen corriente. El resultado es una "fotocorriente"
en el circuito externo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el
dispositivo. Este se comporta como generador de corriente constante mientras la
tensión no exceda la tensión de avalancha.
5.6. Diodo PIN
El diodo que tiene la región poco contaminada y casi intrínseca entre la zona de unión
de las regiones p y n se llama diodo PIN. El nombre se deriva del material intrínseco
entre las capas p y n, llamado región i. Debido a su construcción, el diodo tiene baja

capacitancia y, por tanto, encuentra aplicación en frecuencias altas. Cuando se polariza
en directo, la inyección de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la región
intrínseca. Cuando se polariza en inverso, la región i se vacía totalmente de portadores
y la intensidad del campo a través de la región es constante.
6. Especificaciones del Fabricante
La construcción de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de

manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensión inversa pico (VPI) que
puede soportar sin dañarse. A continuación se lista los parámetros principales que se
encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador:
1. Tipo de dispositivo con el número genérico de los números del fabricante.

2. Tensión inversa pico (VPI).
7. Máxima corriente inversa en VPI.
8. Máxima corriente de cd en directo.
5. Corriente promedio de media onda rectificada en directo.
6. Máxima temperatura de la unión.
7. Curvas de degradación de corriente.
8. Curvas características para cambio en temperatura de tal forma que el dispositivo se
pueda estimar para altas temperaturas.
En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parámetros en las
hojas de especificaciones:
1. Tipo de dispositivo con el número genérico o con los números del fabricante.
2. Tensión zener nominal (tensión de temperatura por avalancha).
2. Tolerancia de tensión.
3. Máxima disipación de potencia (a 25° c), PZMAX
5. Corriente de prueba, Izt.
6. Impedancia dinámica a Izt.
7. Corriente Mínima a través del dispositivo que asegura la zona zener, IZMIN.
8. Máxima temperatura en la unión.
9. Coeficiente de temperatura.
10. Curvas de degradación para altas temperaturas.

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Teoría de Semiconductores – Diodo Semiconductor 1/20

Un dispositivo no lineal es aquel cuyo comportamiento no puede representarse por

El dispositivo mas simple y de mayor utilidad en la electrónica es el diodo, el cual es un

La no linealidad: Su comportamiento no puede describirse a través de una línea

Esta última característica indica que el diodo es un dispositivo semiconductor y de

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede

Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la tabla

Electrónica Prof. Julima Anato

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la

2.1. Semiconductor Intrínseco

Un material semiconductor consiste de una red de unidades repetidas, las cuales

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Si en estas condiciones inyectamos energía desde el exterior, algunos de esos

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un átomo a otro a lo largo de la

Electrónica Prof. Julima Anato

Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores identificaremos a los

2.2. Semiconductor Extrínseco

En vista de que la corriente que aparece en los materiales intrínsecos es de muy

Aplicar una tensión de valor superior.

La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión

En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado" y el material

El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de material puro semiconductor por

2.2.1. Semiconductor Tipo N

Si en una red cristalina de material semiconductor intrínseco de silicio (figura 5)

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Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el arsénico, el

2.2.2. Semiconductor Tipo P

Si en un material intrínseco de silicio, como el mostrado en la figura 5, se sustituye uno

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2.2.3. Representación de los semiconductores extrínsecos

Los semiconductores extrínsecos se representan indicando dentro de los mismos el tipo

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La presencia de iones positivos y negativos en la zona de unión representa un potencial

La aplicación de una tensión entre los terminales de un dispositivo se conoce como

3.1. Diodo No Polarizado (VD = 0V)

En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier

3.2. Polarización inversa (VD < 0V)

El efecto de esta polarización, como ilustra la figura 12, es ampliar la barrera de

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No obstante, si el voltaje aplicado es demasiado alto puede ocurrir la conducción debido

De todo esto se concluye entonces que en un diodo polarizado inversamente la

3.3. Polarización Directa (VD > 0V)

Un diodo semiconductor tiene polarización directa cuando se aplica a la unión una

El efecto (mostrado en la figura 13) es contrario a la polarización inversa, ya que en la

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3.4. Símbolo del Diodo de Unión PN

La estructura del diodo y su comportamiento ante la aplicación de una señal de tensión

En el símbolo circuital, el terminal identificado como A se conoce como Ánodo y

3.5. Característica Ideal del Diodo

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De la figura 16 se estable el modelo ideal del diodo resumido en la tabla 1.

Tabla 1. Modelo Ideal del Diodo de Unión PN

3.6. Característica Real del Diodo

En la realidad la característica corriente-voltaje del diodo no es tan determinante como

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Además en la realidad el dispositivo no conduce inmediatamente cuando se polariza

El valor de Vγ depende de las características del material, asumiéndose que:

Vγ ≈ 0.7 V para el Silicio y

La corriente en el diodo polarizado directamente es del orden de los mA y al igual que

La curva completa corriente-voltaje en el diodo se muestra en la figura 19.

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3.7. Corriente del Diodo