�ndice general

I Apuntes de la Asignatura 13
1. MODELOS DC DE LOS DISPOSITIVOS ELECTR�NICOS B�SICOS 14
1.1. El diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 14
1.1.1. Modelo de Shockley . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 14
1.1.2. Modelo de la tensi�n de codo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 15
1.1.3. Combinaciones de
diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.1.4. Ejemplo de resoluci�n de circuitos con
diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.1.4.1. Caso 1: Ambos diodos en corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.1.4.2. Caso 2: Ambos diodos en conducci�n . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.4.3. Caso 3: D1 en corte, D2 en conducci�n . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.1.4.4. Caso 4: D1 en conducci�n, D2 en corte . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2. El transistor bipolar de uni�n (BJT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 20
1.2.1. Modelo SPICE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 20
1.2.2. Modelo SPICE simpli#cado por zona de trabajo . . . . . . . . . . . . . . .
21
1.2.2.1. Zona de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2.2.2. Zona activa directa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2.2.3. Zona activa inversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.2.2.4. Zona de saturaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.2.3. Modelo simpli#cado de los
BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.2.4. Ejemplos de resoluci�n de circuitos con transistores bipolares . . . . . . .
. 25
1.2.4.1. Caso 1: Zona de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2.4.2. Caso 2: Zona activa directa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2.4.3. Caso 3: Zona de saturaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.2.4.4. Caso 4: Zona activa inversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3. El transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 28
1.3.1. Modelo cuadr�tico b�sico de un MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3.2. C�lculo del punto de operaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 29
1.3.2.1. Caso 1: Zona de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.3.2.2. Caso 2: Zona de saturaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.3.2.3. Caso 3: Zona lineal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1
Eprints UCM Universidad Complutense de Madrid
1.4. El transistor JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 32
2. MODELOS EN PEQUE�A SE�AL DE LOS DISPOSITIVOS ELECTR�NICOS
B�SICOS 33
2.1. Modelos en peque�a se�al . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 33
2.2. El diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 35
2.2.1. Modelo esencial en peque�a se�al . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 35
2.2.2. Extensi�n del modelo en peque�a se�al del
diodo . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.3. El transistor
BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.3.1. Consideraciones generales sobre el modelo en peque�a se�al de los
transistores 37
2.3.2. Popularidad de los modelos h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 40
2.3.3. Rotaciones entre modelos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 41
2.3.3.1. Rotaciones entre modelos con mismo nodo com�n . . . . . . . . . 43
2.3.3.2. Rotaciones entre modelos similares con distinto nodo en com�n . . 44
2.3.4. Modelo en ? o de
Giacoletto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.3.5. Modelo en peque�a se�al del transistor bipolar a partir del modelo SPICE . .
48
2.3.5.1. Modelo de conductancias en emisor com�n . . . . . . . . . . . . . 48
2.3.5.2. Modelo h�brido en emisor com�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.3.5.3. Modelos h�bridos en base y colector com�n . . . . . . . . . . . . . 50
2.3.5.4. Modelos de Giacoletto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.3.6. Extensi�n del modelo en peque�a
se�al . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.3.6.1. Inclusi�n de resistencias par�sitas . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.3.6.2. Capacidades par�sitas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.3.7. Frecuencia de transici�n de un transistor
bipolar . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.4. El transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 55
2.4.1. Modelo b�sico a bajas
frecuencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.4.2. Par�sitos en un transistor MOS. Capacidades par�sitas. . . . . . . . . . . .
58
2.4.3. Frecuencia de transici�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 60
2.5. El transistor JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 62
3. EL PROBLEMA DE LA POLARIZACI�N 64
3.1. �Qu� es la polarizaci�n? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 64
3.1.1. Consideraciones
generales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.1.2. T�cnicas de polarizaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 65
3.2. Redes de polarizaci�n resistivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 65
3.2.1. Red simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 65
3.2.2. Red simple con una �nica
alimentaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.2.3. Red con realimentaci�n colector-base (drenador-puerta) . . . . . . . . . . .
69
3.2.4. Red con degeneraci�n de
emisor/fuente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.3. Sensibilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 73
Ingenier�a Superior en Electr�nica 2
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3.3.1. De#nici�n matem�tica de sensibilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 73
3.3.2. Sensibilidad en redes basadas en un
NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.3.2.1. Red simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.3.2.2. Red con realimentaci�n colector-emisor . . . . . . . . . . . . . . . 75
3.3.2.3. Red con degeneraci�n de emisor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
3.3.2.4. Sensibilidad y realimentaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.3.3. Sensibilidad en
SPICE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.4. Polarizaci�n con fuentes de
corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.4.1. Algunas nociones sobre las fuentes y espejos de
corriente . . . . . . . . . . . 80
3.4.2. Resistencia de
salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.4.3. Referencias de tensi�n
integradas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.4.4. Fuentes de corriente primarias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 82
3.4.4.1. Tecnolog�a bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
3.4.4.2. Tecnolog�a CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
3.4.5. Espejos simples de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 87
3.4.5.1. Espejo simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.4.5.2. Escalado de corrientes en el espejo simple por modi#caci�n de la
geometr�a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
3.4.5.3. Re#exi�n m�ltiple de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.4.6. Espejos Avanzados de Corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 92
3.4.6.1. Espejo de base compensada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.4.6.2. Espejos cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
3.4.6.3. Espejos Wilson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
3.4.6.4. Espejos con degeneraci�n de emisor . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.4.6.5. Espejo Widlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
4. AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE 110
4.1. Nociones generales sobre ampli#cadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 110
4.1.1. �Qu� es un
ampli#cador? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.1.2. Par�metros caracter�sticos de los
ampli#cadores . . . . . . . . . . . . . . . 113
4.1.3. Efectos de la resistencia de fuente en la
entrada . . . . . . . . . . . . . . . 115
4.2. Inserci�n de la peque�a
se�al . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
4.3. Circuitos ampli#cadores de entrada simple con componentes
discretos . . . . . . . . 118
4.3.1. Con#guraci�n de emisor/fuente com�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
118
4.3.1.1. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso bipolar . . . . 118
4.3.1.2. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso MOSFET . . 121
4.3.1.3. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso JFET . . . . 123
4.3.1.4. Comportamiento a bajas frecuencias. Todos los tipos . . . . . . . 123
4.3.1.5. Comportamiento a altas frecuencias. Caso bipolar . . . . . . . . . 125
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4.3.1.6. Comportamiento a altas frecuencias. Caso MOSFET . . . . . . . . 127
4.3.1.7. Comportamiento a altas frecuencias. Caso JFET . . . . . . . . . . 129
4.3.2. Con#guraci�n de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . .
129
4.3.2.1. Con#guraci�n de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . 130
4.3.2.2. Con#guraci�n de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
4.3.3. Con#guraci�n de base/puerta com�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
132
4.3.3.1. Con#guraci�n de base com�n a frecuencias medias . . . . . . . . . 132
4.3.3.2. Con#guraci�n de base com�n a frecuencias bajas y altas . . . . . . 135
4.3.3.3. Con#guraci�n de puerta com�n a frecuencias medias . . . . . . . . 136
4.3.3.4. Con#guraci�n de puerta com�n a frecuencias bajas y altas . . . . . 138
4.3.4. Con#guraci�n de colector/drenador com�n . . . . . . . . . . . . . . . . . .
140
4.3.4.1. Con#guraci�n de colector com�n a frecuencias medias . . . . . . . 140
4.3.4.2. Con#guraci�n de colector com�n a frecuencias bajas y altas . . . . 143
4.3.4.3. Con#guraci�n de drenador com�n a frecuencias medias . . . . . . 144
4.3.4.4. Con#guraci�n de drenador com�n a frecuencias bajas y altas . . . 146
4.4. Circuitos ampli#cadores de entrada simple basados en fuentes de
corriente . . . . . 147
4.5. Circuitos ampli#cadores con varios
transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
4.5.1. Con#guraci�n Colector Com�n - Emisor Com�n (CC-EC) . . . . . . . . . . 152
4.5.2. Con#guraci�n
Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
4.5.3. Con#guraci�n Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 155
4.5.3.1. Tecnolog�a bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
4.5.3.2. Tecnolog�a CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
4.5.4. Con#guraci�n Cascode
Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
5. AMPLIFICADORES DE ENTRADA DIFERENCIAL 162
5.1. Nociones generales sobre ampli#cadores diferenciales . . . . . . . . . . . . .
. . . . 162
5.1.1. De#nici�n y usos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 162
5.1.2. Modo com�n y diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 164
5.2. Pares
diferenciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
166
5.2.1. Par diferencial con cargas
resistivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
5.2.1.1. Tecnolog�a Bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
5.2.1.2. Tecnolog�a CMOS / Transistores JFET . . . . . . . . . . . . . . . 169
5.2.2. No idealidades en un par diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 172
5.2.2.1. Corriente de polarizaci�n de la entrada . . . . . . . . . . . . . . . 172
5.2.2.2. Tensi�n de o#set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.2.2.3. Corriente m�xima de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.2.2.4. Impedancia de entrada y salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
5.2.2.5. Frecuencia m�xima de trabajo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
5.2.3. Pares diferenciales con carga activa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 174
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5.2.3.1. Tecnolog�a bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
5.2.3.2. Tecnolog�a CMOS/JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
5.2.3.3. Mejoras de los pares diferenciales con carga activa . . . . . . . . . 178
5.2.3.4. Uso de pares diferenciales como ampli#cadores operacionales . . . 179
6. ETAPAS DE SALIDA 181
6.1. Introducci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 181
6.1.1. �Por qu� son necesarias las etapas de
salida? . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
6.1.2. Par�metros el�ctricos de una etapa de salida . . . . . . . . . . . . . . . .
. 181
6.2. Etapas de salida t�picas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 183
6.2.1. Seguidor de
emisor/fuente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
6.2.1.1. Seguidor de emisor NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
6.2.1.2. Seguidor de fuente NMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
6.2.1.3. Seguidores PNP y PMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
6.2.2. Pares
complementarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
6.2.2.1. Pares complementarios #push-pull# clase B . . . . . . . . . . . . . 189
6.2.2.2. Etapa push-pull clase AB mejorada (tecnolog�a bipolar) . . . . . . 192
6.2.2.3. Etapa push-pull clase AB mejorada (tecnolog�a CMOS) . . . . . . 192
6.3. Protecci�n frente a sobrecorriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 193
7. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL 195
7.1. Introducci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 195
7.2. Aplicaciones lineales avanzadas del ampli#cador
operacional . . . . . . . . . . . . . 197
7.2.1. Ampli#cador
diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
7.2.2. Ampli#cadores de instrumentaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
199
7.2.3. Circuitos emulados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 200
7.2.3.1. Resistencias negativas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
7.2.3.2. Inducciones simuladas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
7.2.4. Ampli#cadores con ganancia
controlada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
7.2.4.1. M�todo anal�gico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
7.2.4.2. Control digital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
203
7.3. Estructura interna de un ampli#cador operacional . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 204
7.4. No idealidades de un ampli#cador operacional . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . 205
7.4.1. Tensi�n de o#set de la
entrada: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
7.4.2. Corriente de polarizaci�n de la
entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
7.4.3. Ganancia en lazo abierto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 207
7.4.4. Producto ganancia-ancho de banda o frecuencia de ganancia unidad . . . . .
207
7.4.5. Slew
rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
7.4.6. Relaci�n entre fU y slew
rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
7.4.7. Par�metros relacionados con la
salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211
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7.5. Comparadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 211
7.5.1. Nociones generales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 211
7.5.2. Comparadores regenerativos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 212
8. APLICACIONES NO LINEALES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 215
8.1. Circuitos recti#cadores de precisi�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 215
8.1.1. Circuitos recti#cadores sencillos con diodos . . . . . . . . . . . . . . . .
. 215
8.1.2. Recti#cador de media onda de precisi�n o #Superdiodo# . . . . . . . . . . .
216
8.1.3. Recti#cador de precisi�n de media onda con resistencias de realimentaci�n .
218
8.1.4. Recti#cador de onda completa o circuitos de valor absoluto . . . . . . . . .
219
8.2. Ampli#cadores logar�tmicos y exponenciales . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 219
8.2.1. Ampli#cadores logar�tmicos sencillos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 220
8.2.2. Ampli#cadores exponenciales
sencillos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
8.2.3. Otras limitaciones de los circuitos logar�tmicos y exponenciales . . . . . .
. 222
8.2.4. Implementaci�n de multiplicadores, divisores y otras operaciones con ampli-
#cadores logar�tmicos/antilogar�timicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
8.3. Operaciones aritm�ticas con transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 223
8.3.1. Uso de transistores de efecto
campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224
8.3.2. Celdas multiplicadoras con BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 226
8.3.3. Divisi�n, potenciaci�n y ra�ces a base de
multiplicadores . . . . . . . . . . . 226
8.4. Detectores de pico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 228
8.5. Transistores como etapas de salida de ampli#cadores
operacionales . . . . . . . . . 229
9. FILTROS ANAL�GICOS 232
9.1. Propiedades matem�ticas de los
#ltros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232
9.2. Tipos de #ltro con arreglo a la frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 233
9.3. Implementaci�n de #ltros con funciones de primer y segundo orden . . . . . . .
. . 237
9.3.1. Filtros
LP: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
9.3.2. Filtros
HP: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
9.3.3. Filtros
BP: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
9.3.4. Filtros
BR: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
9.3.5. Filtros
AP: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
9.4. Normalizaci�n y escalado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . 238
9.5. Filtros LP de orden superior a 2 basados en funciones matem�ticas especiales .
. . 238
9.5.1. Filtros LP de
Butterworth . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
9.5.2. Filtros LP de Bessel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 240
9.5.3. Filtros LP de
Chebyshev . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
9.5.4. Otros #ltros LP de caracter�sticas
especiales . . . . . . . . . . . . . . . . . 243
9.6. Dise�o de #ltros distintos HP, BP y BR a partir del #ltro equivalente LP . . .
. . . 243
Ingenier�a Superior en Electr�nica 6
Eprints UCM Universidad Complutense de Madrid
9.6.1. Creaci�n de #ltro HP a partir de un LP equivalente . . . . . . . . . . . . .
244
9.6.2. Creaci�n de #ltro BP a partir de un LP equivalente . . . . . . . . . . . . .
244
9.6.3. Creaci�n de #ltro BR a partir de un LP equivalente . . . . . . . . . . . . .
245
9.7. Implementaci�n f�sica de
#ltros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
9.7.1. Filtros pasivos. Red RC en
escalera . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
9.7.2. Filtros activos. Con#guraciones generales. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 247
9.7.2.1. Con#guraciones de polo simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
9.7.2.2. Con#guraciones de Sallen-Key . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
9.7.2.3. Con#guraciones realimentadas con bucle m�ltiple . . . . . . . . . 249
9.7.2.4. Con#guraciones de immitancia generalizada . . . . . . . . . . . . 249
9.7.3. Filtros activos LP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 250
9.7.3.1. Filtros LP con con#guraciones inversoras y no inversoras . . . . . 250
9.7.3.2. Filtro LP de Sallen-Key . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250
9.7.3.3. Filtro LP con con#guraci�n de bucles de realimentaci�n multiples 251
9.7.3.4. Filtro LP con con#guraci�n de immitancia generalizada . . . . . . 251
9.7.4. Filtros activos HP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 252
9.7.4.1. Filtros HP con con#guraciones inversoras . . . . . . . . . . . . . 252
9.7.4.2. Filtro HP de Sallen-Key . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
9.7.4.3. Filtro HP con con#guraci�n de bucles de realimentaci�n multiples 253
9.7.4.4. Filtro HP con con#guraci�n de immitancia generalizada . . . . . . 253
9.7.5. Filtros activos BP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 254
9.7.5.1. Filtros BP con con#guraciones inversoras y no inversoras . . . . . 254
9.7.5.2. Filtro BP con con#guraci�n de bucles de realimentaci�n m�ltiples 254
9.7.5.3. Filtro BP con con#guraci�n de immitancia generalizada . . . . . . 255
9.7.6. Filtros activos BR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 255
9.7.6.1. Filtro BR basado en con#guraci�n de realimentaci�n por bucles
m�ltiples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256
9.7.6.2. Filtro BR basado en con#guraci�n de immitancia generalizada . . 256
9.7.7. Filtros activos AP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 257
10.OSCILADORES 259
10.1. Osciladores
lineales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
10.1.1. Criterio de
Barkhausen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
10.1.2. Ejemplos de osciladores lineales
t�picos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
10.1.2.1. Oscilador de deriva de fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
10.1.2.2. Oscilador de Puente de Wien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263
10.1.2.3. Osciladores de Hartley y Colpitts . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
10.1.2.4. El cristal de cuarzo. Oscilador de Pierce . . . . . . . . . . . . . . 269
Ingenier�a Superior en Electr�nica 7
Eprints UCM Universidad Complutense de Madrid
10.1.3. In#uencias de las no idealidades de los ampli#cadores operacionales en las
caracter�sticas de los osciladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
271
10.1.3.1. Slew rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
272
10.1.3.2. Producto ganancia-ancho de banda . . . . . . . . . . . . . . . . 272
10.1.3.3. Distorsi�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
274
10.1.3.4. In#uencia de las tensiones de saturaci�n . . . . . . . . . . . . . . 275
10.2. Osciladores de relajaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 277
10.2.1. Oscilador en anillo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . 278
10.2.2. Oscilador multivibrador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 279
10.2.3. Oscilador basado en comparador regenerativo . . . . . . . . . . . . . . . .
. 279
11.CIRCUITOS BASADOS EN AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CAPACIDADES 282
11.1. Circuitos Sample & Hold (S/H) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . 282
11.1.1. Diferencias entre circuitos S/H y circuitos Track & Hold
(T/H) . . . . . . . 282
11.1.2. Circuito S/H simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 284
11.1.3. No idealidades asociadas a un circuito
S/H . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
11.1.3.1. Tensi�n de o#set de los ampli#cadores . . . . . . . . . . . . . . . 285
11.1.3.2. Fugas por corrientes de polarizaci�n de la entrada . . . . . . . . 285
11.1.3.3. Limitaciones en frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
11.1.3.4. Efecto pedestal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
11.1.3.5. Rango de tensiones de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
11.1.4. Circuitos S/H Mejorados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 289
11.1.4.1. Circuito S/H con realimentaci�n directa hacia la entrada y reducci�n de
o#set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
11.1.4.2. Circuitos S/H mejorados con reducci�n de o#set . . . . . . . . . 291
11.1.4.3. Circuito S/H con eliminaci�n de efecto pedestal . . . . . . . . . 292
11.1.4.4. Circuito S/H con paso por tierra en periodo de seguimiento . . . 293
11.2. Circuitos basados en la conmutaci�n de
capacidades . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
11.2.1. Condensadores frente a resistencias en circuitos integrados . . . . . . . .
. 294
11.2.2. Ampli#cadores de
carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
11.2.3. Equivalentes resistivos de condensadores conmutados . . . . . . . . . . . .
295
11.2.3.1. Relojes no solapados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
11.2.3.2. Estudio de un equivalente resistivo (paralelo) . . . . . . . . . . . 296
11.2.3.3. Otros equivalentes resistivos de capacidades conmutadas . . . . . 297
11.2.4. Dise�o de un #ltro RC con capacidades conmutadas . . . . . . . . . . . .
297
11.2.4.1. Integrador con equivalente resistivo paralelo . . . . . . . . . . . . 299
11.2.4.2. Integrador con equivalente resistivo insensible a capacidades par�sitas .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 301
Ingenier�a Superior en Electr�nica 8
Eprints UCM Universidad Complutense de Madrid
11.2.5. Limitaciones de los circuitos de capacidades conmutadas . . . . . . . . . .
302
11.2.6. Uso de la transformada
z . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 303
11.3. Otros Circuitos basados en ampli#cadores operacionales y
capacidades . . . . . . . 304
II Par�metros SPICE 305
12.El Diodo seg�n SPICE 306
12.1. Corrientes en el
diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 306
12.2. Capacidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 309
12.3. Efectos de la temperatura sobre corrientes y
potenciales . . . . . . . . . . . . . . . 310
12.3.1. Dependencia de las corrientes de saturaci�n . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 310
12.3.2. Dependencia de los dem�s par�metros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
311
12.4. Ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 312
12.5. Ejemplos de diodos reales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 312
12.5.1.
1N4148 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
312
12.5.2. BAT54 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 313
12.5.3. BZX284-
6V2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 313
12.5.4. LXHL-BW02 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 313
13.El Transistor Bipolar seg�n SPICE 314
13.1. Modelo b�sico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 314
13.2. Corrientes de recombinaci�n en las zonas de carga
espacial . . . . . . . . . . . . . . 316
13.3. Modelado del efecto de alta inyecci�n y del efecto
Early . . . . . . . . . . . . . . . 317
13.4. Modelado de las resistencias
par�sitas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317
13.4.1. Resistencia de base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 318
13.4.2. Resistencia de emisor y
colector . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318
13.5. Incorporaci�n del sustrato y de la capa epitaxial del
colector . . . . . . . . . . . . . 318
13.6. Capacidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 319
13.6.1. Capacidad Base-Emisor (CBE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
319
13.6.2. Capacidad Base-Colector (CBC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 320
13.6.3. Capacidad de base externa a colector interno
(CBX) . . . . . . . . . . . . . 320
13.6.4. Capacidad de uni�n del sustrato . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 321
13.7. Efecto de casi-saturaci�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . .
Eprints UCM Universidad Complutense de Madrid
14.Los Transistores JFET y MESFET seg�n SPICE 324
14.1. Corrientes de fugas en la
puerta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324
14.2. Corriente de drenador a fuente
(IDS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 326
14.2.1. Transistor JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 326
14.2.2. Transistor MESFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 327
14.3. Capacidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 328
14.4. Efectos de la temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 329
14.5. Ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 330
14.6. Ejemplos de transistores reales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 330
14.6.1.
2N3819 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
330
14.6.2.
2N5114 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331
14.6.3. MESFET gen�rico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 331
15.El Transistor MOSFET seg�n SPICE 332
15.1. Par�metros tecnol�gicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 333
15.2. Comportamiento DC del transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 334
15.2.1. Nivel 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . 334
15.2.2. Nivel 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . 335
15.2.3. Nivel 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . 336
15.2.4. Modelos
BSIM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337
15.3. Comportamiento AC del transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . 337
15.3.1. Capacidades de solapamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. 337
15.3.2. Capacidades de
uni�n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338
15.3.2.1. CJ,S,BX: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
338
15.3.2.2. CJ,L,BX: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
339
15.3.2.3. CD,BX: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339
15.4. In#uencia de la temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 339
15.5. Ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 340
15.6. Ejemplos de transistores reales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . 340
15.6.1. IRF250 e
IRF9540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 340
15.6.2. BSH103 y BSH201 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
340
15.6.3. Transistores integrados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . 341
III Ex�menes resueltos 342