RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR

DE UNA SOLA ETAPA.

1. Definir 𝒓𝒃𝒃′ , 𝒓𝒃′ 𝒆 , 𝒓𝒃′ 𝒄 , 𝒓𝒄𝒆 , 𝑪𝒃′ 𝒆 , 𝑪𝒃′ 𝒄 , 𝒈𝒎 , 𝒇𝜷 , 𝒇𝑻 .

 𝒓𝒃𝒃′

La resistencia 𝑟𝑏𝑏′ , denominada resistencia de dispersión de la base, es la resistencia

óhmica de la región de base. Normalmente, 𝑟𝑏𝑏′ resulta pequeña comparada con
𝑟𝑏′ 𝑒 , variando entre 10 y 100 Ω para dispositivos de señal. Su valor es prácticamente
independiente del punto de trabajo.

 𝒓𝒃′ 𝒆

La resistencia 𝒓𝒃′ 𝒆 representa la resistencia dinámica de la unión base-emisor vista

desde el terminal de base. Es la misma que la 𝒓𝒃′ 𝒆 indicada en la figura , y su valor
viene determinado por la ecuación:

ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏
𝑟𝜋 = 𝑟𝑏′ 𝑒 =
𝐼𝐶𝑄

 𝒓𝒃′ 𝒄

La resistencia 𝑟𝑏′ 𝑐 tiene en cuenta el efecto de la modulación del ancho de la base

sobre la característica de entrada. En otras palabras, 𝑟𝑏′ 𝑐 representa una
realimentación desde el colector a la base. En este sentido, juega esencialmente el
mismo papel que ℎ𝑟𝑒 en el circuito equivalente de parámetros h:
 La siguiente fórmula aproximada relaciona estos parámetros:

𝑟𝑏 ′ 𝑒 𝑟𝑏 ′ 𝑒
ℎ𝑟𝑒 = ≅
𝑟𝑏 ′ 𝑒 + 𝑟𝑏 ′ 𝑐 𝑟𝑏 ′ 𝑐

El valor de 𝑟𝑏′ 𝑐 es muy grande (varios mega ohmios es un valor típico). Para
simplificar el análisis, a menudo reemplazamos 𝑟𝑏′ 𝑐 por un circuito abierto. Esto se
justifica aún más para frecuencias altas, porque 𝑟𝑏′ 𝑐 está derivada por la impedancia
mucho menor de 𝐶𝑏′ 𝑐 .

 𝒓𝒄𝒆

La resistencia 𝑟𝑐𝑒 define (de forma aproximada) la pendiente ascendente de la

característica de salida del transistor. Por tanto, juega aproximadamente el mismo
papel que ℎ𝑜𝑒 en el circuito equivalente de parámetros h. Por tanto, podemos
formular:

1
𝑟𝑐𝑒 ≅
ℎ𝑜𝑒

Además, ℎ𝑜𝑒 está relacionada con la tensión de Early, 𝑉𝐴 . La tensión de Early surge
de las prolongaciones de la relación entre 𝑉𝑐𝑒 vs 𝐼𝑐 para diferentes valores de 𝑉𝑏𝑒 :

Se observa el interesante hecho de que todas las prolongaciones se intersectan

aproximadamente en un mismo valor de tensión−𝑉𝐴 , cuyo valor suele estar entre 50
y 100 V y es constante para cada transistor. De aquí puede obtenerse por simple
semejanza de triángulos la pendiente de cada curva:
 𝜕𝐼𝐶 𝐼𝐶
=
𝜕𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐴
De donde resulta

𝑉𝐴
𝑟𝑐𝑒 =
𝐼𝐶𝑄

A veces, para simplificar el análisis, reemplazamos 𝑟𝑐𝑒 por un circuito abierto.

 𝑪𝒃′ 𝒄

La capacidad 𝐶𝑏′ 𝑐 es la capacidad de transición de la unión base-colector. Su valor

depende de 𝑉𝐶𝐵𝑄 y del tipo de dispositivo que se utilice. Los valores se suelen
proporcionar en las hojas de especificaciones como 𝐶𝑜𝑏𝑜 . (Desafortunadamente, el
uso de símbolos no está estandarizado en toda la comunidad electrónica.) Por
ejemplo, la hoja de especificaciones del modelo 2N2222A incluye una 𝐶𝑜𝑏𝑜 máxima
de 8 pF para 𝑉𝐶𝐵𝑄 =10 V.
A veces, se proporciona la constante de tiempo del circuito RC entre los terminales
de colector y base en las hojas de especificaciones. Por ejemplo, las del dispositivo
2N2222A denominan a esta constante𝑟𝑏′ 𝐶𝑐 . Esta constante de tiempo es
aproximadamente igual a 𝑟𝑏𝑏′ 𝐶𝑏′ 𝑐 . Suponiendo que se conoce 𝐶𝑏′ 𝑐 , podemos utilizar
el valor proporcionado por la constante de tiempo para determinar 𝑟𝑏′ 𝑏 . Para el
2N2222A:

 𝑪𝒃′ 𝒆

𝐶𝑏′ 𝑒 representa la capacidad de difusión de la unión base-emisor. Su valor depende

del punto Q y del tipo de transistor. Los valores típicos varían de 10 pF a 1000 pF para
dispositivos de señal.

 𝒈𝒎

La fuente controlada 𝑔𝑚 𝑣𝑏′ 𝑒 mostrada representa las propiedades de amplificación

del transistor. Para un funcionamiento a baja frecuencia, los condensadores
se comportan como circuitos abiertos. Por otro lado, como aproximación razonable,
podemos reemplazar 𝑟𝑏𝑏′ por un cortocircuito, y 𝑟𝑏′ 𝑐 y 𝑟𝑐𝑒 por circuitos abiertos. El
circuito resultante se ilustra en la figura:

Donde 𝑟𝜋 = 𝑟𝑏′ 𝑒 y 𝑣𝜋 = 𝑣𝑏′ 𝑒 .

 Comparándolo con el modelo 𝑟𝜋 − 𝛽 , vemos que el circuito de entrada está formado
en ambos casos por una resistencia 𝑟𝑏′ 𝑒 . Las dos fuentes controladas deben producir
la misma corriente de colector; por tanto, podemos escribir:

𝑔𝑚 𝑣𝑏′ 𝑒 = 𝛽𝑖𝑏

Resolviendo 𝑔𝑚 , obtenemos

𝑖𝑏
𝑔𝑚 = 𝛽( )
𝑣𝑏′ 𝑒

𝑖 1
Sin embargo, 𝑣 𝑏 = 𝑟 , por lo que tenemos:
𝑏′ 𝑒 𝑏′ 𝑒

𝛽 𝐼𝐶𝑄
𝑔𝑚 = =
𝑟𝑏 ′ 𝑒 𝑉𝑇

Por tanto, podemos calcular 𝑔𝑚 conociendo el punto Q y la temperatura.

 𝒇𝜷

𝑓𝛽 es la frecuenta de corte de la ganancia de corriente en c.c., es decir, si

determinamos 𝐴𝑖 :
𝑖𝑐
𝐴𝑖 = | 𝑉𝐶𝐸 =0
𝑖𝑏
Del modelo π para altas frecuencias:

𝑖𝑐 ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝜔) = =
𝑖𝑏 1 + 𝑗𝜔𝑟𝑏′ 𝑒 (𝐶𝑏′ 𝑒 + 𝐶𝑏′ 𝑐 )

Por tanto la frecuencia de corte con 𝑣𝑐𝑒 = 0:

1 1
𝜔𝛽 = ⟹ 𝑓𝛽 =
𝑟𝑏′ 𝑒 (𝐶𝑏′ 𝑒 + 𝐶𝑏′ 𝑐 ) 2𝜋𝑟𝑏′ 𝑒 (𝐶𝑏′ 𝑒 + 𝐶𝑏′ 𝑐 )

 𝒇𝑻

Las hojas de datos de un transistor facilitan generalmente la frecuencia de transición

𝑓𝑇 , que es la frecuencia para la que la magnitud de la ganancia de corriente del emisor
común 𝑖𝑐 /𝑖𝑏 es igual a la unidad cuando el transistor funciona con un cortocircuito
de alterna entre el colector y masa. La frecuencia de transición se relaciona con los
parámetros híbridos en π por medio de la fórmula aproximada la cual se deduce de:

2
√ℎ𝑓𝑒 −1
𝑓𝑇 = ⟹ 𝑓𝑇 = ℎ𝑓𝑒 𝑓𝛽
2𝜋𝑟𝑏′ 𝑒 (𝐶𝑏′ 𝑒 + 𝐶𝑏′ 𝑐 )