UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN SIMON

FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

DISEÑO DE ELCTRONICA ANALOGICA

INFORME # 1
CIRCUITO AMPLIFICADOR CON BJT
CIRCUITO AMPLIFICADOR CON JFET

INTEGRANTES:
- DOMINGUEZ GUZMAN LUIS RODRIGO
- PALOMINO CEDEÑO SERGIO ALEJANDRO
- VIRHUEZ SALGUERO RONNY ORLANDO
DOCENTE: ING. ARTURO SARAMANI AGUILAR
GRUPO: g02-02

COCHABAMBA - BOLIVIA
 CIRCUITO AMPLIFICADOR CON BJT Y JFET
OBJETIVOS:

 Hallar los parámetros de la matriz cadena de transistores BJT y JFET

 Análisis de respuesta en frecuencia de amplificadores transistorizados BJT y JFET

CIRCUITO AMPLIFICADOR CON BJT

1. PUNTO DE TRABAJO

- Para hallar la gráfica de entrada se trabajó con el siguiente circuito:

(𝑉𝑏𝑒𝑞 ; 𝐼𝑏𝑞 ) =(670.0m ; 24.83u)

- Para hallar la gráfica de salida se trabajó con el siguiente circuito:

(𝑉𝑐𝑒𝑞 ; 𝐼𝑐𝑞 ) =(10.30 ; 4.29m)

 2. POLARIZACION DC

9.7𝑉
𝑅𝐶 = 4.29𝑚𝐴 = 2.26[𝐾Ω] valor comercial: 𝑅𝐶 = 2.2[𝐾Ω]

0.2𝑉
𝑅𝑒1 = 4.29𝑚𝐴 = 46.62[Ω] valor comercial: 𝑅𝑒1 = 39[Ω]

0.4𝑉
𝑅𝑒2 = 4.29𝑚𝐴 = 193.24[Ω] valor comercial: 𝑅𝑒2 = 82[Ω]

18.73𝑉
𝑅1 = = 68.67[𝐾Ω] valor comercial: 𝑅𝑒1 = 68[𝐾Ω]
273µ𝐴

1.27𝑉
𝑅2 = = 5.114[𝐾Ω] valor comercial: 𝑅𝑒1 = 5.1[𝐾Ω]
248µ𝐴

Datos adicionales del Pspice:

𝑟𝜋 = 1.49[𝐾Ω]𝛽𝐴𝐶 = 186

𝑟𝑜 = 24.7[𝐾Ω]𝛽𝐷𝐶 = 169

𝐶𝐵𝐸 = 4.51 ∗ 10−11 [𝐹]

𝐶𝐵𝐶 = 1.55 ∗ 10−12 [𝐹]

 3. POLARIZACION AC

1.3. FRECUENCIAS MEDIAS

𝑟𝑜
𝑥≅
𝑟𝑜 + 𝑅𝐶 //𝑅𝐿
𝑅𝑖 (𝑟𝜋 + (𝑥𝛽 + 1)𝑅𝑒1 )
𝑉𝑖 = 𝐼𝐵 [ + 𝑅𝑖 + (𝑟𝜋 + (𝑥𝛽 + 1)𝑅𝑒1 )]
𝑅1//𝑅2
𝑉𝑜 = −𝑥𝛽𝐼𝐵 (𝑅𝑐//𝑅𝐿)
𝑣𝑜 𝑥𝛽(𝑅𝑐//𝑅𝐿)
𝐴𝑣 = =−
𝑣𝑖 𝑅𝑖
(𝑟𝜋 + (𝑥𝛽 + 1)𝑅𝑒1 ) [ + 1] + 𝑅𝑖
𝑅1//𝑅2
𝑥𝛽(𝑅𝑐//𝑅𝐿)
𝐴𝑣 ≅
𝑟𝜋 + (𝑥𝛽)𝑅𝑒1
Despejando 𝑅𝐿:
𝐴𝑣𝑅𝑐𝑟𝑜 (𝑟𝜋 + 𝛽𝑅𝑒1 )
𝑅𝐿 = −
𝐴𝑣(𝑟𝑜 𝑟𝜋 + 𝑟𝜋 𝑅𝑐 + 𝑟𝑜 𝛽𝑅𝑒1 ) + 𝑟𝑜 𝛽𝑅𝑐

𝑅𝐿 = 219.84[Ω] ≅ 220[Ω] (𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)

Reemplazando RL en x:
𝑥 ≅ 0.99
 2.3. FRECUENCIAS MEDIAS

C1: 𝑓𝐶1 = 1[𝐻𝑧] (𝐶𝑒 , 𝐶𝑥 , 𝐶2 − −→ 𝑐𝑡𝑜. 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑜)

1
𝑓𝐶1 =
2𝜋{{[(𝑟𝑜 +𝑅𝑐)//(𝑅𝑒1+𝑅𝑒2)](𝛽+1)+𝑟𝜋 }//(𝑅1//𝑅2)+𝑅𝑖}𝐶1
1
𝐶1 ≅
2𝜋(𝑅1//𝑅2)𝑓𝐶1
𝐶1 = 36.06[µ𝐹] ≅ 33[µ𝐹] (𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)

C2: 𝑓𝐶2 = 10[𝐻𝑧] (𝐶1 −→ 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑜 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝐶𝑥 , 𝐶2 − −→ 𝑐𝑡𝑜. 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑜)

1
𝑓𝐶2 = 𝑅𝑖//𝑅1//𝑅2
2𝜋{{[( ) //(𝑅𝑒1+𝑅𝑒2)]+𝑟𝑜 }//𝑅𝑐+𝑅𝐿}𝐶2
𝛽
1
𝐶2 ≅
2𝜋[(𝑟𝑜 //𝑅𝑐)+𝑅𝐿]𝑓𝐶2
𝐶2 = 8.57[µ𝐹] ≅ 10[µ𝐹] (𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)

Ce: 𝑓𝐶𝑒 = 100[𝐻𝑧] (𝐶𝑥 −→ 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑜 𝐶1 , 𝐶2 − −→ 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑜 𝑐𝑡𝑜.)

1
𝑓𝐶𝑒 = 𝑅𝑖//𝑅1//𝑅2+𝑟𝜋
2𝜋{[( ) //(𝑅𝑐+𝑅𝐿+𝑟𝑜 )]+𝑅𝑒1}//𝑅𝑒2∗𝐶𝑒
𝛽
1
𝑓𝐶𝑒 ≅ 𝑅𝑖+𝑟𝜋
2𝜋[( +𝑅𝑒1)//𝑅𝑒2]𝐶𝑒
𝛽
𝐶𝑒 = 51.55[µ𝐹] ≅ 56[µ𝐹] (𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)
3.3. FRECUENCIAS MEDIAS

Izquierda

1
𝑓𝐶𝑥 =
2𝜋[𝑅𝑖(𝑅1//𝑅2)//(𝑟𝜋 +(𝛽+1)𝑅𝑒1)](𝐶𝑏𝑒+𝐶𝑥+𝐶𝑏𝑐)(1−𝐴𝑣)
1
𝑓𝐶𝑥 ≅
2𝜋𝑅𝑖𝐶𝑥(1−𝐴𝑣)
1
𝐶𝑥 ≅
2𝜋𝑅𝑖𝑓𝐶𝑥 (1−𝐴𝑣)
𝐶𝑥 = 2.62[𝑛𝐹] ≅ 2.4[𝑛𝐹] (𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)

Derecha

1
𝑓𝐶𝑥′ =
2𝜋(𝑟𝑜 //𝑅𝑐//𝑅𝐿)//(𝐶𝑏𝑒+𝐶𝑥′ +𝐶𝑏𝑐)(1−𝐴𝑣)
1
𝐶𝑥′ ≅
2𝜋(𝑟𝑜 //𝑅𝑐//𝑅𝐿)𝑓𝐶′ (1−1/𝐴𝑣 )
𝑥
𝐶𝑥′ = 3.02[𝑛𝐹] ≅ 3.3[𝑛𝐹] (𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)

Cto. Equivalente (en muy alta frecuencia)

1
𝑓𝑐 =
𝑟𝜋 1
2𝜋 ( //𝑅𝑒1//𝑟𝑜 ) [𝐶𝑏𝑒 (1 − ) + 𝐶𝑐𝑒 (1 − 𝐴𝑣)]
𝛽+1 𝐴𝑣
 𝑓𝑐 = 120.66[𝑀𝐻𝑧]
3.4. CALCULO PARAMETROS A, B, C Y D:

Circuito Abierto

Parámetro A:
𝑅𝑖 (𝑟𝜋 + (𝑥𝛽 + 1)𝑅𝑒1 )
𝑉𝑖 = 𝐼𝐵 [ + 𝑅𝑖 + (𝑟𝜋 + (𝑥𝛽 + 1)𝑅𝑒1 )]
𝑅1//𝑅2
𝑉𝑜 = −𝑥𝛽𝐼𝐵 𝑅𝑐

𝑉𝑖 𝑟𝜋 + 𝑥𝛽𝑅𝑒1
𝐴= ≅−
𝑉𝑜 𝑥𝛽𝑅𝑐
𝐴 = 0.025
Parámetro C:
𝑅𝑖 (𝑟𝜋 + 𝑥𝛽𝑅𝑒1 )
𝐼𝑖 = 𝐼𝐵 [ + 1]
𝑅1//𝑅2
𝑅𝑖 (𝑟𝜋 + 𝑥𝛽𝑅𝑒1 )
𝐼𝑖 +1
𝑅1//𝑅2
𝐶= ≅−
𝑉𝑜 𝑥𝛽𝑅𝑐
−6
𝐶 = 170.73 ∗ 10

Corto Circuito
Parámetro B:

𝑅𝑖 (𝑟𝜋 + (𝑥𝛽 + 1)𝑅𝑒1 )

𝑉𝑖 = 𝐼𝐵 [ + 𝑅𝑖 + (𝑟𝜋 + (𝑥𝛽 + 1)𝑅𝑒1 )]
𝑅1//𝑅2
𝐼𝑜 = 𝑥𝛽𝐼𝐵
𝑉𝑖 𝑟𝜋 + 𝑥𝛽𝑅𝑒1
𝐵= ≅
𝐼𝑜 𝛽
𝐵 = 50.15

Parámetro D:

𝑅𝑖 (𝑟𝜋 + 𝑥𝛽𝑅𝑒1 )
𝐼𝑖 = 𝐼𝐵 [ + 1]
𝑅1//𝑅2
𝐼𝑜 = −𝑥𝛽𝐼𝐵
𝑅𝑖 (𝑟𝜋 + 𝑥𝛽𝑅𝑒1 )
𝐼𝑖 +1
𝑅1//𝑅2
𝐶= ≅−
𝐼𝑜 𝑥𝛽
𝐷 = 0.018

- Grafica de la ganancia y ancho de banda:

- Graficas de los parámetros A,B,C,D
A

B
 C

4. CONCLUSIONES

 Se pudo determinar satisfactoriamente los parámetros de la matriz cadena del transistor

BJT tanto teóricamente, simulación y practica.
 Se realizo criterios de diseño para realizar el análisis de respuesta en frecuencia del
transistor BJT obteniendo resultados concretos que lo pudimos respaldar con la práctica.
 CIRCUITO AMPLIFICADOR CON JFET

1. PUNTO DE TRABAJO

- Para hallar las graficas de entrada y salida trabajo con el siguiente circuito:

Entrada 𝑉𝐺𝑆 = −0.5 [𝑉]

𝐼𝐷 = 7.5 [𝑚𝐴]

Salida 𝑉𝑑𝑆 = 14 [𝑉]

𝐼𝐷 = 7.5 [𝑚𝐴]

2. POLARIZACION DC
 𝑅𝑑 = 11 = 1.5 [𝐾Ω]

Valor comercial: 𝑅𝑑 = 1 [𝐾Ω]

0.2 𝑉
𝑅𝑠1 = = 26.6 [Ω]
7.5 𝑚𝐴
Valor comercial: 𝑅𝑠1 = 22 [Ω]
2.8𝑉
𝑅𝑠2 = 373.33 [Ω]
7.5 𝑚𝐴
Valor comercial: 𝑅𝑠2 = 330 [Ω]

3. POLARIZACION AC

3.1. FRECUENCIAS MEDIAS

𝑣𝑜 = −𝑥 ⋅ 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 ⋅ (𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 ) = −(1 − 𝑥) ⋅ 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝑟𝑑𝑠 + 𝑥 ⋅ 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝑅𝑠1

Despejando x:
𝑟𝑑𝑠
𝑥= ⟹ 𝑥 = 0.9892
𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 + 𝑅𝑠1
Entonces:
𝑟𝑑𝑠
𝑖𝑥 = 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅
𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 + 𝑅𝑠1
𝑟𝑑𝑠
𝑣𝑜 = −(𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 ) ⋅ (𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ )
𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 + 𝑅𝑠1
𝑟𝑑𝑠 𝑅𝑔
𝑉𝑔𝑠 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ = 𝑣𝑖 ⋅ ( )
𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 + 𝑅𝑠1 𝑅𝑖 + 𝑅𝑔
𝑟
𝑉𝑔𝑠 + (1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 + 𝑅 ∥𝑑𝑠𝑅 + 𝑅 ) ⋅ (𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 )
𝑑𝑠 𝑑 𝐿 𝑠1
𝑣𝑖 =
𝑅𝑔
𝑟
(𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 ) ⋅ (𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝑟 + 𝑅 ∥𝑑𝑠𝑅 + 𝑅 ) ⋅ 𝑅𝑔
𝑑𝑠 𝑑 𝐿 𝑠1
𝐴𝑣 = − 𝑟𝑑𝑠
𝑉𝑔𝑠 ⋅ (1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 + 𝑅 ∥ 𝑅 + 𝑅 ) ⋅ (𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 )
𝑑𝑠 𝑑 𝐿 𝑠1
𝑔𝑚 ⋅ (𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 ≅ −
1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑠1
Despejando RL:
𝐴𝑣 ⋅ 𝑅𝑑 ⋅ (1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑠1 )
𝑅𝐿 = −
𝐴𝑣 ⋅ (1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑠1 ) + 𝑅𝑑 ⋅ 𝑔𝑚
R/V:
𝑅𝐿 = 2.573 [𝐾Ω]
Valor commercial:
𝑅𝐿 = 2.7 [𝐾Ω]

3.2. FRECUENCIAS BAJAS

C1
𝑓𝐶1 = 1 [𝐻𝑧] 𝐶2 , 𝐶𝑠 , 𝐶𝑥 ⟹ 𝐶𝑡𝑜. 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑜
1 1
𝑓𝐶1 = ≅
2 ⋅ Π ⋅ (𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 ) ⋅ 𝐶1 2 ⋅ Π ⋅ 𝑅𝑔 ⋅ 𝐶1
1
𝐶1 =
2 ⋅ Π ⋅ 𝑅𝑔 ⋅ 𝑓𝐶1
R/V:
𝐶1 = 16 [𝜇𝐹]
Valor comercial:
𝐶1 = 15 [𝜇𝐹]
C2
𝑓𝐶2 = 10 [𝐻𝑧] 𝐶𝑠 , 𝐶𝑥 ⟹ 𝐶𝑡𝑜. 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑜 𝐶1 ⟹ 𝐶𝑜𝑟𝑡𝑜 𝐶𝑡𝑜.
1 1
𝑓𝐶2 = ≅
2 ⋅ Π ⋅ ((𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 + 𝑅𝑠2 ) ∥ 𝑅𝑑 +𝑅𝐿 ) ⋅ 𝐶2 2 ⋅ Π ⋅ (𝑅𝑑 +𝑅𝐿 ) ⋅ 𝐶2
1
𝐶2 =
2 ⋅ Π ⋅ (𝑅𝑑 +𝑅𝐿 ) ⋅ 𝑓𝐶2
R/V:
𝐶2 = 2.37 [𝜇𝐹]
Valor comercial:
𝐶1 = 1[𝜇𝐹]
Cs
𝑓𝐶𝑠 = 100 [𝐻𝑧] 𝐶1 , 𝐶2 ⟹ 𝐶𝑜𝑟𝑡𝑜 𝐶𝑡𝑜. 𝐶𝑥 ⟹ 𝐶𝑡𝑜. 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑜
1 1
𝑓𝐶𝑠 = ≅
2 ⋅ Π ⋅ ((𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 + 𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 ) ∥ 𝑅𝑠2 ) ⋅ 𝐶𝑠 2 ⋅ Π ⋅ 𝑅𝑠2 ⋅ 𝐶𝑠
1
𝐶2 =
2 ⋅ Π ⋅ 𝑅𝑠2 ⋅ 𝑓𝐶𝑠
R/V:
𝐶𝑠 = 4.92 [𝜇𝐹]
Valor comercial:
𝐶𝑠 = 4.7 [𝜇𝐹]

3.3. FRECUENCIAS ALTAS

Cx
1 1
𝑓𝐶𝑥 = ≅
2 ⋅ Π ⋅ (𝑅𝑖 ∥ 𝑅𝑔 )(𝐶𝑥 + 𝐶𝑔𝑑 + 𝐶𝑔𝑠 )(1 − 𝐴𝑣) 2 ⋅ Π ⋅ 𝑅𝑖 ⋅ 𝐶𝑥 (1 − 𝐴𝑣)
1
𝐶𝑥 = = 433.2[𝑝𝐹]
2 ⋅ Π ⋅ 𝑅𝑖 ⋅ 𝑓𝐶𝑥 (1 − 𝐴𝑣)

𝐶𝑥 = 470[𝑝𝐹] 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙

𝐶𝑥′

′
1
𝑓𝐶𝑥 =
1
2 ⋅ Π ⋅ [(𝑅𝑠1 ∥ 𝑟𝑑𝑠 ) ∥ (𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 )](𝐶𝑥′ + 𝐶𝑔𝑑 + 𝐶𝑔𝑠 ) (1 − 𝐴𝑣 )
1
≅
1
2 ⋅ Π ⋅ (𝑅𝑑 ∥ 𝑅𝐿 )𝐶𝑥′ (1 − 𝐴𝑣 )
𝐶𝑥′ = 3.3[𝑛𝐹]

𝐶𝑥′ = 3[𝑛𝐹] 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙

 3.4. FRECUENCIAS MUY ALTAS

fc

𝟏 𝟏
𝒇𝑪 = ≅
𝟏 𝟏
𝟐 ⋅ 𝚷 ⋅ (𝑹𝒔𝟏 ∥ 𝒓𝒅𝒔 )[𝑪𝒈𝒔 (𝟏 − ) + 𝑪𝒅𝒔 (𝟏 − 𝑨𝒗)] 𝟐 ⋅ 𝚷 ⋅ 𝑹𝒔𝟏 [𝑪𝒈𝒔 (𝟏 − ) + 𝑪𝒅𝒔 (𝟏 − 𝑨𝒗)]
𝑨𝒗 𝑨𝒗

𝒇𝑪 = 𝟒𝟒𝟒. 𝟒[𝑴𝑯𝒛]
3.5. CALCULO DE PARAMETROS A,B,C Y D

CIRCUITO ABIERTO

𝑟𝑑𝑠 (𝑟𝑑𝑠 ⋅ 𝑅𝑑 )
𝐼𝑥 = 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝑣𝑜 = −𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 ⋅
𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 + 𝑅𝑑 𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 + 𝑅𝑑

𝑟𝑑𝑠 ⋅ 𝑅𝑠1 𝑅𝑔
𝑉𝑔𝑠 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ = 𝑣𝑖 ⋅ ( )
𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑑 + 𝑅𝑠1 𝑅𝑖 + 𝑅𝑔

𝑟 ⋅ 𝑅𝑠1
𝑉𝑔𝑠 [1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 +𝑑𝑠𝑅 +
𝑑𝑠 𝑑 𝑅𝑠1 ] (𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 )
𝑣𝑖 =
𝑅𝑔

PARAMETRO A:
𝑟 ⋅ 𝑅𝑠1
𝑉𝑔𝑠 [1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 +𝑑𝑠𝑅 +
𝑉𝑖 𝑑𝑠 𝑑 𝑅𝑠1 ] (𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 )
𝐴= =−
𝑉𝑜 𝑟 ⋅𝑅
𝑅𝑔 ⋅ 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝑟 +𝑑𝑠𝑅 +𝑑 𝑅
𝑑𝑠 𝑑 𝑠1

1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑠1
𝐴≅ = 135.26𝑚
𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑑
PARAMETRO C:
𝑟𝑑𝑠 ⋅ 𝑅𝑠1
𝐼𝑖 𝑉𝑔𝑠 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠
𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑑 + 𝑅𝑠1
𝐶= 𝐼𝑖 =
𝑉𝑜 𝑅𝑔

𝑟 ⋅ 𝑅𝑠1
𝑉𝑔𝑠 [1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 +𝑑𝑠𝑅 +
𝑑𝑠 𝑑 𝑅𝑠1 ] 1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑠1
𝐶=− ≅
𝑟 ⋅𝑅 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑑 ⋅ 𝑅𝑔
𝑅𝑔 ⋅ 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝑟 +𝑑𝑠𝑅 +𝑑 𝑅
𝑑𝑠 𝑑 𝑠1

𝐶 = 38 ∗ 10−6

CORTO CIRCUITO

PARAMETRO B:

𝑉𝑖 𝑟𝑑𝑠 𝑟𝑑𝑠
𝐵= 𝐼𝑥 = 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝐼𝑜 = − 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅
𝐼𝑜 𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 𝑟𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1

𝑟 ⋅𝑅
𝑉𝑔𝑠 [1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 ] (𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 )
𝑑𝑠 𝑠1
𝑣𝑖 =
𝑅𝑔

𝑟 ⋅𝑅
𝑉𝑔𝑠 [1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 ] (𝑅𝑖 + 𝑅𝑔 ) 1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑠1
𝑑𝑠 𝑠1
𝐵=− 𝑟𝑑𝑠 ≅−
𝑅𝑔 ⋅ 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝑟 + 𝑔𝑚
𝑑𝑠 𝑅𝑠1

𝐵 = 220
PARAMETRO D:

𝑟 ⋅𝑅
𝐼𝑖 𝑉𝑔𝑠 [1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 ]
𝑑𝑠 𝑠1
𝐷= 𝐼𝑖 =
𝐼𝑜 𝑅𝑔

𝑟 ⋅𝑅
𝑉𝑔𝑠 [1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑟 𝑑𝑠 + 𝑅𝑠1 ] 1 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑠1
𝑑𝑠 𝑠1
𝐷= 𝑟𝑑𝑠 ≅
𝑅𝑔 ⋅ 𝑔𝑚 ⋅ 𝑉𝑔𝑠 ⋅ 𝑟 + 𝑔𝑚 ⋅ 𝑅𝑔
𝑑𝑠 𝑅𝑠1

𝐷 = 20.7 ∗ 10−3

- Grafica de la ganancia y el ancho de banda

- Graficas de los parámetros A, B, C, D

A
B

D
4. CONCLUSIONES

 Se pudo determinar satisfactoriamente los parámetros de la matriz cadena del transistor

JFET tanto teóricamente, simulación y practica.
 Se realizo criterios de diseño para realizar el análisis de respuesta en frecuencia del
transistor JFET obteniendo resultados concretos que lo pudimos respaldar con la práctica.