Cap 1

Capítulo 1
Teoría de Semiconductores
Dispositivos Electrónicos 410137
D.Sc. (C) José J. Silva C.

Magister en Ciencias de la Ingeniería
Ingeniero Civil Electrónico
jsilva@ubiobio.cl
El átomo
Desde la Antigüedad, el ser humano se ha cuestionado de
qué estaba hecha la materia.
Unos 400 años antes de Cristo, el filósofo
griego Demócrito consideró que la materia estaba constituida
por pequeñísimas partículas que no podían ser divididas en
otras más pequeñas.
Por ello, llamó a estas partículas átomos, que en griego
quiere decir "indivisible".
Demócrito atribuyó a los átomos las cualidades de ser
eternos, inmutables e indivisibles.
Capítulo 1 – Teoría de Semiconductores 2 Dispositivos Electrónicos

Modelos atómicos
La concepción del átomo que se ha tenido a lo largo de la historia ha variado de
acuerdo a los descubrimientos realizados en el campo de la física y la química. Los
modelos son aproximaciones de la realidad, dotados de parámetros, características y
simplificaciones que permiten comprender lo sustancial de la materia, por lo tanto no
es perfecto, debe ser sometido a pruebas que interpreten las observaciones y posean
capacidad de predicción.
 Modelo de Dalton
 Modelo de Thomson
 Modelo de Rutherford
 Modelo de Bohr
 Modelo de Schrödinger
 Otros
Modelo atómico de Dalton (1808)
Fue el primer modelo atómico con bases científicas, formulado entre 1803 y
1807 por John Dalton.
El modelo permitió aclarar por primera vez por qué las sustancias químicas
reaccionaban en proporciones estequiométricas, y por qué cuando dos
sustancias reaccionan para
formar dos o más compuestos
diferentes, entonces las
proporciones de estas relaciones
son números. Por ejemplo 12 g de
carbono (C), pueden reaccionar
con 16 g de oxígeno (O2) para
formar monóxido de carbono (CO).

Modelo atómico de Dalton (1808)
Postulados de Dalton
Los átomos
que forman
los
compuestos
son de dos o Los átomos
Los átomos más clases de un mismo
son diferentes elemento son
partículas de la misma
indivisibles clase y
e invisibles tienen igual
masa
Teoría
Atómica
de
Dalton
Los átomos
que forman los Los cambios
compuestos químicos
están en una corresponden a
1766 - 1844 relación de una
Toda la
Manchester - Inglaterra números
materia
combinación,
separación o
enteros y
sencillos está reordenamiento
formada de átomos
por
átomos

Modelo atómico de Thomson (1897)
Luego del descubrimiento del electrón en 1897 por Joseph John
Thomson, se determinó que la materia se componía de dos partes, una
negativa y una positiva.
La parte negativa estaba

constituida por electrones, los
cuales se encontraban según
este modelo inmersos en una
masa de carga positiva a
manera de pasas en un pastel
(de la analogía del inglés plum-
pudding model) o uvas en
gelatina.
“Budín de pasas”

Modelo atómico de Thomson (1897)
Sugiere un modelo atómico que
tomaba en cuenta la existencia del
electrón, descubierto por él en 1897.
Su modelo era estático, pues
suponía que los electrones estaban
en reposo dentro del átomo y que el
conjunto era eléctricamente neutro.
1856 – 1940
Manchester – Inglaterra

Modelo atómico de Rutherford (1911)
Representa un avance sobre el modelo de Thomson, ya que mantiene
que el átomo se compone de una parte positiva y una negativa, sin
embargo, a diferencia del anterior, postula que la parte positiva se concentra
en un núcleo, el cual también contiene virtualmente
toda la masa del átomo, mientras
que los electrones se ubican en una
corteza orbitando al núcleo en
órbitas circulares o elípticas con un
espacio vacío entre ellos.
“Sistema Planetario”
Modelo atómico de Rutherford (1911)
Fue el primero en describir

el átomo con un núcleo
denso de carga positiva,
alrededor del cual giran los
electrones de carga
negativa.
1871 – 1937
Brightwater - Nueva Zelanda

Modelo atómico de Bohr (1913)
Este modelo es estrictamente un modelo del átomo de hidrógeno
tomando como punto de partida el modelo de Rutherford, Bohr trata de
incorporar los fenómenos de absorción y emisión de los gases, así como la
nueva teoría de la cuantización de la energía desarrollada por Max Planck y
el fenómeno del efecto fotoeléctrico observado por Albert Einstein.
«El átomo es un pequeño

sistema solar con un núcleo en
el centro y electrones
moviéndose alrededor del
núcleo en órbitas bien
definidas». Las órbitas están
cuantizadas (los e- pueden
estar solo en ciertas órbitas)

Los electrones en las

órbitas más cercanas
al núcleo tienen
menor energía que
aquellos localizados
en órbitas más
alejadas
Cualquier electrón en Los electrones

un átomo puede tener pueden moverse de
sólo ciertos valores de una órbita a otra.
energía permitidos. Para esto debe ganar
Esta energía o perder una cantidad
determina qué órbita exacta de energía, un
ocupa un electrón. cuanto de energía.
1885-1962
Copenhague - Dinamarca Los electrones en
los átomos están
localizados en
órbitas o niveles de
energía alrededor
del núcleo.

Serie de
Lyman

Modelo atómico de Schrödinger (1926)
Después de que Louis-Victor de Broglie propuso la naturaleza
ondulatoria de la materia en 1924, la cual fue generalizada
por Erwin Schrödinger en 1926 actualizó nuevamente el modelo del
átomo.
Schrödinger describe a
los electrones por medio
de una función de onda, el
cuadrado de la cual
representa la probabilidad
de presencia en una
región delimitada del
espacio. Esta zona de
probabilidad se conoce
como orbital.

Describe a los electrones

con funciones de onda. Dicha
configuración permite obtener
la probabilidad de que el
electrón se encuentre en un
determinado punto del
espacio.
1887 – 1967
Viena- Austria



Modelos atómicos
Aunque aún no se ha
visto la estructura interna
del átomo los modelos nos
ayudan a tener una idea de
cuanto nos podemos
aproximar a la realidad.
“Es fascinante la
evolución y tenacidad que
ha tenido el pensamiento
humano en este ámbito”

Enlaces químicos
 Son las fuerzas que mantienen unidos a los

átomos entre sí para formar moléculas o iones.
 Son de tipo eléctrico.
 Al formarse un enlace se desprende energía.
 La distancia a la que se colocan los átomos es a
la que se desprende mayor energía
produciéndose la máxima estabilidad.
 Los átomos se unen porque así tienen una
menor energía y mayor estabilidad que estando
separado.
Enlaces químicos
 El tipo de enlace depende de la configuración
electrónica. En general, los átomos tienden a
completar su capa de valencia con 8 electrones,
imitando a los gases nobles, para alcanzar
mayor estabilidad, ganando, cediendo o
compartiendo electrones.
 Son los electrones más externos, los también
llamados electrones de valencia los
responsables de esta unión, al igual que de la
estequiometria y geometría de las sustancias
químicas.

Enlaces químicos
 Clases de enlaces
• Enlace covalente
 Polar
 Apolar
• Enlace iónico
• Enlace metálico

Enlace covalente
En un enlace
covalente, los dos
átomos enlazados
comparten
electrones.

Enlace covalente
Enlace covalente No Polar (Apolar)

Entre átomos idénticos o diferentes pero
de igual electronegatividad EN = 0.
Enlace covalente Polar

Se origina entre no metales de distintos
elementos, se caracteriza porque existe
una redistribución aparente de cargas
debido a una diferencia de
electronegatividades. 0 ‹ ∆EN ‹ 1.7

Enlace covalente
Los enlaces covalentes forman moléculas que tienen las
siguientes propiedades:
• Temperaturas de fusión y ebullición bajas.
• En condiciones normales (25 °C aprox.) pueden ser
sólidos, líquidos o gaseosos
• Son blandos en estado sólido.
• Son aislantes de corriente eléctrica y calor (todos los
electrones de la capa de valencia forman enlaces, por
ello no tienen movilidad).
• Solubilidad: las moléculas polares son solubles en
disolventes polares y las apolares son solubles en
disolventes apolares (semejante disuelve a semejante).

Enlace Iónico
Son fuerzas de atracción electrostática entre iones que
se formaron por la transferencia total de electrones
originados entre un metal (más electropositivo) y un no
metal (electronegativo).
Se trata de elementos cuya diferencia de
electronegatividad (EN) es grande, en general, mayor de
1,7.

Enlace Iónico
El cloruro de sodio (NaCl) o sal común es un ejemplo característico de un
compuesto iónico (cumple con la regla del octeto); está formado por el metal
sodio (Na) de la familia 1 y el no metal cloro (Cl) de la familia 17.
+ -
Na + Cl Na + Cl Na Cl

Enlace Iónico
• Son sólidos de estructura cristalina.

• Son duros y quebradizos.
• Tienen altos puntos de fusión y de ebullición debido a la
fuerte atracción entre los iones.
• Solubilidad en disolventes polares e insolubilidad en
disolventes apolares.
• En estado sólido no conducen la corriente eléctrica, pero
sí lo hacen cuando se hallan disueltos o fundidos.

Enlace metálico
El enlace metálico consiste en iones metálicos con carga
positiva en una red tridimencional, en la que los electrones de
valencia débilmente se mueven con libertad, a la manera de
un fluido, a través del metal. Los metales cuyos electrones
están sujetos con menos fuerza son los mejores conductores
de la electricidad.

Enlace metálico
La existencia de electrones libres permite explicar la gran
conductividad eléctrica y del calor de los metales. Su capacidad
para formar láminas y alambres se explica con el hecho de que al
aplicar una fuerza, sus átomos se pueden desplazar sin romper
enlaces específicos.

Enlaces químicos

Enlaces químicos

Teoría de las Bandas de Energía
Los electrones en un átomo poseen niveles de energía
discretos y específicos.
En un sólido un electrón tiene un rango o banda de energía

permitida.
Esto porque las funciones de onda de electrones en átomos

vecinos se cruzan de modo que un electrón no esta
necesariamente localizado en un átomo en particular. En otras
palabras, el campo eléctrico producido por los electrones de los
átomos vecinos modifica los niveles energéticos de los
electrones de los átomos de sus alrededores.

División energética de dos niveles de energía para seis
átomos en función de su separación:
Si tenemos N átomos idénticos agrupados, cada nivel del

átomo aislado se divide en N niveles energéticos distintos pero
muy próximos.
En un sólido macroscópico hay del orden de 1023 átomos,
luego cada nivel energético se divide en un casi continuo de
niveles que constituyen lo que se llama una banda.
Bandas de valencia: El más alto de los intervalos de

energías electrónicas que se encuentra ocupado por
electrones en el cero absoluto.
Bandas de conducción: intervalo de energías

electrónicas que, estando por encima de la banda de
valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por
la presencia de un campo eléctrico externo y, por tanto,
permite la presencia de corrientes eléctricas.
Banda prohibida (gap): es la diferencia de energía entre

la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior
de la banda de conducción en el cero absoluto.

Bandas de Energía

En un conductor metálico las bandas de valencia y las de

conducción se traslapan. Un elemento metálico se
considera que esta constituido por cationes metálicos
distribuidos regularmente e inmersos en un mar de
electrones de valencia que mantienen unidos a los
cationes metálicos.
En un aislante la banda prohibida tiene una energía

grande >> 10 eV a 0ºK.
En un semiconductor la banda prohibida tiene una

energía baja < 1 eV a 0ºK, de modo que es mas fácil
arrancar un electrón que contribuya a la conducción. (a
300 °K el voltaje de gap es de 1.12 V para el silicio y 0.66V
para el germanio )
Semiconductores
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios
Bell, descubrió que si a ciertos cristales se le añadía una
pequeña cantidad de impurezas su conductividad eléctrica
variaba cuando el material se exponía a una fuente de luz.
Posteriormente, en 1947 William Shockley, Walter Brattain
y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo
semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron
“transistor” y que se convertiría en la base del desarrollo de
la electrónica moderna.
Los primeros semiconductores utilizados para fines
técnicos fueron pequeños detectores diodos empleados a
principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que
se conocían como “de galena”.
Semiconductores
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio
(Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos
que poseen características intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni
una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas
condiciones esos mismos elementos permiten la circulación
de la corriente eléctrica en un sentido, pero no en el sentido
contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente
alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de
corriente eléctrica, funcionar como interruptores o
compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.

Semiconductores
Los átomos de los elementos semiconductores pueden
poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su última órbita,
de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No
obstante, los elementos más utilizados por la industria
electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen
solamente cuatro electrones en su última órbita.
Silicio Germanio

Semiconductores
 Tipos de semiconductores:
• SC. Intrínsecos
•SC. Extrínsecos
•SC. Dopados
Tipo P
Tipo N

Semiconductores Intrínsecos
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra
en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos
de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar
la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conducción.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento
semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se
rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se
liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí
funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar
libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina,
siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de
una corriente eléctrica.

Estructura de un semiconductor intrínseco
•Estructura estable, formada por enlaces covalentes.
•Banda de valencia separada de banda de conducción.
•Salto de energía entre bandas de valencia y conducción (gap)
menor al de un aislador:
Enlace Electrones
Covalente de Valencia
• Como la temperatura de un semiconductor es mayor a 0ºK,
algunos electrones reciben suficiente energía térmica para
cruzar la banda prohibida hacia la banda de conducción.
• El resultado es un material con algunos electrones en la
banda de conducción y algunos espacios vacíos (huecos)
en la banda de valencia.
Ec
Eg
Ev

Estructura Cristalina del Silicio
El silicio cristaliza con el mismo patrón que el diamante, en una estructura que
Ashcroft y Mermin llaman celosías primitivas, "dos cubos interpenetrados de cara
centrada". Las líneas entre los átomos de silicio en la ilustración de la red, indican
los enlaces con los vecinos más próximos. El lado del cubo de silicio es 0,543 nm.
El germanio tiene la misma estructura del diamante, con una dimensión de celda
de 0,566 nm.

El cristal de silicio es diferente de un aislante porque a cualquier temperatura
por encima del cero absoluto, existe una probabilidad finita de que un electrón en
la red sea golpeado y sacado de su posición, dejando tras de sí una deficiencia
de electrones llamada "hueco".
La conductividad de un semiconductor puede ser modelada en términos de

la teoría de bandas de sólidos. El modelo de banda de un semiconductor
sugiere que, a temperaturas ordinarias hay una posibilidad finita de que los
electrones pueden alcanzar la banda de conducción, y contribuir a la
conducción eléctrica.
Si se aplica un voltaje, entonces tanto el electrón como el hueco pueden
contribuir a un pequeño flujo de corriente.
En un semiconductor intrínseco, ambos electrones y huecos contribuyen al

flujo de corriente.

La corriente que fluirá en un semiconductor intrínseco consiste en corriente
de electrones y huecos. Es decir, los electrones que han sido liberados de sus
posiciones en la red dentro de la banda de conducción, se pueden mover a
través del material.
Además, otros electrones pueden saltar entre las posiciones de la red para
llenar las vacantes dejadas por los electrones liberados. Este mecanismo
adicional se llama conducción de huecos, porque es como si los huecos
estuvieran emigrando a través del material en dirección opuesta al movimiento
de electrones libres.
El flujo de corriente en un semiconductor intrínseco está influenciado por

la densidad de estados de energía la cual a su vez, influencia la densidad de
electrones en la banda de conducción. Esta corriente es dependiente altamente
de la temperatura.

Como los electrones y huecos se generan en pares, la concentración
de electrones en la banda de conducción n (electrones por cm3) es igual
a la concentración de huecos en la banda de valencia p (huecos por cm3):
n.  p  ni
El proceso de generación y
recombinación de pares
electrón hueco es continuo.
La vida media de un par
electrón hueco (PEH) va de
microsegundos a
milisegundos.
El equilibrio requiere que el
radio de generación gi y
recombinación ri sean
idénticos. Este proceso
depende de la concentración ri  gi   ni 2
intrínseca de portadores y
una variable  dependiente
del mecanismo especifico de
recombinación.
Semiconductores Extrínsecos
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio
se le introduce cierta alteración, esos elementos semiconductores
permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola
dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor
se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas
cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas".
Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a
elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres
electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que
poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio
(Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se
convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de
conducir la corriente eléctrica.

Semiconductores Extrínsecos
En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar
semiconductores para el uso de la industria electrónica es el cristal de
silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La
materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio
es la arena, uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. En
su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea
de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida
como un espejo.
El segundo elemento también utilizado como semiconductor, pero en
menor proporción que el silicio, es el cristal de germanio (Ge).
Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar
diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para
rectificar la corriente alterna y convertirla en continua.

Semiconductores Dopados tipo n
La adición de impurezas pentavalentes como el antimonio, arsénico, o
fósforo, aportan electrones libres, aumentando considerablemente la
conductividad del semiconductor intrínseco. El fósforo se puede añadir
por difusión del gas fosfina (PH3).

Los semiconductores intrínsecos a los que se le agrega una
concentración Nd de impurezas del tipo V presentan enlaces en los que
se forma un estado valido cerca de la banda de conducción. Estas
impurezas pueden donar fácilmente un electrón a la banda de
conducción.
Banda conducción
Ec
Nivel Permitido
Ev
Banda valencia
Semiconductor tipo n a 0°K

Así, a temperatura ambiente (300 °K) prácticamente cada uno de los
átomos de valencia 5 han donado un electrón a la banda de conducción
de modo que semiconductor tipo n tiene mas electrones que huecos
(Átomo donador ionizado positivo).
Semiconductor tipo n
Semiconductores Dopados tipo p
La adición de impurezas trivalentes tales como boro, aluminio, o galio
a un semiconductor intrínseco, crean unas deficiencias de electrones de
valencia, llamadas "huecos". Lo normal es usar el gas diborano B2H6,
para difundir el boro en el material de silicio.

Los semiconductores intrínsecos a los que se le agrega una
concentración Nd de impurezas del tipo III presentan enlaces en los que
se forma un estado valido cerca de la banda de valencia. Estas
impurezas pueden aceptar fácilmente un electrón de la banda de
conducción generando un hueco en el cristal.
Banda conducción
Ec
Nivel Permitido
Ev
Banda valencia
Semiconductor tipo p a 0°K

Así, a temperatura ambiente (300 °K) prácticamente todos los átomos
de valencia 3 han aceptado un electrón de la banda de conducción de
modo que semiconductor tipo P tiene mas huecos que electrones (Átomo
aceptor ionizado negativo).
Semiconductor tipo p
Bandas en semiconductores dopados
La aplicación de la teoría de bandas a los semiconductores de tipo n y
tipo p muestra que los niveles adicionales se han añadido por las
impurezas. En el material de tipo n hay electrones con niveles de energía
cerca de la parte superior de la banda prohibida, de modo que pueden
ser fácilmente excitados hacia la banda de conducción. En el material de
tipo p, los huecos adicionales en la banda prohibida, permiten la
excitación de los electrones de la banda de valencia, dejando huecos
móviles en la banda de valencia.

Unión PN

Germanio tipo P + + +
+
300ºK Al-
Al Al-
Al Al
- Al-
-
Al
Al
0ºK Al +
- + + +
Generación -
Al-
Al Al
Al Al-
Al Al-
Al Al-
Al
térmica + + +
+ hueco Aceptador ionizado

no ionizado Germanio
- electrón
Germanio tipo N - - - -
Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+ Sb+
+
Generación - - -
térmica - -
Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
• Ambos son neutros

• Compensación de Donador ionizado Germanio
cargas e iones
Unión PN
Germanio tipo P Germanio tipo N
+ + + - - -
- - + -
Al Al Al -
Al Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
-
- + +
- - +
+ -
- - - -
Al Al Al Al Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +
Barrera que impide la difusión
¿Qué pasaría si se elimina la

barrera que impide la difusión?
Unión PN
+ + + + - - - -
- - + -
Al Al Al -
Al Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
-
- + + + - - - +
+ -
- - - -
+ +
Se produce difusión de huecos de la zona P hacia la zona N y de electrones de la

zona N hacia la zona P.
¿Se va a producir una difusión

completa de huecos y electrones?
Unión PN
Germanio “antes” tipo P Germanio “antes”tipo N
+ - + - - -
- - - - + Sb+ + Sb+ Sb+
Al Al Al Al Sb+ -
- +
-
- - - - -
Sb+ + Sb+ Sb+ + Sb+
Al Al Al Al - -
+ + +
Zona P no neutra, sino Zona N no neutra, sino

cargada negativamente cargada positivamente
¿Es esta situación la situación final?

NO
Unión PN
+ + + + - - - -
- - + -
Al Al Al Al
- Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
-
- + + + - - - +
+ -
- - - -
+ +
-  +
E
Aparece un campo eléctrico en la zona de
contacto (unión metalúrgica) de las zonas

Unión PN
+ + +
- - -
- - - - Sb+ Sb+ Sb+
Al Al Al Al Sb+
- - - -
+
-  +
E
Por campo eléctrico
Por difusión
El campo eléctrico limita el proceso de difusión
Unión PN
+ +
-
Al
- Al
- -
Al Al
- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+ -
+
+ -
- - - - -
Al Al Al Al Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
+ +
Zona P NEUTRA -  + Zona N NEUTRA
E
(huecos compensados (electrones compensados
con “iones -”) con “iones +”)
Zona de Transición
Existe carga espacial y no existen casi portadores de carga

Unión PN
Unión metalúrgica
Zona P + - Zona N
(neutra) (neutra)
Muchos huecos, pero
neutra
-  + Muchos electrones,
pero neutra
E
VO
Zona de Transición (no neutra)


Existe carga espacial (que genera campo eléctrico, E, y diferencia de potencial
eléctrico, VO) y no existen casi portadores de carga.

Uniones PN
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del
cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones
como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de
agotamiento o empobrecimiento, de deplexión, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga
espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a
ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos
en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico
(E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente
de electrones y terminará deteniéndolos.

Uniones PN
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial
(V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son
de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el
equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los
cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga espacial
es mucho mayor.

Polarización unión PN

Polarización directa
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la
parte P de la unión P - N y la negativa a la N, , permitiendo el
paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir,
el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

En estas condiciones podemos observar que:
•El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal
n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
•Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es

mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para
saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unión p-n.

•El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del
cristal p, esto es equivalente a decir que empuja los huecos hacia la
unión p-n.
•Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p

atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples
huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y
se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p,
desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la
batería.

Polarización inversa
Se produce cuando el polo negativo de la batería se
conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la zona de carga espacial.

El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la

zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería,
a medida que los electrones libres abandonan la zona n, los
átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrón en el orbital de conducción,
adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batería cede electrones libres a los

átomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos
sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han
formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen
solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta
el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren
estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga
eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, la unión no debería conducir la corriente; sin

embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-
hueco a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del
orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación. Además,
existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie de la unión; ya que en la superficie, los átomos de silicio no
están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad.

Procesos de transporte en
Semiconductores
Existen tres fenómenos fundamentales:

• La corriente de arrastre: la conductividad.
• La corriente de difusión.
• El efecto Hall en semiconductores.

Semiconductores
Corriente de arrastre : la conductividad.

Los portadores de cargas están en continuo movimiento
aleatorio (incluso sin que se vean afectados por un campo
eléctrico), aunque el conjunto de portadores no se mueve.
Aplicamos un campo eléctrico al semiconductor, de manera que
ahora el conjunto de portadores se desplaza produciendo la
corriente de arrastre.

Semiconductores
Corriente de arrastre : la conductividad.
Las velocidades medias de los portadores dependen
directamente de las movilidades de cada una, es decir, del grade
de resistencia que presente cada material ante la acción de un
campo eléctrico. Dependen del tipo de material y disminuyen al
aumentar la temperatura.
La densidad de corriente de arrastre depende de la densidad de

portadores.
La conductividad del semiconductor, disminuye
a medida que sube la temperatura.

Semiconductores
Corriente de difusión
Cuando la concentración de portadores de carga de un
semiconductor (electrones, huecos) no es siempre la misma
(gradiente de concentraciones), existe un movimiento de cargas
consistente en el transporte de portadores hacia las zonas menos
concentradas.
Las densidades de corriente de difusión depende del gradiente

de portadores.
Puede ocurrir que los dos fenómenos anteriores aparezcan a la

vez.

Semiconductores
Efecto Hall en semiconductores
Al aplicar un campo magnético a un conjunto de portadores
con una cierta corriente, estos estarán sometidos a una fuerza F.
F  q (E  v  B )
Cuando por un material conductor o semiconductor, circula una corriente
eléctrica, y estando este mismo material en el seno de un campo magnético, se
comprueba que aparece una fuerza magnética en los portadores de carga que
los reagrupa dentro del material, esto es, los portadores de carga se desvían y
agrupan a un lado del material conductor o semiconductor, apareciendo así un
campo eléctrico perpendicular al campo magnético y al propio campo eléctrico.
Este campo eléctrico es el denominado campo Hall (EH), y ligado a él aparece
la tensión Hall, que se puede medir mediante un voltímetro.
Semiconductores
Efecto Hall en semiconductores tipo n
Se produce un campo eléctrico transversal EH producido por
una separación espacial de cargas (amabas en sentido opuesto a
los del tipo p, debido a que los portadores y la corriente no tienen
el mismo sentido).
Este proceso de
separación de cargas
concluye cuando el
campo eléctrico produce
una fuerza que anula a la
creada por el campo
magnético.
Semiconductores
Efecto Hall en semiconductores tipo p
Se produce un campo eléctrico transversal EH producido por
una separación espacial de cargas.

Capítulo 1
Teoría de Semiconductores
Dispositivos Electrónicos 410137
D.Sc. (C) José J. Silva C.

Magister en Ciencias de la Ingeniería
jsilva@ubiobio.cl

Cap 1

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