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Tramsistores
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Transistor
Transistorer (cropped).jpg
El tama�o de un transistor guarda relaci�n con la potencia que es capaz de manejar
Tipo Semiconductor
Invenci�n John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (1947)
S�mbolo electr�nico
BJT symbol NPN.svg
Terminales Emisor, base y colector
[editar datos en Wikidata]
El transistor es un dispositivo electr�nico semiconductor utilizado para entregar
una se�al de salida en respuesta a una se�al de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El t�rmino �transistor� es la
contracci�n en ingl�s de transfer resistor (�resistor de transferencia�).
Actualmente se encuentra pr�cticamente en todos los aparatos electr�nicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, l�mparas fluorescentes, tom�grafos, tel�fonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
�ndice
1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tipos de transistor
3.1 Transistor de contacto puntual
3.2 Transistor de uni�n bipolar
3.3 Transistor de efecto de campo
3.4 Fototransistor
4 Transistores y electr�nica de potencia
5 Construcci�n
5.1 Material semiconductor
6 El transistor bipolar como amplificador
6.1 Emisor com�n
7 Dise�o de una etapa en configuraci�n emisor com�n
7.1 Base com�n
7.2 Colector com�n
8 El transistor bipolar frente a la v�lvula termoi�nica
9 V�ase tambi�n
10 Referencias
11 Bibliograf�a
12 Enlaces externos
Historia
Art�culo principal: Historia del transistor
R�plica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies
El f�sico austro-h�ngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit� en Canad� en el a�o
19251? una patente para lo que �l denomin� "un m�todo y un aparato para controlar
corrientes el�ctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores
de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado s�lido del
triodo. Lilienfeld tambi�n solicit� patentes en los Estados Unidos en los a�os
19262? y 1928.3?4? Sin embargo, Lilienfeld no public� ning�n art�culo de
investigaci�n sobre sus dispositivos ni sus patentes citan alg�n ejemplo espec�fico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la producci�n de materiales
semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de
Lilienfeld sobre amplificadores de estado s�lido no encontraron un uso pr�ctico en
los a�os 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.5?
En 1934, el inventor alem�n Oskar Heil patent� en Alemania y Gran Breta�a6? un
dispositivo similar. Cuatro a�os despu�s, los tambi�n alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de G�ttingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la
amplificaci�n de se�ales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
pr�cticos.7?Mientras tanto, la experimentaci�n en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de �xido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a
base de semiconductores por parte del alem�n Walter Schottky y del ingl�s Nevill
Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcci�n de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vac�o.7?
Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales espec�ficos en cantidades espec�ficas) que forman dos uniones bipolares:
el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que est� intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las v�lvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el dise�o
de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32?a diferencia
de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33?
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integraci�n a gran
escala disponible hoy en d�a; para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores interconectados, por cent�metro cuadrado y
en varias capas superpuestas.
Tipos de transistor
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con �tomos de elementos donantes de electrones, como el
ars�nico o el f�sforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o �huecos�) se logran contaminando con �tomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la regi�n de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminaci�n entre ellas (por lo general, el emisor est�
mucho m�s contaminado que el colector).
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingl�s, que controla la
corriente en funci�n de una tensi�n; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de uni�n, JFET, construido mediante una uni�n PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se a�sla del canal mediante un diel�ctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-�xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es met�lica y est� separada del canal
semiconductor por una capa de �xido.
Fototransistor
Art�culo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiaci�n electromagn�tica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Construcci�n
Material semiconductor
Caracter�sticas del material semiconductor
Material
semiconductor Tensi�n directa
de la uni�n
V @ 25 �C Movilidad de electrones
m2/(V�s) @ 25 �C Movilidad de huecos
m2/(V�s) @ 25 �C M�xima
temperatura de uni�n
�C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Al-Si 0.3 � � 150 a 200
Los primeros transistores bipolares de uni�n se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleaci�n semiconductora de silicio-
germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se
describe como elemental.