1.

Liste y describa algunas posibles aplicaciones de los divisores de

corriente:

Amperímetro a partir del Galvanómetro:

Si tenemos un galvanómetro con una rg =100Ω que soporta una corriente máxima Ig
(ejemplo 10mA) que hace que la aguja llegue al otro extremo, y deseamos medir
corrientes más altas (mayor de Ig, ejemplo: 1000mA) debemos de derivar los 990mA
restantes por una resistencia en paralelo al galvanómetro. A esta resistencia se le
llama “shunt”. Y es de un valor pequeño a comparación del resistencia del
galvanómetro “rg”.

Fig. 1.1

2. ¿Qué es y cómo se manifiesta el efecto de carga cuando se realizan

mediciones de intensidad de corriente?

1El efecto de carga, también conocido como regulación, tiene que ver con el error en la
medición de un determinado parámetro, cuando se emplea un
determinado instrumento que modifica el sistema a medir. Ejemplos clásicos son
las impedancias internas de los equipos electrónicos, así como una resistencia en
paralelo cuando se mide con un voltímetro.1

Si el valor de la resistencia a medir del circuito no está por lo menos a una relación de
1 a 10 con respecto a la resistencia interna del amperímetro (siendo menor el del
amperímetro), este causara un efecto de carga notorio que se visualizara cuando se
desee comparar entre los valores teóricos de los medidos experimentalmente.

1https://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_de_carga
3. Determine la resistencia de los instrumentos para cada escala.

Resistencia interna de voltímetro según su escala:

a. Escala de 3v (Ri = 3KΩ)

b. Escala de 10v (Ri = 10KΩ)
c. Escala de 30v (Ri = 30KΩ)
d. Escala de 100v (Ri = 100KΩ)

Resistencia interna de microamperimetro según su escala:

a. Escala de 30uA (Ri = 9.8KΩ)

b. Escala de 100uA (Ri = 6.67KΩ)
c. Escala de 300uA (Ri = 2.75KΩ)
d. Escala de 1000uA (Ri = 870Ω)
e. Escala de 3000uA (Ri = 298Ω)

Cálculos Teóricos y Simulación del circuito:

Implementamos el “circuito 1”, anotamos las intensidades simuladas y calculamos

teóricamente la corriente por cada resistor.

Fig. 1.2 “Circuito 1”

Fig. 1.3 “Simulación en ISIS-Circuito 1”

Haciendo los cálculos teóricos:

Fig. 1.4

Hallamos la Req entre R6 y R7 para facilitar el cálculo del circuito:

100𝑥220
𝑅𝑒𝑞 𝑅6 𝑦 𝑅7 = = 68.75Ω (𝑅6 𝑑𝑒𝑙 𝑔𝑟𝑎𝑓𝑖𝑐𝑜)
320

La suma de tensión en la malla es igual a cero:

−5 + 100𝑖𝑎 + 2000𝑖𝑎 − 2000𝑖𝑏 = 0

2000𝑖𝑏 − 2000𝑖𝑎 + 500𝑖𝑏 + 470𝑖𝑏 − 470𝑖𝑐 = 0
470𝑖𝑐 − 470𝑖𝑏 + 100𝑖𝑐 + 68.75𝑖𝑐 = 0

Simplificando:

2100𝑖𝑎 − 2000𝑖𝑏 = 5
−2000𝑖𝑎 + 2970𝑖𝑏 − 470𝑖𝑐 = 0
−470𝑖𝑏 + 638.75𝑖𝑐 = 0

Resolviendo el sistema:

𝑖𝑎 = 8.6849𝑚𝐴
𝑖𝑏 = 6.6192𝑚𝐴
𝑖𝑐 = 4.8705𝑚𝐴

Hallando la corriente por cada resistor:

𝑃𝑜𝑟 𝑅1 (100Ω)𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑙𝑎 𝑖𝑎: 𝐼𝑅1 = 8.6849𝑚𝐴

𝑃𝑜𝑟 𝑅2 (2000Ω)𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑙𝑎 𝑖𝑎 − 𝑖𝑏: 8.6849𝑚𝐴 − 6.6192𝑚𝐴 = 𝐼𝑅2 = 2.0657𝑚𝐴
𝑃𝑜𝑟 𝑅3 (500Ω)𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑙𝑎 𝑖𝑏: 𝐼𝑅3 = 6.6192𝑚𝐴
𝑃𝑜𝑟 𝑅4 (470Ω)𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑙𝑎 𝑖𝑏 − 𝑖𝑐: 6.6192𝑚𝐴 − 4.8705𝑚𝐴 = 𝐼𝑅4 = 1.7487𝑚𝐴
𝑃𝑜𝑟 𝑅5 (100Ω)𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑙𝑎 𝑖𝑐: 𝐼𝑅5 = 4.8705𝑚𝐴
Ahora por división de corriente:

𝐼𝑐 (𝑅7) 4.8705𝑚𝐴(100Ω)
𝐼𝑅6 = = 𝐼𝑅6 = 1.522𝑚𝐴
(𝑅6 + 𝑅7) (100Ω + 220Ω)
𝐼𝑐 (𝑅6) 4.8705𝑚𝐴(220Ω)
𝐼𝑅7 = = 𝐼𝑅7 = 3.3484𝑚𝐴
(𝑅6 + 𝑅7) (100Ω + 220Ω)

Tabla 6.1

I1(mA) I2(mA) I3(mA) I4(mA) I5(mA) I6(mA) I7(mA)

Teórico 8.6849mA 2.0657mA 6.6192mA 1.7487mA 4.8705mA 1.522mA 3.3484mA
Simulado 8.69mA 2.07mA 6.62mA 1.75mA 4.87mA 1.52mA 3.35mA

Implementaremos el siguiente circuito, anotamos las corriente I1 e I6 de la simulación y las

calculamos teóricamente, posteriormente completamos la tabla con la potencia de entrada al
circuito y la potencia en R6 teórica.

Fig. 1.5 “Circuito 2”

Fig. 1.6 “Simulación en ISIS-Circuito 2”

Haciendo los cálculos teóricos:

Hallamos la Req entre R2, R3 y R4:

2000Ω. 500Ω
𝑅𝑒𝑞 = (𝑅3||𝑅4) + 𝑅2 = + 100Ω = 500Ω
2500Ω

Req entre R5 y R6:

𝑅𝑒𝑞 = (𝑅5 + 𝑅6) = 200Ω + 100Ω = 300Ω

Nos queda:

Fig. 1.7

Hallamos la Req total, luego de obtener la corriente I, aplicamos divisor de corriente:

500𝑥300
𝑅𝑒𝑞 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = (𝑅2||𝑅3) + 𝑅1 = Ω + 1000Ω = 1187.5Ω
800

Hallamos I:

𝑉𝑓 10𝑣
𝐼= 𝐼= = 8.421𝑚𝐴
𝑅𝑒𝑞 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 1187.5Ω
Por divisor de corriente:

𝐼(𝑅3) 8.421𝑚𝐴(300)
𝐼𝑎 = = = 3.1578𝑚𝐴
(𝑅2 + 𝑅3) (500 + 300)
𝐼(𝑅2) 8.421𝑚𝐴(500)
𝐼𝑏 = = = 5.2631𝑚𝐴
(𝑅2 + 𝑅3) (500 + 300)

La corriente por R1 es la que entrega la fuente y la corriente por R6 es la misma que

“Ib” hallada:

𝐼1 = 8.421𝑚𝐴
𝐼6 = 5.2631𝑚𝐴

Tabla 6.2

R1(Ω) I1 (mA) P1 (mW) R6(Ω) I6 (mA) P6 (mW)

Teórico 100 Ω 8.421mA 7.092mW 100 Ω 5.2631mA 2.77mW
Simulado 100 Ω 8.42mA 7.089mW 100 Ω 5.26mA 2.766mW
Implementamos el “Circuito 3”, con una resistencia de 4.7Ω y una tensión en la fuente de 0.3v.

Fig. 1.8 “Simulación en ISIS-Circuito 3A”

Luego cambiamos la resistencia por una de 47Ω y la fuente a 3v.

Fig. 1.9 “Simulación en ISIS-Circuito 3B”

Haciendo los cálculos teóricos:

Aplicamos ley de ohm para ambos casos:

𝑉 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 0.3𝑣
𝐼= 𝐼= 𝐼 = 63.83𝑚𝐴
𝑅1 4.7Ω
𝑉 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 3𝑣
𝐼= 𝐼= 𝐼 = 63.83𝑚𝐴
𝑅1 47Ω

Tabla 6.3

I teórico (mA) 63.83mA

I simulada (mA) 63.8mA

Tabla 6.4

I teórico (mA) 63.83mA

I simulada (mA) 63.8mA