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Transistor BJT.
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, en tanto que el transistor JFET es un dispositivo controlado
por voltaje. [2]
La técnica de fabricación más común es la deposición. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está
polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad. [2]
Obtenemos de la sustitución los cálculos necesarios para realizar la práctica se realiza en dos parámetros de la
polarización en dc y ac del circuito.
Impedancia de entrada:
𝑍𝑖 = 𝑅´‖𝛽𝑅𝑒
Impedancia de salida:
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐
Ganancia de voltaje
𝑉𝑜 𝑅𝑐‖𝑟𝑜)
𝐴𝑣 = = −(
𝑉𝑖 𝑟𝑒
Ganancia de corriente
𝑍𝑖
𝐴𝑖 = −𝐴𝑣 ∗
𝑅𝑐
La prueba en DC:
𝛽𝑅𝐸 > 10𝑅2
𝑅2
𝑉𝑏 = 𝑉𝑐𝑐
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝑒 = 𝑉𝑏 − 𝑉𝑏𝑒
𝑉𝑒
𝐼𝑒 =
𝑅𝑒
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝑒
El amplificador con transistor bipolar en base común.
La impedancia de entrada es baja puesto que depende de la resistencia del emisor Re del transitar
mientras que la impedancia de salida depende de la resistencia de colector, un amplificador en esta
configuración la ganancia de corriente AI ≈ 1, posea ganancia de tensión aunque es menor que la de un
amplificador en configuración de emisor común.
Para esta configuración en corriente continua es la misma que para el emisor común, es decir el análisis
en corriente continua y por ende la polarización será el mismo que para el amplificador de emisor común.
La impedancia de salida ro del transistor no está incluida para la configuración de base común debido a que por lo
general se encuentra en el rango de los mega ohms y puede ignorarse puesto que se encuentra en paralelo con el
resistor Re.
La impedancia de entrada:
𝑍𝑖 = 𝑅𝐸‖𝑟𝑒
La impedancia de salida:
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐
La ganancia de voltaje:
𝑉𝑜 ∝ 𝑅𝑐 𝑅𝑐
𝐴𝑣 = = ≅
𝑉𝑖 𝑟𝑒 𝑟𝑒
La ganancia de corriente:
𝐼𝑜
𝐴𝑖 = −∝≅ −1
𝐼𝑖
Relación de fase: El hecho de que A, es un numero positivo indica que tanto Vo como Vi se encuentra en fase para
la configuración de base común.
Efecto de re: Para la configuración de base común re=i/hab está por lo genral en rando de megaohms y es más
grande que la resistenca en paralelo Rc como para permitir la aproximación ro‖𝑅𝑐 = 𝑅´𝑐
𝑉𝑒𝑒 − 𝑉𝑏𝑒
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝑒
El amplificador con transistor bipolar en emisor común
Es uno de los más utilizados, debido a sus elevadas ganancias tanto de tensión como de corriente, como
al hecho de tener unas impedancias de entrada y salida con valores intermedios, lo que le hace ideal para
etapas intermedias. El punto de partida del amplificador en EC es el conocido circuito auto polarizado en
emisor común con resistencia de emisor que se puede apreciar en la figura siguiente, al que se añaden
tres condensadores adicionales. [1]
Fig.5 transistor BJT bipolar en emisor común
2. MATERIALES
Proto Board.
Multimetro.
Software Multisim.
Cable multipar
Cables de conexión.
Fuente variable (c.c)
Osciloscopio
Resistencias
Condensadores
Bananas
Corta frio.
Multimetro
Transistores FET
3. DESARROLLO
Datos:
ß = 150
𝑉𝑐𝑐 = 12𝑉
𝑉𝑐𝑒 = 6𝑉
𝐴𝑣 = 60
𝐹𝑐 = 1200𝐻𝑧
𝐼𝑐 = 4.6𝑚𝐴
Analisis de polarizacion:
Intesidad de base
𝐼𝑐 = 𝑖𝑏 ∗ ß
𝐼𝑏 = 32𝑢𝐴
Calculo de la Ie:
𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 ∗ (ß + 1)
𝐼𝑒 = 4.5𝑚𝐴
Calculo RE
𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 𝑉𝑒
𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 𝐼𝑒 ∗ 𝑅𝑒
𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 − 𝑉𝑐𝑒
𝑅𝐸 =
𝐼𝑒
𝑅𝐸 = ((12 ∗ 4.5𝑚𝐴)(3,5𝑘) − 0,7𝑣)/(4.5𝑚𝐴)) = 947𝛺
Calculo de Vb:
𝑉𝑐𝑒
𝑅𝑏 =
𝐼𝑏
𝑅2 = 191.5𝑘𝛺
Analisis en AC
Calculo re:
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝑒
𝑟𝑒 = 5.5𝛺
𝑍𝑖 = 𝑅𝑒𝑞‖ℎ𝑖𝑒
𝑍𝑖 = 𝑅𝑏‖ß ∗ 𝑟𝑒
𝑍𝑖 = 821.46𝛺
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐
𝑍𝑜 = 330𝛺
1
𝐶𝑖 = = 1.44𝑢𝐹
2𝜋 ∗ 1200 ∗ (100 + 821.4)
1
𝐶𝑜 =
2𝜋 ∗ 𝑓𝑐 ∗ (𝑍𝑜 + 𝑅𝑙)
1
𝐶𝑜 =
2𝜋 ∗ 1200 ∗ (330 + 947)
𝐶𝑜 = 1.03𝑢𝐹
1
𝐶𝐸 =
2𝜋 ∗ 𝑓𝑐 ∗ 𝑅𝑒
1
𝐶𝐸 =
2𝜋 ∗ 1200 ∗ 6
𝐶𝑒 = 220𝑢𝐹
ß = 250
𝑉𝑐𝑐 = 15𝑉
𝑉𝑐𝑒 = 7,55𝑉
𝐴𝑣 = 1
𝐹𝑐 = 1200𝐻𝑧
𝐼𝑐 = 2𝑚𝐴
Análisis en DC
Intesidad de base
𝐼𝑐 = 𝑖𝑏 ∗ ß
𝐼𝑏 = 8𝑢𝐴
Calculo de la Ie:
𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 ∗ (ß + 1)
𝐼𝑒 = 2.008𝑚𝐴
Calculo RE
𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 𝑉𝑒
𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 𝐼𝑒 ∗ 𝑅𝑒
𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 − 𝑉𝑐𝑒
𝑅𝐸 =
𝐼𝑒
𝑅𝐸 = ((15 ∗ 2𝑚𝐴)(3,5𝑘) − 0,7𝑣)/(2,008𝑚𝐴)) = 249𝛺
Calculo de Vb:
𝑉𝑏 = 𝑉𝑟𝑒 + 𝑉𝑏𝑒
𝑉𝑏 = 𝐼𝑒 ∗ 𝑅𝑒 + 0,7
𝑉𝑏 = (2,008𝑚𝐴)(249) + 0,7
𝑉𝑏 = 1,119𝑣
𝑅2 ∗ 𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑏 =
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 = 71,652𝑘𝛺
ß ∗ 𝑅𝐸 > 10 ∗ 𝑅2
ß ∗ 𝑅𝐸
𝑅2 =
10
𝑅2 = 6,22𝑘𝛺
Análisis en AC
Calculo de la Rs:
𝑟𝑠 ∗ 𝑅𝑒𝑞
𝑅𝑠 =
𝑟𝑠 + 𝑅𝑒𝑞
50 ∗ 5,72𝑘
𝑅𝑠 = = 49,56𝛺
50 + 5,72𝑘
𝑅𝑝𝑐 = 𝑅𝑐 ‖ 𝑅𝑙
𝑅𝑒 ∗ 𝑅𝑙
𝑅𝑝𝑐 =
𝑅𝑒 + 𝑅𝑙
249 ∗ 1𝑘
𝑅𝑝𝑐 = = 100,35𝛺
249 + 1𝑘
𝑅𝑠
𝑍𝑜 = 𝑅𝑒 ‖( + 𝑟𝑒)
ß
49,56
𝑍𝑜 = 249 ‖( + 12,49)
250
𝑍𝑜 = 12,47𝛺
𝑍𝑖 = 𝑅1‖𝑅2‖ß ∗ 𝑟𝑒 + 𝑅𝑝𝑐 ∗ ß
𝑍𝑖 = 71,62𝑘‖6,225𝑘‖250
𝑍𝑖 = 4,94𝑘𝛺
1
𝐶𝑖 =
2𝜋 ∗ 𝑓𝑐 ∗ (𝑟𝑠 + 𝑍𝑖)
1
𝐶𝑖 =
2𝜋 ∗ 1200 ∗ (50 + 4,94𝑘)
𝐶𝑖 = 0,224𝑢𝐹
1
𝐶𝑜 =
2𝜋 ∗ 1200 ∗ (𝑍𝑜 + 𝑅𝑙)
1
𝐶𝑜 = = 1,3099𝑢𝐹
2𝜋 ∗ 1200 ∗ (12,47 + 1𝐾)
1
𝐶𝑐 =
2𝜋 ∗ 𝑓𝑐 ∗ 𝑅𝑐
1
𝐶𝑐 =
2𝜋 ∗ 1200 ∗ 3,5𝑘
𝐶𝑐 = 0,3789𝑢𝐹
Amplificador base común (con o sin condensador de base)
ß = 150
𝑉𝑐𝑐 = 6𝑉 = 𝑉𝑒𝑒
𝑉𝑐𝑒 = 6𝑉
𝐴𝑣 = 15
𝐹𝑐 = 1200𝐻𝑧
𝐼𝑐 = 10𝑚𝐴
𝑟𝑠 = 100𝛺
Análisis en DC
Intesidad de base
𝐼𝑐 = 𝑖𝑏 ∗ ß
𝐼𝑏 = 30𝑢𝐴
Calculo de la Ie:
𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 ∗ (ß + 1)
𝐼𝑒 = 4.5𝑚𝐴
(𝑅𝑐‖𝑅𝑙)
𝐴𝑉 =
𝑟𝑒
𝑅𝑐 ∗ 𝑅𝑙
𝐴𝑉 ∗ 𝑟𝑒 =
𝑅𝑐 + 𝑅𝑙
194,1𝑘
𝑅𝑐 = = 86𝛺
1𝑘. 194,1𝑘
𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 𝑉𝑒
𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 𝐼𝑒 ∗ 𝑅𝑒
𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 − 𝑉𝑐𝑒
𝑅𝐸 =
𝐼𝑒
𝑅𝐸 = 1.2𝑘𝐾𝛺
Análisis en Ac
Impedancias de entrada y salida:
𝑧𝑖 = 𝑅𝐸𝐼𝐼𝑟𝑒
1.2𝑘 + 5.85
𝑍𝑖 =
1.2𝑘 + 5.85
𝑍𝑖 = 5.8𝛺
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐
𝑍𝑜 = 86𝛺
Calculo de condensadores
1
𝐶𝑖 =
2𝜋 ∗ 𝑓𝑐 ∗ (𝑟𝑠 + 𝑍𝑖)
1
𝐶𝑖 =
2𝜋 ∗ 1200 ∗ (100 + 5.8)
𝐶𝑖 = 0.12𝑢𝐹
1
𝐶𝑜 =
2𝜋 ∗ 1200 ∗ (𝑍𝑜 + 𝑅𝑙)
1
𝐶𝑜 = = 1,0689𝑢𝐹
2𝜋 ∗ 1200 ∗ (240,8 + 1𝐾)
5. SIMULACIONES
I. Emisor común
6. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:
De la práctica realizada se puede concluir que en lo que se refiere a los cálculos el punto de carga debe estar en el
centro de recta de carga ya que así el dispositivo funciona como amplificador, además el análisis que se hace para
sacar las fórmulas de frecuencia de corte deben ser las correctas para que el circuito obtenido tenga la ganancia y
la frecuencia de corte propuesta.
Además se comprobó que lo calculado y simulado se asemeja pero no totalmente, esto se pude deberse a que los
cálculos realizados son un poco largo y se pudo perder o ganar decimales durante su realización, por lo cual se trató
de usar los componentes más próximos para que las amplificaciones sean las más eficientes.
También nos pudimos dar cuenta que el amplificador a emisor común es el que tiene una ganancia elevada de
voltaje con respecta a los otros. Pero es necesario saber el objetivo de su aplicación para usar cualquiera de estas
aplicaciones, pero se recomienda usar el divisor de tensión ya que es el más estable a comparar con las otras
configuraciones
7. BIBLIOGRAFIA
[1]http://www.monografias.com/trabajos90/transistor-fet/transistor-fet.shtml
[2]http://www2.imse-cnm.csic.es/elec_esi/asignat/ASC/pdf/tema4.pdf
[3]http://es.slideshare.net/cortesalvarez/fet-transisitores-de-efecto-de-campo
MARCO TIGRE_______________________________