MODELADO DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Cristian Felipe Manrique Gómez– cristian.manrique@udea.edu.co

Julián Andrés Muñoz Jiménez – julian.munozj@udea.edu.co Física del
Estado Sólido.
Universidad de Antioquia
Ingeniería Electrónica
2018

I. RESUMEN II. INTRODUCCIÓN

Se analiza el modelo del diodo semiconductor En el presente trabajo se desarrolla,

ya que es uno de los dispositivos primordiales
en la ingeniería, es esencial comprender su
funcionamiento en detalle debido a que en el
campo de la electrónica es muy usado en
diferentes aplicaciones. La metodología de
modelado utilizada permite obtener un
conjunto de ecuaciones diferenciales que
simulan los principales fenómenos físicos
asociados al dispositivo semiconductor. Las
ecuaciones desarrolladas son implementadas
en el software Flexpde y COMSOL Multiphysics
que permiten analizar el comportamiento de
variables internas de un diodo y se interpretan
los resultados (modelo de la juntura P-N).
Posteriormente se exportará el modelo
obtenido al software Elmer Multifísica para
comprobar su operación. Se modifican
diferentes parámetros con el fin de estudiar,
comparar y examinar los efectos de dichos
cambios. Luego, se explicará la manera en
cómo se realizan ambas simulaciones.
Finalmente se comprueba el correcto
funcionamiento del modelo lo que nos lleva a
realizar experimentaciones basadas en la
conducta de los materiales semiconductores.
Palabras clave: Diodo semiconductor, juntura,
concentración, electrones, huecos, simulación,
ELMER, COMSOL, software.
implementa, simula y posteriormente se
analizan los resultados sobre el modelado de
un diodo semiconductor en el software
COMSOL Multiphysics y FlexPDE,
adicionalmente el modelo resultante se migra
al software de simulación ELMER Multiphysics,
esto con el fin, de observar los cambios que se
noten entre uno y el otro y se espera que los
resultados sean similares, se interesa además
en la concentración de electrones y de huecos
tanto en el ánodo como en el cátodo y como
es la variación a medida que el potencial
eléctrico va cambiando con el tiempo.
El diodo semiconductor es básicamente la
juntura PN que se consigue cuando se une un
material tipo P con uno tipo N, construidos de
la misma base, siendo las más comunes
Germanio (Ge) y Silicio (Si) mediante
procedimientos especiales. En el momento en
el que se establece la unión entre las dos
zonas, los electrones de la zona N y los huecos
de la zona P en la región cercana a la unión se
recombinan, dando como resultado una falta
de portadores en esta zona. Esta región de
iones positivos y negativos se le conoce como
región de agotamiento o empobrecimiento, o
barrera de unión, debido a que la
concentración de portadores disminuyó.
COMSOL Multiphysics es una herramienta de
modelado y análisis para modelar cualquier
prototipo de fenómenos físicos que se pueda
describir con ecuaciones diferenciales
parciales incluyendo movimiento de fluidos,
electromagnetismo, estado sólido, mecánica
estructural, entre otros, soportando la
integración de problemas de diferentes
campos de la física.
FlexPDE es un software de propósito general
para obtener soluciones numéricas
para ecuaciones diferenciales parciales en 2 o
3 dimensiones, puede resolver problemas de
estado estacionario o dependientes del
tiempo, análisis de valores propios y
problemas de la frontera libre. Se basa en
el Método de los Elementos Finitos.
ELMER Multiphysics es un software de
simulación Multi-física de código abierto.
Resuelve las ecuaciones diferenciales
parciales mediante el método de los
elementos finitos e incluye modelos en todas
las ramas de la física.
III. MARCO TEÓRICO.
Un diodo semiconductor consiste en dos
regiones con diferente dopaje, un tipo p con
alta concentración de huecos y otro tipo n con
alta concentración de electrones. El ánodo es
negativo indicando la aceptación de
electrones, es decir, la región p recibe
electrones. El cátodo es positivo e indica que la
región n dona electrones, es decir, pierde
electrones.
Figura 1. Representación gráfica del diodo.
[3]
A partir de las ecuaciones de Maxwell, la teoría
de transporte de Boltzmann y suponiendo la
ausencia de campos magnéticos y densidades
de estado constantes es posible expresar un
modelo de semiconductor. El modelo
presentado del problema usa tres variables
dependientes 𝜓, 𝑛 𝑦 𝑝. Incluso en la forma más
simple de este modelo existen fuertes
dependencias no lineales. Las tres ecuaciones
básicas del semiconductor son:
Donde:
𝜓: indica potencial electrostático.
𝑞: carga elemental.
𝑝 y 𝑛 son las concentraciones de huecos y
electrones respectivamente.
𝑁: carga fija asociada con los donantes
ionizados.
𝐽𝑛 𝑦 𝐽𝑝 se pueden expresar así:
Donde 𝜇𝑛 𝑦 𝜇𝑝 son movilidades de la portadora
y de 𝐷𝑛 𝑦 𝐷𝑝 son las difusividades de la
portadora.
El término 𝑅𝑆𝑅𝐻 representa la recombinación
Shockley-Read-Hall, que es en general un
proceso de recombinación utilizando trampas
en el espacio prohibido del semiconductor
(proceso para ir de una órbita de valencia a
una de conducción y viceversa en un par
hueco-electrón). Se puede expresar así:
Donde:
voltaje aplicado más la diferencia de energía
entre el nivel de Fermi y el nivel de referencia
utilizado para el potencial electrostático. La
diferencia de energía tiene una dependencia
logarítmica de las concentraciones de
portadores. Las condiciones de frontera son:

𝑛𝑖 es la concentración de la portadora
intrínseca.

𝜏𝑛 𝑦 𝜏𝑝 tiempos de vida de la portadora.

𝑛1 𝑦 𝑝1 son parámetros relacionados con el

nivel de energía de la trampa.

Si el nivel de la trampa se encuentra en el

medio del espacio de banda (que asume el Donde 𝑉𝑎 es el voltaje aplicado. Este es el tipo
modelo) entonces 𝑛1 𝑦 𝑝1 son iguales a 𝑛𝑖. de contacto eléctrico más simple, también
puede definirse un contacto de metal
Condiciones limitadas. específico como el aluminio o el titanio y
especificar la corriente en el contacto en lugar
Para los límites en contacto con un aislador y de la tensión.
para los límites muy alejados del área del
dispositivo activo, el campo eléctrico y las La geometría del diodo aparece a
corrientes tienen una componente normal continuación:
igual a cero. Se puede escribir así:

En los límites en contacto con un metal, el

potencial electrostático es fijo, si la velocidad
de recombinación es infinita en el contacto, la
ley de acción masiva es válida:

Si no hay carga en el contacto es posible Figura 2. Geometría del diodo

calcular las concentraciones de portadores
usando la ley anterior y la concentración de
dopante 𝑁. El voltaje aplicado es igual al nivel
de Fermi en el semiconductor en el contacto,
por lo que el potencial electrostático es igual al
semiconductor.
Las líneas más gruesas indican contactos
eléctricos. Este ejemplo aplica un potencial Va
al ánodo, y el cátodo está conectado a tierra.
Propiedades del material:

El material más común usado para los

semiconductores es el silicio, a continuación,
se muestran algunas propiedades claves de
este:

Las siguientes constantes se usan en la expresión

para N:

Figura 3. Propiedades del silicio.

Función de concentración dopante:

El dopado del tipo p del diodo se puede Figura 4. Constantes para calcular N.
aproximar mediante una función de Gauss Condiciones limitadas:
(Implantación o difusión) de átomos
aceptores. El dopado de tipo n y la capa Las condiciones limitadas son:
epitaxial de tipo n también se puede modelar
con una función de Gauss. La expresión final
para el dopaje con diodo es:

Donde:

𝑁𝐷𝑛: es el dopado de la capa epitaxial.

𝑁𝐷𝑛𝑚𝑎𝑥: es el dopante del sustrato.
𝑁𝐴𝑝𝑚𝑎𝑥: el pico de la implantación del perfil de
difusión.
𝐺: es la función de Gauss definida por:
Para calcular un valor de la corriente, puede
usar restricciones débiles para condiciones de
frontera de contacto. Para implementar las
condiciones de frontera débiles de n y p, debe
introducir los multiplicadores de Lagrange 𝑙𝑚2
y 𝑙𝑚3 en el ánodo y en el cátodo. Las variables
𝑙𝑚2 y 𝑙𝑚3 proporcionan un valor más preciso
que el que se obtiene por la expresión para las
densidades actuales, por lo tanto, las
densidades de corriente normales hacia afuera
son 𝑞𝑙𝑚2 y −𝑞𝑙𝑚3, para electrones y agujeros,
respectivamente.
Estudio paramétrico: Para calcular las corrientes a través del ánodo
y el cátodo se debe integrar la componente
La solución del problema numérico para un normal de las densidades actuales
voltaje de ánodo más alto es extremadamente
difícil. Sebe aumentar el voltaje de 0V en
pequeños pasos y usar la solución de un paso
anterior como condición inicial para el
siguiente. El solucionador paramétrico se Que son más exactamente disponibles por los
ocupa de esto automáticamente. El voltaje del multiplicadores de Lagrange 𝑙𝑚2 y 𝑙𝑚3 ,
ánodo Va varía de 0V a 1V en pasos de 0.025. respectivamente. Las corrientes a través del
También debe proporcionar el solucionador no ánodo y el cátodo son:
lineal una estimación inicial de la solución
correspondiente a Va=0 que sea compatible
con las condiciones de contorno.

Debido a que la geometría es 2D, la unidad

[A/um] se usa para la corriente. Se tiene en
cuenta que la 𝐼𝑎 e 𝐼𝑐 son vectores con un valor
para cada valor del voltaje. La concordancia
exacta de las corrientes de ánodo y cátodo es
una consecuencia del método de elementos
La conjetura inicial para lm2 y lm3 es cero.
finitos. Para ver esto se consideran las
Debido a que el problema no es lineal debe
ecuaciones débiles:
convertirse a la forma general para obtener
una convergencia jacobiana correcta y rápida.

Comsol Multi-física permite establecer valores

de referencia para los grados de libertad
(tolerancia relativa, solucionador no
−6
lineal=10 ). Los errores de redondeo en las
ecuaciones inducen errores de esta magnitud. Que son válidas para todas las funciones de
Para este problema, el control de longitud de prueba 𝑈𝑡𝑒𝑠𝑡 y 𝑉𝑡𝑒𝑠𝑡 en el espacio de
paso del parámetro funciona mejor si utiliza la elementos finitos.
opción altamente no lineal. Tolerancia
absoluta es la escala de la tolerancia relativa. B es la unión del ánodo y cátodo. Tomando
El solucionador ignora los errores que están 𝑈𝑡𝑒𝑠𝑡 = 𝑉𝑡𝑒𝑠𝑡 = 1 y la resta de estas se obtiene:
por debajo de esta

𝜇, 𝜓, 𝑣 = 10−6 𝑙𝑚2, 𝑙𝑚3 = 10^ − 4

Calculo de las corrientes:

Que muestra que 𝐼𝑎 = 𝐼𝑐.
Un parámetro muy importante en la ecuación
del diodo es el factor de idealidad 𝜂.

El factor 𝜂 se encuentra entre 1 y 2 donde

𝜂 = 1 representa un diodo ideal. En un diodo
con 𝜂 = 2, la corriente es recombinada
(generación controlada). En la figura se puede 2. Se elige el tipo de material del que
identificar 2 pendientes diferentes en la región está compuesto el modelo, en
de polarización directa del diodo. Estas este caso silicio.
pendientes dependen del factor de idealidad,
la primera con 𝜂 = 1.6 y la segunda con 𝜂 =
1.08. Esta situación es común para los diodos
de silicio ordinarios con sesgos hacia adelante
bajos. La corriente esta casi controlada por
recombinación, y cuando de incrementa el
sesgo, las características actuales se vuelven
casi ideales 𝜂 = 1.

3. Finalmente se calcula el modelo:

En menú principal: Calcular

Figura 5. Curva característica I vs V.

A continuación, se explica cómo se realiza la
simulación en el software Comsol Multi-física:

1. Se abre el modelo del diodo

semiconductor contenido en las
librerías de Comsol. Este diseño ya
está prediseñado.
 4. El modelo obtenido se muestra en necesario para definir posteriormente las
la siguiente figura: condiciones:

1. Configuración del Solver:

Para poder visualizar los resultados de

la simulación usando ElmerPOST,
debemos configurar el Solver, de
manera que el archivo de salida sea de
tipo “.ep”, que es el que acepta
ElmerPOST, así:

- Se da clic en Model y luego en Setup. Se

visualiza la siguiente ventana:

Simulación ELMER Multiphysics:

Al importar el modelo de COMSOL al software

ELMER Multifísica se observa:

Luego de configurar este campo, le damos aplicar

y procedemos con los pasos restantes.

Con la geometría en Elmer verificamos cómo

quedaron definidos los bordes, lo cual es
 2. Ecuación: Dado que en este caso no vamos
a variar los potenciales aplicados con
respecto al tiempo, hacemos clic en
Model, luego en Equation, luego en Add y
seleccionamos la opción de ecuación
electrostática, verificando que ésta se
aplique a ambos cuerpos del diodo:

Para nuestra simulación, y ante la dificultad al

intentar configurar nuevos materiales o variar
las características de los disponibles,
seleccionamos dos semiconductores similares
entre los disponibles: Silicona y Vidrio (silicio).

En este punto debemos realizar una nueva Aplicamos el silicio en la componente superior
configuración, en la que se establezca los análisis
que deseamos que Elmer realice, dando clic en
“Edit Solver Settings” y marcando las casillas
necesarias, así:

3. Material: Elmer Multiphysics

tiene un breve listado de
materiales disponibles para usar
en sus simulaciones, entre ellos:
Debemos tener en cuenta que se debe configurar
la permitividad relativa del material. En el caso del
silicio es 12:
- Establecimos que en el borde 5
Para el cuerpo restante seleccionamos como
material el vidrio, cuya permitividad relativa es
4.7:
- También establecimos que en los
4. Condiciones de frontera: En este punto
es necesario haber identificado los
diferentes bordes de la figura para
poder establecer las condiciones de
frontera del potencial eléctrico. Para
ello hacemos clic en Model, luego en
Boundary conditions y finalmente en
Add:
estará el contacto metálico con un
potencial de 5 voltios, así:
restantes bordes externos el potencial
será de cero voltios. No se establece
ninguna condición de borde en la
frontera entre los materiales con el fin
de observar el comportamiento del
potencial eléctrico en este punto. Para
ello volvemos a hacer clic en Model,
luego en Boundary conditions y
finalmente en Add:
 El computado procesará los datos de la
simulación y generará una gráfica de
convergencia y un log donde se verá
todo el procesamiento realizado:

5. Generación del archivo “.sif”: Para

realizar la simulación del modelo,
Elmer genera un archivo “.sif” que
contiene todos los datos y
configuraciones que se realizaron
en modo de texto. Para lograrlo se
debe hacer clic en sif, luego en
generate. Se debe tener en cuenta
que se genera un archivo llamado 7. Resultados: Los resultados de la
“case.sif” que debe reescribirse simulación realizada se visualizan
puesto que los cambios no se al abrir el ElmerPOST, haciendo
guardan en él automáticamente. clic en su ícono:
Para ello se debe maximizar la
ventana auxiliar del archivo
case.sif, se selecciona la opción
guardar, se examina la carpeta
donde se encuentra el archivo y
sobreescribe.

6. Simulación: Habiendo hecho

todas las configuraciones
anteriores, el siguiente paso es
simular. Para ello hacemos clic en
el ícono de ElmerSolver
Simulación software Flexpde:
A continuación de abordará un ejemplo
fundamental que ilustra el método
elementos finitos (FEM). FEM es una
técnica numérica más potente y versátil que
otros métodos para manejar problemas
que involucran geometrías complejas y
medios no homogéneos. La generalidad
sistemática del método hace posible
construir programas de computadora de
propósito general para resolver una amplia
gama de problemas. En consecuencia, los
programas desarrollados y hasta aquí
estudiados se emplean con éxito para
resolver problemas en un campo diferente
con poca o ninguna modificación. El análisis
de elementos finitos de cualquier problema
involucra básicamente cuatro pasos:
- discretizar la región de la solución
en un número finito de subregiones
o elementos,
- derivar ecuaciones de gobierno
para un elemento típico,
- montaje de todos los elementos en
la región de la solución, y
- Resolviendo el sistema de
ecuaciones obtenido.
Solución de la ecuación de Laplace Flexpde:
Como una aplicación de FEM a problemas
electrostáticos, se utiliza el software
Flexpde para resolver la ecuación de
Laplace ∇2 𝑉 = 0.
∇2 𝑈 ≡ ∇ ∙ ∇𝑈 ≡ 𝑑𝑖𝑣(𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑈))
𝜕2𝑈 𝜕2𝑈
= + =0
𝜕𝑥 2 𝜕𝑥 2
Utilizando valores conocidos de 𝑈(𝑥, 𝑦) en
un límite rectangular. FlexPDE acepta
operadores div y grad como operadores y
los transforma internamente en el PDE de
segundo orden anterior.
El siguiente script para este problema hace
uso de los comandos mencionados.
Primero, especificamos el error relativo
máximo de la solución mediante la
declaración opcional 𝑒𝑟𝑟𝑙𝑖𝑚 = 1𝑒 − 5 .
Podemos solicitar esta alta precisión,
porque sospechamos que el problema será
fácil.
La siguiente nueva palabra clave es
variables, que encabeza el segmento para la
variable dependiente: la que se debe
resolver. Luego viene el segmento de
ecuaciones con el PDE de Laplace.
El área de solución limitada por el límite se
denomina dominio. En el segmento de
límites, especificamos los valores de la
variable dependiente U en cada uno de los
cuatro lados del rectángulo por medio de
declaraciones de valor. Podríamos haber
suministrado casi cualquier función para los
valores límite, pero el lector escéptico
podría querer convencerse a sí mismo de
que la solución que surge es correcta. La
mejor manera de verificar los resultados
numéricos es usar valores de límite
tomados de una solución analítica. Se sabe
que la parte real, así como la parte
imaginaria de cualquier función compleja
simple f (z) satisface la ecuación de Laplace.
Por lo tanto, especificamos
2 2 2
𝑈 = 𝑅𝑒 (𝑧 ) = 𝑥 − 𝑦 para cada punto
en el límite. El programa no puede "saber"
que U_ex en realidad es la solución; solo
utiliza los valores en el límite y el PDE. Esto
significa que nuestra prueba no es trivial.
(Ver código de implementación).
IV. RESULTADOS

Figura 8. Ecuación de Laplace

Figura 5. Concentración de electrones
COMSOL V. ANÁLISIS DE RESULTADOS.

Se esperaba que la simulación obtenida en

el software Elmer Multifísica fuese igual a
las simulaciones obtenidas en COMSOL
Multifísica y Flexpde. Se logro obtener la
concentración de huecos y electrones. No
fue claro el proceso para agregar las
ecuaciones y graficar en 3D en el software
Flexpde.

Debido a que el modelo en COMSOL ya está

implementado se nota fácilmente la
Figura 6. Concentración de huecos COMSOL
concentración de huecos y electrones en las
regiones p y n respectivamente.

La figura 8 muestra el comportamiento de

la solución de la ecuación de Laplace. Las
gráficas de U y U_ex son indistinguibles a
simple vista. En anticipación, agregamos un
gráfico de U-U_ex, que presenta el error de
la solución numérica. Como puede ver en la
gráfica, el error es menor que 10-9 del valor
máximo de U para este número de nodos.

VI. CONCLUSIONES.

• En el modelo que se generó en

Figura 7. Concentración de huecos ELMER COMSOL Multiphysics podemos
MULTIFISICA observar la distribución cuando
tenemos una alta concentración de
 electrones o una alta concentración los límites internos también. La
de agujeros, ilustrando una mayor rigurosa literatura sobre PDE
presencia de donantes o receptores demuestra que la ecuación de
respectivamente. Laplace tiene exactamente una
• El software ELMER Multiphysics al solución, si se conocen los valores
ser libre posee la libertad de en los límites
ejecutar cualquier programa para
cualquier propósito, además de que
es sujeto a modificaciones y ofrece BIBLIOGRAFÍA.
la posibilidad de obtener copias
para el beneficio global.
[1]Física de la unión P-N. Consultado el
• Una de las características más
1 de octubre de 2018, disponible en:
relevante del software ELMER https://www.uv.es/candid/docencia/T
Multiphysics es que convierte las ema3(01-02).pdf
mallas desde numerosos formatos y
genera estructuras muy simples. [2]Diodo. Consultado el 2 de noviembre
• ELMER Multiphysics incorpora de 2018, disponible en:
diversos Solvers desarrollados. https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Di
Permite acoplar e implementar odo_semiconductor
nuevos scripts, siendo versátil para
la simulación y diseño de proyectos [3]COMSOL Multiphysics. Consultado el
de física e ingeniería. 2 de noviembre de 2018, disponible en:
https://www.addlink.es/productos/co
• La aplicación más relevante del
msol-multiphysics
diodo semiconductor es la
rectificación, es decir que es capaz
[4]Elmer. Consultado el Consultado el 2
de convertir la corriente alterna en
de noviembre de 2018, disponible en:
corriente directa. https://www.csc.fi/web/elmer
• El diodo sólo conduce corriente
cuando está polarizado
directamente, es decir que hay flujo
de electrones de la región N hacia la
región P, pero no en el sentido
contrario, el sentido de aquella es
de cátodo a ánodo.
• En este ejemplo consultado de
aplicación de FEM especificamos los
valores en un límite rectangular,
pero también podríamos haberlo
hecho triangular, circular o
semicircular. Incluso podríamos
haber recortado áreas dentro del
dominio, suministrando valores en