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OBJETIVO: Hacer conocer al alumno los transistores unipolares o de efecto de campo, estudiar
sus características, su polarización, punto de operación, comportamiento en señal AC,
características de entrada y salida, así como el manejo de datos del manual.
MATERIALES Y EQUIPO:
1 Multímetro 1 transistor FET canal N ( NTE 312 ó equivalente )
1 Fuentes DC variable R: 1k, 2k, 10k, 1 MΩ, 5.6K, 3.3k
2 Cables de osciloscopio Cables de conexión, cables de fuente
Protoboard C: 2 x 10 uF, 47 uF, 100 uF , WV
> 25 v
Osciloscopio Potenciómetro lineal de 10K
PROCEDIMIENTO:
a) Colocar el dispositivo en el Protoboard “sin doblar sus patitas” y reconocer sus terminales.
Dibujar su esquema de pines y colocar los datos del manual que considere más importantes.
R(DS) = ………………
R(GD) = ………………
R(GS) = ………………
Figura 1
Figura 2
Se trata de un transistor FET canal N autopolarizado, donde VGS se establece como:
b) Medir con el multímetro los voltajes de los terminales del FET con respecto a tierra:
VD = ...................... VS = ........................ VG = ......................
NO MEDIR CORRIENTES
c) Llenar la tabla adjunta, cambiando RD y manteniendo RS en los 2 casos, tal como se indica.
Caso c-1) con RS = 1k Caso c-2) RS = 3.3k
d) Graficar las Rectas de Carga, indicar los puntos de operación y las curvas de transferencia en
cada caso. Evaluar por extrapolación IDSS y VPO, así como la transconductancia “gm”
f) Aumentar la señal Vin hasta observar una notoria distorsión en la señal de salida.
i) Analizar las características del manual del FET y explicar otras formas de operación,
indicando algunas aplicaciones, ventajas y desventajas de este tipo de amplificadores