Previo #11. Transistor de efecto de campo (FET).

Circuitos de aplicación con MOSFET

Q1
VDS
VGS 2N7000
0V
0V

I: 50.6 mA
VDD I(p-p): 93.0 mA
I(rms): 95.7 mA
20V I(dc): 89.8 mA V: 2.01 V
I(f req): 100 kHz V(p-p): 4.65 V
V(rms): 1.65 V
V(dc): -8.91 mV
V: -272 mV RD2
V(f req): 100 kHz
V(p-p): 600 mV 50Ω
V(rms): 212 mV A
V(dc): 13.7 uV R5
1MΩ
V(f req): 100 kHz C3 V
V Punta2

10µF R1
V C1 Punta3 Q1
V2 Punta1 V
2N7000 1kΩ
0.3Vpk 10µF
100kHz V: 3.13 V V
R6 V(p-p): 598 mV
0° V(rms): 3.39 V V: 13.0 V
650kΩV(dc): 3.39 V RS2 V(p-p): 4.65 V
C2 V(rms): 11.1 V
V(f req): 100 kHz 50Ω
10µF V(dc): 11.0 V
V(f req): 100 kHz