RESPUESTA DE FRECUENCIA EN AMPLIFICADOR DE

BASE COMÚN
(CIRCUITOS ELECTRONICOS I: PREINFORME Nro3)

*DOCENTE: ING. MSC. CUZCANO RIVAS, ABILIO BERNARDINO

*ALUMNO: BOLIVAR HUAYANAY JHONATAN

*CODIGO: 1623225081

*ESCUELA: ING. ELECTRONICA

*GRUPO: 02L

*HORARIO: MIERCOLES DE 3:30PM- 5:10PM

2019
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 RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN BASE COMÚN

I. INTRODUCCIÓN:
En esta parte hablaremos un poco del tema a tratar para que observe lo que
se desarrollara más adelante de manera más detallada.
La terminología relativa a base común se desprende del hecho de que la base
es común a los lados de entrada y salida de la configuración. Además, la base
es usualmente la terminal más cercana o en un potencial de tierra como se
muestra en la figura 1 con transistores pnp y npn.
Esta figura indica además los sentidos de la corriente convencional (Flujo de
Huecos).

Figura 1.- Configuración de base común

De la figura 1, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. También se

nota que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir,
compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada configuración
y la dirección de IC con la polaridad de VCC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, se requiere de dos conjuntos de características, uno para los
parámetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El
conjunto de entrada para el amplificador de base común, como se muestra
en la figura 2, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la
zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida está polarizada muy
inversamente, (VCB > 10V).
El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un voltaje
de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE). Esto es,
corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una
corriente básicamente constante sin importar el valor del voltaje inverso.
Esto quiere decir, serán líneas rectas a lo largo del Eje que partirá de un valor
aproximado a –0,6V. Para un transistor de Silicio.

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 Figura 2.- Curva característica de entrada

II. OBJETIVOS:
 Conocer cómo trabaja el transistor en configuración base común.
 Las relaciones entre la base con el emisor y el colector.
 Observar como son distintos los parámetros de entrada y de salida.
 Saber las diferencias entre sus tres regiones operativas.
 Averiguar cómo hallar la ganancia para este tipo de configuración.
 Aprender las distintas aplicaciones que posee esta configuración.

III. MARCO TEÓRICO:

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base
se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En
esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de
entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que
parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia
de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de
señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, da como
resultado que la ganancia aproximada es:

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja

impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

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 Figura 3.- Base común

Configuración base común

La base es común a la entrada (emisor – base) y a la salida (colector – base)

Figura 4.- Configuración base común (PNP Y NPN)

Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se

requiere de dos conjuntos de características:
 Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada
(VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE
es: VBE= 0.7V

Figura 5.- Parámetros de entrada

 Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB)
para varios niveles de corriente de entrada (IE).

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 Figura 6.- Parámetros de salida

Regiones Operativas
Las regiones operativas se dividen en tres como se ve en la siguiente figura.

Figura 7.- Ubicación de las regiones operativas

Ahora pasaremos a explicar cada una de ellas.

Región Activa
La unión base-colector se polariza inversamente, mientras que la
unión base-emisor se polariza directamente.
Esta es la región más importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como amplificador.
La corriente de emisor, que es la corriente de entrada, está formada
por la suma de la corriente de base y la de colector: IE = IC + IB
En una primera aproximación se puede decir que:

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 IC ≈ IE
Región de Corte
Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un
transistor tienen polarización inversa.
Un transistor esta en corte cuando:
(IC = IE = 0A)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0A (IB =0A)

Región de Saturación
Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un
transistor tienen polarización directa.
Un transistor está saturado cuando:
(IC = IE = IMáxima)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es
0V.

Figura 8.- Región activa, de corte y de saturación

Ganancia de Corriente 𝜶 (alfa)

La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC)
entre la de entrada (IE)

La ganancia de corriente en un transistor es inferior a la unidad, debido a que

la corriente de emisor siempre es algo mayor que la corriente del colector.
Por lo tanto, siempre es menor que 1, en valores entre 0.90 y 0.998.

Ganancia de Voltaje

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 Según se ha visto el transistor de BC no puede producir una verdadera
ganancia de corriente, pero si proporciona ganancias de voltaje

Un transistor típico suele tener una resistencia de entrada de 300 Ω y una

resistencia de salida de 100 kΩ.

IV. APLICATIVOS:

1. Simular el siguiente circuito:

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Frecuencia(Hz) Vin Ganancia F.Angular(rad/s) Vout
0.6K 2V 1.85 3.768 3.7V

2. Simular el siguiente circuito:

Frecuencia(Hz) Vin Ganancia F.Angular(rad/s) Vout

0.7K 2.5V 1.6 4.396 4V

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 3. Simular el siguiente circuito:

Frecuencia(Hz) Vin Ganancia F.Angular(rad/s) Vout

25K 2.78V 1.47 157 4.1V

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V. CONCLUSIONES:

VI. OBSERVACIONES:

VII. BIBLIOGRAFÍA Y ENLACES:

• http://www.emagister.com/uploads_user_home/Comunidad_Emagi
ster_5896_transistor_2.pdf
• https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
• http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el2207/wmarinCH03.pdf
• http://www.academia.edu/3769942/3_3._Configuraci%C3%B3n_en
_Base_Com%C3%BAn

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