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Curso de Electronica Industrial PDF
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Electrónica Industrial 1
UNIDAD I
TIRISTORES
1.1 Introducción
Durante muchos años ha existido la necesidad de controlar la potencia eléctrica de
los sistemas de tracción y de los controles industriales impulsados por motores
eléctricos; esto ha llevado a un temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con
el objeto de obtener un voltaje de corriente directa variable para el control de los
motores e impulsores. La electrónica de potencia ha revolucionado la idea del
control para la conversión de potencia y para el control de los motores eléctricos.
La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control. El control
se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los
sistemas de lazo cerrado. La energía tiene que ver con el equipo de potencia
estática y rotativa o giratoria, para la generación, transmisión y distribución de
energía eléctrica. La electrónica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado
sólido requerido e el procesamiento de señales para cumplir con los objetivos de
control deseados. La electrónica de potencia se puede definir como la aplicación
de la electrónica de estado sólido para el control y la conversión de energía
eléctrica. En la figura 5-1 se muestra la interrelación de la electrónica de potencia
con la energía, la electrónica y el control.
La electrónica de potencia se basa, en primer termino, en la conmutación de
dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnología de
los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la energía y la
velocidad de conmutación de los dispositivos de potencia han mejorado
tremendamente. El desarrollo de la tecnología de los microprocesadores-
microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la síntesis de la
estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia.
El equipo de electrónica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de
potencia, que puede compararse con el músculo, y (2) microelectrónica, que tiene
el poder de la inteligencia del cerebro.
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1.2 EL FET
El transistor bipolar es la espina dorsal de la electrónica lineal, su funcionamiento
se basa en dos tipos de cargas electrones y huecos, es por eso que se denomina
bipolar. Sin embargo para aplicaciones donde se requiere alta impedancia el
transistor unipolar es el más adecuado. El funcionamiento del transistor unipolar
depende de un solo tipo de carga que puede ser electrones o huecos. En la
siguiente figura se muestra su símbolo.
RG = 2v ÷ 0 = ∞
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Compuerta ( G )
S D
G
p
Fuente ( S ) Drenaje ( D )
material n
Contacto óhmico
Compuerta ( G )
S D
G
N
Fuente ( S ) Drenaje ( D
) material P
Contacto óhmico
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A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I
(se trata de un dispositivo simétrico).
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1.3 El SCR.
En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren se entregue una
cantidad de potencia eléctrica variable y controlada. La iluminación, el control de
velocidad de un motor, la soldadura eléctrica y el calentamiento eléctrico, son las
cuatro operaciones más comunes. Siempre es posible controlar la cantidad de
potencia eléctrica que se entrega a una carga si se utiliza un transformador
variable para proporcionar un voltaje de salida variables. Sin embargo, para
grandes potencias, los transformadores variables son físicamente grandes y
costosos y necesitan un mantenimiento frecuente, estos tres factores hacen que
los transformadores variables sean poco utilizados.
Otro método para controlar la potencia eléctrica que se entrega a una carga, es
intercalar un reóstato en serie con la carga, para así controlar y limitar la corriente.
Nuevamente para grandes potencias, los reóstatos resultan de gran tamaño,
costosos, necesitan mantenimiento además, despercidian una cantidad apreciable
de energía. Los reóstatos no son la alternativa deseable frente a los
transformadores variables en el control de potencia industrial.
Desde 1960 está disponible un dispositivo electrónico, el cuál no adolece de las
fallas antes mencionadas. El SCR es pequeño y relativamente barato, no necesita
mantenimiento y su consumo de potencia es muy pequeño. Algunos SCR
modernos pueden controlar corrientes del orden de cientos de amperios en
circuitos que operan a voltajes tan elevados como 1000 volts. Por estas razones,
los SCR son muy importantes en el campo del control industrial moderno.
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR)
es, sin duda, el de mayor interés hoy en día, y fue presentado por primera vez en
1956 por los Bell Telephone Laboratories. Algunas de las áreas más comunes de
aplicación de los SCR son controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo,
fuentes de alimentación reguladas, interruptores estáticos, controles de motores,
recortadores, inversores, cicloconversores, cargadores de baterías, circuitos de
protección, controles de calefacción y controles de fase.
En años recientes han sido diseñados SCR para controlar potencias tan altas de
hasta 10 MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su
rango de frecuencia de aplicación también ha sido extendido a cerca de 50 kHz, lo
que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia.
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a) b)
Figura 5. Interruptor estático en serie de media onda.
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a) b)
Figura 6. Control de fase de resistencia variable de media onda.
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SCR1
Fuente de VAC
Circuto de Carga
disparo SCR2
SCR2
(a)
V fuente
(b)
V carga
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1.4 El Diac.
Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del
transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos.
Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se
utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos.
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de
dos terminales que funciona básicamente como dos diodos Shockley que
conducen en sentidos opuestos.
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1.5 El TRIAC.
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para
controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al
disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser
disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante
una corriente de puerta positiva o negativa.
Descripción general
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2,
la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos
casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de
conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al
triac (dv/dt) aún sin conducción previa, el triac puede entrar en conducción directa.
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Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. Con un arreglo adecuado
del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto
proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media
onda que se logra con un SCR.
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los
SCR, a excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la
figura siguiente se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga
como para el voltaje del triac (a través de los terminales principales) para dos
condiciones diferentes.
Las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30 de cada
semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto,
durante este tiempo el voltaje completo de línea se cae a través de las terminales
principales del triac, sin aplicar ningún voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de
corriente a través del triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe esta situación se llama ángulo de
retardo de disparo.
Después de transcurrido los 30, el triac dispara y se vuelve como un interruptor
cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto
del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se
llama ángulo de conducción.
Las demás figuras muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de
retardo de disparo mayor.
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FIG.5
Funcionamiento.
Cuando la alimentación de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp
del UJT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario
del transformador T2. Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del
secundario es entregado a la compuerta del triac, encendiéndolo durante el resto
del semiciclo. Las formas de onda del capacitor (Vc1), corriente del secundario de
T2 (Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la FIG. 6 (b), (c),(d).
La razón de carga de C1 es determinada por la razón de RF a R1, que forman un
divisor de voltaje, entre ellos se dividen la fuente de CD de 24 v que alimenta al
circuito de disparo. Si RF es pequeño en relación a R1, entonces R1 recibirá una
gran parte de la fuente de 24 v, esto origina que el transistor PNP Q1 conduzca,
con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es
aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas
condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta.
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FIG.6
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+12V
Rt RG1F
22Mohms
470Kohms
500Kohms
+ Gate
20uF Cátodo
Rk RG2
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de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada
cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende
del método de fabricación para la creación de una regeneración interna para
facilitar el proceso de apagado.
Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para
ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la
corriente de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de
holding Ih, en la cual, la acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda
forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el método más
recomendable porque proporciona un mejor control.
Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser
apagado en cualquier instante, éste se aplica en circuitos chopper (conversiones
de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc –ac) a niveles de potencia en los
que los MOSFET’s, TBJ’s e IGBT’s no pueden ser utilizados. A bajos niveles de
potencia los semiconductores de conmutación rápida son preferibles. En la
conversión de AC – DC, los GTO’s, son útiles porque las estrategias de
conmutación que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el
factor de potencia.
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UNIDAD II.
ELEMENTOS FOTOELÉCTRICOS.
2.1 Introducción
La optoelectrónica es el nexo de unión entre los sistemas ópticos y los sistemas
electrónicos. Los componentes optoelectrónicos son aquellos cuyo funcionamiento
está relacionado directamente con la luz.
Los sistemas optoelectrónicos están cada vez más de moda. Hoy en día parece
imposible mirar cualquier aparato eléctrico y no ver un panel lleno de luces o de
dígitos más o menos espectaculares. Por ejemplo, la mayoría de los walkman
disponen de un piloto rojo que nos avisa, siempre en el momento más inoportuno,
que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. Los tubos de rayos
catódicos con los que funcionan los osciloscopios analógicos y los televisores, las
pantallas de cristal líquido, los modernos sistemas de comunicaciones mediante
fibra óptica,... son algunos de los ejemplos de aplicación de las propiedades
ópticas de los materiales que nos disponemos a desglosar en este capítulo. Pero
antes debemos recordar los conceptos elementales acerca de la luz.
La radiación electromagnética
La radiación electromagnética está formada por fotones. Cada fotón lleva asociada
una energía que se caracteriza por su longitud de onda según la ecuación
E=hc/
donde
• E = energía del fotón
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• c = velocidad de la luz 3·10 m/s
• h = constante de Planck
• = longitud de onda del fotón.
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El espectro electromagnético
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2.2 El FOTODIODO.
Los fotodiodos son diodos de unión PN cuyas características eléctricas dependen
de la cantidad de luz que incide sobre la unión. En la figura siguiente se muestra
su símbolo.
Características
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Geometría
Un fotodiodo presenta una construcción análoga a la de un diodo LED, en el
sentido que necesita una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan
los rayos luminosos para incidir en la unión PN. En la siguiente figura, aparece una
geometría típica. Por supuesto, el encapsulado es transparente a la luz.
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2.3 La Fotocelda.
Las fotoceldas son pequeños dispositivos que producen una variación eléctrica en
respuesta a un cambio en la intensidad de la luz. Las fotoceldas las podemos
clasificar en 2 tipos:
a) Fotovoltaicas.
b) Fotoconductoras O Fotoresistivas.
FOTOCELDAS FOTOVOLTAICAS.
Las celdas fotovoltaicas generan una salida de voltaje en función de la intensidad
de la luz que incide sobre su superficie.
El símbolo de una celda fotovoltaica así como su curva de respuesta se muestran
a continuación.
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Fotogeneración de portadores
Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarán hasta
volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el número de portadores disminuirá
y el valor de la resistencia será mayor.
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El material mas utilizado como sensor es el CdS, aunque también puede utilizarse
Silicio, GaAsP y GaP. La fotocelda no tiene unión como el fotodiodo. Una capa
delgada del material conectada entre terminales se expone a la energía luminosa
incidente. Cuando aumenta la intensidad de la iluminación sobre el dispositivo, se
incrementa también el estado de energía de una gran número de electrones en la
estructura debido al aumento de disponibilidad de los paquetes de fotones de
energía, el resultado real es obtener una menor resistencia en la fotocelda. En
otras palabras la respuesta es inversamente proporcional a la cantidad de luz que
incida sobre la fotocelda, la resistencia es del orden de 100 kohms cuando no
incide luz y 100 ohms cuando incida la mayor cantidad de luz. Las celdas
fotoresistivas se prefieren más que las fotovoltaicas debido a que estas son más
sensibles.
Las aplicaciones de este dispositivo son:
Para el control de encendido de luz en las ciudades (lámparas).
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• Los fotones pueden ser absorbidos por el material para volverse a formar
un par electrón-hueco.
Consideraciones prácticas
En la Figura se muestra el símbolo del diodo LED.
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Materiales utilizados
Tal y como se ha expuesto anteriormente, los diodos LED no están fabricados de
silicio monocristalino. El material que compone el diodo es importante ya que el
color de la luz emitida por el LED depende únicamente del material y del
proceso de fabricación (principalmente de los dopados).
En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con
los colores conseguidos:
Material Longitud de onda Color VD típica
AsGa 904 nm IR 1V
InGaAsP 1300 nm IR 1V
AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1,6
InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V
CSi 480 nm Azul 3V
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Materiales utilizados
Los materiales utilizados para la fabricación de diodos láser son prácticamente los
mismos que en diodos LED. En comunicaciones se utilizan predominantemente
diodos láser que emiten en el infrarrojo. También se utilizan de luz roja.
Un haz láser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos
prácticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y
zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz láser en una zona reflectante, la luz
será guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el
haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un
cero digital.
Un conjunto de unos y ceros es una información digital, que puede ser convertida
en información analógica en un convertidor digital-analógico. Pero esa es otra
historia que debe de ser contada en otra ocasión.
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2.7 El FOTOTRANSISTOR
Se trata de un transistor bipolar sensible a la luz.
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2.8 EL OPTOACOPLADOR
Un optoacoplador es un componente formado por la unión de un diodo LED y un
fototransistor acoplados a través de un medio conductor de luz y encapsulados en
una cápsula cerrada y opaca a la luz.
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Calcular el mínimo valor de R para que se enciendan los diodos de la figura sin
sufrir ningún daño, sabiendo que D1 es rojo, D2 naranja y D3 verde (tomar los
datos del problema anterior).
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En el circuito de la figura:
Calcular la corriente que atravesará al transistor cuando se ilumine con una luz de
10 W/m2.
¿Podría realizarse con este transistor el esquema de la figura 2?. ¿Por qué?.
Un fotodiodo con sensibilidad S=25mA por mW/cm2 debe ser utilizado para vigilar
la intensidad de la luz solar que incide sobre una estación de energía solar. Diseñe
un circuito con dicho fotodiodo, que pueda proporcionar una señal en el rango de
0-5V que sea indicativo de la luz incidente. La intensidad pico promedio de la luz
solar a medio día es aproximadamente 0.1mW/cm2 en la mayor parte de las
regiones de la tierra.
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Se quiere transmitir una señal de pulsos (VIN) a través de un entorno con ruidos
electromagnéticos. Para ello, se piensa en utilizar fibra óptica, ya que no se ve
afectada por dichos ruidos (un cable convencional sí se vería afectado y falsearía
la información).
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Operación Monoestable.
Este circuito se muestra en siguiente figura donde la terminal 2 entrada del
comparador de disparo estará alta, de manera que la salida de este comparador
controle al FF con salida alta, al transistor en operación y la salida del LM555 en
bajo. En estas condiciones el capacitor externo se está descargando(no pude
cargarse mientras permanezcan estas condiciones).
Un pulso negativo o menor de 1/3Vcc volverá a enviar a bajo la salida del FF y
pondrá fuera de operación al transistor y permite que el capacitor se pueda volver
a cargar. Ahora el LM555 proporciona una salida alta.
Podemos concluir que en esta forma de operación del LM555 el circuito sólo envía
un pulso ya que el control de este circuito está dado por la señal de control de
disparo, la cual el diseñador la controla, es decir si el diseñador proporciona una
señal baja a la entrada de disparo (terminal 2) el LM555 dará a la salida una señal
alta y se ira a bajo tiempo después determinada por el tiempo de carga del
capacitor externo.
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