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Santiago Mariño
Escuela Ingeniería en Electrónica
Sede Barcelona – Anzoátegui
ELECTRÓNICA I
Profesor: Integrante:
Son aquellos que se comportan como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos
factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
Semiconductores intrínsecos: Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura
tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura
ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la conducción
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia.
Material Tipo P
Dopado Material Tipo P: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto
tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres
(en este caso positivos o huecos). Cuando se añade el material dopante libera los electrones más
débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón
son conocidos como huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
Material Tipo N
Dopado Material tipo N: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto
tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres
(en este caso negativos o electrones). Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones
más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. El propósito del
dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a
entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si).
Diodos
Diodo Varactor
Diodo Laser
Diodo Estabilizador
Diodo Tunel
Diodo PIN
Diodo Backward
Diodo SCHOTTKY
Fotodiodo
Diodo Rectificador
Son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en polarización directa (arriba de
0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas
características son las que permite a este tipo de diodo
rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que
pueden soportar.
Diodo Zener
Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 ó BZX85, y se
especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia máxima que pueden
absorber en forma segura sin destruirse (PZ)
Transistores
Son dispositivos electrónicos semiconductores utilizados para entregar una señal de salida en
respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi siempre
dentro de los llamados circuitos integrados.
Tipos de Transitores
Fototransistor
Transistores FET
Son dispositivos electrónicos de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Tipos:
Transistores PNP: otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Son comúnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una
pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente
mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en
el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
Transistores NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día
son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operación. Consisten en una capa
de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Transistores FET
Es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también
suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales,
denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source).
Triacs
El funcionamiento del triac es muy parecido al de un transistor ya que para activar estos
componentes debes sobre pasar la corriente umbral en la terminal gate.
Como ya lo mencionamos antes cuenta con 3 terminales, las cuales son 2 ánodos y una
Gate. El símbolo del triac son dos diodos conectados como un puente rectificador uno a
la inversa del otro, solo que estos diodos son especiales ya que están configurados por 2
materiales P y 4 materiales N.
Rectificador Controlado De Silicio