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DIODOS Y APLICACIONES
(Guía de Clases)
CARACTERÍSTICAS TENSIÓN-CORRIENTE
CAPACIDAD DE DIFUSIÓN
FOTODIODOS SEMICONDUCTORES
CIRCUITOS RECORTADORES
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador en puente
DOBLADOR DE TENSIÓN
Zona de transición
o de carga espacial
Ion aceptor Ion donador
Unión
Hueco
- - - - + + + +
Electrón
- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n
ANOTACIONES
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a) En sentido inverso
Aumenta la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo + VI. Se produce una corriente inversa debido a los
portadores minoritarios y a los pares electrón-hueco creados en la zona de carga espacial. Esta corriente se
denomina corriente inversa de saturación (Io).
VI
_ +
I0
- - - - + + + +
- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n
ANOTACIONES
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b) En sentido directo
Disminuye la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo - VD. Si VD ≥ Vo entonces se produce una corriente
debida a los huecos que son “empujados” por el terminal positivo de VD hacia la zona N, y a los electrones
que son “empujados” por el terminal negativo de VD hacia la zona P.
VD
+ _
- - - - + + + + I
- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n
ANOTACIONES
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En cortocircuito el potencial de contacto se compensa con los potenciales en los contactos óhmicos de los
terminales => I=0.
+ _
P N
V0’_ V 0” V0 - V0’ - V0” = 0
_ V + +
0
I=0
ÁNODO CÁTODO
P N
ANOTACIONES
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CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE
V
η ∗VT
Ecuación característica del diodo: I = I 0 (e − 1) se deduce de la ley de la unión
VZ
I0 0,4 (Ge) V (volt)
Vγ
0,8 (Si)
(µA) -> Ge
(nA) -> Si
Tensión umbral (Vγ): tensión directa mínima para que se inicie la conducción.
La corriente inversa I0 aumenta con la temperatura aproximadamente un 7% por ºC para el Si. La corriente
inversa de saturación se duplica aproximadamente por cada 10 ºC de aumento de temperatura. Si I0 = I01
cuando T = T1, cuando la temperatura es T I0 viene dado por:
I 0 (T ) = I 01∗ 2 ( T − T1 )/10
ANOTACIONES
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Resistencia estática (R) : R = V/I -> parámetro muy variable y poco útil
ANOTACIONES
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a) Diodo ideal
I Directa Inversa
A A A
I
+
V
_
V
K K K
Vγ = 0
V ≥ Vγ -> Rf = 0
V < Vγ -> Rr = ∞
b) Diodo real
+ A
I
I
1/Rf D1 D2
V
V Rf Rr
1/Rr Vγ
D1 y D2 son ideales Vγ
V ≥ Vγ -> V = Vγ + I Rf
_
V < Vγ -> V = Vγ + I Rr K
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 8
La anchura de la zona de carga espacial y por lo tanto la carga aumenta con la tensión inversa, lo cual
equivale a un efecto de capacidad:
dQ
CT = donde CT es la capacidad de transición
dVI
Supongamos unión abrupta con NA >> ND y polarizada inversamente con VI :
q . NA . Wp . A = q . ND . Wn . A => NA . Wp = ND . Wn VI
Si NA >> ND => Wp << Wn ≈ W
p n
dE q. N D q. N D
= ⇒ E= x+ K
dx ε ε ND
( x − 2Wx)
q. N D 2
V(x=0) = 0 => K’ = 0 => V = −
2ε Potencial
V Vj
q. N D .W 2
2ε 0
x=W -> Vj = V0 + VI = => W = V x
2ε q. N D j
W aumenta con la VI aplicada
2ε dW 2ε dW ε
W2 = V j ⇒ 2W = ⇒ =
q. N D dV j q. N D dV j q. N D .W
Q = q.ND .W. A => dQ = q.ND.A.dW
dQ dW A
CT = = q. N D . A. =ε
dVI dV j W
Capacidad de condensador plano con placas de superficie A y distancia entre ellas de W. Resultado también
válido para unión gradual.
ANOTACIONES
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A ε.A cte
CT = ε = = => Si Vj aumenta entonces CT disminuye (rango de pF)
W 2ε Vj
. Vj
q. N D
CAPACIDAD DE DIFUSIÓN
En polarización directa si VD aumenta implica que aumenta la concentración de minoritarios en ambos lados,
y entonces aumenta la carga almacenada Q produciéndose también en este caso un efecto capacitivo:
Q
I= ≡ Modelo de control de la carga de un diodo
τ Concentración
dQ τ . dI τ
CD = = =
dV dV r
τ: tiempo de vida medio de los portadores
P N
r: resistencia dinámica de la unión
τ p τn
CD = CDp + CDn = + pno
r r
npo
CD (orden de µF) es mucho mayor que CT (puede llegar a nF)
x=0 x
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 10
CD >> CT => Es mucho más importante el tiempo de recuperación al pasar de conducción directa a inversa
que al revés.
Vi
VD _
+ VF
+
I
Vi RL t1 t2 t3 t
_
-VR
pn - pno
en la unión
trr = ts + tt
t
I0
− VR
− IR ≈
RL
VD tt
Tiempo
transición t
-VR
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 11
Son diodos con suficiente capacidad de disipación para trabajar en la zona de conducción inversa. Se utilizan
como estabilizadores de tensión.
R IL
ID +
I IZ
R L VZ
V
-VZ
_
IZmin
VD
RL ↑ => IZ ↑
IZ Si => VZ ≈ constante
RL ↓ => IZ ↓
IZmax V ↑ => IZ ↑
Si => VZ ≈ constante
V ↓ => IZ ↓
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 12
Hay dos mecanismos para que se produzca la avalancha del diodo: Multiplicación por avalancha y Ruptura
Zener.
Ruptura Zener:
Este mecanismo es el que se produce en diodos muy impurificados y que tienen una tensión Zener Vz menor
a 6 voltios. La zona de carga espacial es estrecha. Tienen un coeficiente de temperatura negativo, es decir,
con el aumento de la temperatura disminuye la tensión Zener.
ANOTACIONES
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V RL Vz < 2 v.
V RL Vz
V RL Vz
ANOTACIONES
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FOTODIODOS SEMICONDUCTORES
I = I0 + IS
ID
RL
+
VA
-
λC λ
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 15
- Uniones P-N polarizadas en sentido directo con elevada impurificación (Vγ ≈ 1 v.)
- Materiales especiales para producir luz en la recombinación, como es el AsGa
- Se denominan diodos LED (Light Emitting Diode)
- Tensiones inversas bajas -> destrucción por sobretensión
- Corrientes reducidas (típicas de 10, 20 mA) -> destrucción por sobrecorriente
R
V V
ANOTACIONES
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+ v _
+ +
i
Vi RL Vo
_ _
recta de carga: v = Vi – i RL
Su intersección con la característica del diodo da el punto de trabajo de éste.
ID
Vi/RL
IQ Q
VQ Vi VD
Si Vi = Vm sen α ; α = ω t ; ω = 2 π f
Y utilizando el modelo lineal aproximado del diodo:
A A
I
Vγ
1/Rf
Rf Rr
V K K
1/Rr Vγ
V > Vγ V < Vγ
ANOTACIONES
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I
RL
I RL Vi
Vi
Vi
Vγ
I
π 2π
φ π/2 π-φ α
Vm senα − Vγ
i=
RL + R f
ANOTACIONES
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CIRCUITOS RECORTADORES
Circuito recortador que transmite la parte de la señal de entrada que es más negativa que VR + Vγ
Vo Rf Vo
p=
Rf + R
Rr
p= ≈1
Rr + R VR+Vγ
Vi t
VR+Vγ
Vi
+ R +
D
Vi Vo
VR
_ _
ANOTACIONES
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Circuito recortador que transmite la parte de la señal de entrada que es más positiva que VR - Vγ
Rr
Rf Vo p= ≈1 Vo
p= Rr + R
Rf + R
VR-Vγ
Vi t
VR-Vγ
Vi
+ R +
D
Vi Vo
VR
_ _
ANOTACIONES
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+ R + + +
D R
D
Vi Vo Vi Vo
VR VR
_ _ _ _
Vo
DIODOS VR
IDEALES
t
+ R + + +
D R
D
Vi Vo Vi Vo
VR VR
_ _ _ _
Vo
DIODOS
IDEALES VR
t
ANOTACIONES
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Vo Vo
p=1
VR2
VR1
VR1 VR2 Vi t
D1 ON D1 OFF
D2 OFF D2 ON
D1 OFF
D2 OFF
Vi
+ R +
D1 D2 Vo
Vi
VR1 VR2 > VR1
_ _
ANOTACIONES
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C
_
+ +
+ Vm - VR
R D
Vi Vo
_
VR _
Vm Vi Vi = Vm ⋅ sen ωt → Vidc = 0
VR Vo es senoidal con valor medio no nulo
VR - V m
t Vodc = VR − Vm
Vo = Vi − Vc = Vi − (Vm − VR ) =
Vo
VR - 2Vm
Vm (sen ωt − 1) + VR
La ventaja de los circuitos fijadores con respecto a los recortadores es que limitan la señal de entrada pero sin
deformarla.
Ejemplo: D ideal, RC>>T/2, valor práctico RC=5T => en T/2 el condensador no se descarga prácticamente.
C Vi
V
+
+ t
R D
Vi Vo
_ -2V
_
Primer semiperíodo
C
+ _ +
V
V R D
Vo Vo
_
Segundo semiperíodo
C t
+ _ +
V
2V D -3V
R
Vo
_
ANOTACIONES
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CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador: Circuito que convierte una onda senoidal de entrada en una señal unipolar con componente
media no nula.
Vi
VD _ Vm
+
+ I 0
Entrada π 2π α = ωt
Vi RL
c.a.
_
I
Im
Idc
0
π 2π α = ωt
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 24
Im Vm 1 V V
I dc = = ⇒ m = I dc R f + I dc RL = I dc R f + Vdc ⇒ Vdc = m − I dc R f
π R f + RL π π π
El resultado anterior implica que el equivalente Thevenin del rectificador de media onda es el siguiente:
Rf
+
Idc
Vdc RL
Vm/π
_
Teorema de Thevenin:
Dos terminales cualesquiera de una red lineal pueden reemplazarse por un generador de fuerza electromotriz
igual a la tensión en circuito abierto entre los terminales, en serie con la impedancia de salida vista desde
estos puntos.
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 25
Vi
Vm
0
π 2π α = ωt
I1 D1
I1
+ Im
Vi RL I
Entrada _
0
c.a. + π 2π α = ωt
Vi I2
_ Im
I2 D2
0
π 2π α = ωt
I
Im
Idc
0
π 2π α = ωt
Rectificador en puente
D1 D2 I
Vi _
+ RL
C.A.
D3
D4
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 26
DOBLADOR DE TENSIÓN
C1
_ + +
Vm
C2 2Vm
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 27
D (ideal)
C
Vi = Vm*sen α RL Vo
En el caso en que la resistencia de carga tenga un valor finito (RL<∞), el condensador de filtrado se
descargará durante el intervalo de no conducción del diodo. En la siguiente figura podemos observar la onda
rectificada (I), y la señal a la salida (II) que muestra cómo se descarga el condensador de forma exponencial.
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 28
Aproximaciones al rizado
El cálculo del rizado producido en un circuito rectificador con filtro es sencillo pero puede resultar laborioso;
por ello generalmente se realizan aproximaciones al mismo, con el objetivo de simplificar los cálculos. Si el
condensador se descarga poco, dichas aproximaciones proporcionan unos resultados muy similares a los
obtenidos si se realizasen los cálculos completos.
Rizado alto
Si el rizado del circuito es grande, es decir, la parte variable de la tensión de salida es grande comparada con
la parte continua, no es posible realizar aproximaciones de ningún tipo, y se hace necesario emplear el
modelo real. En la figura se aprecia el aspecto de la señal de salida. En ella podemos observar que la tensión
de salida coincide con la del rectificador hasta un punto, a partir del cual la tensión de salida disminuye
exponencialmente. En cuanto las tensiones de salida y del rectificador vuelven a igualarse, la tensión de
salida pasa otra vez a seguir la onda senoidal.
Exp. Senoidal
Rizado bajo
En los casos de pequeño rizado, se realizan 3 aproximaciones, que nos proporcionan una onda como la de la
figura. En primer lugar se supone que la descarga del condensador es lineal, en segundo lugar que dicha
descarga comienza justo en el punto de tensión máxima de la señal rectificada, y en tercer lugar se supone
que el condensador se descarga hasta el instante en que la tensión rectificada vuelve a alcanzar su máximo
valor.
Lineal
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 29
Rizado medio
En el caso de tener un rizado medio, se suele aproximar tal y como aparece en la figura, es decir, se
considera una descarga exponencial, que dicha descarga comienza cuando la señal rectificada pasa por su
punto máximo, y que el condensador se descarga hasta que encuentra de nuevo la señal rectificada.
Exp. Sen.
Ejemplo de cálculo
Supongamos un rectificador de onda completa, en el que se verifica RL*C>>T/2 (por lo que suponemos un
rizado bajo, y tomamos la aproximación lineal comentada anteriormente). El análisis sería el siguiente:
Vo
VDC
Vr
t
tdescarga → próximo a T/2
En la figura anterior podemos ver las distintas tensiones y tiempos que se emplearán en el análisis. Hay que
tener en cuenta que, como se supone un rizado bajo, la señal que consideramos de salida es una onda en
diente de sierra como la siguiente:
Vm
Vr
T/2
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 30
A partir de esta señal, deducimos que la tensión de continua a la salida viene dada como: Vdc = Vm − Vr / 2 ,
donde Vm es la tensión de pico de la señal rectificada. Se observa de dicha tensión de continua es la tensión
de pico menos el valor medio del rizado, el cual en este caso sencillo coincide con Vr/2
T
El condensador se descarga linealmente durante T/2, luego la carga perdida se puede expresar como: Idc ,
2
y nos queda que la tensión de rizado y de continua vienen dadas por las ecuaciones:
Q IcdT Icd
Vr = = =
C 2C 2 fC
Vr Idc
⇒ Vdc = Vm − = Vm −
2 4 fC
En las fórmulas anteriores podemos observar que el rizado aumenta con Idc (↑ cuando RL↓), y disminuye con
C y f.
⎡ ⎤π
1 ⎢⎢ α α 3 α 2 ⎥⎥
2
1 π ⎡Vr Vr ⎤ Vr
Vrms =
π ∫
0 ⎢ 2 − π α ⎥ dα = Vr π ⎢⎢ 4 + 2 − 2π ⎥⎥ = 2 3
⎣ ⎦ 3π
⎢⎣ ⎥⎦
0
Vr Idc 1
⇒ r= = =
2 3Vdc 4 3 fCVdc 4 3 fCRL
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Guía de clases pg. 31
D (ideal)
C
Vi = Vm*sen α RL Vo
Para esto el periodo de la portadora tiene que ser mucho menor que la constante de carga del condensador y
esta mucho menor que el periodo de la señal moduladora:
T portadora << RC << T moduladora
ANOTACIONES