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DISEÑO Y SIMULACIÓN DE UN AMPLIFICADOR CLASE F CON

DISPOSITIVO GaN-HEMT CGH40010 A 1.5GHz .
Carlos Largo, Felipe Sanabria
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia

Resumen—En este informe presenta el análisis y diseño

amplificador clase F con un dispositivo transistor de alta movilidad II. PROCEDIMIENTO
de electrones HEM teniendo en cuenta la red parásita y redes de
acople en la entrada y salida para sus armónicos y frecuencia
fundamental. Adicionalmente, se muestra la simulación El diseño de un amplificador clase F consiste en encontrar una
empleando un dispositivo CGH40010, con el propósito de rectificar red de acople de salida, de tal manera que un corto circuito sea
los datos obtenidos en el análisis realizado de tal manera que la presentado al drenaje intrínseco del dispositivo a la segunda
operación del amplificador sea la esperada a una frecuencia de frecuencia armónica, mientras que un circuito abierto debe ser
1.5GHz. generado a la tercera; en realidad teóricamente es una
impedancia real de gran magnitud que depende del ángulo de
Índice de Términos— Amplificador de potencia, GaN-HEMT, conducción del drenaje, pero en muchos casos simplemente
red parásita. una impedancia con magnitud relativamente grande es una
buena aproximación.
I. INTRODUCCIÓN
Los amplificadores de potencia (PA, del inglés Power A. CARACTERIZACIÓN IMPEDANCIAS DE RED PARÁSITA PRIMER
Amplifier), son de vital importancia en muchos sistemas de Y SEGUNDO ARMÓNICO.
microondas, abarcando una amplia gama de áreas como
telecomunicaciones, radares, medicina, calefacción, entre otras
.El PA cumple la función de convertir la potencia DC en
potencia de RF; en el diseño del PA se debe buscar alta
eficiencia para así obtener menores costos en la transmisión de
información.

Entre algunos dispositivos se destacan el BJT, HBT, FET,

MOSFET, LDMOS, MESFET y HEMT El HEMT es un Fig. 1. Red parásita.
transistor con alta movilidad de electrones muy utilizado en
amplificadores de potencia, ya que logra mayores niveles de Teniendo en cuenta la red parásita hallada en análisis
potencia de salida. Los materiales comúnmente usados en este anteriores para el dispositivo de alta movilidad de electrones
dispositivo son AlGaAs, Al/InGaAs y AlGaN. CGH40010, se hallan las respectivas impedancias capacitivas
e inductivas para cada una de las frecuencias de segundo
El amplificador clase F el cual, a partir de la síntesis de sus armónico y tercer armónico.
formas de onda de voltaje y corriente en el drenaje o colector
del dispositivo, alcanza eficiencias relativamente altas. En este Impedancias a 2fo:
caso, asumiendo una forma de onda para la corriente de En este caso para el segundo armónico se tiene una frecuencia
drenaje (o colector) del tipo sinusoidal truncado, la idea es que de 3 GHz.
el voltaje de drenaje tenga una forma de onda cuadrada, de tal
Z  j  w  L  j  2  3  109  0.532  109
forma que se evite al máximo el traslape entre voltaje y L
corriente, evitando así la disipación de energía a través del Z  10.028 j (0.1)
dispositivo e incrementando a su vez la eficiencia. L

En este informe se presenta la secuencia de pasos realizada 1 1

Z  
para diseñar un amplificador clase F con un dispositivo HEMT c j  w  c j  2  3  109  1.416  1012 (0.2)
CGH40010 a una frecuencia de trabajo de 1.5Ghz observando Z  37.4659 j
respectivamente las simulaciones verificando así los c
resultados obtenidos. Impedancias a 3fo:
En este caso para el segundo armónico se tiene una frecuencia
de 4.5 GHz.
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Z  j  w  L  j  2  4.5  109  0.532  109 Z x  ( Z c / /0)  Z L  Z L

L (0.7)
Z  15.0168 j (0.3) Z x  Z L  j10.028
L

1 1 De esta manera se puede obtener la longitud eléctrica para la

Z  
c j  w  c j  2  4.5  109 1.416 1012 (0.4) línea de transmisión que controla el acople al segundo
Z  24.9772 j armónico:
c
Z x  jZ o tan(2 E2 )
 j10.028  j 50 tan(2 E2 )
B. CONTROL SEGUNDO ARMÓNICO.
E2  84.329 gradoseléctri cos

Se realiza la comprobación para el segundo armónico

observando el parámetro S (1,1) a 3Ghz.

Fig. 2. Red acople armónicos.

Se realiza el análisis de la topología mostrada teniendo en

cuenta que el transformador λ/4 para el control del segundo
armónico está en circuito abierto por lo cual:

Z 02 50
Z in 
   (0.5)
Zl 0
Lo cual indica que la línea de control para el segundo
armónico en su carga ve un circuito abierto, por lo cual Zx
está dada por:

Z x  jZ o tan(2 E2 ) (0.6)

Fig. 3. Control segundo Armónico.

2E2
Se tiene el factor debido a que se quiere hallar la
longitud eléctrica de la línea que controla el acople del
segundo armónico. Teniendo en cuenta la red parásita del
dispositivo para realizar el acople del drenaje intrínseco para
el amplificador clase F y que para esta clase de amplificador al
segundo armónico se quiere ver un corto circuito en el drenaje
intrínseco como se observa en la figura 3, se tiene qué:
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Fig. 3. Control segundo Armónico.

Fig. 3. Corto circuito al segundo Armónico.

C. CONTROL TERCER ARMÓNICO.

Fig. 4. Control tercer armónico.

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Se realiza el análisis de la topología mostrada teniendo en Finalmente se halla la longitud eléctrica de la línea de
cuenta que el transformador λ/4 para el control del tercer transmisión para el control del tercer amónico:
armónico está en circuito abierto por lo cual:
Z y (3 fo)  jZ o tan(3E3 )
Z 2 50 32.5102 j  j 50 tan(3E3 )
Z in  0    (0.8) (0.14)
Zl 0 E3  48.9893
Lo cual indica que la línea de control para el tercer armónico
en su carga ve un circuito abierto, por lo cual Zy está dada Se realiza la comprobación para el tercer armónico
por: observando el parámetro S (1,1) a 4.5Ghz.
Z y (3 fo)  jZ o tan(3E3 ) (0.9)

Se tiene el factor 3E3 debido a que se quiere hallar la longitud

eléctrica de la línea que controla el acople del tercer armónico.
Teniendo en cuenta la red parásita del dispositivo para realizar
el acople del drenaje intrínseco para el amplificador clase F y
que para esta clase de amplificador al tercer armónico se
quiere ver un circuito abierto en el drenaje intrínseco como se
observa en la figura 4, se tiene qué:

Z x (3 fo)  Z c (3 fo)  Z L (3 fo)

Z x (3 fo)  j15.0168  j 24.9772 (0.10)
Z x (3 fo)   j 9.96038

Teniendo en cuenta el efecto que produce la línea TL2

mostrada en la figura 4, que para el segundo armónico tiene
una longitud de 90 grados eléctricos, a la frecuencia
fundamental posee una longitud eléctrica de 45 grados ,pero
para el tercer armónico la línea termina en abierto ,por lo cual
se tiene que:

Z y´   jZo cot((3 2)  90)

(0.11)
Z x´  Z y / / Z y ´

Se halla la impedancia Zx´ teniendo en cuenta la definición

de impedancia en cualquier punto de la línea de transmisión.

 Z (3 fo)  jZo tan(3E2 ) 

Z x´ (3 fo)  50  x 
 Zo  jZ x (3 fo) tan(3E 2) 
 j9.96038  j50 tan(3  84.329) 
Z x´ (3 fo)  50   (0.12)
 50  j 9.90638tan(3  84.329) 
Z x´ (3 fo)  j 92.9406

Reemplazando Zx´ en la ecuación 0.11 se puede obtener el

valor de Zy:

Z y  j 50
j 92.9406 
Z y  j 50 (0.13)
Z y   j 32.5102
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Fig. 5. Control tercer armónico.

Fig. 6. Circuito abierto al tercer Armónico.

D. SIMULACIÓN RED COMPETA CON BIAS T.

En bias T cumple la función de detener cualquier señal con una frecuencia de diferente de 0Hz que interfiera con componentes
como fuentes DC.

Fig. 7. Control segundo y tercer armónico

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Fig. 8. Control segundo y tercer armónico

C. ACOPLE A LA FRECUENCIA FUNDAMENTAL.

Para realizar el acople a la frecuencia fundamental, en este
caso de 1.5 GHz hay que tener en cuenta las curvas
características del dispositivo, con una polarización de
VDS=28 v, para su normal operación.

El valor de ZL dado en la ecuación (0.1), permite que el Fig. 9. Corriente máxima

dispositivo al ser excitado con una señal sinusoidal, tenga una
curva dinámica como la mostrada en la figura 9, exactamente
al entrar en saturación. Esto indica un factor de utilización del
100% del dispositivo.
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tendencia en este tipo de dispositivos polarizados en clase B o

AB, su componente fundamental estará dada por:

Siendo, Imax la corriente de saturación del dispositivo (ver

figura 9), y φ es el ángulo de conducción, el cual depende de
la polarización (voltaje de compuerta VGG) del dispositivo.
Por ejemplo, si el dispositivo es polarizado en clase B, φ es
igual a π radianes. El ángulo de conducción debe estar
teóricamente entre π y 2π radianes. En este caso se asume un
ángulo de conducción de 190 grados. Y la corriente máxima
de saturación del dispositivo es de 2.07A., por lo cuál la
Fig. 10. Voltaje de pinchoff componente fundamental de la corriente es:

La carga fundamental debe estar dada por la carga del 2.07 3.316  sin(3.316)
I1    1.0575A (0.16)
amplificador de carga sintonizada, multiplicada por un factor 2 1  cos(3.316 2)
de 1.15. En otras palabras, la carga ZL del amplificador clase
F es real y 15% mayor a la carga del circuito con carga 1.15(28  3.3)
sintonizada. Así Zl   26.8605 
1.0575

Para realizar el acople, se pone el valor de la impedancia

1.15(VDD  V pinchoff )
Zl  (0.15) óptima en el puerto 1, debido a que en el drenaje intrínseco se
I1 debe obtener una impedancia de 26.8605 ohms, luego se lee el
parámetro S (2,2) para saber la impedancia de cual se debe
Donde, VDD es el voltaje de polarización drenajefuente,e I1 realizar el acople a 50 ohms,
es la componente fundamental de la corriente de drenaje.
Nótese que si consideramos la corriente de drenaje con una
forma de onda del tipo sinusoidal truncada, como es la

Fig. 11. Impedancia óptima en puerto 1

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Fig. 11. Impedancia vista en el en puerto 2

Se realiza el acople a la fundamental al conjugado de la

impedancia obtenida para garantizar que la red de control de
armónicos tenga la máxima transferencia de potencia. Para
esta red de acople, se emplean dos líneas de transmisión, un
stub en circuito abierto en paralelo con el puerto de 50 ohms,
el cual generará un movimiento mediante un circulo constante
de resistencia y agregara una pare imaginativa jbs que puede
ser positiva o negativa ubicando la magnitud del coeficiente de
reflexión. Y la línea en serie modifica la fase del coeficiente
de reflexión. Este acople se realiza por sintonización de las
líneas de transmisión, lo cual va a determinar la longitud que
debe tener cada línea para acoplar la impedancia del puerto a
la impedancia deseada:

Fig. 12. Acople a la fundamental

Fig. 12. Red de Acople a la fundamental

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D. RED DE ACOPLE DE SALIDA COMPLETO.

Fig. 13. Red de Acople de salida completo

Fig. 14. Tabla parámetros s

En la tabla se observan los diferentes parámetros de dispersión
para la red de acople de salida a la frecuencia fundamental y
al segundo y tercer armónico.
Análisis a la frecuencia fundamental:
S(1,1): es cero debido a que la red esta acoplada, no hay onda
reflejada.
S(1,2): La transmisión en inversa en este caso es 1 per con un
desfase de 50.126 grados.
S(2,1): el coeficiente de transmisión en directa de la red de dos
puertos es 1, se transmite toda la onda con un desfase de
50.126 grados.
S(2,2): No hay reflexión para el puerto 2.

Para corregir el desfase de los coeficientes de transmisión se coloca una línea de transmisión en serie en el puerto dos del valor
que tiene el desfase y se coloca un condensador para bloquear la señal en dc.

Fig. 14. Red de Acople de salida completo


Fig. 15. Tabla parámetros s
Fig. 16. Simulación red de salida.
Para poder acceder al drenaje intrínseco en simulación, se agrega la red parásita hallada pero con signos negativos para que la red
parásita se cancele
Fig. 17. Red de salida completa
E. RED DE ACOPLE DE ENTRADA:
Para realizar el acople de entrada, se halla la impedancia a la
cual se debe realizar el acople en el puerto de entrada
empleando la carta de Smith y evaluando el parámetro S(1,1),
el acople se hace al conjugado de la impedancia hallada para
garantizar la máxima transferencia de potencia:
Fig. 18. Impedancia para acople de entrada..
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Se realiza el acople al conjugado de la impedancia obtenida
para garantizar la máxima transferencia de potencia. Para esta
red de acople, se emplean dos líneas de transmisión, un stub
en circuito abierto en paralelo con el puerto de 50 ohm, el cual
generará un movimiento mediante un circulo constante de
resistencia y agregara una pare imaginativa jbs que puede ser
positiva o negativa ubicando la magnitud del coeficiente de
reflexión y la línea en serie modifica la fase del coeficiente de
reflexión. Este acople se realiza por sintonización de las líneas
de transmisión, lo cual va a determinar la longitud que debe
tener cada línea para acoplar la impedancia del puerto a la
impedancia deseada:
Fig. 19. Red de acople de entrada..
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IMPLEMENTACIÓN FINAL Y RESULTADOS.

Teniendo en cuenta la red de acope de salida, que ha sido
diseñada para obtener un corto circuito al segundo armónico,
un circuito abierto al tercer armónico y un acople al conjugado
de una impedancia deseada hallada anteriormente asegurando
la máxima transferencia de potencia a las redes de control de
armónicos, además de esto, considerando la zona de
saturación del dispositivo y empleando el software de
simulación ADS, se diseñada un amplificador clase F a una
frecuencia fundamental de 1.5Ghz,con un dispositivo GaN-
HEMT CGH40010 ,y una red parásita con C=1.416pF y
L=0.632nH presente debido a diferentes factores como el
empaquetado físico. También se establece una red de acople
de entrada.

Por otra parte se realizó la implementación de los bloqueos en

dc mediante el diseño de Bias T y el bloqueo en ac se realiza
Fig. 18. Red de acople de entrada. mediante capacitores, lo cual se acerca un poco más a una
implementación física real

Fig. 19. Red de acople de entrada.

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Fig. 20. Red de acople de salida.

entra en saturación. Nótese la tendencia del voltaje de drenaje

Los valores de VDD y VGG son 28 V y -2.7 V a ser una onda cuadrada y el de la corriente a ser una
respectivamente, los cuales presentan una polarización clase sinusoidal truncada.
AB cercana a clase B La figura 21 muestra las formas de onda
obtenidas para la corriente y el voltaje de drenaje cuando se

Fig. 21. Formas de onda de voltaje y corriente.

Tabla 1. Impedancias a la frecuencia fundamental y armónicos vistos en el drenaje.

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La figura 22 muestra los resultados de eficiencia de drenaje, obtenida, junto con una ganancia a pequeña señal de 17.180
ganancia transducida y potencia de salida en función de la dB y una potencia de salida en saturación de 42.180 dBm , se
potencia disponible desde la fuente de excitación. Como puede hace la comparación teniendo en cuenta la tabla 1.
notarse una eficiencia en saturación de 74.504 % ha sido

Fig. 22. Figuras de mérito amplificador clase F

Tabla 2. Datos comparativos Amplificador Clase F

cuadrada y la forma de onda de corriente una

CONCLUSIONES senoidales truncada, como sugiere la teoría sobre
amplificadores clase F.
 En este informe se muestran las diferentes ecuaciones  Se comprueba la eficacia del diseño realizado
y consideraciones que pueden ser útiles para el mediante la comparación de diferentes parámetros
diseño de un amplificador clase F de la red de acople para el amplificador clase F realizados teóricamente y
de salida, teniendo en cuenta la red parásita con el diseño que se realizó y simulo encontrando que los
acople a la frecuencia fundamental , al primer y parámetros establecidos como ganancia transducida,
segundo armónico, aumentando la eficiencia para eficiencia y potencia de salida se encuentra dentro de
esta configuración .Así mismo se describe el acople un rango aceptable en comparación a los diseños
de entrada del amplificador realizado con líneas de enunciados.
transmisión
 La efectividad de las ecuaciones y el análisis teórico
realizado para el diseño, se comprueba mediante la
simulación de la configuración de un amplificador
clase F a una frecuencia de 1.5Ghz en el software
ADS en dónde se obtienen las forma de onda de
voltaje, que para este caso tiende a ser una onda