Transistor: El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para

entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.(«resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

BJT: El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes
dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades
específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). N-P-N o P-N-P, dando lugar a
dos uniones PN.

Transistor no polarizado: Un transistor tiene tres regiones dopadas, como se muestra

en la Figura. La región inferior es el emisor, la región intermedia es la base y la región
superior es el colector.En un transistor real, la región de la base es mucho más
estrecha comparada con las regiones de colector y de emisor. El transistor de la
Figura es un dispositivo npnporque tiene una región p entre dos regiones n. Recuerde
que los portadores mayoritarios son los electrones libres en un material de tipo n y los
huecos en un material de tipo p.

Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de
los diodos diodo emisor, mientras que el colector y la base forman el otro diodo
colector.

El transistor polarizado:Un transistor polarizado es como dos diodos en oposición.

Cada diodo tiene una barrera de potencial de aproximadamente 0,7 V.Cuando se
conectan al transistor fuentes de tensión externas, circularán corrientes a través de las
distintas partes del transistor.

Vbb polariza en directa él diodo de emisor, forzando a los electrones libres del emisor
a entrar en la base. La base es estrecha y está poco dopada, proporcionando el
tiempo suficiente para que todos los electrones se difundan hasta el colector. Estos
electrones atraviesan el colector, la resistencia Rcy entran en el terminal positivo de la
fuente de tensión Vcc-

La conexión en emisor común:La forma mas utilizada de de conectar un transistor: es

en emisor común (EC).En la siguiente Figura, el lado común o tierra de cada una de
las fuentes de tensión está conectada al emisor. Por ello, el circuito se denomina
conexión en emisor común (EC). El circuito tiene dos mallas: la malla de la izquierda
es la malla de la base y la de la derecha es la malla de colector.
Región de corte:

Observe que cuando la corriente de base es cero, existe una pequeña corriente de
colector. Esta curva de la parte inferior es la región de corte del transistor y la pequeña
corriente de colector se denomina corriente de corte de colector.¿Por qué existe esta
corriente de corte de colector? Porque el diodo de colector presenta una corriente
inversa de portadores minoritarios y una corriente de fugas superficial. En un circuito
bien diseñado la corriente de corte de colector es lo suficientemente pequeña como
para poder ignorarla. Por ejemplo, un 2N3904 presenta una Ide corte de colector de 50
nA. Si la corriente de colector real es 1mA, se podria ignorar.

Región de saturación

Cuando VCEtoma valores entre 0 V y unas décimas de voltio, esta parte de la curva
define la región de saturación. En esta región, el diodo de colector no tiene la
suficiente tensión positiva como para capturar todos los electrones libres inyectados en
la base. En esta región, la corriente de base IBmayor que la normal y la ganancia de
corriente βdces menor quela normal.Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de
colector βveces más grande. (recordar que Ic = β* Ib)

jFET:LostransistoresdeefectodecampootransistoresFET(fieldeffecttransistor),sediferen
cianprincipalmentedelostransistoresbipolares,enquelacorrientequeconducendepended
elatensión,esdecir,soncontroladosportensión.DentrodelostransistoresFET,haydostipos,l
osllamadostransistoresFETdeunión(JFET),tambiénllamadossimplementeFET,ylostransi
storesFETdepuertaaislada,tambiénllamadosMOSFET. Con los transistores bipolares
observábamos como una pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba
una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son
dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión.Cuando funcionan
como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión
aplicada a la entrada.

POLARIZACIÓNINVERSADEPUERTA

-
fuente. En un JFET, el diodo puerta-fuente siempre se polariza en inversa. Debido a la
polarización inversa, la corriente de puerta IGes aproximadamente cero, lo que
equivale a decir que el JFET presenta una resistencia de entrada casi infinita. Un JFET
típico tiene una resistencia de entrada de cientos de megaohmios. Esta es la gran
ventaja que un JFET tiene sobre un transistor bipolar y es por lo que constituye una
excelente solución para las aplicaciones en las que se requiere una alta impedancia de
entrada.

El JFET es un dispositivo controlado por tensión porque una tensión de entrada

controla una corriente de salida. En un JFET, la tensión puerta-fuente VGSdetermina
la cantidad de corriente que fluye entre la fuente y el drenador.Si VGSes cero, la
corriente máxima de drenador circula a través del JFET. Por esto, se dice que el JFET
es un dispositivo normalmente en conducción. Por el contrario, si VGS es lo suficiente
negativa, las zonas de deplexión se tocarán y la corriente de drenador se cortará
POLARIZACIÓNENLAREGIÓNÓHMICA

polarizado en la región óhmica, el JFET es equivalente a una resistencia. Cuando está

polarizado en la región activa, el JFET se comporta como una fuente de corriente.

Voltaje de corte

El valor de VGS que hace que ID sea aproximadamente cero es el voltaje de corte.
VGS(corte), como muestra la figura 8-8(d). El JFET debe operar entre VGS 0 V y
VGS(corte). Con este intervalo de voltajes de compuerta a fuente, ID varía desde un
máximo de IDSS hasta un mínimo de casi cero.Como se ha visto, para un JFET de
canal n, mientras más negativo es VGS, más pequeña llega a ser ID en la región
activa. Cuando VGS tiene un valor negativo suficientemente grande, ID se reduce a
cero. El estrechamiento de la región de empobrecimiento provoca este efecto de corte
hasta un punto donde el canal se cierra por completo, como muestra la figura 8-9.

Transconductancia en directa de un JFET

La transconductancia en directa (conductancia de transferencia), gm, es el cambio de

la corriente en el drenaje (¢ID) correspondiente a un cambio dado del voltaje entre
compuerta y fuente (¢VGS) con el voltaje entre drenaje y fuente constante. Se expresa
como un cociente y su unidad es el siemens (S).Otras designaciones comunes para
este parámetro son gfs y yfs (admitancia de transferencia en directa).Como se verá en
el capítulo 9, gm es importante en amplificadores con FET como factor importante al
determinar la ganancia de voltaje.Debido a que la curva de transferencia de un JFET
no es lineal, gm cambia de valor de acuerdo con la ubicación en la curva determinada
por VGS. El valor de gm es más grande cerca del extremo superior de la curva (cerca
de VGS0) que cerca del extremo inferior (casi VGS(corte)), como ilustra la figura 8-
15.gm =

¢ID

¢VGS

En FET

El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el

transistor BJT.El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación
de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS)
Formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de
Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta
el campo eléctrico, y la corriente de Source a Drenador disminuye.El transistor JFET
tiene una alta resistencia de entrada (en Megaohm). Lo que hace que la corriente
atraves del FET sea mas constante.
. Transistores MOSFET.

El MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es otra

categoría de transistor de efecto de campo. El MOSFET, diferente del JFET, no tiene
una estructura de unión pn; en cambio, la compuerta del MOSFET está aislada del
canal mediante una capa de bióxido de silicio (SiO2). Los dos tipos básicos de
MOSFET son el enriquecimiento (E) y el de empobrecimiento (D). De los dos tipos, el
MOSFET de mejora es el más utilizado.Debido a que ahora se utiliza silicio
policristalino para el material de compuerta en lugar de metal, estos dispositivos en
ocasiones se conocen como IGFET (FET de compuerta aislada).

MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET)

El E-MOSFET opera sólo en el modo de enriquecimiento y no tiene modo de

empobrecimiento.Difiere en cuanto a construcción del D-MOSFET, el cual se abordará
a continuación, en que no tiene ningún canal estructural. Observe en la figura 8-34(a)
que el sustrato se extiende por completo hasta la capa de SiO2. Para un dispositivo de
canal n, un voltaje positivo en la compuerta por encima de un valor de umbral induce
un canal al crear una delgada capa de cargas negativas en la región del sustrato
adyacente a la capa de SiO2, como muestra la figura 8-34(b). La conductividad del
canal se incrementa al incrementarse el voltaje de compuerta a fuente y, por lo tanto,
atrae más electrones hacia el área del canal. Con cualquier voltaje en la compuerta
por debajo del valor de umbral, no existe ningún canal.

MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET)

Otro tipo de MOSFET es el MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET); la figura 8-36

ilustra su estructura básica. El drenaje y la fuente se difunden en el material del
sustrato y luego se conectan mediante un canal angosto adyacente a la compuerta
aislada. En la figura se muestran tanto dispositivos de canal n como de canal p. Se
utilizará el dispositivo de canal n para describir la operación básica. La operación de
canal p es la misma, excepto porque las polaridades del voltaje se oponen a las del
canal n.

MOSFET de doble compuerta

El MOSFET de doble compuerta puede ser o de tipo empobrecimiento o de tipo

enriquecimiento.La única diferencia es que tiene dos compuertas, como muestra la
figura 8-43. Como previamente se mencionó, una desventaja de un FET es su alta
capacitancia de entrada, lo cual restringe su uso a altas frecuencias. Utilizando un
dispositivo de dos compuertas, la capacitancia se reduce, por lo que el dispositivo es
útil en aplicaciones de amplificadores de RF de alta frecuencia.Otra ventaja de la
configuración de dos compuertas es que permite una entrada de control automático de
ganancia (AGC, por sus siglas en inglés) en amplificadores de RF. Otra aplicación se
demuestra en la actividad de aplicación, donde la polarización en la segunda
compuerta se utiliza para ajustar la curva de transconductancia.
El tiristor (gr.: puerta) es un componente electrónico constituido por elementos
semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una conmutación1 .
Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,
dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como
aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente
transmiten la corriente en un único sentido. Se emplea generalmente para el control de
potencia eléctrica.El dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones
son de tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2
transistores típicos P-N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona con
tensión realimentada. Se crean así 3 uniones

Funcionamiento básico

El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de los

interruptores mecánicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por
completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son
capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio básico puede
observarse también en el diodo Shockley.El diseño del tiristor permite que éste pase
rápidamente a encendido al recibir un pulso momentáneo de corriente en su terminal
de control, denominada puerta (o en inglés, gate) cuando hay una tensión positiva
entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el ánodo es mayor que en el cátodo. Solo
puede ser apagado con la interrupción de la fuente de tensión, abriendo el circuito, o
bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza
inversamente en el tiristor existirá una débil corriente inversa de fugas hasta que se
alcance el punto de tensión inversa máxima, provocándose la destrucción del
elemento (por avalancha en la unión).Para que el dispositivo pase del estado de
bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el
ánodo, y además debe haber una pequeña corriente en la compuerta capaz de
provocar una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer que el dispositivo
conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el
ánodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el
dispositivo dejaría de conducir.

Formas de activar un tiristor[editar]

Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio,
el número de pares electrón-hueco aumentará pudiéndose activar el tiristor.

Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyección de una

corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y cátodo lo
activará. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuirá el voltaje de bloqueo
directo, revirtiendo en la activación del dispositivo.

Térmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del número de
pares electrón-hueco, por lo que aumentarán las corrientes de fuga, con lo cual al
aumentar la diferencia entre ánodo y cátodo, y gracias a la acción regenerativa, esta
corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activación
podría comprender una fuga térmica, normalmente cuando en un diseño se establece
este método como método de activación, esta fuga tiende a evitarse.
Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor que el
voltaje de ruptura directo, se creará una corriente de fuga lo suficientemente grande
para que se inicie la activación con retroalimentación. Normalmente este tipo de
activación puede dañar el dispositivo, hasta el punto de destruirlo.

Elevación del voltaje ánodo-cátodo: Si la velocidad en la elevación de este voltaje es lo

suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para
activar el tiristor. Este método también puede dañar el dispositivo.

Aplicaciones

Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o tensiones muy grandes,
también son comúnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de
polaridad de la corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo. Se
puede decir que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el
dispositivo está abierto, comienza a conducir corriente en fase con la tensión aplicada
sobre la unión cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la modulación de la
puerta. En este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de
encendido. No se debe confundir con la operación simétrica, ya que la salida es
unidireccional y va solamente del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es
asimétrica.Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en
controladores accionados por ángulos de fase, esto es una modulación por ancho de
pulsos para limitar el tensión en corriente alterna.En circuitos digitales también se
pueden encontrar tiristores como fuente de energía o potencial, de forma que pueden
ser usados como interruptores automáticos magneto-térmicos, es decir, pueden
interrumpir un circuito eléctrico, abriéndolo, cuando la intensidad que circula por él se
excede de un determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente de entrada
para evitar que los componentes en la dirección del flujo de corriente queden dañados.
El tiristor también se puede usar en conjunto con un diodo Zener enganchado a su
puerta, de forma que cuando la tensión de energía de la fuente supera la tensión del
zener, el tiristor conduce, acortando la tensión de entrada proveniente de la fuente a
tierra, fundiendo un fusible.