Preinforme práctica 5 caracterización y 

configuraciones con MOSFET 

 
Introducción : 
Durante  esta  práctica  se  busca  familiarizarse  con  el  que  es  quizás el dispositivo 
más  importante  para  la  electrónica  hoy  en  dia,  ya  que  este  es  la  base  de  los 
circuitos  integrados  actuales,  el  transistor,  siendo  estos  dispositivos 
indispensables  en  toda  la  tecnología  moderna.  En  esta  práctica  nos  centraremos 
en  los  transistores  de  efecto  campo  o  MOSFET    (sus  siglas  en  inglés 
Metal-oxide-semiconductor  Field-effect  transistor)  ya  que  son  uno  de  los 
transistores más usados hoy en día en numerosas aplicaciones. 
 
Marco Teórico: 
 
● Composición: 
 
Los  transistores  MOSFET  son  dispositivos  de  cuatro  terminales:  Gate,  Source, 
Drain  y  bulk  (esta  última  se suele obviar en configuraciones ya que generalmente 
está  conectada  internamente  a  source)  hechos  de  materiales  semiconductores. 
El  transistor  se  funde  sobre  un  material  semiconductor  (ya  sea  p  o  n)  llamado 
sustrato,  y  posteriormente  sobre  el  Drain  y  Source  en  un  semiconductor 
contrario  al  utilizado  para formar el sustrato. Recubriendo este bloque se coloca 
una  capa  de  óxido  metálico  que  hace  las  veces  de aislante entre drain y source y 
justo  por  encima  una placa de metal conductor que forma la terminal denominada 
gate. 
 
El  tipo  de  sustrato  nos  genera  la  primera  gran  división  en  los  transistores 
MOSFET:  tipo  p  y  tipo  n,  los  tipo  p  tienen  un  sustrato  tipo  n  y  los  tipo  n  tienen 
un sustrato tipo p. 
  

    
 ● Principio de Funcionamiento: 
 
Esencialmente,  los  transistores  MOS  funcionan  por  un  efecto  producido  por  el 
campo  eléctrico  generado  por  una  tensión  entre  Gate  y  Source,  esta  tensión 
genera  un  canal  de  conducción  por  donde  puede  pasar  la  corriente  a  través  de 
ellos;  se  puede  ver  como  un interruptor controlado por tensión. Esto hace que se 
clasifiquen  en  dos  grandes  grupos:  transistores  MOSFET  de  enriquecimiento  y 
transistores  MOSFET  de  empobrecimiento,  en  los  de  enriquecimiento  a  medida 
que  aumenta  Vgs  aumenta  el  canal  mientras  que  en  los  de  empobrecimiento 
disminuye  y  consecuentemente  también  lo  hace  la  corriente  que  circula  entre 
Drain y Source. 
 
 
● Características de los transistores MOSFET: 
 
Ahora que hemos mencionado el principio de funcionamiento podemos hablar de 
las características que se hacen importantes a la hora de hablar de un transistor 
MOSFET: 
 
1. Voltaje  de  umbral:  El  voltaje  de  umbral  es  quizás  la  característica  más 
importante  de  un  MOSFET,  pues  nos  indica  cual  debe  ser  la  mínima 
tensión  entre  gate  y  source  para  que  pueda  existir  una  corriente  entre 
drain  y  source,  si  VGS  no  pasa  este  voltaje  de  umbral  no importa cual sea 
VDS, no habrá corriente. 
2. Constante  K:  Esta  constante  está  relacionada  a  la  movilidad  de  los 
portadores y la capacidad eléctrica del óxido. 
3. Potencia  disipada:  Producto  de  Id  y  Vds,  la  geometría  juega  un  papel  muy 
importante  en  cuanto  a la capacidad de disipación del transistor por lo que 
en su diseño se tiene como parámetro clave. 
 
● Regiones de operación: 
 
Los MOSFET al igual que otros dispositivos semiconductores tienen una regiones 
de operación, en este caso son 3 principalmente: 
 
  
 
1. Zona de corte:​ Sucede cuando Vgs es menor que el voltaje de umbral y por 
lo tanto no hay paso de corriente. 
 
2. Zona  de  triodo​:  En  esta  zona  ya  Vgs  es  mayor  que  el  voltaje  de  umbral  y 
Vds  es  menor  que  Vgs  -  VT  (Voltaje  de  Umbral)  y  por  lo  tanto  puede 
existir  una  corriente  ya  dependiendo  de Vds. En esta zona Id varía de dos 
formas  distintas,  pues  si  Vds  es  pequeño  en  comparación  a  Vgs  -  VT  la 
ganancia  se  comporta  como  una  línea  recta,  mientras  que  si  Vds  no  es  tan 
pequeño crece en forma de curva. 
 
3. Zona  de  saturación:  Esta  zona  es  la  que  más  nos  interesa  desde  el  punto 
de  vista  de  la  electrónica  análoga.  En  esta  zona  ID  no  varía  demasiado  a 
tal  punto  que  puede  considerarse  aproximadamente  constante  sin 
importar  la  tensión  Vgs,  las  condiciones  que  se  deben  cumplir  para  que 
esté  en  esta  zona  son  que  Vgs  es  más  grande  que  el  voltaje  de  umbral  y 
además Vds es mayor que Vgs-VT. 
 
 

 
 
Como se puede ver las ecuaciones sólo varían ligeramente entre un tipo p y un 
tipo n.  
 
● Análisis Gráfico y Línea de Carga: 
 
El  análisis gráfico siempre es una herramienta poderosa para resolver circuitos y 
los  circuitos  que  usan  transistores  MOS  no  son  la  excepción,  para ellos tenemos 
el  concepto  de  línea  de  carga  que  no  es  otra  cosa  que  la  gráfica  de  una  relación 
en  el  plano  Id  -  Vds  de  una  condición  impuesta  por  el  circuito  específico  que  se 
esté  trabajando,  de  la  intersección  entre  esta  recta  y  la  curva  del  MOS  se 
obtiene la resolución del circuito. 
 

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● Configuraciones de polarización: 
 
Debido  a  que  le  transistor  es  un  dispositivo  de  3 terminales es casi que intuitivo 
pensar  que al utilizarlo como amplificador tiene esencialmente 3 configuraciones, 
dependiendo  de  cuál  de  sus  terminales  haga  la  conexión  común  a  tierra.  Los 
amplificadores  hechos  con  MOSFET  tiene  como  principal  característica  la  alta 
ganacia  de  que  proporcionan  además  de  tener  una  impedancia  de  entrada  muy 
alta  que  facilita  la  polarización  del  dispositivo,  que  junto  a  la  gran  facilidad  que 
brindan en el proceso de integración los hacen los más utilizados en la actualidad. 

Pero  el  concepto  fundamental  que  está  detrás  de  poder  usar  un  MOSFET  como 
amplificador  es  el  hecho  de  es  prácticamente  una  fuente  de  corriente 
controlada  por  voltaje,  el  parámetro  que  relaciona  esta  dependencia  (que  se 
busca  y  aproxima  a  lineal)  se  le  llama  transconductancia  gm.  Dicho  esto  sus 
principales configuraciones de polarización como amplificador son: 

1. Source común​:​ ​Como su nombre lo indica la terminal de source es común, es 

decir que ésta terminal está referenciada al mismo potencial al cual se 
referencia la señal de entrada (algunas veces se incluye una resistencia entre 
source y la referencia). Aquí tenemos un ejemplo: 

Imagen tomada de Microelectronics circuit analysis and design Neamen 

Para  source  común  tenemos  las  relaciones  que  se  ven  en  la  imagen,  se  tiene  una 
resistencia  de  entrada  muy  grande  y  una  de  salida  dependiendo  de  la 
implementación  que  se  necesite  posteriormente.  Esta  es  quizás  la  configuración 
que me brinda una mayor ganancia de amplificación. 

2.  Gate  común:  ​La  terminal  de  gate  hace  de  conexión  común  en  esta 
configuración  de  amplificación,  es decir gate tiene un camino directo a tierra del 
circuito. A continuación se muestra un ejemplo: 
  

Imagen tomada de Microelectronics circuit analysis and design Neamen  

3.  Drain común: ​En este circuito drain encuentra un camino directo a tierra en su 
equivalente AC. Un ejemplo de este circuito sería el siguiente: 

Imagen tomada de Microelectronics circuit analysis and design Neamen 

Y obtendremos principalmente las siguientes relaciones: 

Como  podemos  observar  de  las  imágenes,  cada configuración brinda una ganancia 

e  impedancias  distintas,  cual  se  utilice  depende  de  la  aplicación  específica  que 
se  le  quiera  dar  al  amplificador  y  esto  generalmente  depende  de  que  estoy 
amplificando. 

En  todos  estos  análisis  siempre  es  importante  partir  en  análisis DC apagando las 
fuentes  dependientes,  luego  hacer  una  suposición  de  que  el  transistor  debe 
estar  en  estado  de  saturación (debe ser así o el amplificador no funcionara bien) 
y  con  esto  hallar  gm.  Finalmente  con  el  análisis  AC  completar  los  demás 
parámetros  dependiendo  de  la  configuración  que  se  haya  escogido  para 
seleccionar  las  resistencias  etc.  Durante  todo  este  proceso  se  busca  obtener 
equivalentes  lineales  en  ambos  análisis,  y  esto  puede  ser  algo  difícil  ya  que  la 
naturaleza  del  MOS  es  no  lineal,  sin  embargo  se  logra  realizar  una aproximación 
bastante funcional con el siguiente modelo: 

Imagen tomada de Microelectronics circuit analysis and design Neamen 

  

Este  modelo  funciona  bastante  bien  para  las  tres  configuraciones  mencionadas, 
ayuda a analizar la parte AC mucho más fácil. 

Referencias: 

Microelectronics circuit analysis and design Neamen 

Circuitos microelectronicos Sedra.