UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS – ESPE

Nombre: René Yánez

Aula: A-206

TEMA: SEMICONDUCTORES: DIODOS

RESUMEN

En el presente informe vamos a explicar el comportamiento de los diodos en un circuito cerrado de

distintos materiales para observar cuanta potencia en voltios lleva cada uno, y para ello primero
debemos armar el circuito y probar mediante diferentes medidas lo que pasa en cada uno de los
medidores de voltaje tanto para la entrada, para el diodo y para la salida y hacer la comparación en
el informe y realizar sus respectivas conclusiones.

ABSTRACT

In this report we explain the behavior of the diodes in a closed loop of different materials to see
how much power in volts leads everyone, and we must first build the circuit and try using different
measures what happens in each of the voltage meters for both input to the diode and to the output
and make the comparison in the report and make their conclusions.

1. OBJETIVOS:
- Conocer las propiedades de los Semiconductores.
- Explicar el comportamiento de la unión P – N.
- Características de un diodo semiconductor, tanto en el sentido de conducción como en el
sentido de bloqueo.
- Estudio del diodo Zener.

2. MATERIALES Y EQUIPOS:
- Tablero de Circuitos Eléctricos
- Fuente de tensión CC
- Voltímetros CC
- Amperímetros CC
- Multímetro
- Resistencias fijas y variables
- Diodo de Silicio y Zener

3. MARCO TEÓRICO:

Diodo semiconductor

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente

eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo
semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor
conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo,
y un cátodo.

Polarización directa

El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones
se dirigen hacia la unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a
decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unión p-n.

Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial,
cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en
átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta
la batería.

Polarización inversa

El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n
y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería.

A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad y
una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. Cuando
los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo
que los átomos trivalentes adquieren estabilidad y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose
así en iones negativos.

4. PROCEDIMIENTO:
4.1. Para determinar la característica de conducción del diodo utilice el siguiente circuito
eléctrico en donde al diodo se le aplica una tensión en el sentido de conducción.
4.2. Mantenga la resistencia de carga en su máximo valor y fije los instrumentos de medición
en el tablero que contiene el circuito eléctrico.
4.3. Varíe la tensión de entradas (Ue) en pasos de 1 voltio y determine la caída de tensión
directa en el diodo (Ud), mida también la corriente de entrada (le), la corriente directa
que atraviesa el diodo (Id) y la tensión de salida (Us). Trabaja primero con el diodo de
Germanio, Silicio y Zener.
4.4. Para definir la característica de bloqueo del diodo, conmute la polaridad del circuito y
mida los mismos parámetros físicos, mencionados anteriormente.
4.5. Los límites de tensión de entrada, tanto para la característica de conducción como del
bloqueo, dependerán del tipo de diodo que utilice, para ello consulte las características
respectivas.
4.6. Registrar los datos en la hoja técnica.
5. TABULACION DE DATOS:

Los datos obtenidos ordénelos en el siguiente cuadro de valores.

 DIODO: Silicio CONDUCCIÓN
Ue V 1 2 3 4 5 6
Ie A 0.03 0.06 0.11 0.15 0.20 0.25
Ud V 0.5 0.65 0.7 0.73 0.75 0.87
Id A 0.02 0.05 0.09 0.15 0.18 0.25
Us V 0.58 0.65 0.7 0.75 0.76 0.8

DIODO: Silicio BLOQUEO

Ue V -1 -2 -3 -4 -5 -6
Ie A -0.06 -0.12 -0.18 -0.24 -0.3 -0.36
Ud V -0.427 -0.798 -1.292 -1.659 -2.125 -2.418
Id A 0 0 0 0 0 0
Us V -0.417 -0.885 -1.273 -1.63 -2.095 -2.38

DIODO: Zener CONDUCCIÓN

Ue V 1.094 2.073 3.007 4.017 5.07 6.041
Ie A 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12
Ud V 0.998 1.865 2.636 3.637 4.585 5.37
Id A 0.02 0.04 0.06 0.1 0.12 0.14
Us V 0.94 2.76 2.48 3.43 4.23 4.94

DIODO: Zener BLOQUEO

Ue V -1 -2.04 -3.08 -4.05 -5.03 -6.07
Ie A -0.12 -0.32 -0.56 -0.76 -0.96 -1.2
Ud V -0.24 -0.22 -0.2 -0.22 -0.25 -0.32
Id A 0 0 0 0 0 0
Us V -0.18 -0.15 -0.15 -0.18 -0.22 -0.3

DIODO: Germanio CONDUCCIÓN

Ue V 1 2 3 4 5 6
Ie A 0.02 0.05 0.07 0.11 0.12 0.2
Ud V 0.09 1.19 1.49 1.87 2.12 2.45
Id A 0.01 0.04 0.06 0.07 0.12 0.18
Us V 0.67 1.17 1.49 1.58 2.10 2.39

DIODO: Germanio BLOQUEO

Ue V -1 -2 -3 -4 -5 -6
Ie A -0.025 -0.050 -0.070 -0.090 -0.110 -0.130
Ud V -0.69 -1.33 -2.07 -2.67 -3.30 -3.45
Id A 0 0 0 0 0 0
Us V -0.70 -1.32 -2.00 -2.66 -3.29 -3.87

6. PREGUNTAS:

A.- Construya en un mismo gráfico la característica de conducción y bloqueo tanto para el

diodo de Silicio y Germanio. Desarrolle los análisis físicos apropiados.
 0.35
diodo silicio conducción
y = 0.0005e7.4046x
0.3 R² = 0.9342
diodo silicio bloqueo
0.25
Corriente del diodo

y = 0.0092e1.1973x diodo zener conducción

R² = 0.9887 y = 0.0165e0.4353x
0.2
R² = 0.9381
diodo zener bloqueo
0.15
diodo germanio conducción
0.1
diodo germanio bloqueo
0.05
Expon. (diodo silicio
conducción)
0
-4 -2 0 2 4 6 Expon. (diodo zener
Tensión del diodo conducción)

Se puede observar en el grafico que mientras más datos tengamos la curva característica se
asemeja cada vez más a la nuestra y que existe un margen de error según la gráfica muy alto
porque los valores del sistema mediante mínimos cuadrados están muy separados de los puntos
del gráfico.

B.- Realice un gráfico tensión de salida – tensión de entrada para cada diodo, tanto en el
sentido de conducción como en el de bloqueo.

3
diodo silicio
Tensión de salida

2
diodo zener
1
diodo germanio
0
diodo silicio bloqueo
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
-1
diodo zener bloqueo
-2 diodo germanio bloqueo
-3

-4

-5
Tensión de entrada

La grafica nos indica que al momento de comparar cada diodo la tensión de salida depende
mucho del tipo de material de cada diodo, es por ello que se puede observar variaciones grandes
al momento de comparar las tres curvas de los tres diodos.

Y se observa también que el diodo zener tiene más salida de tensión lo que nos dice que es más
eficiente utilizar un diodo con este tipo de material. A partir de observaciones de la gráfica se
aprecia que dicha gráfica en los dos diodos tiende a generar una recta, es decir que el voltaje de
entrada será proporcional al voltaje de salida.
C.-Grafique corriente del diodo – corriente de entrada, considerando el sentido de conducción
como de bloqueo, para cada diodo.

0.3

0.25
Corriente del diodo

0.2
diodo silicio
diodo silicio bloqueo
0.15
diodo zener
diodo zener bloqueo
0.1
diodo germanio
diodo germanio bloqueo
0.05

0
-1.4 -1.2 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4
Corriente de entrada

En la gráfica se observa que todos los gráficos de los diodos tienden a tomar una estructura lineal
lo cual nos dice que ambas intensidades, diodo y de entrada, son directamente proporcionales.

D.- Relacione la curva de conducción y bloqueo con la ecuación:

Id = Io (ee.Ud/KT-1)

Donde:

 Id = Corriente del diodo

 Io = Corriente de saturación equivalente a la corriente inversa.
 e = Carga de electrón 1.6 × 10−19C
 Ud = Tensión del diodo

K = Constante de Boltzman.

E.- Explique como el aumento de temperatura de la unión p-n modificaría los gráficos anteriores

Si aumenta la temperatura de la unión P-N disminuye ligeramente el valor del potencial de barrera
por causa del incremento de los dipolos o pares electrón-hueco. Los efectos de la temperatura en
los materiales semiconductores deben tenerse muy en cuenta al diseñar circuitos eléctricos en
estado sólido.

F.- Cuáles son los parámetros más comunes que identifican a los diodos que usted ha utilizado.
Explique en qué consisten. ¿Cree que se ha rebasado los límites técnicos?

Los diodos son utilizados en cualquier dispositivo electrónico donde su función principal es brindar
la corriente fija necesaria para que no ocurra una sobrecarga de tensión o que al dispositivo no le
llegue el voltaje necesario para que este funcione, el diodo conduce con una caída de tensión de
0,6 a 0,7V. El valor de la resistencia interna sería muy bajo, creo que los límites técnicos no se han
rebasado debido a que el circuito brindaba toda la seguridad posible para los equipos.
G.- Analice la resistencia del diodo en el sentido de conducción y en el de bloqueo.

En conducción:

En este parámetro el diodo se comporta como interruptor cerrad, conduce una caída de tensión y
la resistencia interna es muy baja.

En bloqueo:

El diodo permite que toda la tensión caiga, el valor de la resistencia interna es muy alto, puede
existir una corriente de fuga, se comporta como un interruptor abierto.

H.- En qué se diferencian los electrones libres de los de valencia. Cómo participan ellos en los
semiconductores para efecto de conductividad.

Son los que presentan la facilidad de formar enlaces. Estos enlaces pueden darse de diferente
manera, ya sea por intercambio de estos electrones, por compartición de pares entre los átomos
en cuestión o por el tipo de interacción que se presenta en el enlace metálico, que consiste en un
"traslape" de bandas. Según sea el número de estos electrones, será el número de enlaces que
puede formar cada átomo con otro u otros. Los electrones de valencia son los electrones que se
encuentran en los mayores niveles de energía del átomo, siendo estos los responsables de la
interacción entre átomos de distintas especies o entre los átomos de una misma especie.

En cambio los electrones libres son los electrones de la última capa que están sujetos en forma
bastante ligera y pueden ser desalojados completamente por colisión con otros electrones ó
mediante la acción de fuerzas capaces de excitarlos y producir el desplazamiento de dichos
electrones. Por lo que cuando al Zener o al Silicio se le dopa una parte por mil de Arsénico,
pentavalente por tener 5 electrones de valencia, se produce una red con tantos electrones
sobrantes como átomos hemos añadido del elemento, se forma el Cristal tipo N.

I.- En los semiconductores se utilizó el término hueco como si fuese una partícula autónoma y se
mueven en dirección de la intensidad del campo eléctrico. ¿Realmente existen? ¿Cómo se
explican?

Si existen. Un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de
aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones.
Esto se da cuando los átomos del semiconductor pierden un electrón. Cada hueco está asociado
con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
eléctricamente neutro en general.

J.- La recombinación es un proceso opuesto a la formación de pares, como tal no contribuye a la

conductividad, sin embargo es un proceso importante en los semiconductores, ¿por qué?

Ocurre la recombinación de huecos y electrones cuando dentro de la estructura se polarizan

directamente las uniones P-N. Esta recombinación requiere que la energía que posee un electrón
libre no ligado se transfiera a otro estado.

En todas las uniones P-N una parte de esta energía se convierte en calor y otro tanto en fotones.
En el Si el mayor porcentaje se transforma en calor.

K.- ¿Cómo intervienen los niveles de fermi para explicar la conductividad de los semiconductores?

El concepto de la energía de Fermi es de importancia crucial para la comprensión de las propiedades

eléctricas y térmicas de los sólidos. Ambos procesos eléctrico y térmico implican valores de energías
de una pequeña fracción de un electrón-voltio. Pero las energías de Fermi de los metales están en
el orden de electrón-voltios. Esto implica que la gran mayoría de los electrones no puede recibir
energía de esos procesos, porque no existen estados de energía disponibles.

A temperaturas más altas, una mayor fracción de los electrones puede "puentear" este vacío y
participar en la conducción eléctrica

L.- Usted habrá observado que el diodo zener, tiene características particulares que le diferencian
de los diodos comunes. ¿Cuáles son? ¿Podrán estas propiedades útiles para estabilizar una fuente
de tensión? ¿Cómo?

La principal aplicación que se le da al diodo Zener es la de regulador, un diodo Zener se trata de un

diodo de Silicio que se ha diseñado para que funcione en la zona de ruptura a diferencia de los
diodos comunes que no funcionan en la zona de ruptura. Un regulador con zener ideal mantiene
un voltaje fijo predeterminado a su salida, sin importar si varía el voltaje en la fuente de
alimentación y sin importar como varíe la carga. El diodo zener es la parte esencial de los
reguladores de tensión: estos son circuitos que mantienen la tensión casi constante con
independencia.

7. CONCLUSIONES

- Cuando se le da la vuelta a un diodo este cumple con la función de bloqueo ya que no

permite que fluya corriente dentro del circuito.
- En las gráficas observamos que la tensión y la intensidad van a ser proporcionales
obviamente cuando el diodo permite el paso de corriente en el mismo.

8. BIBLIOGRAFÍA

- http://alerce.pntic.mec.es/~hmartin/electr%F3nica/componentes/diodo.htm
- http://datateca.unad.edu.co/contenidos/203532/exelearning/Modulo/leccin_4diodos_de
_silicio_y_germnio.html
- http://html.rincondelvago.com/diodos-semiconductores_1.html
- http://cursos.olimex.cl/uso-de-diodos-mas-comunes-1/