TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores bipolares son componentes semiconductores activos. Estos tienen 2

junturas PN y por lo tanto 3 capas consecutivas de materiales semiconductores dopados
de manera diferente. Según su secuencia de capas, los transistores bipolares se dividen
básicamente en transistores NPN y transistores PNP. La Fig. 2.1 muestra la secuencia de
capas y los respectivos símbolos para estos 2 tipos de transistores bipolares.

- colector + Colector

P N
- base + Base
N P
P N
N

+ Emisor - Emisor

Fig. 2.1 Secuencia de capas y símbolos de transistores bipolares de tipo PNP y NPN.

En los transistores bipolares las tres capas y sus respectivos terminales se denominan
emisor, base y colector. El emisor (emittere Lat. = producir) suministra los portadores
de carga. EL colector (collector Lat. = colector) los recolecta nuevamente. La base
(basis Lat. = base) es el elemento de control y en anteriores procesos de producción,
también fue la zona base para las dos junturas PN.

Para alcanzar un efecto amplificador la juntura emisor-base debe ser operada en

dirección directa y la juntura base-colector en dirección inversa. Con una pequeña
corriente de control fluyendo en la base, entonces se puede influenciar una corriente
principal considerablemente mayor fluyendo en el colector. La relación entre la
variación de la corriente de colector IC y la variación de la corriente de base IB se
denomina – amplificación de corriente – .
I
 C
I B
Una resistencia conectada en el terminal del colector no solamente limita la corriente
sino que también cambia la amplificación de corriente en una amplificación de tensión
Au. Con esto es posible cambiar una pequeña señal de tensión Uin en la entrada del
transistor en una señal de tensión considerablemente mayor Uout en la salida.
 U out
AU 
U in
El termino ``transistor`` es una palabra artificial derivada de la palabra inglesa transfer =
transferir y resistor = resistencia. El termino bipolar (bi = dos) indica que la corriente
principal se determina por dos diferentes tipos de portadores de carga. En el lenguaje
común los transistores bipolares se denominan usualmente solo transistores. En
contraste con los transistores bipolares, en un transistor unipolar (unum = uno) la
corriente principal fluye únicamente a través de una zona y, por lo tanto, esta
determinada solamente por un tipo de portadores de carga del material semiconductor
respectivamente dopado. Sin embargo, los transistores unipolares, denominados
transistores de efecto de campo (fet) serán tratados mas adelante.

El conocimiento preciso de las propiedades y el comportamiento de los tipos

individuales de transistores también es de gran importancia para el usuario. Por lo que
los diseñadores publican detalladamente los valores característicos y curvas
características en forma de hojas de datos para cada tipo de transistor. Al igual que en
los semiconductores, estos contienen datos característicos, datos limite y curvas
características.

Puesto que un transistor es un cuadripolo con dos electrodos de entrada y dos electrodos
de salida, el número necesario de datos característicos y curvas características es
considerablemente mayor que en el caso de los diodos semiconductores. Algunas curvas
características importantes serán explicadas con más detalle mas adelante.
Los transistores bipolares se fabrican de germanio y de silicio como materiales iniciales.
Debido a sus propiedades superiores los transistores de Si tienen, hoy en día, una
importancia considerablemente mayor que los transistores de Ge.

La clasificación de los numerosos tipos de transistores puede realizarse de acuerdo a

varios puntos de vista. Así, con respecto a los tipos de construcción se realiza una
subdivisión básicamente en transistores de pequeña señal y transistores de potencia.
Esta división n se muestra en la Fig. 2.2.

Transistores bipolares

Transistores de germanio Transistores de silicio

Clasificación como para el Transistores de potencia de Transistores de potencia de Si

Silicio pequeña señal de Si
Fig. 2.2 tipos de transistores
Los
Transistor LF Transistor HF Transistor de Transistor LF Transistor HF Transistor de
tipo PNP tipo PNP Conmutación tipo PNP tipo PNP conmutación
y NPN y NPN tipo y NPN y NPN tipo PNP
PNP y NPN y NPN

transistores de pequeña señal son utilizados mayormente para la amplificación de

pequeñas señales de corriente alterna. Por lo tanto, estos se operan generalmente en un
punto de trabajo fijo y con poca fluctuación alrededor de ese punto. Los transistores de
pequeña señal también pueden ser usados como interruptores electrónicos. Esto implica
un control sobre todo el rango de la curva característica.

Los transistores de potencia están diseñados para mayores corrientes y también para
mayores tensiones. Estos tienen una capsula relativamente grande para disipar
rápidamente el calor que se forma en el cristal. A los transistores de potencia se los
utiliza mayormente como amplificadores de gran señal en etapas de potencia y en etapas
de salida, o como interruptores electrónicos.

Los fabricantes de transistores han introducido un sistema de designación para mejorar

la distinción entre los distintos tipos de transistores. Los fabricantes europeos utilizan
principalmente la codificación PRO ELECTRON, consistente en una combinación de
números y letras.

Para que un transistor pueda trabajar apropiadamente, no debe tener conectada

solamente una tensión colector-emisor sino también una tensión de base lo
suficientemente alta. En este contexto, una estabilización térmica del punto de trabajo
tiene una función particularmente importante. Esta es necesaria porque con el aumento
de la temperatura ambiente ascienden también las corrientes del transistor. En
consecuencia, el cristal continúa calentándose y su conductividad aumenta, lo cual
causa corrientes más fuertes. De esta forma, la potencia de perdida crece continuamente
y finalmente el transistor seria inservible debido a una destrucción térmica.

Los transistores pueden ser operados en tres diferentes circuitos básicos. Estos son el
circuito de emisor común, el circuito de base común y el circuito de colector común. A
estos se los determina según el electrodo que actúa como polo común para la entrada y
salida de la etapa amplificadora de una señal de tensión alterna alimentada. Cada uno de
estos circuitos básicos tiene sus ventajas y desventajas. El circuito de emisor común es
utilizado con mayor frecuencia. El circuito de colector común puede ser utilizado para
transformación de impedancias, y el circuito de base común tiene una particular
importancia en la técnica de alta frecuencia.

En el uso practico, los transistores, además de uno de los tres circuitos básicos,
necesitan otras conexiones. La naturaleza de las conexiones adicionales, con resistencias
y condensadores, se guía básicamente por las tareas que el transistor debe cumplir en un
circuito electrónico. Así se hace una diferencia entre amplificadores de tensión continua,
amplificadores de tensión alterna y amplificadores de conmutación.

Los amplificadores de tensión continua se utilizan siempre que se deban amplificar

tensiones continuas y hasta fluctuaciones de tensión de frecuencias muy altas. Un
ejemplo es el amplificador tipo Y de un osciloscopio. Para que el amplificador de
tensión continua pueda cumplir con su tarea, elementos dependientes de la frecuencia
como los condensadores, no deben influenciar la amplificación. Por otra parte, con
amplificador de tensiones alternas, dependiendo del tipo de transistor y del
dimensionamiento del circuito, se pueden amplificar tensiones alternas con frecuencias
desde algunos hertz hasta algunos gigahertz, pero ninguna tensión continua. Los
condensadores son componentes importantes de estos amplificadores. Los
amplificadores de potencia deben entregar una señal de potencia lo mas grande posible
a la carga. Por ejemplo, la carga podría ser una bocina, una antena de transmisión o un
 motor. A un amplificador de conmutación se les exigen otros requerimientos distintos a
aquellos de los amplificadores de tensiones continuas o alternas. Es decir, los
amplificadores de conmutación deben conmutar muy rápidamente de su estado
encendido a su estado apagado y viceversa. En este sentido, además del
dimensionamiento del circuito, las capacitancias del transistor también juegan un papel
muy importante.

PRINCIPIO BÁSICO

Modelo de operación de los transistores NPN y PNP

Los primeros transistores fueron producidos en un proceso de aleaciones, como una
continuación del desarrollo d los diodos. Para producir dos junturas PN, una píldora de
átomo extraño fue aplicada a ambos lados de un material inicial dopado, según la Fig.
2.3. En el proceso de producción los átomos extraños son difundidos entonces desde
ambos lados hacia adentro del material inicial. La capa intermedia se vuelve muy
angosta y tiene considerablemente menos portadores de carga libres que las capas
exteriores. Según el material inicial utilizado, se puede conseguir una secuencia de
capas NPN o PNP.
Terminal del colector

As
N Si-N
Terminal de la base
Si-P P
Si-N
N
As

Terminal del emisor

Fig. 2.3. Fabricación de un transistor NPN según el proceso de aleación.

En la Fig. 2.4 se representa nuevamente en forma esquemática la construcción de un

transistor NPN y de un transistor PNP con sus junturas PN. Para la operación de un
transistor, entre la base y el emisor se conecta una fuente de tensión, de forma que la
juntura PN inferior opera en dirección directa. En un transistor NPN, la base debe ser
positiva en relación al emisor; por el contrario, en un transistor PNP, la base debe ser
negativa en relación al emisor. La tensión base-emisor requerida para transistores de Si,
UBE  0.7V, se encuentra en el orden de magnitud de la tensión de difusión de los diodos
de Si. Las direcciones de corriente dibujadas marcan la
dirección del flujo de los electrones. I = 100mA
IC = 100mA Colector
C
Colector

Si-N Si-P

Zona de Zona de
bloqueo bloqueo

Base Base
Si-P
10V UCE Si-N 10V -UCE
IB = 1mA IB = 1mA
0.7 0.7
UBE V Si-N -UBE V Si-P

Emisor IE = 101mA Emisor IE = 101mA

 Secuencia de capas NPN Secuencia de capas PNP
Las flechas indican la dirección del flujo
de electrones

Fig. 2.4. Construcción de transistores NPN y PNP.

Por otra parte, la juntura PN superior opera en dirección inversa. Por esto, las fuentes de
tensión están conectadas de manera que, en un transistor NPN, el colector es positivo en
relación al emisor, mientras que el transistor PNP el colector es negativo con relación al
emisor. En consecuencia de las tensiones aplicadas, la juntura PN inferior opera en
dirección directa y la juntura PN superior en dirección inversa. Por esto, en las capas
intermedia y superior se forma una zona de bloqueo. Esta se extiende casi sobre el
ancho total de la capa intermedia, ya que esta es muy angosta y tiene solamente pocos
portadores de carga.

Puesto que la juntura inferior esta polarizada en dirección directa, los portadores de
carga originados en la capa del emisor inundan la zona de bloqueo de la capa
intermedia. En consecuencia, esta zona de bloqueo se desintegra y su resistencia
disminuye. Por consiguiente los portadores de carga originados en el emisor pueden
atravesar la zona de bloqueo desintegrada entrando en la capa de colector y puede fluir
hacia la batería.

Ya que los portadores de carga provienen de la capa inferior, esta se determina como
emisor. La capa intermedia es el punto de inicio para las junturas PN y por esto se le
denomina base. La capa superior recolecta todos los portadores de carga que no han
salido por la base, y tiene la denominación de colector.

La corriente de base IB que fluye a través de la base es considerablemente más pequeña

que la corriente de colector IC que fluye por la zona d bloqueo desintegrada. Por
ejemplo, si una tensión de base UBE  0.7V fluye una corriente de base IB = 1mA,
entonces se produce una corriente de colector IC  100mA. Si IB aumenta debido a un
pequeño incremento de UBE a, por ejemplo IB = 2mA, entonces desde el emisor llegan
mas portadores de carga a la zona de bloqueo. Esta sigue desintegrándose y la corriente
en el colector asciende hasta aproximadamente IC = 200mA. Si UBE se reduce, y por lo
tanto también IB, la resistencia inversa aumenta y la corriente de colector IC disminuye.
La corriente de base IB y la corriente de colector IC actúan proporcionalmente la una con
la otra dentro de unos amplios límites. En un transistor con una pequeña corriente de
base IB como corriente de entrada se puede controlar una corriente de colector I C mucho
mayor como corriente de salida. A esta relación se le denomina como amplificador de
corriente  del transistor.
cambio en la corriente de salida I
Amplificación de corriente  = cambio en la corriente de entrada  I
C

Los transistores NPN y los transistores PNP se diferencian básicamente por la secuencia
de sus capas. Estas determinan una polaridad diferente de las tensiones de base y de
colector. En la Fig. 2.5 se indican nuevamente las relaciones, que fueron representadas
solamente en forma esquemática en la Fig. 2.4, usando los respectivos símbolos de
transistores. En la indicación de las tensiones U BE y UCE, la letra final expresa siempre el
electrodo de referencia. El electrodo de referencia, en este caso, es el emisor E. La
determinación del sentido de la corriente esta basada siempre en el sentido convencional
de la corriente. Todas las corrientes que entran al transistor son positivas, mientras que a
todas las corrientes que salen se les da un signo negativo. Las flechas del emisor
dibujadas en los símbolos de transistores determinan también la dirección convencional
de la corriente. Para que un transistor trabaje, la sección base-emisor debe ser operada
en dirección directa, pero la sección base-colector en dirección inversa.
IC -IC

IB -IB

UCE 10V -UCE 10V

0.7V UBE 0.7V -UBE

-IE IE

Transistor NPN Transistor PNP

Las flechas indican el sentido
convencional de la corriente

Fig. 2.5. Tensiones y corrientes de operación para transistores NPN y PNP

En la Fig. 2.6 se ha introducido una resistencia de colector R C, como resistencia de

trabajo, entre el terminal del colector y la batería. Esta no solamente limita la corriente
del colector, sino que también convierte la amplificación de corriente producida en el
transistor en una amplificación de tensión. Así, el transistor y la resistencia de colector
forman un divisor de tensión para la tensión de operación UB = +10V. Con IC = 5mA y
RC = 1k, cae una tensión de
URC = (5*10-3A)(1*103) = 5V

En la resistencia de colector. Con esto, la tensión colector-emisor, como tensión de

salida se vuelve
UCE = UB – URC = 10V – 5V = 5V.
Si la tensión base-emisor UBE siempre necesaria es aumentada, por ejemplo, a U BE =
0.71V por medio de la tensión alterna suministrada por el generador mostrado, entonces
la corriente de base asciende. Una mayor corriente de base causa una mayor corriente de
colector, la cual puede ascender, por ejemplo, desde IC = 5mA hasta IC = 6.5mA. Esta
mayor corriente de colector produce una mayor caída de tensión de

URC = (6.5*10-3A)(1*103) = 6.5V

en la resistencia de colector RC. Por esto la tensión colector-emisor del transistor debe
caer obligatoriamente desde UCE = 5V hasta UCE = 3.5V. Durante el semiciclo negativo
de la tensión del generador, IB disminuye, y por lo tanto también disminuye I C. A
consecuencia de esto, la tensión colector-emisor UCE asciende. Las curva de tensión y de
corriente, junto con su respectivo circuito de transistor, están mostradas en la Fig. 2.6.

El generador conectado a la base del transistor causa una variación de la corriente de

base de IB = 20A. Esta variación en la corriente de base produce una variación en la
corriente de colector de IC = 3mA, causada por la amplificación de la corriente del
transistor.
Para el caso concerniente, esto produce una amplificación de corriente del transistor de
I 3 *10 3 A
  C   150
I B 20 *10  6 A

La amplificación de tensión AU de un circuito de transistor esta definida de una forma

similar a la amplificación de corriente.

cambio en la tension de salida  U out 

Amplificación de tensión AU =
cambio en la tension de entrada  U in 

( U out ) U CE
AU  
(U in ) U BE
La amplificación de tensión depende además tanto de la magnitud de la amplificación
de corriente del transistor como de la magnitud de la resistencia del colector. En el
ejemplo, una variación en la tensión alterna de entrada UBE = 0.02V produce una
variación en la tensión alterna de salida de UCE = 3V. Por esto, en este caso, la
amplificación de tensión es
3V
AU   150
0.02V
Así, la amplificación de corriente que aparece, como una propiedad del transistor, se
transforma en una amplificación de tensión, debido a la resistencia de colector.

Comparación de transistores de Ge y de Si
Exactamente de la misma forma como en los diodos semiconductores, para los
transistores se pueden utilizar germanio y silicio como material inicial. Los transistores
de Ge y de Si se diferencian, entre otras cosas, en los siguientes puntos esenciales:

TRANSISTOR DE Ge TRANSISTOR DE Si
Tensión base-emisor para IC < 20mA UBE  0.2V UBE  0.6V
Para IC > 20mA UBE  0.3V UBE  0.7V
Máxima temperatura de juntura  J max  90ºC  J max  150ºC
Máxima tensión colector-emisor UCE max  90V UCE max  150V

Debido a sus muchas propiedades superiores, en estos días se producen y se utilizan

preponderadamente transistores de Si.

Curvas características
Las propiedades especiales de un tipo de transistor pueden ser indicadas con precisión
solo por medio de las curvas características. En el caso de un transistor – en contraste
con un diodo – son necesarias varias curvas características para determinar el
comportamiento de sus diferentes valores de tensión y corriente. Así, para la descripción
inequívoca del transistor, las dependencias mutuas de las siguientes cuatro magnitudes
deben ser representadas en curvas características:

Tensión de base UBE Tensión de colector UCE

Corriente de base IB Corriente de colector IC
Las cuatro magnitudes mencionadas se pueden medir con el circuito según la Fig. 2.7, y
de este modo se pueden obtener las diferentes curvas características del transistor
IC
2.2K

BC 237
100
U1 = 5V IB UCE U2 = 5V

1K UBE

Fig. 2.7. Circuito para la obtención de las curvas características del transistor.

Curva característica de entrada

La relación IB = f(UBE) con UCE = constante, esta designada como la curva característica
de entrada del transistor. Esta tiene el mismo recorrido como la curva característica
directa de un diodo de Si. La Fig. 2.8 muestra la curva característica de entrada de un
transistor de Si tanto en escala lineal doble así como en escala lineal-logarítmica. En las
hojas de características de los fabricantes se encuentra por lo general solamente una
representación en escala lineal-logarítmica. El codo de la curva característica mostrado
en la representación lineal doble ya no esta presente en la representación lineal-
logarítmica.

De la curva característica de entrada se puede determinar la resistencia de entrada del

transistor con:

U BE
R BE  con UCE = constante.
I B
En las hojas de datos generalmente se indica la resistencia de entrada en notación
cuadripolar, como un parámetro h:
h11  RBE (Se lee h-uno-uno)

Curva característica de amplificación de corriente

La relación IC = f(IB) con UCE = constante esta designada como la curva característica
de amplificación de corriente del transistor. La curva característica de amplificación de
corriente, según la Fig. 2.9, muestra una relación entre IB e IC.
De la curva característica de amplificación de corriente se puede determinar la
amplificación de corriente del transistor. Sin embargo, se debe diferenciar entre

IC
Amplificación de corriente B  y
IB
I C
Amplificación de corriente dinámica   con UCE = constante.
I B
En las hojas de datos se indica la amplificación de corriente dinámica como h21 . En la
Fig. 2.9 se puede leer que para el transistor respectivo, en el punto de trabajo indicado.

IC 2.5 * 10 3 A I C 1 * 10 3 A
B   250 y    200
IB 10 * 10  6 A I B 5 * 10 6 A
Como la información que expresa la curva característica de amplificación de corriente no
es suficiente, los fabricantes dan generalmente la amplificación de corriente B en función
de la corriente de colector y de la temperatura. Esta relación se muestra en la Fig. 2.10.
Como se ve en la curva característica según la Fig. 2.10, la amplificación de corriente B
depende de la corriente de colector. En base a las propiedades físicas, la amplificación de
corriente disminuye con corrientes de colector altas. Adicionalmente, la dependencia de
la temperatura de la corriente de colector también es aparente.

La curva característica de salida

Para que una corriente de colector pueda fluir, debe estar presente primero una corriente
de base. Por lo tanto, en el diagrama según Fig. 2.11 se muestra que la corriente de
colector no esta solo en función de la tensión colector-emisor, sino también de la
corriente de base. Estas curvas características I C =f(UCE) con IB = constante, se les
denomina como curvas características de salida.
Puesto que una corriente de base puede fluir solamente cuando esta presente apropiada
tensión base-emisor, los fabricantes también dan selectivamente como parámetro la
curva característica de salida con U BE = constante. Estas curvas características de salida
se representan en la Fig. 2.12. De las curvas características de salida se puede
determinar la resistencia de salida del transistor con:
U CE
RCE  con IB = constante
I C
En las hojas de datos generalmente se indica la conductividad de salida en notación
cuadripolar como parámetro h:
1 I C
h22   con IB = constante.
RCE U CE

Curva Característica de control

La curva característica de control es una combinación de la curva característica de
entrada y de la curva característica de amplificación de corriente de un transistor. Esta
curva característica de control IC = f(UBE) con UCE = constante se muestra en la Fig.2.13
en escala lineal y en la Fig. 2.14 en la escala lineal logarítmica usual. La curva
característica de control es de gran ventaja cuando se considera la acción de control y
selección del punto de trabajo más favorable.

La pendiente de la curva característica de control del transistor puede determinarse con:

 I C
y 21  Con UCE = constante.
U BE

El símbolo para la pendiente se deriva de la notación cuadripolar del parámetro llamado

y.

Valores Característicos

Generalidades
De las diferentes curvas características del transistor se pueden determinar muchos
datos importantes para el uso y el comportamiento de los tipos individuales del
transistor. Las curvas características son particularmente importantes cuando los
transistores son utilizados como amplificadores de gran señal, por ejemplo, en etapas de
potencia y etapas de salida, porque entonces las curvas características son utilizadas por
complemento. Sin embargo, cuando los transistores se utilizan como amplificadores d
pequeña señal, por ejemplo, en etapas de preamplificación, entonces las amplitudes de
tensión y corriente de la señal de entrada son pequeñas en relación a los valores de
tensión y de corriente del punto de trabajo. Debido a la pequeña oscilación de la señal,
las diferentes curvas características ya no tienen tanta importancia. Por esto los
fabricantes indican valores característicos específicos para el uso de transistores como
amplificadores de pequeña señal, los cuales proveen al usuario suficiente información
acerca del comportamiento de los transistores.

Exactamente como fue el caso para los diodos, los valores característicos de los
transistores están básicamente divididos en datos limite y datos característicos. Los
datos límite son valores que de ninguna manera deben ser sobrepasados; de otra forma
el transistor seria destruido. Como datos característicos se indican las propiedades del
transistor, las cuales indican su comportamiento para puntos de trabajo específicos.

Estos datos característicos se subdividen nuevamente en datos característicos estáticos y

dinámicos. Los datos característicos estáticos describen el comportamiento en corriente
continua, mientras que los datos característicos dinámicos dan, información sobre el
comportamiento para corriente alterna y la operación de impulso.

Datos limite
Los transistores pueden estar sobrecargados eléctricamente de varias formas:

1. Por una excesivamente alta tensión colector-emisor UCE > UCEmax

2. Por una excesivamente alta corriente de colector IC > ICmax
3. Por una excesivamente alta tensión base-emisor UBE > UBEmax
4. Por una excesivamente alta corriente de base IB > IBmax
5. Por una excesivamente alta potencia de perdida Pper > Ptot
6. Por una excesivamente alta temperatura ambiental amb > amb max

Valores limite para tensiones y corrientes

Al sobrepasar una determinada tensión colector-emisor, la cual esta en función de la
corriente de base, la corriente de colector aumenta súbita y muy fuertemente con U CE.
Esta conducta se denomina como segunda ruptura. Normalmente, un transistor no debe
ser operado en este rango de ruptura. Por esto, en las hojas de datos se indican las
tensiones colector-emisor máximas permisibles en función de una resistencia entre base
y emisor. Esta resistencia esta determinada en el circuito de medición según la fig. 2.15
como RBE.

Fig. 2.15 Circuito básico para la determinación de los valores limite de un transistor.

Según la conexión de la entrada del transistor, para diferentes valores de R BE se obtienen

las curvas características mostradas en la Fig. 2.16.

Las tensiones de ruptura tienen particularmente los siguientes resultados:

UCEO = valor cuando la base esta abierta. IB = 0mA; RBE = .

UCER = valor cuando hay una resistencia entre la base y emisor, e IB < 0mA.
 Valores limite para la potencia de pérdida
Cuando el transistor esta en operación, una tensión es aplicada al colector y a la base, y
no fluye solamente una corriente de colector, sino también una corriente de base. El
producto de las tensiones y corrientes asociadas produce una potencia eléctrica, la cual
causa un calentamiento de todo el cristal semiconductor. La potencia de perdida Pper, que
aparece, no debe exceder la potencia de perdida Ptot, indicada por el fabricante. Se aplica
lo siguiente:
Pper = UCE*IC + UBE*IB  Ptot

El producto de UBE*IB, puede ser ignorado debido a su baja tensión y pequeña corriente,
en comparación con el producto UCE*IC. Por esto, para la potencia de perdida de un
transistor bipolar se aplica

Pper  UCE*IC < Ptot

El transistor BC 237, mencionado anteriormente, tiene una potencia de perdida Ptot =

300mW con una temperatura ambiental de amb = 25ºC. Esto implica que, por ejemplo,
con UCE = 5V puede fluir una corriente de colector máxima de

Ptot 300mW
IC    60mA
U CE 5V
Mientras se pueda mantener amb = 25ºC.

Valores limite para la temperatura de juntura J

Básicamente, la potencia de perdida durante la operación continua, produce calor en la
capa barrera, por lo cual aumenta la temperatura de juntura. Esta temperatura de juntura
J no debe exceder ciertos valores específicos porque el cristal cambia fuertemente sus
características semiconductoras y el transistor se destruye. La temperatura de juntura
permisible depende del material semiconductor y es:

J  90 ºC para transistores de Germanio; y,

J  150 ºC hasta 200 ºC para transistores de Silicio.

Valores limite para la temperatura ambiental amb

Algunos de los fabricantes dan como valor limite en lugar de la máxima temperatura de
juntura, la máxima temperatura ambiental amb. Entonces amb es siempre menor que J.
En la mayoría de las hojas de datos se muestra también un diagrama según la Fig. 2.17,
en el cual se indica la dependencia de temperatura de la potencia de pérdida total
permisible.
De este modo, es posible determinar inmediatamente del diagrama en la Fig. 2.17 cuan
grande es la potencia de perdida para una temperatura ambiental especifica. La
resistencia térmica Rth del transistor esta dada como parámetro. Si el calor generado en
el transistor es disipado por un disipador o montándolo sobre una armazón, entonces la
potencia de perdida total especificada es permisible aun para mayores temperaturas
ambientales. Ya que los problemas de calentamiento del transistor son parecidos a los de
los diodos, los métodos dados para estos pueden ser aplicados directamente a los
transistores.
 Rango de trabajo permisible
Los datos limite listados restringen el rango de trabajo permisible de un transistor
bipolar. En la familia de curvas características de salida del transistor según la Fig.
2.18 están dibujados los datos limite ICmax, UCEO y Ptot.
En la familia de curvas características de salida, cuando se dibuja la potencia de perdida
Ptot, esta produce una llamada hipérbola de potencia de perdida. En la dirección de los
valores más altos el rango de trabajo se limita por U CEO, Ptot e ICmax. El punto de trabajo
debe ser siempre elegido para que se encuentre dentro del rango de trabajo permitido.

Datos característicos
Los datos característicos estáticos dan infamación sobre el comportamiento de corriente
continua de un transistor. Inclusive sin componente alterna en la señal de entrada, el
transistor tiene ciertas propiedades, las cuales no pueden ser cubiertas por las curvas
características. Por esto, en las hojas de datos se indican siempre los siguientes datos
característicos estáticos:
1. Amplificación de corriente continúa
2. Tensión de saturación
3. Corrientes continuas residuales

Amplificación de corriente continúa

La amplificación de corriente continua B representa la relación de la corriente continua
de colector con la corriente continua de base. También se le denomina como
amplificación de corriente estática B.
I
B C
IB
La amplificación de corriente continua no solamente depende de la magnitud de la
corriente continua de colector Fig.2.10, sino también de la temperatura ambiental. Los
fabricantes agrupan algunos tipos de transistores según su amplificación de corriente
continua y los designan entonces con las letras adicionales A, B o C, y a veces también
con números romanos I, II, III o IV. En la tabla de la Fig. 2.19 esta indicada una de
estas agrupaciones para los transistores BC 237, BC 238 y BC 239 para U CE = 5V y amb
= 25 ºC.

Grupo B A B C

Tipo BC 237 BC 327 -

BC 238 BC 238 BC 238
BC 239 BC 239

IC B B B
IC IC IC
mA
IB IB IB

0.01 90 150 270

2 170 (120 hasta 220) 290 (180 hasta 460) 500 (380 hasta 800)
1001 120 2001 4001

1
Valores medidos no aplicables al BC 239

Fig. 2.19 Agrupación de los tipos de transistores según su amplificación de corriente.