El transistor es un dispositivo electr�nico semiconductor utilizado para entregar

una se�al de salida en respuesta a una se�al de entrada. Cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El t�rmino �transistor� es la
contracci�n en ingl�s de transfer resistor (�resistor de transferencia�).
Actualmente se encuentra pr�cticamente en todos los aparatos electr�nicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, l�mparas fluorescentes, tom�grafos, tel�fonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

�ndice
1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tipos de transistor
3.1 Transistor de contacto puntual
3.2 Transistor de uni�n bipolar
3.3 Transistor de efecto de campo
3.4 Fototransistor
4 Transistores y electr�nica de potencia
5 Construcci�n
5.1 Material semiconductor
6 El transistor bipolar como amplificador
6.1 Emisor com�n
7 Dise�o de una etapa en configuraci�n emisor com�n
7.1 Base com�n
7.2 Colector com�n
8 El transistor bipolar frente a la v�lvula termoi�nica
9 V�ase tambi�n
10 Referencias
11 Bibliograf�a
12 Enlaces externos
Historia
Art�culo principal: Historia del transistor

R�plica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies
El f�sico austro-h�ngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit� en Canad� en el a�o
19251? una patente para lo que �l denomin� "un m�todo y un aparato para controlar
corrientes el�ctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores
de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado s�lido del
triodo. Lilienfeld tambi�n solicit� patentes en los Estados Unidos en los a�os
19262? y 1928.3?4? Sin embargo, Lilienfeld no public� ning�n art�culo de
investigaci�n sobre sus dispositivos ni sus patentes citan alg�n ejemplo espec�fico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la producci�n de materiales
semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de
Lilienfeld sobre amplificadores de estado s�lido no encontraron un uso pr�ctico en
los a�os 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.5?

En 1934, el inventor alem�n Oskar Heil patent� en Alemania y Gran Breta�a6? un

dispositivo similar. Cuatro a�os despu�s, los tambi�n alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de G�ttingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la
amplificaci�n de se�ales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
pr�cticos.7?Mientras tanto, la experimentaci�n en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de �xido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a
base de semiconductores por parte del alem�n Walter Schottky y del ingl�s Nevill
Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcci�n de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vac�o.7?
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los f�sicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8?
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos
puntuales de oro eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una se�al con
una potencia de salida mayor que la de entrada.9? El l�der del Grupo de F�sica del
Estado S�lido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes
meses, trabaj� para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores.
El t�rmino "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R.
Pierce, bas�ndose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el
termistor y el varistor y bas�ndose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo.10? Seg�n una biograf�a de John Bardeen, Shockley hab�a
propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell deb�a
estar basado en el efecto de campo y que �l fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido a�os
atr�s, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su
lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer
transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el 17 de junio de 1946,11?a la cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo.12?13?14? En reconocimiento a �ste logro,
Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel
de F�sica de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su
descubrimiento del efecto transistor".15?

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los f�sicos

alemanes Herbert Matar� y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse.
Matar� ten�a experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de
silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar
alem�n durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, �l comenz� a
investigar el fen�meno de la "interferencia" que hab�a observado en los
rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Matar� produjo
resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas
por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain hab�an logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los cient�ficos de Laboratorios Bell ya
hab�an inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresur� a poner en
producci�n su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telef�nica de
Francia.16?El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicit� la patente del
transistor bipolar de uni�n17? y el 24 de agosto de 1951 solicit� la primera
patente de un transistor de efecto de campo,18? tal como se declar� en ese
documento, en el que se mencion� la estructura que ahora posee. Al a�o siguiente,
George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron �xito al
fabricar este dispositivo,19?cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de
1952.20? Meses antes, el 9 de mayo de ese a�o, el ingeniero Sidney Darlington
solicit� la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente como
transistor Darlington.21?

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie

de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de
Philco Corporation en 1953,22?capaz de operar con se�ales de hasta 60 MHz.23? Para
fabricarlo, se us� un procedimiento creado por los ya mencionados inventores
mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos
lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez mil�simas de
pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las depresiones form� el colector y
el emisor.24?El primer receptor de radio para autom�viles que fue producido en 1955
por Chrysler y Philco; us� estos transistores en sus circuitos y tambi�n fueron los
primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa �poca.25?26?
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell
en enero 1954 por el qu�mico Morris Tanenbaum.27?El 20 de junio de 1955, Tanenbaum
y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos
para producir dispositivos semiconductores.28? El primer transistor de silicio
comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del
experto Gordon Teal quien hab�a trabajado previamente en los Laboratorios Bell en
el crecimiento de cristales de alta pureza.29? El primer transistor MOSFET fue
construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla,
ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.30?31?

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales espec�ficos en cantidades espec�ficas) que forman dos uniones bipolares:
el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que est� intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las v�lvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el dise�o
de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32?a diferencia
de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33?

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funci�n

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo grad�a la
corriente que circula a trav�s de s� mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, seg�n el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificaci�n o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Otros par�metros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia M�xima, disipaci�n de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos par�metros tales como corriente de
base, tensi�n Colector Emisor, tensi�n Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los
tres tipos de esquemas(configuraciones) b�sicos para utilizaci�n anal�gica de los
transistores son emisor com�n, colector com�n y base com�n.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores

FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensi�n
presente en el terminal de puerta y grad�a la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensi�n aplicada entre Compuerta y Fuente,
es el campo el�ctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) ser� funci�n amplificada de la tensi�n presente
entre la compuerta y la fuente, de manera an�loga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integraci�n a gran
escala disponible hoy en d�a; para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores interconectados, por cent�metro cuadrado y
en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual
Llamado tambi�n "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta
de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinaci�n cobre-�xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
met�licas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se �ve� en el colector, de ah� el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su d�a. Es dif�cil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), fr�gil (un golpe pod�a desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi� con el transistor de uni�n debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de uni�n bipolar

Art�culo principal: Transistor de uni�n bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de uni�n bipolar (o BJT, por sus siglas del ingl�s bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias
entre las de un conductor el�ctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P,
dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con �tomos de elementos donantes de electrones, como el
ars�nico o el f�sforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o �huecos�) se logran contaminando con �tomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la regi�n de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminaci�n entre ellas (por lo general, el emisor est�
mucho m�s contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender� de dichas

contaminaciones, de la geometr�a asociada y del tipo de tecnolog�a de contaminaci�n
(difusi�n gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cu�ntico de la uni�n.

Transistor de efecto de campo

-S�mbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de uni�n (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la pr�ctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
�hmico, tenemos as� un transistor de efecto de campo tipo N de la forma m�s b�sica.
Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre s�, se producir� una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensi�n positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizaci�n cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensi�n de estrangulamiento, cesa la conducci�n en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingl�s, que controla la
corriente en funci�n de una tensi�n; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de uni�n, JFET, construido mediante una uni�n PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se a�sla del canal mediante un diel�ctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-�xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es met�lica y est� separada del canal
semiconductor por una capa de �xido.
Fototransistor
Art�culo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiaci�n electromagn�tica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo com�n);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminaci�n).
Transistores y electr�nica de potencia
Con el desarrollo tecnol�gico y evoluci�n de la electr�nica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensi�n y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as� como actualmente
los transistores son empleados en conversores est�ticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal
uso est� basado en la amplificaci�n de corriente dentro de un circuito cerrado.