Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así

porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos

polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece
a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por
tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó
n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material
que forma con el canal una unión p-n.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas

respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada
puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Simbolos gráficos para un FET de canal N

 Simbolos gráficos para un FET de canal N

Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.

La Figura muestra un esquema que ayudará a comprender el funcionamiento de un

FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.

La puerta está polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unión

P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa
desierta.

Si el material de la puerta está más dopado que el del canal, la mayor parte de la
capa estará formada por el canal. Si al tensión de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas
desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.

Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circulará una
corriente entre sumidero y fuente, que hará que la polarización inversa de la unión no
sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte más próxima al
sumidero, que es la más polarizada, la capa desierta penetrará más hacia el interior del
canal.
 Para valores pequeños de Vds, la corriente de sumidero es una función casi lineal
de la tensión, ya que la penetración de la capa desierta hacia el interior del canal no
varía substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la
tensión aumenta también la polarización inversa, la capa desierta profundiza en el canal
y la conductancia de éste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en
consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las
proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la
corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor está trabajando en la zona de
estricción (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamándose
tensión de estricción Vp a la del punto de transición entre el comportamiento casi lineal
y el casi saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarización negativa estacionaria, la capa desierta

penetra más en el interior que con la polarización nula; por tanto, para pasar a la zona de
estricción se necesita menos tensión de sumidero. El aumentar la polarización negativa
permite tener la transición a la zona de estricción a corrientes de sumidero aún
inferiores.

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia

del canal por parte de la tensión de puerta y, como la unión puerta-canal se encuentra
siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia
de entrada.
 PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como

de la puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la
corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el
gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos
escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta
forma

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la

inversa de la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es cero (en
la realidad, como se ha mencionado antes existe algo de pendiente), entonces la rd es
infinita (muy grande).

El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a

la separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de
Vgs de 1 voltio.

TIPOS DE FETs.
Según sea la construcción del electrodo de control(gate), se conocen principalmente dos
clases de FET: Los de juntura(unión PN entre el cuerpo principal y el cilindro para el
campo electrostático) y los de compuesta aislada.
Los de juntura(JFET) son los que se explicaron inicialmente, bastante sensibles a los
cambios de temepratura, pero muy buemos para el manejo de altas frecuencias y señales
muy débiles. Los de compuerta aislada(MOS FET) tienen un electrodo de control
metálico, aislado del canal mediante unadelgada capa de dióxido de silicio, de la que se
deriva el nombre MOS(Metal-Oxido-semiconductor). Se emplean en aplicaciones de
conmutación de corrientes, tales como los circuitos digitales de calculadoras,
computadoras, etc.

PRECAUCIONES:
Con los transistores FET hay que tener cuidados especiales, pues algunas referencias se
dañan con solo tocar sus terminales desconentadas (Estática). Por tal motivo, cuando
nuevos traen sus patas en corto-circuito mediante una espuma conductora eléctrica o
con algo metálico, esto no se debe quitar hasta que esten soldados en la tableta de
circuito impreso, hecho esto ya no hay problema.