UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Facultad de ingeniería eléctrica, electrónica y telecomunicaciones

Apellidos y Nombres: Código:

 Paul Arturo Licla Jarpi  15190015

 Alfredo Oscar Arroyo Angeles  15190100
 Anthony Jaime Galvez Chinchay  15190010
 Rodrigo Machado Pereyra  15190079

Curso: Tema:

LABORATORIO DISPOSITIVOS CARACTERISTICAS BASICAS DEL

ELECTRONICOS DIODO SEMICONDUCTOR

Informe: Nota:
Fechas:
semanal Realización: Entrega:
Numero:

22 de abril del 29 de abril del

3
2016 2016

Grupo: Profesor:

Numero: 10
Ing. Luis Paretto Quispe
Horario: 2:00 – 4:00pm
 Experimento N° 03
I. TEMA: Características básicas del diodo semiconductor (silicio y germanio)
II. OBJETVOS:

 Determinar las características estáticas, dinámicas y otros parámetros

importantes en los diodos semiconductores de silicio y germanio.
 Utilizar las características de operación de los diodos semiconductores.

III. INTRODUCCION TEORICA:

A SEMICONDUCTOR:
Un Semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o
como aislante dependiendo del campo eléctrico en el que se encuentre.

B SEMICONDUCTOR TIPO N:
S obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto
tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de cargas libres (en este caso negativas). Cuando el material
es añadido, este aporta sus electrones más débilmente vinculados a los
átomos del semiconductor. El propósito del dopaje tipo N es el de
producir abundancia de electrones portadores en el material.

C SEMICONDUCTOR TIPO P:
Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto
tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de cargas libre8 en este caso positivo). Cuando el material
dopante es añadido, este libera los electrones más débilmente
vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante
también es conocido como material aceptor y los átomos del
semiconductor que han perdido un electrón como huecos.
 D EL DIODO:
Es un semiconductor que permite el paso de corriente eléctrica en una
única dirección. Los diodos son no lineales porque no cumplen con la ley
de ohm. Es un elemento que tiene polaridad, ósea un lado negativo
conocido como cátodo y un lado positivo conocido como ánodo. Esta
característica de conducción es debido a que los diodos son
componentes dopados, sus materiales de construcción se conocen como
materiales P y materiales N.

IV. MATERIAL Y EQUIPO

1 fuente de corriente continúa variable.

 2 multímetro digital.
3 miliamperímetro
4 micro amperímetro (DC)
5 diodo semiconductor de Si y Ge.
6 Voltímetro analógico de C.C.
7 Resistencia de 100 Ω.
8 Cables y conectores.

V. PROCEDIMIENTO:
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo.
Registrar los datos en la tabla 1.

Rinversa (Ω)
Rdirecta (Ω)
651Ω >60MΩ Tabla 1

2. Armar el circuito en la Figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la

corriente y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la Tabla
2.
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos, proceder como en el paso a, registrando los datos en la
Tabla 3.

Figura 1

Vcc( 0.5 0.5 0.6 0.6 0.9 1.1 1.5 1.7 1.9 2.2 2.7
0.8
V) 2 8 1 8 1 8 1 4 3 5 2
 Id(m 10. 12. 15. 20.
0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0
A) 0 0 0 0
Vd( 0.5 0.5 0.5 0.5 0.6 0.6 0.6 0.6 0.7 0.7 0.7 0.7
V) 15 39 61 93 27 46 75 96 06 15 24 35
Tabla 2

Vcc(
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
V)
Vd(V
0 02.01 3.977 5.96 7.94 9.94 11.99 14.64 14.88
)
Id(µ
0 0 0 0 0 0 0 0 0
A)
Tabla 3

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del

diodo de germanio. Registrar los datos en la Tabla 4.

Rinversa (Ω)
Rdirecta (Ω) Tabla 4
302Ω 120,3KΩ

4. Repetir el circuito de la Figura 1 para el diodo de germanio, de manera

similar al paso 2; proceder a llenar las Tablas 5 y 6.

Vcc( 2.6 3 3.6

0.25 0.3 0.4 0.55 0.75 0.95 1.35 1.85 2.2
V)
Id(m 10. 12. 15. 20.0
0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0
A) 0 0 0
Vd(V 0.15 0.18 0.22 0.24 0.37 0.45 0.62 0.79 0.92 0.97 1.14 1.393
) 1 2 6 7 8 2 5 5 8 5 5
Tabla 5

Tabla 6

Vcc( 0. 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10. 12.0 15.0 18.0 20.0
v) 0 0
Vd 0. 0.87 1.909 3.99 6.02 7.9 9.94 11.0 15.08 18 20.08
(v) 0 5 6 8 2 5
Id 0. 1.0 1.31 1.7 2.3 3.0 3.7 4.7 6.8 10.3 13.9
(µA) 0
x y
0.51
IV cuestionario
5 0.1
0.53 1-grafico de la tabla 2
9 0.2
0.56
1 0.4 y
0.59
3 0.8 25
0.62
7 1.6
0.64
6 2.5 20 20
0.67
5 5
0.69
6 8 15 15
0.70
6 10
0.71 12
5 12
10 10
0.72
4 15 8
0.73
5 20
5 5

2.5
1.6
0.8
0 0.1 0.2 0.4
0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75

Su resistencia dinámica se calcula:

∆ V =Variacion de voltaje ; ∆ I =variacion de corriente

Su resistencia dinámica seria:

 ∆ v 022
r= = =11.51 Ω
∆ i 19.1

Grafica de la tabla 3
16

14

12

10

Id(µA) 8

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Vd(V)

Como se aprecia en la gráfica, la pendiente tiende hacia infinito, luego:

1
R=
m

1
R=
∞

Tenemos que la resistencia e

2- Calcular el grafico Id=F (Vd.) con los datos de la tabla 6:

Falta para la tabla 5
Vcc( 1.0
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
V)
Vd(V 0.8 14.8 17.8 19.7
0 1.97 3.94 5.93 7.91 11.8
) 7 3 1 3
Id(µ
0 2 2.5 4 5 7 12 14.5 19.5 23.5
A)

25
23.5

20 19.5

15
14.5

12
intensidad del diodo(μa)
10 9
7
5
5 4
2 2.5

0 0
0 0.97 1.97 3.94 5.95 7.91 9.91 11.914.8317.819.73

Voltaje del diodo(v)

Su resistencia dinámica se calcula:

∆ V =Variacion de voltaje ; ∆ I =variacion de corriente

Su resistencia dinámica seria:

∆ v 23,3
r= = =1.1809
∆ i 19.73
3-Interpretar los datos obtenidos por las tablas
En la tabla 1
Tomamos como base la intensidad del diodo con determinado voltaje, con el diodo de
silicio que funciona como un interruptor cerrado vemos que el voltaje del diodo cuando el
voltaje varia de [0.52; 2.72] el voltaje del diodo varia de [0.515; 0.735] por lo cual diremos
que el voltaje del diodo es casi determinado sino que su resistencia interna hace que varíe
un poco el voltaje con la intensidad dada.
En la tabla 2
Tomamos como base el Vcc para un diodo de silicio que funciona como un interruptor
cerrado vemos que no pasa corriente y el voltaje del diodo es similar al de la fuente.
En la tabla 3
Para en silicio:

R directa =651 Ω  es menor, Conduce

R inversa=60mΩ es mayor; no conduce

En la tabla 4
Para el germanio

R directa =302 Ω  es menor; conduce

R inversa=120,3kΩ  es mayor, no conduce

En la tabla 5
Tomamos como base la variación de la intensidades, variando el voltaje de la fuente que
varia de forma proporcional al el diodo.
En la tabla 6
Tomamos como base el Vcc poniendo los mismos valores del voltaje de la tabla 1 solo
cambiamos el diodo con diferente resistencia lo conectamos de forma que conduzca
corriente se ve que mientras en voltaje es mayor el voltaje del diodo va tratando de
igualarlo y la Intensidad de corriente del diodo va aumentado de forma progresiva.

4-Explicar los controles de operación de la fuente DC utilizada

5-Exponer sus conclusiones del experimento
Los diodos de germanio se utilizan mejor en circuitos eléctricos de baja potencia. Las
polarizaciones de voltaje más bajas resultan en pérdidas de potencia más pequeñas, lo que
permite que el circuito sea más eficiente eléctricamente. Los diodos de germanio también
son apropiados para circuitos de precisión, en donde las fluctuaciones de tensión deben
mantenerse a un mínimo. Sin embargo, los diodos de germanio se dañan más fácilmente
que los diodos de silicio. Los diodos de silicio son excelentes diodos de propósito general y
se pueden utilizar en casi todos los circuitos eléctricos que requieran de un diodo. Los
diodos de silicio son más duraderos que los diodos de germanio y son mucho más fáciles de
obtener. Mientras que los diodos de germanio son apropiados para circuitos de precisión, a
menos que exista un requisito específico para un diodo de germanio, por lo general es
preferible utilizar diodos de silicio cuando se fabrique un circuito