TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

Instituto Tecnológico de Oaxaca

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE OAXACA

Departamento de sistemas y computación.

ING. EN SISTEMAS COMPUTACIONALES

Profesora: Maricela Morales Hernández

Sistemas programables
Trabajo de investigación

PRESENTA:

Alonso Vicente Matilde Asunción

Ziga López Antonio
Ramos Ruiz Edwin
Chávez Aquino Daniel Felipe
Ramírez Arellano David De Jesús

18 DE FEBRERO DEL 2019, OAXACA DE JUAREZ, OAXACA.

 ÍNDICE
INTRODUCCIÓN ........................................................................................................... 4
1.- LEYES DE KIRCHHOFF ......................................................................................... 5
1.1 Primera ley de Kirchhoff ...................................................................................... 5
1.2 Segunda ley de Kircchoff ...................................................................................... 6
2.- RESPUESTA DE CIRCUITOS DE PRIMER ORDEN RC Y RL .............................. 8
2.1 Circuito sin fuente ................................................................................................. 8
2.2 Circuito RL sin fuente .......................................................................................... 8
3.-RESPUESTA DE CIRCUITOS DE SEGUNDO ORDEN RLC. ............................... 12
3.1 Ecuación del circuito básico de los circuitos de segundo orden ........................ 12
3.2 Solución a la ecuación diferencial de segundo orden ......................................... 13
3.2 Solución a la ecuación diferencial de segundo orden ......................................... 14
3.3 Respuesta natural de los circuitos de segundo orden ........................................ 16
3.3.1 Respuesta sobre amortiguada ................................................................................................... 17
3.3.2Respuesta Subamortiguada ....................................................................................................... 17
3.3.3Respuesta críticamente amortiguada ......................................................................................... 18
4.- RESPUESTA EN RÉGIMEN PERMANENTE SINUSOIDAL ............................... 20
4.1 Fuentes sinusoidales ............................................................................................ 20
4.2 La respuesta sinusoidal ....................................................................................... 21
4.3 Fasores ................................................................................................................. 23
4.4 Elementos de circuito pasivos en el dominio de la frecuencia ........................... 25
4.5 Impedancia y reactancia ..................................................................................... 27
5.- FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ........................................................................ 28
5.1 El diodo ideal ....................................................................................................... 28
5.2 Materiales semiconductores ............................................................................... 29
5.3 Materiales Extrinsecos: Tipo n y Tipo p ............................................................ 30
5.3.1 Material tipo n ......................................................................................................................... 30
5.3.2 Material tipo p ......................................................................................................................... 30
5.4 Diodo semiconductor .......................................................................................... 31
5.4.1 Sin polarización aplicada (VD = OV)....................................................................................... 32
5.4.2 Condición de polarización inversa (VD < OV) ........................................................................ 32
5.4.3 Condición de polarización directa (VD> OV)........................................................................... 33
5.5 Niveles de resistencia .......................................................................................... 34
5.5.1 Resistencia en dc o estática ...................................................................................................... 34
5.5.2 Resistencia en ac o dinámica.................................................................................................... 35
5.5.3 Resistencia en ac promedio ...................................................................................................... 36
5.6 Diodos Zener ....................................................................................................... 37
6.- FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR......................................................... 38
6.1 Función ................................................................................................................ 38

2
 6.2 Transistor Bipolar............................................................................................... 39
6.3 Transistor de efecto de campo ............................................................................ 39
7.- CIRCUITOS DE AMPLIFICACION BASADOS EN TRANSISTORES ................. 40
7.1- Amplificador básico ........................................................................................... 41
7.1.1- Paso 1. Análisis DC................................................................................................................ 42
7.1.2- Paso 2. Análisis AC................................................................................................................ 43
7.2- Amplificador de Colector Común ..................................................................... 44
7.3- Configuración Darlington ................................................................................. 45
7.4- Amplificadores con transistores en cascada ..................................................... 46
7.4.2- Acoplamiento directo ............................................................................................................. 47
CONCLUSIÓN .............................................................................................................. 48
BIBLIOGRAFIA ........................................................................................................... 48

3
 INTRODUCCIÓN
Sistemas programables es una materia que resulta un tanto divertida, ya que se crean
circuitos los cuales harán funcionar un objeto físico, ya sea sensores, leds u otros objetos más
grandes, que nos servirán para crear un sistema funcional que resuelve un problema, sin
embargo para que podamos crear estas maravillas necesitamos tener las bases, la presente
investigación pretende crear un resumen de los temas más importantes, aquellos que se
consideran pilares para el manejo y comprensión de los circuitos además de los
comportamientos de cada una de las partes que lo componen desde lo más teórico hasta los más
practico.

4
 1.- LEYES DE KIRCHHOFF
Gustav Robert Kirchhoff (1824-1887), nació y estudió en Königsberg, hoy Kaliningrado.
Fue profesor de las universidades de Breslau, Heilderberg, y Berlín. Él y Bunsen inventaron el
espectroscopio, con el que descubrieron el cesio y el rubidio.

En 1845 enunció las denominadas leyes de Kirchhoff aplicables al cálculo de tensiones,

intensidades y resistencias en el sí de una malla eléctrica, entendidas como una extensión de la
ley de la conservación de la energía, basándose en la teoría del físico Georg Simon Ohm, según
la cual la tensión que origina el paso de una corriente eléctrica es proporcional a la intensidad
de la corriente.

1.1 Primera ley de Kirchhoff

En muchas aplicaciones de Electricidad las corrientes eléctricas se originan en conductores
metálicos en forma de hilo. Cuando extremos de varios conductores se conectan se forma un
nodo, si se rodea el nodo por una superficie cerrada imaginaria, y las corrientes son
estacionarias, la intensidad a través de esa superficie es cero. Pero como solo entra o sale
corriente por los conductores filiformes, resulta que, en cada instante, la suma de las
intensidades que entran por los conductores en el volumen es igual a cero: 𝑖1 − 𝑖2 + 𝑖3 − 𝑖4 −
𝑖5 − 𝑖6 = 0. El enunciado de este hecho se le conoce como primera ley de Kirchhoff o regla de
nodos (o nudos) de Kirchhoff: La suma de todas las corrientes que llegan a un nodo (es decir,
una unión donde se juntan tres o más conductores o derivaciones que llevan corriente) debe ser
igual a la suma de todas las corrientes que salen de dicho nodo. Si se establece que la entrada
de corriente es positiva y la salida de corriente es negativa, entonces la suma de las corrientes
es igual a cero es un enunciado alternativo común de la regla (Kirchhoff, 1845).

La primera ley de Kirchhoff se puede resumir así: la suma de las intensidades que entran a
un volumen es cero.
𝑛

∑ 𝑖ℎ = 0
ℎ=1

i
i2

i3

i6

i5 i4 5
 Figura 1.1.- Demostración de la primera ley de Kirchhoff

Cabe resaltar que la primera ley de Kirchhoff solo la cumplen las corrientes estacionarias.

I1

Volumen

In
Figura 1.2. - Demostración de la primera ley de Kirchhoff

1.2 Segunda ley de Kircchoff

Cuando uno recorre un circuito cerrado (o bucle), la suma algebraica de los cambios de
potencial encontrados es cero. En esta suma, una subida de potencial (es decir, el voltaje) se
toma como positiva y una caída de potencial como negativa.

(𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 ) + (𝑉𝐵e− 𝑉𝐶 ) + (𝑉𝐶 − 𝑉𝐷 ) + (𝑉𝐷 − 𝑉𝐴 ) = 0

1 R

A
B
i
R
i R
i

i
e4 e2

D
C
R
e3
Figura 1.2 - La diferencia de potencial entre un punto y él mismo es cero.

La corriente siempre fluye del potencial alto al potencial bajo en un resistor. Conforme uno
sigue el camino de la corriente a través de un resistor, el cambio de potencial es negativo porque
es una caída de potencial. Una vez que se conoce o se supone la dirección de la corriente, los
resistores se etiquetan con un signo + en el lado donde entra la corriente y con un signo - en el
lado donde sale la corriente.

6
 La terminal positiva de una fuente fem pura siempre es la terminal de potencial más alto,
independientemente de la dirección de la corriente que pasa a través de la fuente de fem.
Etiquete todas las fuentes de voltaje con un signo + en el lado alto y un signo - en el lado bajo.
Cuando se trata con el símbolo para una batería, la línea más larga es el lado alto.

Este hecho se le conoce como segunda ley de Kirchoff: la suma de las tensiones de todo
camino cerrado es cero (Kirchhoff, 1845).

La segunda ley de Kirchoff permite hallar con gran facilidad la tensión entre dos puntos:
por ejemplo.

𝑉𝐴𝐶 + 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐴 = 0

𝑉𝐴𝐶 = − 𝑉𝐶𝐵 − 𝑉𝐵𝐴 = 𝑉𝐴𝐵 + 𝑉𝐵𝐶

A V2
C

V1
V3

B
Figura 1.3- El potencial de tres puntos.

Es decir, la tensión VAC entre dos puntos es igual a la suma de las tensiones intermedias.

7
 2.- RESPUESTA DE CIRCUITOS DE PRIMER ORDEN RC Y RL

Un circuito eléctrico que contenga un elemento capaz de almacenar energía, como un

indicador o un capacitor, tienen como ecuación de equilibrio una ecuacion diferencial ordinaria
(ODE) de primer orden

Ecuacion 2.1

Con λ una constante positiva de depende de los elementos del circuito y f(t) una función
temporal que depende de la fuente de excitación.

Este tipo de sistemas descritos por una ODE de primer orden se los conoce como sistemas de
primer orden y la respuesta está dada por la solución completa de esta ODE.

2.1 Circuito sin fuente

Si se excita un circuito de primer orden durante algún tiempo se almacenará en su elemento
almacenador (L o C) una determinada cantidad de energía. Si luego se le quita esta funete de
excitación es posible observar la respuesta del sistema debido a la energía acumulada en el
elemento almacenador. El estudio de la respuesta que aparece al dejar al circuito sin fuente es
el más sencillo de realizar ya que al no existir fuente de extracción conectada al sistema este
puede ser descrito por una ODE homogénea (con f(t)= 0). A continuación se mostrara un
circuito RL como ejemplo

2.2 Circuito RL sin fuente

Supongamos que el circuito RL de la siguiente figura se encuentra conectado desde hace largo
tiempo a la fuente de corriente, es decir que el inductor se encuentra totalmente cargado
(energizado) comportándose como un corto circuito ante la fuente de corriente continua que lo
alimenta.

8
 Figura 2.1 Circuito RL conectado a una fuente de corriente constante.

En un instante t=0 se abre el interruptor dejando al circuito RL sin fuente de alimentación. Toda
la energía acumulada en el inductor se disipará en la resistencia siguiendo la respuesta de la
ODE de primer orden que describe al circuito. Estamos interesados en conocer la forma de la
corriente i(t) para t > 0.

Para encontrar esta respuesta aplicamos a LKV en la malla RL de la figura b, que resuylta luego
de abrir el interruptor en t = 0, según las referencias indicadas tenemos

Ecuación 2.2

La ecuación c es una ODE homogénea de primer orden, con τ = L/R una constante positiva,
que podemos resolver separando variables y ordenando.

La exponencial − 1 debe ser siempre un número menor a cero, (de lo contrario la función
crecerá indefinidamente con el tiempo) ya que todas las respuestas de los sistemas lineales sin
fuente tienden a cero con el tiempo. Notar que este exponente viene dado por el coeficiente de
la función sin derivar de la ODE (C) multiplicado por −1, siempre que la ODE esté
normalizada, es decir con el coeficiente que acompaña a la mayor derivada igual a 1.

9
Para determinar el valor de A se debe considerar el estado de carga inicial del elemento
́ etro correspondiente. En este
almacenador de energía, y la condición de continuidad del para m
caso, si analizamos el circuito para t = 0, por condición de continuidad de corriente en el
+ −
inductor podemos asegurar que la corriente en la malla debe cumplir i(0 ) = i(0 ), (3.9)

siendo 0− un infinitésimo de tiempo anterior a 0 y 0+ un infinitésimo de tiempo posterior a 0.

Esto significa que la corriente de malla en el instante posterior a la apertura del interruptor debe
ser igual a la corriente circulante por el inductor en el instante anterior a dicha apertura.

Tensiones en los elementos

A partir de la corriente podemos encontrar la tensión de cada elemento, de acuerdo a las

referencias ya elegidas (D)

−1t
v (t)=Ri(t)=RI e ; ∀t>0.

Figura 2.2 Corriente de descarga del circuito RL

Circuito RC sin fuente

Veamos ahora que ocurre con la tensión de un capacitor mientras se des energiza. Supongamos
un circuito como el de la figura A el cuál estuvo conectado a la fuente de tensión durante un
largo tiempo tal que el capacitor llegó a su carga máxima. El interruptor desconecta la fuente
de tensión y conecta la resistencia al capacitor en t = 0. A partir de este momento la energía
acumulada en el capacitor comienza a disiparse en la resistencia. Se desea conocer la evolución
de la tensión del capacitor durante todo el tiempo de descarga, es decir para todo t > 0^2 .

10
 Figura 2.3 Circuito RC conectado a una fuente de tensión constante

Para resolver aplicamos LKV a la malla de la figura que resulta de cambiar el interruptor

Ecuación 2.3

donde la corriente i(t) puede ponerse en terminos de vC(t)

Ecuacion 2.4

que nos llevada a A nos queda

Ecuacion 2.5

cont T = RC.

La ecuación (D) es una ODE homogénea de primer orden, similar a la que se obtuvo en el
análisis del circuito RL de la figura A Por lo tanto, al tratarse de la misma ODE que D, tiene
la misma respuesta general.

11
 3.-RESPUESTA DE CIRCUITOS DE SEGUNDO ORDEN RLC.

Un circuito RLC es un circuito eléctrico que consiste de una resistencia (R), un inductor (L)
y un condensador (C), conectados en serie o en paralelo.

El circuito RLC es representativo, ya que cada circuito real tiene una cierta resistencia finita.
Este circuito tiene un comportamiento rico y complicado, con muchas aplicaciones en distintas
áreas de la ingeniería.

Figura 3 El circuito para la respuesta natural del RLC.

3.1 Ecuación del circuito básico de los circuitos de segundo orden

Para comenzar nuestro desarrollo, los dos circuitos básicos serán lo que se mostraran

Figura 3.1.1 Circuitos básicos

Para comenzar nuestro análisis vamos a suponer que la energía puede ser almacenada
inicialmente en la bobina y en el capacitor. La ecuación para el circuito RLC paralelo se obtiene
de aplicar LKC al nodo de arriba:

12
 Ecuación 3.1

De manera similar, la ecuación para el circuito RLC serie se puede obtener aplicando LKV
a la malla existente:

Ecuación 3.2
Note que la ecuación para el voltaje nodal del circuito RLC paralelo es de la forma que la de la
corriente de malla del circuito RLC serie. Por tanto la solución de esos circuitos depende de
que se resuelva una ecuación. Si ambas ecuaciones anteriores se derivan con respecto al tiempo,
obtenemos:

Ecuación 3.3

Ecuacion 3.4

Como ambos circuitos conducen a una ecuación diferencial de segundo orden con
coeficientes constantes, vamos a concentrar nuestro análisis en este tipo de ecuación.

3.2 Solución a la ecuación diferencial de segundo orden

Vamos a emplear el mismo método que hicimos con los circuitos de primer orden para
obtener la solución de la ecuación diferencial de segundo orden que resulta del análisis de los
circuitos RLC.

De manera general, en este caso tenemos una ecuación de la forma:

Ecuación 3.5

13
 Como ambos circuitos conducen a una ecuación diferencial de segundo orden con

coeficientes constantes, vamos a concentrar nuestro análisis en este tipo de ecuación.

3.2 Solución a la ecuación diferencial de segundo orden

Vamos a emplear el mismo método que hicimos con los circuitos de primer orden para

obtener la solución de la ecuación diferencial de segundo orden que resulta del análisis de los

circuitos RLC.

De manera general, en este caso tenemos una ecuación de la forma:

Ecuación 3.6

Para f(t) ≠ 0 vamos a tener dos respuestas: la respuesta forzada x f(t) y la respuesta natural

xn(t), entonces la solución completa de la ecuación original es:

Ecuacion 3.7

Si, por el momento nos limitamos a una función de forzamiento constante (es decir, f(t)

= A), entonces la respuesta forzada se puede calcular sustituyendo xf(t) = K (donde K es una

constante) en la ecuación diferencial de segundo orden, obtenemos el valor de la respuesta

forzada como sigue:

14
 Ahora para encontrar la respuesta natural, hacemos la ecuación diferencial de segundo orden

igual cero:

donde a1 y a2 son constantes. Por conveniencia y simplicidad

rescribimos la ecuación diferencial de la siguiente forma;

,donde hechos las siguientes sustituciones simples para las

constantes a1 = 2ζω y a2 = ωn2.
Haciendo las mismas consideraciones hechas en el caso de la ecuación de primer orden, la

solución de la ecuación homogénea debe ser una función cuyas derivadas de primero y segundo

orden tienen la misma forma, de modo que el lado izquierdo de la ecuación homogénea se hará

idénticamente cero para todo t. Suponemos una solución exponencial para la respuesta natural,

xn(t) = K℮st y sustituimos está expresión en la ecuación homogénea, para obtener:

s2K℮st + 2ζωnsK℮st + ωn2K℮st = 0, Dividiendo ambos lados de la ecuación entre K℮st se

obtiene:

s2 + 2ζωns + ω 2 =n 0 Ecuacion 3.7

Esta ecuación comunmente se llama ecuación característica; ζ se llama razón o coeficiente

de amortiguamiento y a ωn se le llama frecuencia resonante no amortiguada. La importancia de

está terminología se hará clara conforme avancemos con el desarrollo de este análisis. Si ésta

ecuación se satisface, nuestra solución supuesta xn(t) = K℮st es correcta.

Empleando la fórmula cuadrática, encontraremos que la ecuación característica se satisface

si:

15
 Ecuacion 3.8

Por lo tanto hay dos valores de s, s1 y s2 que satisfacen la ecuación característica

s1  n  n  2
y s2  n  n  2

Ecuación 3.9 y 3.10

Esto significa que x (t)
c1
 K1 e s1t es una solución de la ecuación homogénea y que
x c(t)
2
 K2 e s 2t también es una solución a la ecuación homogénea; es decir,

Ecuacion 3.11

Ecuacion 3.12

La suma de estas dos ecuaciones produce la igualdad

Ecuacion 3.13
Es importante advertir que la suma de las dos soluciones también es una solución. Por lo

tanto, en general, la solución complementaria de la ecuación homogénea es de la forma:

s t Ecuación 3.14
n  K
1 e 1  K
st
x (t) 2 e 2

Donde K1 y K2 son constantes que pueden ser evaluadas vía las condiciones iniciales x(0) y

dx(0)/dt. Por ejemplo ya que:

Ecuación 3.15
De aquí, x(0) y dx(0)/dt producen dos ecuaciones simultáneas, que cuando se resuelven dan

las constantes K1 y K2.

3.3 Respuesta natural de los circuitos de segundo orden

Un examen minucioso de las ecuaciones s1 y s2 indica que la forma de la solución de la

ecuación homogénea depende del valor de ζ. Por ejemplo, si ζ > 1, las raíces de la ecuación

16
característica s1 y s2, también llamadas frecuencias naturales debido a que determinan la

respuesta natural de la red, son reales y diferentes; si ζ < 1, las raíces son números complejos;

y finalmente, si ζ = 1,, las raíces son reales e iguales. Cada uno de esos casos es muy importante;

por lo tanto, examinaremos ahora cada uno con algún detalle.

3.3.1 Respuesta sobre amortiguada

Veamos el caso, donde ζ > 1, en este caso a la solución se le llama respuesta sobre

amortiguada. Las frecuencias naturales s1 y s2 son reales y diferentes, por tanto, la respuesta

natural de la red descrita por la ecuación diferencial de segundo orden es de la forma:

x (t) n K e1s1t  K e2s 2t , donde s1 y s2 toman los valores:

s1  n  n  2y s 2  n  n  2

Donde K1 y K2 se encuentran de las condiciones iniciales. Esto indica que la respuesta

natural es la suma de dos exponenciales decrecientes.

3.3.2Respuesta Subamortiguada

Ahora consideremos el caso en que ζ < 1, en este caso a la solución se le llama respuesta

subamortiguada. Como ζ < 1, las raíces de la ecuación característica dada pueden escribirse

como:

Ecuación 3.16 y 3.17

Donde. Así las frecuencias naturales son números

complejos. La respuesta natural es entonces:

x (t)n  K1 e(  jd )t  K e2 (  jd )t , que se puede escribir como:

17
  t
n  e
x (t) (K1 e jd t  K2 e jd t )

Utilizando las identidades de Euler

e j  cos  jsen , obtenemos:

x (t)n  e t [K1 (cos d t  jsen  dt)  K (cos

2  td  jsen t)]
d , reduciendo esto tenemos:

x (t)n  e t [(K1  K 2) cos  dt  ( jK 1 jK )sen

2  t] d, que lo podemos escribir como:

x (t)  e t ( A cos t  A sen t)

n 1 d 2 d

Donde A1 y A2 como K1 y K2 son constantes que se evalúan usando las condiciones iniciales
1
x(0) y dx(0)/dt. Si xn(t) es real, K1 y K2 serán complejos y K2 = K * A1 = K1 + K. 2 es, por tanto,

dos veces la parte real de K1 y A2 = jK1 - jK2, es dos veces la parte imaginaria de K1. A1 y A2

son números reales. Esto ilustra que la respuesta natural es una respuesta oscilatoria

exponencialmente amortiguada.

3.3.3Respuesta críticamente amortiguada

Por último el caso en que ζ = 1, en este caso a la solución se le llama respuesta críticamente

amortiguada. Como ζ = 1, la parte del radical de las raíces s1 y s2 se hacen cero y esto genera:

donde K3 = K1 + K2. Sin embargo esta no puede ser una solución a la ecuación diferencial

de segundo orden, debido a que en general no es posible satisfacer las dos condiciones iniciales

x(0) y dx(0)/dt con la única constante K3.

En el caso donde la ecuación característica tiene raíces repetidas, puede obtenerse una solución

de la siguiente manera. Si se sabe que x1(t) es una solución de la ecuación homogénea de

segundo orden, entonces vía la sustitución x(t) = x1(t)y(t) podemos transformar la ecuación

18
diferencial dada en una ecuación de primer orden en dy(t)/dt. Como esta ecuación resultante es

sólo una función de y(t), puede resolverse para encontrar la solución general x(t) = x1(t)y(t)

Para nuestro caso, s1 = s2 = - ζωn. Por simplicidad hacemos α = ζωn, y, de aquí, la ecuación

básica es:

Empleando la sustitución

x2(t) = x1(t)y(t) = K3℮-αty(t), la ecuación cuadrática se convierte en

Evaluando las derivadas obtenemos:

Si sustituimos esas expresiones en la ecuación precedente se obtiene:

y(t) = A1 + A2t. Por ende la solución general es:

x2(t) = x1(t)y(t) = K3℮-αt(A1 + A2t), la cual puede escribirse como

19
4.- RESPUESTA EN RÉGIMEN PERMANENTE SINUSOIDAL

Las fuentes sinusoidales y su efecto sobre el comportamiento de un circuito constituyen una

importante área de estudio por diversas razones. En primer lugar, la generación, transmisión,

distribución y consumo de la energía eléctrica suelen tener lugar en condiciones esencialmente

de régimen permanente sinusoidal. En segundo lugar, una comprensión del comportamiento

sinusoidal hace posible predecir el comportamiento de circuitos que tengan fuentes no

sinusoidales. En tercer lugar, el comporta miento sinusoidal de régimen permanente suele

permitir simplificar el diseño de los sistemas eléctricos. Así́, un diseñador puede enunciar las

especificaciones en términos de la res puesta de régimen permanente sinusoidal deseada y

diseñar el circuito o el sistema para que cumpla dichas características. Sí el dispositivo satisface

las especificaciones, el diseñador sabrá́ que el circuito podrá́ responder satisfactoriamente a

entradas no sinusoidales.

4.1 Fuentes sinusoidales

Una fuente de tensión sinusoidal (independiente o dependiente) produce una tensión que

varía sinusoidalmente con el tiempo. Una fuente de corriente sinusoidal (independiente o

dependiente) produce una corriente que varía sinusoidalmente con el tiempo. A la hora de

analizar las funciones sinusoidales, vamos a utilizar una fuente de tensión, pero los resultados

también se aplican a las fuentes de corriente.

Podemos expresar una función sinusoidal mediante la función seno o la función coseno.

Aunque las dos resultan adecuadas, no podemos usar ambas formas funcionales

20
simultáneamente. En nuestro análisis, vamos a utilizar la función coseno, de modo que

escribiremos una tensión sinusoidal de la forma

Ecuacion 4. 1

4.2 La respuesta sinusoidal

Antes de centramos en la respuesta en régimen permanente a fuentes sinusoidales,

consideremos el problema en términos más amplios, es decir, en términos de la respuesta total.

El circuito mostrado, describe la naturaleza general del problema. En él, vs es una tensión

sinusoidal:

Figura 4. 0-1

Ecuacion 4. 2

Por comodidad, vamos a suponer que la comente inicial en el circuito es cero y vamos a

medir el tiempo desde el momento en que se cierra el conmutador. La tarea consiste en calcular

las expresiones correspondientes a i(t) cuando t > 0.

21
 Una aplicación directa de la ley de Kirchhoff de las tensiones al circuito mostrado nos

proporciona la ecuación diferencial ordinaria

Ecuacion 4. 3

cuya solución formal es:

Ecuacion 4. 4

Donde θ se define como el ángulo cuya tangente es wL/R; por tanto, podemos fácilmente

determinar θ para un circuito excitado por una fuente sinusoidal de frecuencia conocida.

El primer término del lado derecho de la Ecuación, se denomina componente transitoria de

la corriente, porque dicho término se hace infinitesimal con el paso del tiempo. El segundo

término del lado derecho se denomina componente de régimen permanente (o de estado

estacionario) de la solución. Dicho término existirá mientras el conmutador permanezca

cerrado y la fuente continúe suministrando la tensión sinusoidal.

Vamos a fijamos ahora en la componente de régimen permanente de la Ecuación

Resulta importante recordar las siguientes características de la solución de régimen

permanente:

22
 1. La solución de régimen permanente es una función sinusoidal.

2. La frecuencia de la señal de respuesta es idéntica a la frecuencia de la señal aplicada.

Esta condición siempre se cumple en un circuito lineal cuando los parámetros del

circuito, R, L y C, sean constantes. (Si hay frecuencias en las señales de respuesta que

no están presentes en las señales aplicadas, querrá́ decir que hay algún elemento no

lineal en el circuito).

3. La amplitud máxima de la respuesta de régimen permanente difiere, en general, de la

amplitud máxima de la fuente. Para el circuito que estamos analizando, la amplitud

máxima de la señal de respuesta es , mientras que la amplitud máxima de

la fuente de señal es Vm.

4. El ángulo de fase de la señal de respuesta difiere, en general, del ángulo de fase de la

fuente.

Conviene recordar estas características, porque nos ayudaran a comprender la motivación

del desarrollo del método de fasores.

4.3 Fasores

Un fasor es un número complejo que aporta la informació n de amplitud y de ángulo de fase

de una fun ció n sinusoidal. El concepto de fasor se basa en la identidad de Euler, que relaciona

la funció n exponencial con la funció n trigonométrica:

Ecuacion 4. 5

23
 Ecuacion 4. 6

podemos aplicar la Ecuación cos 0 , obteniendo:

Ecuacion 4. 7

Podemos mover el coeficiente de Vm dentro del argumento de la parte real de la funció n sin

alterar el resultado. También podemos invertir el orden de las dos funciones exponenciales

contenidas en el argumento

Ecuacion 4. 8

observe que la magnitud es un número complejo que aporta la informa ción de

amplitud y de ángulo de fase de la tensió n sinusoidaldada. Este número complejo es, por defi-

nició n, la representación como fasor o transformació n fasorial de la funció n sinusoidal dada.

24
4.4 Elementos de circuito pasivos en el dominio de la frecuencia

La aplicación sistemática de la transformada fasorial en el análisis de circuitos requiere

llevar a cabo dos pasos sucesivos. En primer lugar, debemos establecer la relación entre el fasor

de corriente y el fasor de tensión en los terminales de los elementos de circuito pasivos. En

segundo lugar, debemos desarrollar la versión de las leyes de Kirchhoff en el dominio de los

fasores.

Relación V-l para una resistencia

Aplicando la ley de Ohm, si la corriente en una resistencia varía sinusoidalmente con el

tiempo, es decir, , la tensión en los terminales de la resistencia, como se

muestra:

Ecuacion 4. 9

donde Im es la amplitud máxima de la corriente en amperios y θ, es el ángulo de fase de la

corriente.

El fasor correspondiente a esta tensión es

Ecuacion 4. 10

Pero es la representación como fasor de la corriente sinusoidal, por lo que podemos

escribir la ecuación como:

25
 Ecuacion 4. 11

Relación V-l para una bobina

Podemos determinar la relació n entre el fasor de corriente y el fasor de tensió n en los

terminales de una bobina suponiendo una corriente sinusoidal y utilizando Ldi/dt para hallar la

correspondiente tensió n. Asi,́ para , la ecuación correspondiente a la tensió n

será

Ecuacion 4. 12

Ecuacion 4. 13

Ecuacion 4. 14

Ecuacion 4. 15

Relación V-l en un condensador

26
 Podemos obtener la relació n entre el fasor de corriente y el fasor de tensión en los terminales

de un con densador a partir del proceso de deducción, En otras palabras, si tene mos en cuenta

que para un condensador

Ecuacion 4. 16

Ecuacion 4. 17

Ecuacion 4. 18

Ecuacion 4. 19

Ecuacion 4. 20

4.5 Impedancia y reactancia

Concluimos estas explicaciones sobre los elementos de circuito pasivos en el dominio de la

frecuencia con una observación de gran importancia. Si comparamos las Ecuaciones

27
 observa mos que todas tiene la forma V = ZI donde Z representa la impedancia del elemento

de circuito, La impedancia en el dominio de la frecuencia es la magnitud análoga a la

resistencia, inductancia y capacidad en el dominio del tiempo. La parte imaginaria de la

impedancia se denomina reactancia.

La Tabla resume los valores de la impedancia y la reactancia para cada uno de los

componentes de circuito básicos.

Tabla 4. 1

5.- FUNCIONAMIENTO DEL DIODO

5.1 El diodo ideal

El diodo, el más sencillo de los dispositivos semiconductores, pero que desempeña un papel

muy importante en los sistemas electrónicos. Con sus características, que son muy similares a

las de un interruptor sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde

las más sencillas a las más complejas.

El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales, que tiene el símbolo y

características que se muestran en la figura 5.1 , respectivamente.

28
 Figura 5. 1

De manera ideal, un diodo conducirá́ corriente en la dirección que define la flecha en el

símbolo, y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en

dirección opuesta. En esencia:

Las características de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede

conducir corriente en una sola dirección.

5.2 Materiales semiconductores

El termino semiconductor revela por si mismo una idea de sus características. El prefijo

semi suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos límites.

El termino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de

carga, cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminales.

Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presión

de una fuente de voltaje aplicada.

29
 Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre

algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor.

De manera inversa, y relacionada con la conductividad de un material, se encuentra su

resistencia al flujo de la carga o corriente. Esto es, mientras más alto es el nivel de

conductividad, menor es el nivel de resistencia.

5.3 Materiales Extrinsecos: Tipo n y Tipo p

Las características de los materiales semiconductores pueden ser alteradas

significativamente por la adición de ciertos átomos de impureza a un material semiconductor

relativamente puro.

Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina un

material extrínseco.

5.3.1 Material tipo n

El tipo n se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco

electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsénico y fósforo.

5.3.2 Material tipo p

El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio

con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan

con mayor frecuencia para este propósito son el boro, galio e indio.

30
5.4 Diodo semiconductor

El diodo es un componente electrónico que solo permite el flujo de la electricidad en un solo

sentido, debido a esto su funcionamiento se parece a un interruptor el cual abre o cierra los

circuitos. Este dispositivo esta conformado por dos tipos de materiales diferentes los cuales se

traducen a dos terminales, un ánodo (+) y un cátodo (-).

El diodo semiconductor se forma con solo juntar los materiales tipo p y n (construidos

en la misma base: Ge o Si), según se muestra en la figura 5.2, utilizando técnicas, En el

momento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en la región de la

unión se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la región cercana a la unión.

A esta región de iones positivos y negativos descubiertos se le llama región de

agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta región.

Figura 5. 2

31
 Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicación de un voltaje a través de

sus terminales permite tres posibilidades: sin polarización (VD = O V), polarización directa

(VD> OV) y polarización inversa (VD < OV), Cada una es una condición que dará́ un resultado

que el usuario deberá́ comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma

efectiva.

5.4.1 Sin polarización aplicada (VD = OV)

Bajo condiciones -sin polarización, cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el

material tipo n que se encuentren dentro de la región de agotamiento, pasarán directamente al

material tipo p. Mientras más cercano se encuentre el portador minoritario a la unión, mayor

será́ la atracción de la capa de iones negativos y menor la oposición de los iones positivos en

la región de agotamiento del material tipo n, En resumen

En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la carga en

cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero.

5.4.2 Condición de polarización inversa (VD < OV)

Si un potencial externo de V volts se aplica a través de la unión p-n de tal forma que la

terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo n y la terminal negativa esté

conectada con el material tipo p como se muestra en la figura 5.3, el numero de iones positivos

en la región de agotamiento del material tipo n se incrementará debido al gran numero de

electrones "libres" atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares,

32
el numero de iones negativos se incrementará en el material tipo p. El efecto neto, por tanto, es

una ampliación de la región de agotamiento. Dicha ampliación establecerá́ una barrera de

potencial demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios, además de una

reducción efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a cero, como se muestra en la figura

5.3.

Figura 5. 3

A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa se le llama corriente

de saturación inversa, y se representa mediante Is.

5.4.3 Condición de polarización directa (VD> OV)

Una condición de polarización directa O “encendido” se establece al aplicar el potencial

positivo al material tipo p y el potencial negativo al material tipo n, como lo muestra la figura

5.4. Por tanto, para mayor referencia:

33
 Un diodo semiconductor tiene polarización directa cuando se ha establecido la asociación

tipo p y positivo y tipo n y negativo.

Figura 5. 4

5.5 Niveles de resistencia

Cuando el punto de operación de un diodo se mueve desde una región a otra, la resistencia

del diodo también cambiará debido a la forma no lineal de la curva característica.

5.5.1 Resistencia en dc o estática

La aplicación de un voltaje dc a Un circuito que contiene un diodo semiconductor tendrá́

por resultado un punto de operación sobre la curva característica que no cambiará con el

tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operación puede encontrarse con solo localizar

los niveles correspondientes de VD e ID como se muestra en la ecuación 5.5 y aplicando la

siguiente ecuación:

34
 Ecuación 5. 1

Figura 5. 5

Los niveles de resistencia en de en el punto de inflexión y hacia abajo serán mayores que

los niveles de resistencia que se obtienen para la sección de crecimiento vertical de las

características. Como es natural, los niveles de resistencia en la región de polarización inversa

serán muy altos. Debido a que, por lo regular, los óhmetros utilizan una fuente de corriente

relativamente constante, la resistencia determinada será́ en el nivel de corriente predeterminado

(casi siempre unos cuantos miliamperes).

5.5.2 Resistencia en ac o dinámica

A partir de la ecuación 5.1 resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo es independiente

de la forma de la característica en la región que rodea el punto de interés. Si se aplica una

entrada senoidal en lugar de una entrada de dc, la situación cambiará por completo. La entrada

35
variante desplazará de manera instantánea el punto de operación hacia arriba y abajo en una

región de las características y, por tanto, define un cambio especifico en corriente y voltaje,

como lo muestra la figura 5.6. Sin tener una señal con variación aplicada, el punto de operación

sería el punto Q que aparece en la figura 5.6, determinado por los niveles de dc aplicados. La

designación del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en inglés de: quiescent),

que significa "estable o sin variación”.

Figura 5. 6

5.5.3 Resistencia en ac promedio

Si la señal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursión tal

como lo indica la figura 5.7, a la resistencia asociada con el dispositivo para esta región se le

llama resistencia en ac promedio. La resistencia ac promedio es, por definición, la resistencia

determinada por una línea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores

máximos y mínimos del voltaje de entrada, En forma de ecuación (obsérvese la figura 5.7),

36
 Figura 5. 7

Para la situación indicada por la figura 5.7

Ecuación 5. 2

5.6 Diodos Zener

Los diodos zener se usan para mantener un voltaje fijo. Están diseñados para trabajar de una

forma confiable de manera que pueden ser utilizados en polarización inversa para mantener

fijo el voltaje entre sus terminales. Se les puede distinguir de los diodos comunes por su

símbolo y su código ya que suelen ser BZX o BZY, su tensión inversa de ruptura esta grabada

con la letra V en lugar del punto decimal 4V7 = 4.7V.

37
 6.- FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR

El 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica registró la aparición de un nuevo

campo de interés y desarrollo. Fue esa tarde cuando Walter H. Brattain y Joshep Bardeen

demostraron la acción amplificadora del primer transistor en la compañía de Bell Telephone

Labaroatories. Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales respecto al

bulbo se manifestaron de inmediato.

Con el transistor vino la miniaturización de los componentes y se llegó al descubrimiento

de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milímetros cuadrados, miles de

transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de

los ordenadores actuales.

6.1 Función

Los transistores amplifican corriente, por ejemplo, pueden ser usados para amplificar la

pequeña corriente de salida de un circuito integrado (IC) lógico de tal forma que pueda manejar

una bombilla, un relé u otro dispositivo de mucha corriente. Un transistor puede ser usado como

un interruptor (ya sea a la máxima corriente, o encendido ON, o con ninguna corriente, o

apagado OFF) y como amplificador (siempre conduciendo corriente). La cantidad amplificada

de corriente es llamada ganancia de corriente, β o hFE.

Los transistores se utilizan ampliamente como interruptores en muchas aplicaciones. El

transistor puede ser utilizado como el equivalente de un interruptor de vía y polo únicos. Se

puede abrir o cerrar la trayectoria de un circuito controlando el estado del transistor.

38
 Figura 4.- Transistor bipolar y transistor de efecto de campo

Hay dos tipos básicos de transistor:

a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)

b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar

6.2 Transistor Bipolar

Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre sí. Según como

se coloquen los cristales hay dos tipos básicos de transistores bipolares.

Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos cristales N. Son los más

comunes

Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos cristales P

Figura 5.- Símbolo de transistores

6.3 Transistor de efecto de campo

El transistor se construye sobre un sustrato de silicio tipo p, sobre el cual se implementan

dos regiones de tipo n, denominadas drenador y surtidor. Sobre el sustrato y levemente solapada

39
con las regiones de drenador y surtidor, se hace crecer una capa de óxido que se comporta como

un aislador casi perfecto. Sobre esta capa se practica un depósito metálico (aluminio) al que se

denomina compuerta. Se conectan a las regiones de fuente, compuerta, drenador y sustrato

conductores que se denominan terminales que son los que se conectan al circuito externo.

Figura 6.- Símbolo esquemático del transistor MOS

7.- CIRCUITOS DE AMPLIFICACION BASADOS EN TRANSISTORES

Dentro de los dispositivos amplificadores están los transistores de unión bipolares (BJT),

los transistores efecto de campo (FET), el transistor semiconductor efecto de campo de óxido

de metal (MOS-FET), el transistor efecto de campo de corriente vertical (FET-V) y los

transistores efecto de campo de óxido de metal complementario (CMOS).

La palabra transistor es una palabra latina compuesta que significa transferir resistencia:

tran(sfer) + (re)sistor. Quiere decir que la amplificación se produce llevando o pasando una

corriente de un circuito de baja resistencia a otro de alta resistencia. En otras palabras, el

transistor es un dispositivo semiconductor en el estado sólido capaz de amplificar señales de

corriente eléctrica y de conmutar. (Cantú, 1996, p.71)

40
 Cuando se desea reproducir una señal de entrada sin distorsión, los amplificadores de

transistores deben utilizarse dentro de la parte lineal de sus características. Por ello, al diseñar

un amplificador lineal es necesario elegir con cuidado el punto de operación, las características

del transistor y las componentes del circuito respectivo.

La polarización de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y tensiones

que fijan su punto de trabajo en la región lineal (bipolares) o saturación (FET), regiones en

donde los transistores presentan características más o menos lineales. Al aplicar una señal

alterna a la entrada, el punto de trabajo se desplaza y amplifica esa señal. El análisis del

comportamiento del transistor en amplificación se simplifica enormemente cuando su utiliza el

llamado modelo de pequeña señal obtenido a partir del análisis del transistor a pequeñas

variaciones de tensiones y corrientes en sus terminales. Bajo adecuadas condiciones, el

transistor puede ser modelado a través de un circuito lineal que incluye equivalentes Thévenin,

Norton y principios de teoría de circuitos lineales. El modelo de pequeña señal del transistor es

a veces llamado modelo incremental de señal.

En la práctica, el estudio de amplificadores exige previamente un análisis en continua para

determinar la polarización de los transistores. Posteriormente, es preciso abordar los cálculos

de amplificación e impedancias utilizando modelos de pequeña señal con objeto de establecer

un circuito equivalente. Ambas fases en principio son independientes, pero están íntimamente

relacionadas. (Ruiz, 2001, p.21)

7.1- Amplificador básico

El análisis de un amplificador tiene como objetivo obtener su modelo equivalente en tensión

o intensidad para lo cual es preciso determinar su impedancia de entrada, impedancia de salida

41
y ganancia de tensión o intensidad. Para ello, es necesario en primer lugar obtener su circuito

equivalente de alterna del amplificador y, posteriormente, sustituir el transistor por alguno de

las tres posibles modelos indicados en la ilustración 7.1 en función de la configuración del

transistor.

Figura 7. 1.Configuraciones básicas de los transistores bipolares. Ruiz (2001)

En la ilustración 7.2.a se presenta un ejemplo sencillo de análisis de un amplificador básico

en configuración EC. Para poder obtener las características amplificadoras de esta etapa es

preciso realizar los siguientes pasos.

7.1.1- Paso 1. Análisis DC

El fabricante proporciona a través de gráficas el valor de los parámetros {H} en función de

la intensidad de colector; si se conoce el valor de estos parámetros no es necesario realizar este

paso. La IC se calcula a partir del circuito equivalente DC. Este circuito es el resultado de

eliminar (circuito abierto) los condensadores externos y anular las fuentes de alterna (fuentes

de tensión se cortocircuitan y de corriente se dejan en circuito abierto). La ilustración 7.2.b

42
muestra el circuito obtenido al aplicar estas transformaciones que permite calcular la IC y, por

consiguiente, los parámetros {H} del transistor.

Figura 7. 2. Ejemplo de análisis de un amplificador básico. a) Esquema de amplificación completo. b)

Circuito equivalente en continua. c) Circuito equivalente en alterna d) Circuito equivalente de baja señal. Ruiz
(2001)

7.1.2- Paso 2. Análisis AC

En primer lugar, se obtiene el circuito equivalente en alterna cortocircuitando los

condensadores externos (se supone que el amplificador trabaja a frecuencias medias) y
anulando las fuentes de continua (fuentes de tensión se cortocircuitan y de corriente se dejan
en circuito abierto). En la ilustración 7.2.c se presenta el circuito resultante en alterna.

43
7.2- Amplificador de Colector Común

Zbar, Malvino y Miller (2001) aseguran que el amplificador aterrizado o amplificador de

colector común, más conocido como emisor-seguidor, es un circuito con transistor cuya

ganancia de voltaje es de alrededor de uno con ganancia de corriente y potencia, e impedancia

de entrada alta y de salida baja. Gracias a sus características de impedancia este amplificador

se utiliza en aplicaciones de acoplamiento de impedancia.

La ilustración 7.3 es el diagrama del circuito de un emisor-seguidor con fuente de

alimentación. La señal de ca Vent se acopla a la base mediante el capacitor. El resistor de carga,

R2, se conecta en el emisor y el voltaje de la señal de salida, Vsal se descarga en este resistor

de emisor sin derivación. El colector se conecta en forma directa con Vcc, a tierra o terminal

común de ca, dado que el capacitor e2 funciona como derivación de baja impedancia del

colector (de aquí el nombre de colector aterrizado). e2 puede ser un capacitor real conectado

del colector a la tierra, o el capacitor de filtrado de la salida de la fuente V cc. Dado que la señal

de entrada está entre la base y la tierra (colector) y la señal de salida entre el emisor y la tierra

(colector), es evidente que el colector (tierra) es común para los circuitos de entrada y de salida.

En el circuito de la ilustración 7.3 V es la fuente de alimentación del colector. Su terminal

positiva se conecta al colector dado que se utiliza el transistor NPN. Una característica

distintiva del circuito de colector común o aterrizado es que el resistor del emisor, R2, no tiene

un capacitor en derivación para la corriente alterna. Por ello, en R2 aparece una señal de voltaje

de salida de ca cuando se aplica a la base una señal de voltaje en ca.

44
 Figura 7. 3. Emisor seguidor o de colector común con fuente de alimentación. Zbar et al. (2001).

7.3- Configuración Darlington

Esta configuración se utilizará cuando sea preciso un amplificador con una alta impedancia

de entrada.

En esta configuración si lo consideramos como un solo transistor compuesto, el circuito

estaría en Colector común, pero para la aplicación se ha considerado como dos transistores, es

decir dos etapas en Colector común directamente acopladas

Para la aplicación se partirá del siguiente esquema (ilustración 7.4):

45
 Figura 7. 4. Esquema Configuración Darlington. Lubiano (2017).

7.4- Amplificadores con transistores en cascada

Cuando dos amplificadores se conectan de manera que la señal de salida del primero es la

señal de entrada del segundo, se dice que los amplificadores están conectados en cascada. LOS

amplificadores conectados en cascada permiten aumentar la ganancia con amplificadores de

una sola etapa. La configuración en cascada más común es la de emisor aterrizado. Como

recordará, estos amplificadores tienen ganancias de voltaje, corriente y potencia grandes. Se

emplean en sistemas de reproducción de sonido; por ejemplo, amplificadores de audio,

televisores y amplificadores de video (películas), así como en muchas otras aplicaciones. (Zbar

et al., 2001, p.125).

7.4.1- Acoplamiento por transformadores

En el acoplamiento de las etapas de los amplificadores es frecuente usar transformadores.

Con ellos se logra acoplar la impedancia de salida de la primera etapa con la impedancia de

entrada de la siguiente etapa. Con un adecuado acoplamiento de impedancias se logra una

46
máxima transferencia de potencia de una etapa a la siguiente. La ilustración 7.5 es el diagrama

del circuito de un amplificador de transistores de dos etapas acopladas por transformador.

Figura 7. 5. Amplificador de transistor en cascada con acoplamiento mediante transformador. Zbar et al.
(2001).

7.4.2- Acoplamiento directo

En los amplificadores de transistores en cascada también se utiliza el acoplamiento directo.

Una ventaja de éste es el ahorro en componentes y su mejor respuesta a la frecuencia. La

Ilustración 7.6 es el diagrama del circuito de un amplificador de dos etapas acoplado de manera

directa.

Figura 7. 6. Amplificador de transistores con acoplamiento directo. Zbar et al. (2001).

47
 CONCLUSIÓN

Los circuitos son un área muy extensa de tratar los temas presentados en la investigación

fundamentaron las bases para el manejo de estos, sin embargo, para que podamos crear sistemas

programables se necesitan estudiar otros temas más, los cuales se verán en clases posteriores

durante todo el semestre.

BIBLIOGRAFIA

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Prentice-Hall

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https://gratislibrospdf.com

49