ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Operación interna del diodo semiconductor

Ing. Renzo Bolívar Valdivia

 Temas

` Aprender como se construye y opera un diodo semiconductor

◦ Tipos de material semiconductor

◦ Operación de la unión de material tipo p con material tipo n
◦ Demostrar por qué esta unión solo favorece el paso de corriente en una dirección

2 agosto de 2010
Material semiconductor
 ¿Qué es material semiconductor?

` Material capaz de conducir electricidad a temperatura ambiente.

◦ Conduce mucho mejor que un material aislador (“insulators”) pero
◦ No conduce tan bien como los metales.(cobre, oro, plata, hierro, aluminio).

` Materiales semiconductores más comunes:

◦ Germanio (Ge)
◦ Silicio (Si)
◦ Galio Arsénico (GaAs)

4 agosto de 2010
 Tipos de semiconductor

` Intrínseco
◦ Material puro, libre de impurezas que alteren sus propiedades eléctricas.

` Extrínseco
◦ Material al cual se le han añadido impurezas para alterar deliberadamente sus
propiedades eléctricas.

5 agosto de 2010
 Semiconductor intrínseco
- -
-
Modelo plano de estructura - -
`
cristalina de Silicio (en realidad es
-
un tetraedro). - - - - -
- - -
` Cuatro enlaces covalentes por
átomo. (Valencia de 4) - - -
- - - - - - -
- - -
- - -
- - - - - - -
- - -
- - -
- - - - -
6 agosto de 2010
 Creación de par electrón-hueco

` La agitación termal rompe

algunos enlaces covalentes.

` Como consecuencia se crea -

pareja de:
◦ Electrón libre (“free electron”)
◦ Hueco (“Holes”) -
+ -
` Hay tantos electrones libres
como huecos.

7 agosto de 2010
 Creación de par electrón-hueco
Densidad de electrones libres

ni = n = p -
Densidad de
Densidad
huecos + -
intrínseca
Temp (oK)

Para Silicio a 300oK

ni ≈ 1.5 x1010 portadores/cm3
constante
Constante de
Temp Brecha de Boltzmann
(oK) energía (eV) (eV/oK)

8 agosto de 2010
 Corriente de huecos
Hueco existente Enlace por romperse

- - -+ - - - - - - - - -
Antigua ubicación del hueco
Carga positiva se movió
Hueco nuevo

- - -+- - - +- - - - - - -
Carga negativa se movió

+++ Campo eléctrico externo ---

9 agosto de 2010
 Recombinación

Recombinación es la acción de un electrón libre moverse hasta ocupar un

hueco.
◦ La corriente de huecos depende del proceso de recombinación.

El efecto neto de la recombinación es que desaparecen tanto el hueco como el

electrón libre.
◦ Se restaura el enlace que se había roto.

Recuerde que el hueco es la ausencia de un electrón, NO es un protón.

10 agosto de 2010
 Mecanismos de
conducción en
semiconductores
 Dos mecanismos de conducción

Difusión (“Diffusion”)– los electrones o huecos se mueven de áreas

de alta concentración a áreas de baja concentración.

Deriva (“Drift”)– los electrones o huecos se mueven atraídos o

repelidos por un campo eléctrico externo.

En los metales el mecanismo de conducción es deriva.

En los semiconductores ambos mecanismos son importantes.

12 agosto de 2010
 Conducción por difusión
Alta concentración
Difusión
Los electrones libres (o huecos) se - - - -
mueven de áreas de alta -
concentración a áreas de baja
- -
concentración. -
- -
La corriente cesa cuando se igualan
las concentraciones.
- -

Baja concentración

- -

- -

13 agosto de 2010
 Conducción por difusión

¿Cómo puede existir diferencia en

++ ++ + + + concentración?

+++++ +++ + +
+++ ++ + + + Causas:
+ + + – Diferencias en temperatura, luz,
campos EM...
Perfil de – Inyección de portadores al
distribución interior del material.
p – Impurezas.
de carga

14 agosto de 2010
 Conducción por difusión

La densidad de corriente de huecos:

Dp es la constante de difusión para los huecos, q es la carga del electrón, p

es la densidad de huecos y x es distancia.

La densidad de corriente de electrones:

Dn es la constante de difusión para los electrones.

Jn y Jp difieren en signo debido a la polaridad de la carga.

En Silicio
Densidad de corriente es Dp = 12 cm2/s,
corriente por unidad de volumen. Dn = 34 cm2/s

15 agosto de 2010
 Conducción por deriva

-----------

- - - -
-
-
- -

• En ausencia de campo externo no hay

conducción.
• La dirección del flujo de corriente depende de
la polaridad del campo externo.
++++++++

16 agosto de 2010
 Conducción por deriva

Para los huecos y electrones, la densidad de corriente por deriva es:

Donde
 E es la intensidad del campo eléctrico externo Los electrones se
 q es la carga del electrón mueven casi 3 veces
 p es la densidad de huecos más rápido.
 n es la densidad de electrones libres
 μp es la movilidad del hueco (480 cm2/s para Si)
 μn es la movilidad del electrón (1350 cm2/s para Si)

17 agosto de 2010
Semiconductor extrínseco
 Semiconductor extrínseco

` Material semiconductor al cual se le añadieron impurezas para modificar

sus propiedades eléctricas.

` ¿Por qué hacer eso?

◦ Hacer que existan más huecos que electrones libres (p >> n) -- Material tipo p.
Átomos con valencia de 3
◦ Hacer que existan más electrones libres que huecos (n >> p) -- Material tipo n
Átomos con valencia de 5
` Átomo de impureza debe ser de tamaño comparable al de Si para que
pueda ocupar su lugar con facilidad.

19 agosto de 2010
 Proceso de dopaje

` Dopaje (“doping”) es el proceso de añadir impurezas.

` Consiste en obligar a que las impurezas penetren al material intrínseco.

` ¿Cómo se logra?
◦ Calienta al material intrínseco a temperatura bien alta.
◦ Expone al material a un gas en el cual están los átomos de impurezas.
◦ Por difusión, las impurezas penetran al material.

Material semiconductor (Silicio)

20 agosto de 2010
Material tipo p
 Material tipo p

` Se le dice al material en el cual

predominan los huecos sobre los
electrones libres. - - - -
` Se logra añadiendo impurezas - - -
aceptadoras (“acceptors”).
◦ átomos con 3 electrones de valencia. - - -
(Ejemplo: Boro).
- - +- - - -
Solamente tres enlaces se
`
completan.
- - -
◦ Queda un hueco.
- - -
` La impureza es aceptadora porque - - - -
puede aceptar a un electrón libre.
- - -
- - -

22 agosto de 2010
 NA = densidad de
Material tipo p átomos aceptadores

` Generalmente NA >> n, así que

` pp0 ≈ NA. - - - -
` np0 ≈ ni2/NA - - -
- - -
- - + - - -
- - -
p indica que estamos hablando de
material tipo p,
- - -
0 quiere indicar que esta es la - - - -
condición en reposo (ausencia de
estímulo externo.)
- - -
- - -

23 agosto de 2010
 Resumen material tipo p

` Huecos son portadores

mayoritarios.

` Electrones libres son portadores

minoritarios.
◦ Conducción mayormente a cargo
de los huecos.

` Debido a que se fabrica para

que p >> n,
◦ Los electrones libres contribuyen
poco al flujo de corriente en este
material.

24 agosto de 2010
Material tipo n
 Material tipo n

` Se le dice al material en el cual

predominan los electrones libres
sobre los huecos. - - - -
- - -
` Se logra añadiendo átomos de
impurezas con 5 electrones de - - - -
valencia. (Ejemplo: Fósforo)
◦ Solamente completa cuatro - - - - - -
enlaces.
- - -
` Queda un electrón que puede ser
liberado con poca energía.
- - -
- - - -
` La impureza es donante (“donor”)
porque puede ceder ese electrón.
- - -
- - -
- - - -
26 agosto de 2010
 Material tipo n ND = densidad de
átomos donantes

` Generalmente ND >> p, así que

` nn0 ≈ ND. - - - -
` pn0 ≈ ni2/ND - - -
- - - -
- - - - - -
- - -
n indica que estamos hablando del
material tipo n, - - -
- - - -
0 quiere indicar que esta es la condición
en reposo (ausencia de estímulo externo). - - -
- - -
- - - -
27 agosto de 2010
 Resumen material tipo n
` Electrones son los portadores
mayoritarios. Huecos son
portadores minoritarios.

◦ Conducción mayormente a cargo

de los electrones.

` Debido a que se fabrica para

que n >> p,

◦ los huecos contribuyen muy poco

al flujo de corriente en este
material.

28 agosto de 2010
Unión pn
 La unión pn
i
+ -
+ - v
p n

` Unión de material tipo p con material tipo n.

◦ Un solo trozo de material semiconductor.
◦ Mediante dopaje, un lado se convierte en n, otro en p.

` Observaremos su operación bajo tres condiciones:

◦ Circuito abierto – ningún estímulo externo.
◦ Polarización inversora – tratar de inyectar corriente en contra de la flecha.
◦ Con polarización directa -- tratar de inyectar corriente a favor de la flecha.

30 agosto de 2010
 Unión pn en circuito abierto

Esto significa cero voltaje, cero corriente

+ + + + - + - - - -
+ + p+ - + -n - -
+ + + - + - - -
i

En la frontera entre n y p ocurre lo siguiente:

• Difusión de electrones libres del lado n hacia el p.

• Provoca recombinación con los huecos del
lado p.
v
• Los átomos donantes y aceptadores se ionizan.
• Impide que continúe la difusión.

31 agosto de 2010
 Unión pn en circuito abierto

+ + + + - + - - - -
+ + p+ - + -n - -
+ + + - + - - -
i
Zona de agotamiento
Como consecuencia: (“depletion zone)
• Se crea una zona de agotamiento
donde no quedan portadores de carga disponibles.
• Las cargas fijas establecen un campo eléctrico.

v
Cualquier portador de carga que intente cruzar necesita tener
energía suficiente para vencer la barrera de potencial

32 agosto de 2010
 Unión pn en circuito abierto

+ + + + - + - - - -
-n - - Para cruzar la unión, el
+ + p+ - + electrón tiene que
+ + + - + - - - exceder a V0. (barrera de
i
potencial eléctrico)
Potencial

xn
xp
voltaje de v
barrera (Vo)

Para Silicio VO ≈ 0.7 V x

a temperatura de salón.
33 agosto de 2010
Polarización inversora
 i
+ -
Unión pn en polarización inversora v
+ + + + - + - - - -
+ + p+ - + -n - -
La fuente externa intenta hacer
fluir una corriente I a través de + + + - + - - -
la unión.
I
i
• Aleja los portadores de carga
mayoritarios de la zona de la
unión.
• Solo los portadores minoritarios
tienen condiciones favorables para
cruzar la unión.
Pero son muy pocos... v

35 agosto de 2010
 i
+ -
Unión pn en polarización inversora v
+ +++ - - + + --- -
+ + +P - - + +N - - -
La fuente obliga a los electrones
libres del lado n a abandonarlo. + ++ - - + + - --
Igual ocurre con los huecos en el
lado p.
I
i

Aumenta el ancho de la zona de agotamiento

y por consiguiente el potencial requerido para
cruzarlo.

En todo momento I < IS. v

Solamente los portadores
minoritarios pueden cruzar la
unión pero son muy pocos para
hacer diferencia.

36 agosto de 2010
 i
+ -
Unión pn en polarización inversora v
+ +++ - - + + --- -
+ + +P - - + +N - - -
+ + - --
La zona de agotamiento equivale a
un capacitor.
+ ++ - -
 su capacitancia es función de
voltaje externo. I
i

Diodo Varactor – aprovecha esta v

propiedad de capacitancia controlada
por voltaje.

37 agosto de 2010
Región de ruptura
 Unión pn en región de ruptura

+ + - - - + + + - -
La fuente externa intenta
hacer que I >IS.
+ - P - - + + N+ -
+ - - - + + + -
I i
• Hace que Vo aumente hasta el punto
que el campo de fuerza es tan
intenso que...

•Existe energía suficiente para VZK

romper enlaces.
•Provoca un aumento dramático v
en la densidad de portadores de
carga disponibles. i
+ -
v
39 agosto de 2010
 Unión pn en región de ruptura
+ + - - - + + + - -
Existen dos tipos de mecanismos
de rompimiento de enlaces.
+ - P - - + + N+ -
+ - - - + + + -
I i

• Zener
• campo eléctrico rompe enlaces en la
zona de agotamiento, creando pares de
electrón – hueco libres. VZK
• Avalancha
• energía cinética de los portadores que v
cruzan la unión es suficiente para
romper enlaces en su paso (en i
cualquier lugar del material)
+ -
v
40 agosto de 2010
 Unión pn en región de ruptura

Mecanismo de Zener

Enlace roto por el -

campo eléctrico
+- -

Campo eléctrico

41 agosto de 2010
 Unión pn en región de ruptura

Mecanismo de avalancha

Enlace roto por la

colisión con un -
electrón que fue
acelerado.
- +

Campo eléctrico

42 agosto de 2010
Polarización directa
 Unión pn en polarización directa
+ + + + - + - - - -
+ e+ep e+ -e +e e- ne- e e-
Si I > IS, la fuente inyecta
electrones al lado n. + + + - + - - -
I i
• Por difusión los electrones se mueven
hacia la unión, reduciendo la zona de
agotamiento y el potencial necesario Vo
para cruzarla.

• Si el potencial externo es menor que Vo,

pocos portadores fluyen.
v
i
+ -
v
44 agosto de 2010
 Resumen i
+ -
La interacción entre las zonas p y n en la unión
v
provoca que:

◦ La unión solo permite el flujo abundante de

corriente cuando la fuente externa le inyecta
portadores de carga del mismo tipo que los
mayoritarios presentes en el material.

◦ Si inyecta portadores del mismo tipo que los

minoritarios, fluye una cantidad muy pequeña.
x Para todos los propósitos no conduce.
Banda
marca el
cátodo

45 agosto de 2010
 Resumen

` Para un diodo rectificador (aquel cuya función es permitir el paso de

corriente en una sola dirección).

◦ Si el voltaje negativo aplicado es demasiado alto la unión opera en la

región de ruptura, conduciendo corriente abundante.
x El voltaje externo negativo máximo no debe exceder el PIV.

◦ Para entrar en conducción plena el voltaje externo debe sobrepasar

V0.

46 agosto de 2010
Efecto de temperatura
 Área unión
Corriente de saturación

p n
La corriente de saturación está dada por: i
Área unión Constantes de + -
difusión v
i

Densidad Densidades de
aceptadores y v
intrínseca Largos de donantes
difusión IS depende de geometría,
materiales y temperatura

48 agosto de 2010
 Importancia de temperatura

` Note que T aparece en varios puntos en

las ecuaciones.

` Es importante entender que cambios

grandes en temperatura producen
cambios drásticos en las características
eléctricas del componente.

` El diseñador debe prestar atención a la

temperatura de operación y a disipar el
calor que produce el componente.

49 agosto de 2010
 Al terminar esta lección

Debe poder:
` Explicar lo que es un material semiconductor tipo p y n.

` Explicar como el diodo favorece flujo de corriente en una

sola dirección.
` Entender el rol de los materiales en la definición de las
propiedades eléctricas del diodo.

50 agosto de 2010
 Infórmate en:

Jaeger y Blalock 2da edición: Secciones 2.1, 2.2, 2.5, 2.6 y 3.1

51 agosto de 2010
 ¿Preguntas?

52 agosto de 2010