INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPEROR DE INGENIERIA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA

ACADEMIA DE ELECTRONICA
CICLO ESCOLAR 1/2020-2021

Título del trabajo: Transistores BJT

MATERIA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Grupo: 5CM4

PROFESORA: Elvira Ubaldo Arrieta

INTEGRANTES:

 COELLO GARCIA DANIEL OSWALDO

 HERRERA RUIZ ABDIEL
 MIRANDA FELIX RUBEN DARIO

FECHA DE REALIZACIÓN: 4/10/2019 FECHA DE ENTREGA: 18/10/2019

RESUMEN: Para esta práctica introduciremos el uso de los transistores BJT y se polarizarán en las distintas
regiones (Activa directa, corte, saturación) utilizando fuentes CD y CA, así como su visualización de curvas de
entrada y salida de la configuración de un emisor común

Palabras Clave: Transistor, BJT, NPN, PNP, región de operación, configuración de emisión, curva de entrada, curva
de salida, emisor, colector, base.

 INTRODUCCIÓN.

El BJT (Bipoliar Junction Transistor o Transistor

de unión bipolar) se construye con 3 regiones
semiconductoras separadas por 2 uniones PN.
Estas 3 regiones se conocen como emisor,
base y colector.[1] Así existen 2 tipos de BJT:
uno se compone de 2 regiones N separadas
por una región P (NPN) y el otro tipo son 2 [1] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrónicos, 8va ed.,
regiones P separadas por una regipon N Prentice Hall, 2008, pp.164.
(PNP).
 En
la

El transistor bipolar tiene diversas aplicaciones en la

electrónica como interruptor electrónico, amplificador,
regulador etc.; y para que este se cumpla el propósito de
su aplicación se debe polarizar de manera adecuada
entrando en juego las regiones de operación ya que como
ilustración siguiente se pueden observar las regiones de
amplificador las uniones base-emisor y base-colector se
salida del transistor, donde la región activa es la cual el
polarizan en directa e inversa respectivamente.
transistor actúa como amplificador. Las regiones de
saturación y corte son las que el transistor actúa como
Existen distintos parámetros del transistor BJT; uno de
conmutador ya que no se disipa potencia y que conmute
ellos es la ganancia en corriente que se define como:
depende de la corriente aplicada a la base del transistor.

Ic
β=
Ib

Donde IC es la corriente que circula a través del colector y

IB es la corriente que circula en la base (Todo esto
aplicado a la configuración emisor común donde la base
funciona como entrada y el colector como salida siendo el
emisor la terminal común entre ambas).

Así en la configuración de emisor común (La que se
utilizará en la práctica) se pueden obtener las curvas
características de entrada y salida.
Utilizando las leyes de Kirchoff se puede llegar al diseño de
los circuitos de polarización del transistor utilizando
también los sentidos de las corrientes del mismo.Así como
en todos los dispositivos los valores máximos que soporta el
mismo vienen especificados en las hojas de datos y valores
nominales como el de ganancia hFE o valores máximos de
corriente o voltaje y aplicación óptima
 Voltaje suministrado

I. OBJETIVO  EXPERIMENTO 2: OBSERVAR EL

COMPORTAMIENTO DEL TRANSISTOR EN
Que el alumno utilice transistores BJT y utilice circuitos LAS TRES REGIONES BASICAS.
de polarización y obtenga las curvas características de
entrada y salida de transistores PNP y NPN

II. DESARROLLO

Materiales utilizados:

• Transistores BJT NPN y PNP

• Multímetro

• Resistencias de distintos valores

• Osciloscopio
Señal resultante
• Protoboard
 EXPERIMENTO 3: CIRCUITOS
DESARROLLADOS PARA TIPO PNP y NPN
• LED'S

• Potenciómetros

• Fuente de CA

• Fuente de CD

 EXPERIMENTO 1: USO DE
TRANSISTORES, IDENTIFICACIÓN DE
SUS TERMINALES Y SU POLARIZACIÓN
EN BASE A SU OPERACIÓN
BASICA(AMPLIFICACIÓN)

Armado del circuito transistor BJT,NPN,PNP.

ACTIVIDAD COMPLEMENTARIA

 ¿Qué pasa con los valores las fuentes?

Dependiendo de los valores existe una curva distinta,

variando la fuente de la base.

Señal de salida

 ¿Para qué sirven los diagramas de las curvas

características?

Para poder establecer el punto de operación del transistor

  ¿Que interviene para que sean diferentes los  ¿Con el experimento se puede cambiar por otra
resultados? carga?

Factores externos ya sea por las fuentes o por el mismo Si, pueden ser cargas inductivas u otros tipos
transistor influido por la
 ¿Qué significan los demás parámetros que se
muestran en el desarrollo de la practica?

HFE es la ganancia en corriente, VCE es el voltaje a la salida o

el que se obtiene de colector a emisor, IC es la corriente de la
salida

 ¿Qué pasa si se invierte la fuente en los

diagramas?

temperatura Se polariza en inversa los transistores a menos que sea un

transistor PNP
 ¿Qué pasa cuando se coloca un
potenciómetro?  ¿Para qué más nos sirven las hojas de
especificaciones de estos componentes?
Se varía la curva característica variando la corriente de
salida Para conocer los voltajes máximos que soportan los
transistores y sus parámetros híbridos para diversas
 ¿Qué quiere decir que diga Pol dir en el aplicaciones
transistor?
 ¿Qué pasa si en el circuito se le agrega en serie
Que la unión es polarizada en directa ya que se trata de con el diodo una resistencia de 1k al circuito a la
una unión PN salida? Explique.

 ¿Qué quiere decir que diga Pol? Inv. En el La corriente disminuiría afectando el punto de operación o
transistor? la curva característica pudiendo llevar al diodo a otra región
de operación.
La unión se polariza en inversa

 ¿Qué pasa con la gráfica del Potenciómetro?

Explique

Al variarla la corriente varía haciendo que la curva se

desplace hacia arriba o abajo dependiendo si aumenta la
resistencia o disminuye CONCLUSIONES

 ¿Qué pasa cuando se conecta un LED y se  COELLO GARCIA DANIEL OSWALDO

varía el pot?
En esta practica nos dimos cuenta del uso del transistor
Varía un poco la intensidad del led, pero en seguida se donde se tuvo una ganancia activa la cual fue
apaga completamente considerablemente grande y esta variaba aún más
cuando cambiamos voltaje y nos reflejaba una mayor
 ¿Qué pasaría si se polariza un transistor en curva característica.
inv.?
Al pasar con los LED su corriente se noto que era muy
Podría comprometer su integridad pequeña, ahí se comprendió que el transistor trabajaba
sobre la región de la saturación y actuaba como un corto
 ¿Se puede hacer lo mismo con ellos y obtener circuito.
su gráfica?

En un cierto rango de voltaje inverso

 HERRERA RUIZ ABDIEL

 MIRANDA FELIX DARIO

BIBLIOGRAFIA

 Thomas L. Floyd. (2008). Dispositivos

Electrónicos. USA: Pentice Hall.

 Albert Paul Malvino. (1987). Principios de

Electrónica. México: McGraw Hill.