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Celdas de AsGa
Celdas de AsGa
Celdas de AsGa
PROPIEDADES
La banda prohibida del GaAs es mayor que la del Silicio dándole una ventaja sobre
ésta debido a que son menos sensibles a la temperatura, por lo que son más
estables y por lo tanto más fiables.
PREPARACIÓN DE MATERIALES SEMICONDUCTORES
GaAs se obtiene por combinación directa de
Ga y As a través de una reacción en fase de
vapor a baja presión y alta temperatura. La
producción de GaAs se puede resumir en 4
etapas: crecimiento del lingote,
procesamiento de obleas, epitaxia y
fabricación del dispositivo.