Transistor de efecto de campo metal-�xido-semiconductor

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MOSFET (Transistor de efecto campo MOS)
D2PAK.JPG
Transistores MOSFET en encapsulado D2PAK. Cada uno maneja 30 A de corriente y 120 V
de tensi�n. Un f�sforo o cerilla aparece al lado para efectos de comparaci�n.
Tipo Semiconductor
Principio de funcionamiento Efecto de campo
Invenci�n Dawon Kahng y Martin Atalla (1960)
S�mbolo electr�nico
Mosfets.svg
Terminales Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S). A veces se incluye un cuarto
terminal de Sustrato (B).
[editar datos en Wikidata]

Estructura del MOSFET donde se muestran los terminales de puerta (G), sustrato (B),
fuente (S) y drenador (D). La puerta est� separada del cuerpo por medio de una capa
de aislante (blanco).
El transistor de efecto de campo metal-�xido-semiconductor o MOSFET (en ingl�s
Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar se�ales electr�nicas. Es el transistor m�s utilizado en la
industria microelectr�nica, ya sea en circuitos anal�gicos o digitales, aunque el
transistor de uni�n bipolar fue mucho m�s popular en otro tiempo. Pr�cticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales est�n basados en transistores
MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),

drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el
sustrato generalmente est� conectado internamente al terminal de fuente y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

El t�rmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio

que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el
silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las
puertas met�licas est�n volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de
incrementar la velocidad de operaci�n de los transistores sin utilizar componentes
met�licos en la puerta. De manera similar, el '�xido' utilizado como aislante en la
puerta tambi�n se ha reemplazado por otros materiales con el prop�sito de obtener
canales fuertes con la aplicaci�n de tensiones m�s peque�as.

Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-

effect transistor) es un t�rmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El
t�rmino IGFET es m�s inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una
puerta que no es met�lica, y un aislante de puerta que no es un �xido. Otro
dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo
metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect
transistor).

�ndice
1 Historia
2 Estructura
3 S�mbolos de transistores MOSFET
4 Funcionamiento
4.1 Estructura metal-�xido-semiconductor
4.2 Estructura MOSFET y formaci�n del canal
4.3 Modos de operaci�n
4.3.1 Corte
4.3.2 Regi�n lineal u �hmica
4.3.3 Saturaci�n o activa
4.4 Efectos de segundo orden
5 Aplicaciones
6 Ventajas con respecto a transistores bipolares
7 Escalamiento del MOSFET
7.1 Razones para el escalamiento del MOSFET
7.2 Dificultades en la reducci�n de tama�o del MOSFET
8 Enlaces externos
9 Referencias
Historia
Art�culo principal: Historia del Transistor de efecto campo
El f�sico austro-h�ngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit� en Canad� en el a�o
19251? una patente para "un m�todo y un aparato para controlar corrientes
el�ctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto
campo. Lilienfeld tambi�n solicit� patentes en los Estados Unidos en los a�os
19262? y 19283?4? pero no public� art�culo alguno de investigaci�n sobre sus
dispositivos, ni sus patentes citan alg�n ejemplo espec�fico de un prototipo de
trabajo. Debido a que la producci�n de materiales semiconductores de alta calidad
a�n no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores
de estado s�lido no encontraron un uso pr�ctico en los a�os 1920 y 1930.5?

En 1948, fue patentado el primer transistor de contacto de punto por el equipo de

los estadounidenses Walter Houser Brattain y John Bardeen6? y de manera
independiente, por los alemanes Herbert Matar� y Heinrich Welker, mientras
trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la
estadounidense Westinghouse, pero al darse cuenta �stos �ltimos de que los
cient�ficos de Laboratorios Bell ya hab�an inventado el transistor antes que ellos,
la empresa se apresur� a poner en producci�n su dispositivo llamado "transistron"
para su uso en la red telef�nica de Francia. 7?

En 1951, Wiliam Shockley solicit� la primera patente de un transistor de efecto de

campo,8? tal como se declar� en ese documento, en el que se mencion� la estructura
que ahora posee. Al a�o siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los
Laboratorios Bell, tuvieron �xito al fabricar este dispositivo, 9?cuya nueva
patente fue solicitada el d�a 31 de octubre de 1952 10? El primer transistor MOSFET
fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin
Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960. 11?12?