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Electrónica de Potencia
Práctica 8
Objetivo
De forma ideal, las formas de onda del voltaje de salida de un inversor deberían ser
senoidales. Sin embargo, en los inversores reales no son senoidales y contienen ciertas
armónicas. Para aplicaciones de mediana y baja potencia, se pueden aceptar los voltajes de
onda cuadrada o casi cuadrada; para aplicaciones de alta potencia, son necesarias las formas
de onda senoidales de baja distorsión. Dada la disponibilidad de los dispositivos
semiconductores de potencia de alta velocidad, es posible minimizar o reducir
significativamente el contenido armónico del voltaje de salida mediante las técnicas de
modulación.
Para evitar un corto circuito se debe asegurar que los transistores M1 y M2 no estén
activos simultáneamente.
2Vcc
Vo sen n t (8.1)
n1,3,5.... n
Para n impar y
Vo=0 para n par
2Vs
V1 0.45Vcc (8.2)
2
Cantidad Descripción
1 Osciloscopio
1 Generador de funciones
2 Mosfet IRFF840
1 Diodo MUR860
1 Multímetro
1 Protoboard
1 Fuente de C.D.
1 IR2110
1 CI 74LS14
2 Diodos 1N4148
2 Resistencias de 1 kW
2 Resistencias de 10 W
1 Capacitor de 10 uF
2 Capacitores de 1000 uF
2 Capacitores de 10 nF cerámicos
3.Desarrollo experimental
A Utilice el generador de funciones para entregar una señal de disparo TTL con una
frecuencia de fo=60 Hz y un ciclo de trabajo del 50 %. El periodo de la señal será
To= 16.66 ms y el ancho de pulso activo será de ton=8.33 ms. Es importante trabajar
el osciloscopio en el transcurso de la práctica en acoplamiento en cd.
B A partir de la señal del generador de funciones se necesita obtener dos señales de
disparo, una para cada transistor del inversor medio puente, para esto se utiliza un
inversor lógico de tal forma que se obtenga la señal complementaria. También es
necesario asegurar que exista tiempo muerto, esto se logra implementando el
circuito de la figura 8.3.
D
Generador
de f unciones
CI CI CI
5V
1k W +
8.33ms
10nF
8.33ms S2
t
D: 1N4148 -
D
CI: 74LS14
CI CI CI
+
1k W
10nF S1
Figura 8.3. Circuito de generación de disparo para el inversor medio puente con tensión de salida
rectangular.
C Una vez implementado el circuito de la figura 8.3 y aplicando la señal del generador
de funciones, mida en el osciloscopio las señales S1 y S2. Compruebe que las
señales tienen la frecuencia y ciclo de trabajo deseado y que sean complementarias.
D Una vez que se tienen las señales de disparo complementarias y con tiempo muerto
se aplicarán al circuito inversor. Implemente el circuito inversor medio puente de la
figura 8.4.
E Aplique las señales de disparo S1 y S2 de la figura 8.3 al circuito de la figura 8.4.
F Con una sola punta del osciloscopio observe el disparo entre compuerta y fuente del
transistor M2, VgsM2.
G Utilizando únicamente un canal del osciloscopio observe el voltaje de disparo del
transistor M1, VgsM1. Incluir la forma de onda en el reporte indicando claramente la
escala de tiempo y de voltaje.
H Utilizando únicamente un canal del osciloscopio observe el voltaje de salida del
inversor, Vo. Incluir la forma de onda en el reporte.
I Mida con el multímetro el voltaje de salida rms. Calcule el voltaje de salida
promedio.
J Mida con el medidor de potencia FLUKE 39 la distorsión armónica del voltaje de
salida, Vo. Dibuje el espectro de frecuencia del voltaje de salida indicando el valor
rms de cada armónico.
K Calcule la distorsión armónica total de la tensión de salida, Vo.
L Mida con el medidor FLUKE 39 los parámetros de rendimiento de la tensión de
salida del inversor con tensión de salida PWM senoidal. Factor armónico de la n-
ésima armónica (HFn), Distorsión armónica total (THD), Factor de distorsión (DF),
Factor de distorsión de los componentes individuales (DFn) y Armónica de orden
más bajo (LOH).
M Llene la tabla con los datos del medidor de potencia.
Señal rectangular
5V 15 V
10W M1 1000 uF
8 7
100nF 9 6 +
VgsM1
S1 10uF + Vo - 15V
10 5 -
11 4
S2 12 3 MUR860
100nF M2
13 2
10W 1000 uF
14 1
+
VgsM2
-
Bibliografía