Celdas Peltier: Una alternativa para sistemas de enfriamiento con base en semiconductor.

Arturo
P. Sandoval G., Enrique Espinosa J., Jorge L. Barahona A. Instituto de Electrónica. Universidad
Tecnológica de la Mixteca. Huajuapan de León, Oaxaca. México. C.P. 69000. Tel. 9535320214 ext.
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Resumen

El efecto Peltier se caracteriza por la aparición de una diferencia de temperaturas entre las dos caras
de un semiconductor cuando por él circula una corriente. Por lo general dichas celdas están fabricadas
con Bismuto para la cara del semiconductor tipo P y Telurio para la cara tipo N. En éste trabajo se
realiza la caracterización en voltaje, corriente y temperaturas de una celda Peltier cuyos parámetros
son los siguientes: tensión máxima de 6V, corriente máxima de 2.5 A, los cuales provocan una
diferencia de temperaturas ∆T=35ºC entre la cara caliente y la cara fría de la celda. Para ello, se
empleó el sistema de adquisición de datos USB-1208FS del fabricante Measurement Computing y
sensores de temperatura de circuito integrado. Los resultados experimentales fueron obtenidos
utilizando instrumentación virtual implementada con el software Labview de National Instruments.
Palabras clave: Efecto Peltier, Temperatura, Semiconductores, Celda Peltie
abstract
The Peltier effect is characterized by the appearance of a temperature difference between the two
faces of a semiconductor when a current flows through it. In general, these cells are manufactured
with Bismuth for the face of the semiconductor type P and Tellurium for the face type N. In this work
the characterization is made in voltage, current and temperatures of a Peltier cell whose parameters
are the following: maximum voltage of 6V, maximum current of 2.5 A, which cause a temperature
difference ΔT = 35ºC between the hot face and the cold face of the cell. For this, the data acquisition
system USB-1208FS of the manufacturer Measurement Computing and integrated circuit temperature
sensors was used. The experimental results were obtained using virtual instrumentation implemented
with Labview software from National Instruments.
Keywords: Peltier effect, Temperature, Semiconductors, Peltie cell

Introducción
El efecto Petler se da por la diferencia de temperatura como consecuencia de del paso de una corriente
entre las dos caras de un semiconductor. La celda Petler está construido por materiales de conductores
de tipo P y N como se indica en la figura 1. En el interior se produce el efecto termoeléctrico
Figura 1: Diagrama interna de una celda Petler
Fuente:(2019).Recuperado de:
https://s3.amazonaws.com/academia.edu.documents/44330774/extenso0207091.pdf?AWSAccess
KeyId=AKIAIWOWYYGZ2Y53UL3A&Expires=1555421373&Signature=UvnT9ASTQawpuDGmTq0
X3b7ceX4%3D&response-content-
disposition=inline%3B%20filename%3DCeldas_Peltier_Una_alternativa_para_sist.pdf

Para aislar los conductores de cobre del disipador se agrega entre ellos una placa de cerámica que
funciona como aislante, cada elemento semiconductor posee una diferencia de potencial
proporcional a la polarización de entrada. los portadores mayoritarios, electrones débilmente
ligados, emigran hacia el lado positivo de cada uno de sus extremos en los elementos
semiconductores tipo N, debido a la atracción de cargas de diferente signo. Mientras que los
portadores mayoritarios, huecos de los elementos semiconductores P, emigran hacia la terminal
negativa que se encuentra en cada uno de sus extremos. Esta ausencia de cargas en cada elemento
semiconductor cerca de la unión metal - semiconductor provoca un enrarecimiento de cargas y el
consecuente descenso de temperatura en el área circundante. La compresión o acumulación de
portadores cerca de la unión metal semiconductor en la parte baja de los elementos
semiconductores provoca un ascenso de temperatura

Figura 2: corte transversal de la celda Petler

Materiales
Cronometro, termómetro celda de Petler, transformador de corriente continua a alterna, placas,
múltimetro, consola y software
Figura 3: Plataforma experimental utilizada para la caracterización de una celda Peltier

Fuente:
Metodología
El procedimiento de caracterización consiste en realizar un registro del comportamiento de la
diferencia de temperaturas entre las caras de la celda contra del tiempo. Adicionalmente es
necesario realizar un registro de la corriente y el voltaje de polarización. El tiempo de operación de
la celda para cada evento de medición, a nivel de voltaje distinto, es de 45 minutos, dejando
transcurrir un lapso de al menos 2 horas entre evento y evento.

Figura4 : Compresión y enrarecimiento de portadores de carga cerca de la unión metal

semiconductor en una celda Peltier.

Resultados
Los datos adquiridos fueron registrados en pantalla y en archivo utilizando un instrumento virtual,
figuras 5 y 6. Implementado con el software Labview 6.1 de National Instruments en una
computadora personal [7]. Los parámetros adquiridos son: voltaje del módulo, corriente del
módulo, temperatura de la cara fría, temperatura de la cara caliente y el tiempo. El voltaje de
polarización máximo del módulo Peltier empleado es de 6 VCD, con una corriente nominal máxima
de 3 A y con una diferencia de temperaturas máxima de 4

Figura 5: Comportamiento de temperaturas tanto en la cara fría como cara caliente de la celda
Peltier con respecto del tiempo.

Discusión
En este momento, 39 minutos después de iniciado el proceso, se alcanza la mayor diferencia de
temperatura entre ambas caras con un ∆T= 33 °C. Para voltajes mayores, como 5 y 6 voltios, el
súbito decremento de temperatura en la cara fría de la celda provoca condensación de agua en su
superficie. Además, también se observa que la variación de temperatura producida por un voltaje
de polarización en la celda y el siguiente nivel de polarización, oscila entre 5 y 10 grados
centígrados.

Conclusiones

 Los resultados experimentales obtenidos permiten concluir cautelosamente que la

velocidad de respuesta de una celda Peltier es considerablemente alta en comparación con
la velocidad de respuesta de sistemas térmicos tradicionales (resistencias calefactoras,
focos incandescentes, etc.); por ello se piensa que es factible emplear este tipo de
elementos como una forma alternativa en aplicaciones relacionadas con la refrigeración,
sobre todo aquellas que requieren de portabilidad.
 se observó que la impedancia total promedio de la celda utilizada varía en función del
tiempo y conforme éste tiende a infinito, alcanza un valor constante de 2.1 Ohms

Bibliografia
Recuperado
https://s3.amazonaws.com/academia.edu.documents/44330
de:
774/extenso0207091.pdf.