UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NUEVO LEON

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA Y

ELECTRICA
Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia
Simulación en PSIM de un Sistema para el control del Factor de Potencia

Nombres:

Hector Miguel Buchard Delgado [1726933]

Sergio Edson Adair Vargas Sánchez [1659865]

Javier Isaías Sustaita Silva [1659865]

Ricardo Antonio Sosa Garza [1791604]

Abdiel Isaí Donoso Martínez [1686476]

Luis Roberto Tirado Cañedo [1835001]

Fecha: 3 de septiembre del 2019

Salón: 1105

Hora: M4-M6 (martes)

1 DISEÑO DE SISTEMAS ELECTRONICOS DE POTENCIA

 Simulación en PSIM de un Sistema para el control del Factor de Potencia
Hector Miguel Buchard Delgado correo: hectorbuchard@gmail.com

Sergio Edson Adair Vargas Sánchez correo: isaiassustaita22@gmail.com

Javier Isaías Sustaita Silva correo: sergio.ed96@gmail.com

Ricardo Antonio Sosa Garza correo: rsosagarza@gmail.com

Abdiel Isaí Donoso Martínez correo: abdielisai3@gmail.com

Luis Roberto Tirado Cañedo correo: robertirado1496@gmail.com

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica. Universidad Autónoma de Nuevo León

San Nicolas de los Garza, Nuevo León, México.

Profesor: Ing. Rodolfo Rubén Treviño M.C. en Telecomunicaciones

Resumen— Utilizando el Programa PSIM, se II. MARCO TEÓRICO

demostrará el funcionamiento de 2 transistores IGBT
trabajando en conjunto, siendo alimentados por
pulsos, dichos pulsos se obtienen de una etapa previa
que se mostrara en el desarrollo de este documento.
Palabras Claves
1. PSIM: Software de simulación de circuito
electrónico, diseñado específicamente para
su uso en electrónica de potencia.
2. OPAM: Amplificador Operacional
3. Transistor IGBT: Transistor bipolar de
puerta aislada. Es un dispositivo
semiconductor que se aplica como
interruptor controlado de circuitos de
electrónica de potencia
I. OBJETIVO
s imulación de un sistema alimentado con
corriente alterna, utilizado para controlar el factor
de potencia, con la finalidad de analizar una
aplicación práctica del transistor bipolar IGBT.
PSIM es un paquete de software de simulación de
circuito electrónico, diseñado específicamente para
su uso en electrónica de potencia y simulaciones de
accionamiento de motor, pero puede usarse para
simular cualquier circuito electrónico.
Como un intento de aprovechar las características
de robustez del BJT y de control del MOSFET, se
desarrollo un transistor bipolar de puerta aislada
(IGBT), siendo estos los dispositivos actuales en
los que se realizan mayores esfuerzos de desarrollo,
en detrimento de los BJT. Existen diversas
estructuras de IGBT que permiten distintos
comportamientos, como la conducción
bidireccional y bloqueo unidireccional, o la
capacidad para soportar bloqueos en inversa. Son
dispositivos similares a los transistores bipolares
con una impedancia de entrada alta y capacidad de
acarreamiento de corrientes altas.

III. MATERIALES
 Libreta

2 DISEÑO DE SISTEMAS ELECTRONICOS DE POTENCIA

  PSIM funcionamiento teórico, para entender realmente lo
que hará el circuito simulado.

IV. DESARROLLO
El primer paso en el desarrollo de esta simulación
fue realizar los diagramas a mano en una hoja de
libreta, con la finalidad e comprender su
Fig.1. Circuito a mano.

Posterior a la realización de estos cálculos teóricos,

se procedió a implementar un circuito en el que las
dos etapas mostradas a continuación trabajan en
conjunto.

Fig. 3. Circuito implementado en PSIM.

En la Figura 4 se muestra la primera etapa del

circuito. Se observa primero una fuente alterna de
180V, después se encuentra un divisor de voltaje,
con la finalidad de reducir el voltaje que entrara en
el OPAM; antes del OPAM encontramos un diodo,
el cual está en condición de rectificador de media
onda. El OPAM esta en condición de comparador,
en la entrada no inversora se encuentra el voltaje
Fig. 2. Cálculos de etapa previa al sistema de IGBT’S
rectificado que sale del diodo y en la inversora
trabajando en conjunto.
tenemos una fuente de voltaje variable.

Fig. 4. Primera etapa del circuito.

3 DISEÑO DE SISTEMAS ELECTRONICOS DE POTENCIA

A continuación, se muestra esta primera etapa
trabajando, se observa que en la salida del OPAM
(VM1) se obtienen pulsos de 1V.

Fig. 5. Simulación de la primera etapa del circuito.

Fig. 9. Simulacion de etapa que sustituye al OPAM

inversor.

La siguiente parte del circuito es similar a la

anterior, la diferencia es que en esta, antes de
ingresar al OPAM que alimentara a los IGBT se
introdujo otro OPAM en condicon de inversor, con
la finalidad de invertir la onda.
Fig. 6. Circuito con OPAM inversor.
En la figura 10, se muestra la parte del circuito en
la que la salida es la alimentacion hacia el segundo
IGBT (M2).
Fig. 10. Etapa completa que sale al M2.

El comportamiento del OPAM en condicion de

inversor (Fig. 7.) no es el desado, esto debido a
ciertas caracteristicas del programa. Fig. 11. Simulación de la primera etapa del circuito

Fig.7. Comportamiento del OPAM inversor.

Fig. 12. Etapa final del circuito.

Dado que el comportamiento no es el esperado, se

procedio a insertar una fuente de alterna con la
mismo voltaje que la primera, pero invertida. Esto
con la finalidad de simular la inversion que se
supone debia haber hecho el OPAM mostrado
anteriormente.

Fig. 8. Sustitucion del OPAM inversor.

4 DISEÑO DE SISTEMAS ELECTRONICOS DE POTENCIA

 V. RESULTADOS Fig. 15.
En esta sección se mostrarán capturas de la
simulación realizada en PSIM. Al realizar la
simulación se busca comparar los resultados
teóricos con los de la simulación. Se mostrará a
continuación la correcta función de las etapas de las
que se hablo en el desarrollo, todas trabajando en
Fig. 16.
conjunto, con su respectiva simulación,
comparando entradas y salidas de los dispositivos.

En la siguiente figura (Fig. 16.), observamos la

En la siguiente figura (Fig. 13.), observamos la
salida de los OPAM’s en condición de
salida de los OPAM’s en condición de
comparadores hacia los IGBT’s. Ahora con una
comparadores hacia los IGBT’s. Con una entrada
entrada de 9V en la entrada no inversora. También
de 3V en la entrada no inversora. También se
se muestra en seguida una comparación de la
muestra en seguida una comparación de la entrada
entrada de alterna, las salidas M1 y M2, y la salida
de alterna, las salidas M1 y M2, y la salida en la
en la carga (Fig. 17).
carga (Fig. 14).
Fig. 16.
Fig. 13.

Fig. 14.
Fig. 18.

En la siguiente figura (Fig. 15.), observamos la En los resultados mostrados anteriormente

salida de los OPAM’s en condición de
comparadores hacia los IGBT’s. Ahora con una
entrada de 5V en la entrada no inversora. También
se muestra en seguida una comparación de la
entrada de alterna, las salidas M1 y M2, y la salida
en la carga (Fig. 16).
observamos una disminución en el ancho de los
pulsos de las salidas M1 y M2, conforme se varía
el voltaje de la entrada no inversora de los
comparadores. Dichos voltajes salen en forma de
pulsos de 1V, que van directamente conectados a la

5 DISEÑO DE SISTEMAS ELECTRONICOS DE POTENCIA

base de los transistores IGBT, permitiendo el flujo PrincipiosFundamentales y Estructuras
de energía en la carga de la etapa final del circuito. Básicas, VOL.3, p.39-115, 2011.

[2] Ing. Luis Eduardo Medina Guzmán

INVERSOR DE FRECUENCIA VARIABLE
VI. CONCLUSIONES CON CORRECCIÓN DE FACTOR DE
La realización de esta simulación resulto un éxito, POTENCIA PARA MOTORES DE
al principio se nos complicó un poco el realizar el INDUCCIÓN MONOFÁSICOS.
circuito, fue muy interesante trabajar con estos
dispositivos. Nunca habíamos oído hablar de ellos,
esta aplicación que se les dio en esta actividad nos
permitió comprender su funcionamiento.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] Eduard Ballester Portillo y Robert Pique
López, Electronica de Potencia:

6 DISEÑO DE SISTEMAS ELECTRONICOS DE POTENCIA