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DE JUNTURA (B J T)
Área de EET
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Derechos Reservados
Titular del Derecho: INACAP
N° de inscripción en el Registro de Propiedad Intelectual # ___ . ____ de fecha ___- _____ _.
© INACAP 2002.
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INDICE
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EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (B J T)
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Figura #3: Junturas equivalentes
Como se puede apreciar en la figura #4, el Emisor contiene una flecha que no
penetrará si el dispositivo es NPN, si la flecha penetra entonces el dispositivo es
PNP. Como veremos posteriormente, esta flecha nos indica el sentido que tendrá
la corriente en el Emisor.
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c) Encapsulados del Transistor
Para el caso del transistor, se requerirá que la juntura Base-Emisor (Jbe) esté
polarizada en forma directa, mientras que la juntura Base-Colector (Jbc) ) esté
polarizada en forma inversa. Como se muestra en la figura #6 para un transistor
NPN.
La figura 7 muestra un transistor PNP (a) y NPN (b) polarizado, como así también,
nos muestra la relación que tiene el área de base con respecto al área total.
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Figura #7: Polarización del transistor.
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Como se puede observar de la figura #8, el ancho de la región de agotamiento se
ha reducido debido a la polarización aplicada, lo que produce un denso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al n.
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base dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores
contribuirán en forma directa a la corriente de base IB o pasarán directamente
hacia el material tipo p del colector. Puesto que el material tipo n (Base) es
sumamente delgado y tiene una baja conductividad al tener un número muy
pequeño portadores mayoritarios, es que el mayor número de estos portadores
mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada inversamente dentro del
material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la figura 10.
La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden
cruzar la unión polarizada inversamente hacia el colector, puede comprenderse si
consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa, los portadores
mayoritarios del material tipo P inyectados desde el emisor, aparecerán como
portadores minoritarios en el material tipo n de la base. En otras palabras, ha
habido una inyección de portadores minoritarios al interior del material de la región
base de tipo n. Combinando esto con el hecho de que en un diodo polarizado
inverso, la corriente se produce por los portadores minoritarios, se explica el flujo
que se indica en la figura 10.
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así por ejemplo, que si en un transistor tipo NPN tiene = 0,9. Quiere decir que el
noventa por ciento (90%) de los electrones inyectados en el Emisor llegan al
colector y el resto, es decir, el 10% llegará a la Base. Como la corriente es el
número de portadores mayoritarios (para nuestro caso particular electrones) por
unidad de tiempo, se puede decir que:
1.2) Ic = cd * IE + ICO
Si despreciamos los portadores minoritarios, se puede decir que Ic = cd * IE.
Mientras más delgada y menos contaminada sea la capa de base, más alta será
el valor de cd
Alfa de componente alterna ca.
Para las situaciones de ca en donde el punto de operación Q se mueve sobre la
curva característica, un alfa de ca se define por
1.3)
De modo que:
1.6) (1)
Nota: En algunos manuales técnicos, el nombre de cd es reemplazado por HFE.
Se puede decir entonces que:
1.8) IE = ( +1)*IB
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Al igual que Alfa, existe un continuo ( cd ) y un alterno ( ac o Hfe). Otro
aspecto interesante de mencionar es la relación que hay entre sus terminales, en
efecto, si observamos la figura #7, podemos concluir que:
La ecuación 1.9 es válida tanto para transistores PNP como también para
transistores NPN, en este último caso, solo cambian los signos de los voltajes o
que es lo mismo, se cambian los
Subíndices (VBE + VCB = VCE).
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