El memristor

Condori rivera raul

Dispositivos eletronicos y dgitales
Universidad nacional del altiplano
Ingeniería mecánica eléctrica
Crraul2@gmail.com
 En esencia un elemento El principal énfasis en el una alternativa a la red neuronal llamada
de circuito pasivo es un diseño de circuitos interacción de las ADALINE (ADAptive
componente de vital electrónicos será poseer tecnologías venideras con la LInear NEuron). En 1968,
importancia en el diseño cambios trascendentales máquina biológica ,en F. Argall publicó un
de circuitos eléctricos y
electrónicos, pues es el para los dispositivos, no solo donde, se pueda documento, para fenómenos
medio por el cual la en el crecimiento interrelacionar de conmutación en películas
energía interactúa en infinitesimal referido a la conceptualmente, integrar delgadas de óxido de titanio,
forma de almacenamiento reducción del tamaño sino elementos comunes y que mostró resultados
o absorción. Se disponen en dispositivos con conformar similitudes similares a los del modelo
de tres elementos básicos capacidades superiores, es precisas que han de de memristor propuesto por
en la teoría clásica de decir, posiblemente proponer novedosas Stanley Williams y su
circuitos los cuales son elementos híbridos o de discusiones en el ámbito equipo. En 1971, León
llamados el capacitor aplicación nanotecnológica. investigativo de las Chua matemáticamente
(descubierto en 1745), el Fabricar nuevos dispositivos neurociencias y la postulo [1], que existía un
resistor (descubierto en
1827) y el inductor flexibles para los circuitos nanotecnología, como cuarto elemento de circuito
(descubierto en 1831), pero digitales sin concebir la idea también generar discusiones fundamental que se
en el año de 1971 un de estimular la propositivas en la ingeniería caracterizaba por una
profesor de ingeniería concentración de alta neuromórfica, [9],(ver en la relación entre la carga y el
eléctrica de la universidad densidad de transistores en sección de definiciones enlace de flujo. En 1976,
de California, Berkeley un chip, es un reto de conceptuales). Un nuevo León Chua y Sung Mo Kang
predijo la existencia de un búsqueda constante para las elemento de circuito publicaron un artículo
cuarto dispositivo tecnologías venideras. En lo llamado el memristor será titulado (Memristive devices
fundamental, llamado el referente a los transistores, entonces el encaminamiento and systems), [2], la
memristor comprobando
que no era posible crear es importante que las de esta investigación que generalización de la teoría
un duplicado de este condiciones de diseño pretende centrase en una de los memristores y los
elemento con la mejoren en forma óptima en teoría definida por León sistemas memristivos. En
combinación de los otros favor del aumento del Chua, [1-2]. Sintetizar hacia 1990, S. Thakoor, et al.
tres dispositivos, por lo rendimiento, la eficiencia y una breve visión la cual Demostraron una similitud
tanto, según dicha la mejora de la estructura de pueda desarrollar con el memristor a través de
aseveración el memristor los materiales en la ciencia comparaciones, analogías, un dispositivo con
es un dispositivo de materiales para el posibles mejoras, con el fin resistencia variable de óxido
fundamental, [1]. El desarrollo de computadoras de entender de forma clara de tungsteno el cual era
presente trabajo está y chips de mayor capacidad el funcionamiento del cuarto eléctricamente programable
enfocado en brindar una
breve visión de las de almacenamiento de elemento de circuito con las pero no era clara la relación
aplicaciones, información, además, la hipótesis formuladas en con respecto al Memristor
comportamientos, manipulación de los diferentes tipos de artículos de Chua. Cuatro años más
modelado matemático y circuitos integrados son una que se enfocan en la tarde, en 1994, Buot y
adecuación de prioridad significativa, emulación del memristor Rajgopal publicaron un
amplificadores aunque la proyección a con amplificadores artículo titulado
operacionales a la tarea de futuro será lograr un nivel operacionales. almacenamiento de
estudiar la interacción cuántico, en donde se pueda información binario de
dinámica de este visionar un ordenador polarización en cero con
dispositivo de dos cuántico o una memoria ANTECEDENTES HISTÓRICOS. diodos cuánticos, [3]. El
terminales hacia usos
menos teorizados con una cuántica. Así como los El concepto de una artículo describe las
proyección practica más increíbles nanotubos y el características de corriente y
resistencia con memoria
amplia encaminado al magnífico transistor del existía incluso antes de la tensión similares a las del
beneficio de estudiantes tamaño de unos pocos memristor en
publicación de León Chua
que se hallen interesados átomos, [11], sin embargo, (AlAs/GaAs/AlAs) para
en investigar al memristor del memristor en 1971. En
debido a tamaños tan diodos de cavidades
como nueva tecnología. 1960, el Profesor Bernard
diminutos es realmente Widrow de la Universidad cuánticas. El análisis no
complejo construir mostró ninguna conexión
INTRODUCCIÓN de Stanford desarrolló un
elementos que tengan una nuevo elemento de circuito directa con el memristor de
La industria encargada aplicación práctica como Chua, [4]. En 2000, Beck, et
llamado el memistor. El
de desarrollar circuitos dispositivos manipulables, memistor era un dispositivo al., Del Laboratorio de
integrados con materiales [3], [8]. Se requieren Investigación de IBM en
de tres terminales para los
semiconductores tienen la múltiples tecnologías que la conductancia entre Zúrich, describió los efectos
necesidad de fabricar complementarias ante la de conmutación resistiva
dos de los terminales era
circuitos integrados con una necesidad de construir controlada por el tiempo que son reproducibles en
mayor contracción de elementos que puedan ser películas delgadas de óxido,
integral de la corriente en el
transistores embebidos en análogos a las funciones del tercer terminal. Por lo tanto, [5]. Las características de
menor área, sin embargo, cuerpo humano; en histéresis de estos
la resistencia del memistor
son necesarias diferentes retrospectiva, un equivalente era controlada por la carga. interruptores eran similares
tipos de alternativas funcional de la sinapsis a los de los memristores. En
Los memristores formaron
novedosas para superar las puede ser uno de los parte los componentes 2001, Liu, et al., los
limitaciones constructivas. comienzos que emerge como investigadores del Centro de
básicos de la arquitectura de
epitaxia de espacio vacío de
la Universidad de Houston,
presentaron resultados, [6]
durante una conferencia
acerca 21 de la memoria no
volátil, celebrada en San
Diego, California,
mostrando la importancia de
bicapas de óxido para
alcanzar un alto -bajo
coeficiente de resistencia.
Además de los dispositivos
mencionados anteriormente,
es interesante observar que
entre 1994 y 2008 existieron
muchos otros dispositivos
desarrollados con un
comportamiento similar a la
del memristor, pero sólo los
científicos de HP tuvieron
éxito en la búsqueda de un
enlace entre el trabajo
desarrollado por ellos y el
memristor postulado por
Chua [7].En 2008, después
de treinta y siete años de la
propuesta de León Chua, el
memristor en una forma de
dispositivo definitivo fue
desarrollado por Stanley
Williams y el grupo de
investigación de la
Información y sistemas
quantum (IQS) Laboratorio
perteneciente a HP. Dimitri
Strukov, Gregory Snider,
Duncan Stewart, y Stanley
Williams, de Laboratorios
HP, publicaron un artículo,
[8] que identificaba una
relación entre el
comportamiento de
conmutación de una
resistencia de dos terminales
que se encuentran en los
sistemas de nano-escala y en
los memristores de León
Chua. Victor Erokhin y MP
Fontana afirmaron haber
desarrollado un memristor
polimérico, antes de que el
memristor de dióxido de
titanio fuese desarrollado
por el grupo Stanley
Williams. Desde el anuncio
de la ruptura del grupo a
través de Stanley Williams,
numerosos trabajos han sido
importantes en vista de
conseguir el objetivo de
analizar las características
elementales de las
aplicaciones del memristor y
han aparecido múltiples
aplicaciones del memristor
en diversas áreas desde el
punto de vista de diseño de
circuitos. Más tarde, en
2008, Joshua J. Yang,
Matthew D. Pickett, Xuema
Li, Douglas AA Ohlberg,
Duncan Stewart R. y R.
Stanley Williams publicaron
un artículo, [13], de lo que
demuestra el
comportamiento de
conmutación memristiva y
el mecanismo de
conmutación referido a los
nano dispositivos. En
octubre de 2008, Yu V.
Pershin, S. La Fontaine, M.
Di Ventra publicaron un
artículo [14], que identifica
el comportamiento del
memristor en el aprendizaje
de la ameba. En enero de
2009, Sung Hyun Jo, Kuk-
Hwan Kim, y Wei Lu, de la
Universidad de Michigan
publicaron un artículo, [12]
que describe un material
memristivo a base de silicio
amorfo capaz de integrarse
con dispositivos CMOS. En
junio de 2009, los científicos
del NIST, informaron de que
habían inventado la
memoria no volátil con un
memristor flexible que era
barato y de bajo consumo
[21].
I. EL MEMRISTOR COMO
ELEMENTO FUNDAMENTAL
DE LA TEORÍA DE
CIRCUITOS.
Existen cuatro variables
fundamentales en la teoría
de circuitos, estas variables
son. La tensión eléctrica v, la
corriente eléctrica o flujo de
carga i, la carga eléctrica q,
y el flujo magnético ϕ.
En la teoría de circuitos, los
tres dispositivos básicos de
dos terminales, son
llamados; el resistor, el
capacitor, y el inductor.
Estos elementos son
definidos en términos de la
relación de dos de las
variables fundamentales las
cuales son v (tensión
eléctrica) y i (corriente
eléctrica), i se define
esencialmente como la
derivada de la carga q
respecto al tiempo t; de
acuerdo a la ley postula por
Faraday v se define
esencialmente como la
derivada del flujo magnético
ϕ respecto al tiempo t, [1].
Para los tres dispositivos
fundamentales de dos
terminales se tiene en
consecuencia que, el resistor
se define por la relación
entre la tensión v y la
corriente i como (𝑑�=𝑅𝑑�),
el capacitor se define por la
relación entre la carga q y la
tensión v como (𝑑�=𝐶𝑑�), el
inductor se define por la
relación entre el flujo
magnético ϕ y la corriente i
como (𝑑�=𝐿𝑑�), además, de
las seis posibles
combinaciones entre las
variables fundamentales solo
cinco estaban definidas,
pero, en el año de 1971 el
Prof. León Chua propuso la
existencia de un cuarto
elemento de circuito que
además de ser fundamental,
podía completar la última
combinación y relación dada
entre la carga q y el flujo
magnético ϕ,[2].
El Prof. León Chua llamó a
este nuevo elemento como el
Memristor, una contracción
de (memo- resistencia) o en
inglés (memory- resistor),
claramente al ser
fundamental tiene una
característica intrínseca
llamada la memristancia M
y satisface la relación
funcional entre la carga q y
el flujo ϕ,(𝑑�=𝑀𝑑�), en el
año 2008, Stanley Williams,
et al., de la Hewlett Packard,
anunciaron el primer
memristor ya fabricado,[3].
El Memristor es un
dispositivo pasivo de circuito
el cual se define “como un
elemento de dos terminales
en donde el flujo ϕ entre los
dos terminales está en
función de la cantidad de
carga q que pasa a través del
dispositivo”, el Memristor
no es un elemento de
almacenamiento de energía,
[2]. Cabe hacerse una muy
breve aclaración, cinco años
después de la publicación del
Prof. León Chua sobre el
memristor, él y Kang, [4],
publicaron un artículo con
amplias clases de sistemas
llamados sistemas
memristivos, los sistemas
memristivos se definen por,
�=
𝑀(�,�)�
(1.2.1)
Y,
𝑑�/𝑑�
=�(�,�)
(1.2.2)
Donde w es el conjunto de
variables de estado (ver en la
sección de definiciones
conceptuales), M y f pueden
ser variables del tiempo, y, v
e i son la tensión y la
corriente, respectivamente.
El teorema fundamental de
los sistemas memristivos de
estados postula que “cada
dispositivo de dos terminales
el cual muestre o exhiba una �(�)=∫�(�)𝑑� �(�)=�(�)�(�)
pequeño bucle de histéresis �(�)=𝑀(�)�(�)
en el plano de corriente
contra tensión impulsado por (1.3.9)
una señal dc o sinusoidal de (1.3.1) (1.3.5)
una frecuencia cualquiera, es Donde,
un sistema memristivo”, [2] Donde,

�(�)=∫�(�)𝑑� �(�)=𝑑�(�)/𝑑�

𝑀(�)=𝑑�(�)/𝑑� (1.3.10)
(1.3.2)

Se puede decir que un (1.3.6)

memristor puede ser �(�), es llamada la
controlado por carga
eléctrica, si la relación entre
el flujo magnético y la carga 𝑀(�), es llamada la memductancia la cual tiene
eléctrica esta expresada
la unidad de conductancia.
Fig. 1.2. Resistor con como una función de la
resistencia (R), el capacitor con carga eléctrica q; y se puede memristancia la cual tiene
capacitancia (C), el inductor decir que un memristor III. ¿QUÉ ES LA
la unidad de resistencia, la
con inductancia (L), el puede ser controlado por memristancia define una MEMRISTANCIA?
memristor con memristancia flujo magnético, si la
(M) y los símbolos de los relación lineal entre la
relación entre el flujo corriente y la tensión, La memristancia es una
cuatro elementos de circuito, magnético y la carga siempre que la carga propiedad del memristor
( adaptado de[5], [63]).
eléctrica esta expresada eléctrica no varié. Entonces [15], cuando la carga
como una función del enlace M es una constante, por lo eléctrica fluye en una
tanto, un memristor se dirección a través de un
comporta como un resistor. circuito, la resistencia del
de flujo �, [2] memristor se incrementa. La
Para un memristor resistencia del memristor
controlado por flujo disminuye cuando la carga
magnético, eléctrica fluye en dirección
Para un memristor opuesta en el circuito. Si la
controlado por carga tensión aplicada de
eléctrica, desconecta, entonces el flujo
�=�(�) de carga cesa, así que, el
memristor “recuerda” la
Fig. 1.3. Los cuatro elementos
básicos, y la relación de las �=�(�) última resistencia que paso a
cuatro variables (1.3.7) través del memristor.
fundamentales, (adaptado de Cuando el flujo de carga
[6], [21]). (1.3.3) comienza de nuevo, la
Diferenciando la ecuación resistencia del circuito será
Diferenciando la ecuación (1.2.7) se tiene el producto, lo que era cuando estuvo
II. LA RELACIÓN DE (1.2.3) se tiene el producto, activo, [16].
FLUJO MAGNÉTICO Y
CARGA ELÉCTRICA
COMO VARIABLES DE 𝑑�/𝑑�=𝑑�(�)/𝑑�.𝑑�/𝑑�
CONTROL EN EL 𝑑�/𝑑�=𝑑�(�)/𝑑�.𝑑�/𝑑�
MEMRISTOR.
(1.3.8)
La relación fundamental de (1.3.4)
la carga eléctrica y el flujo Dada la corriente
magnético son variables las Fig. 1. 4. Símbolo del
cuales definen al memristor memristor, (adaptado de
como el cuarto elemento de Dada la tensión de �(�)=𝑑�/𝑑� como, [9]).
la teoría de circuitos y se
pueden expresar en dos
expresiones integrales, �(�)=𝑑�𝑑� como,
IV. PROPIEDADES DE UN depende de lo que haya una trayectoria de  Los sistemas
MEMRISTOR. sucedido en el pasado, pulsos de acuerdo al memristivos no son
generalmente debido a que ciclo característico únicamente
en el sistema hay algún tipo del memristor, y el sistemas que
Para observar las de almacenamiento de memristor actúa pertenezcan a
características gráficas y energía. Los sistemas como memoria, de memristores,
propiedades del cuarto dinámicos también se esta manera el existen sistemas
elemento de circuito se es conocen como sistemas con emulador de memristivos que
necesario conocer algunos memoria. Los modelos de memristor contiene poseen la
patrones importantes a sistemas dinámicos son propiedades característica de
destacar, antes que nada el ecuaciones diferenciales o semejantes al histéresis en el
memristor pertenece a los de diferencia, por lo tanto, memristor plano (i-v), estos
sistemas memristivos, por lo el memristor es un sistema construido por Hp. elementos pueden
tanto, es un sistema dinámico que tiene memoria  La frecuencia ser diferentes a los
dinámico y tiene un pero no es un dispositivo depende del memristores pero
comportamiento lineal y no almacenador d energía, [1]. pequeño bucle de poder pertenecer a
lineal, además de un modelo histéresis lo cual es los sistemas
matemático (ver capítulo 2) una de las memristivos.
que define su características
comportamiento. A CONCLUSIONES únicas del V. AGRADECIMIENTOS
continuación se lista una memristor.
división de los modelos  Un efecto
interesante no  Un detalle práctico Estoy muy agradecido
matemáticos, es importante visualizado en los
conocer esta división ya que observable en las con los autores de dichos
simulaciones, es el emuladores de libros, por el aprendizaje en
el memristor encierra memristor como
características mencionadas efecto de memoria clases y el apoyo
en los emuladores flujo magnético y incondicional por parte de
en la figura (1.5), carga eléctrica es su
de memristor, mis padres.
cuando se realizó el conectividad con
montaje no se tenía notros elementos de IX. REFERENCIAS
claridad sobredicho circuito y otros
emuladores de [1] Chua, L. O., “Memristor the
efecto, sin embargo,
memristor, esto es missing circuit element”,
cuando se le retiro IEEE Trans. Circuit
la energía a los crucial debido a que
las características Theory, 1971, vol. CT-18,
amplificadores No. 5, pp. 507-519.
operacionales que de un dispositivo
[2] Chua, L.O. Kang, S.M,
conforman aquellos flotante permiten “Memristive devices and
emuladores se notó desarrollar systems”, Proceedings of
el pequeño bucle de numerosas the IEEE, 1976, vol. 64,
histéresis, no en aplicaciones las No. 2, pp. 209-223.
forma simétrica cuales pueden [3] Thakoor, S., Moopenn, A.,
pero con el mismo permitir visualizar Daud, T., Thakoor, A. P.
nuevos efectos en "Solid-state thin-film
ciclo característico memistor for electronic
del memristor. sistemas
memristivos con neural networks", Journal
 Cuando un of Applied Physics, vol. 67,
emuladores de
emulador de March 15, 1990, p. 3132-
memristor se excita memristores, en el 3135.
capítulo 2 se puede 2012.
con pulsos este
comienza a actuar apreciar que el [4] Buot, F.A., Rajgopal, A. K.,
memristor de flujo “Binary information
de acuerdo a la
Fig. 1. 5. Clasificación de propiedad de magnético es storage at zero bias in
los modelos matemáticos de flotante y posee un quantum-well diodes”‖,
pequeño bucle de
sistemas, (adaptado de histéresis en un conectividad que Journal of Applied Physics,
satisface los November 1994, vol. 76,
[58]). intervalo de tiempo
postulados que se issue 9, 5552 – 5560.
durante un ciclo [5] Beck, A., Bednorz, J. G.,
El memristor puede ser estudiaron en el
cuando se comienza Gerber, Ch.,Rossel, C.,
discreto o continuo (ver a presentar la capítulo 3, sin
Widmer, D., “Reproducible
capítulos 3 y 4), embargo, el
memristancia, esto switching effect in thin
dependiendo de la quiere decir que al emulador de carga oxide films for memory
aplicación [8]. eléctrica no posee applications”, Applied
retirar la señal en el
El estado de un sistema caso particular de dichas Physics Letters, No. 1, Jul.
estático depende sólo de las características, por 3, 2000, pp. 139-141.
los pulsos en la
condiciones presentes y no entrada existe una lo tanto, no cumple [6] Shangqing, L., NaiJuan W.,
de las pasadas. En fielmente como Xin, C., Ignatiev, A. “A
forma no-volátil New Concept for Non-
contraposición, el estado de entre pulsos o inter- emulador de
memristor. Volatile Memory the
un sistema dinámico pulsos siguiendo Electric Pulse Induced
 Resistive Change Effect in “Memristor circuit for
Colossal Magnetoresistive artificial synaptic
Thin Films”, Non-Volatile weighting”, in Proc. IEEE
Memory Technology Int. Symp. Circuit Syst.
Symposium, Nov. 7, 2001, (ISCAS), 2012.
pp. 1-7. [16] Kerur, k, “A study of the
[7] Kavehei, O., Kim, Y.S., memristor, the fourth
Iqbal, A., Eshraghian, K., circuit element”, Kansas
Al-Sarawi, S.F., Abbott, D, State University,
“The Fourth Element: Manhattan, Kansas, 2010.
Characteristics, Modeling,
and Electromagnetic
Theory of the Memristor” ,
arXiv1002.3210v1, [cond-
mat.mes-hall] (access via
chttp://arxiv.org/abs/1002.3
210).
[8] Strukov, D.B., Snider, G.S.,
Stewart, D. R., Williams,
R. S., “The missing
memristor found”, Nature,
2008, 1 May 2008, vol.
453, pp. 80-83. 35.
[9] Ros, E., Pelayo, F., J., Prieto
A., B., Del Pino,
“Ingeniería Neuromórfica:
El papel del hardware
reconfigurable”,
Universidad de Granada,
E18071, Granada, 2002.
[10] J.Yves Le Boudec (EPFL
Lausanne) "Tasa de
adaptación, control de
congestión y equidad: una
guía de aprendizaje" 11
2005 “Los chips
neuromórficos tendrán una
inteligencia alienígena”
http://www.technologyrevie
w.es/read_article.aspx?
id=44410 19-02-2012.
[11] Snider, G., “Self-organized
computation with
unreliable, memristive
nanodevices”,
Nanotechnology, vol. 18,
No. 36, pp. 1–13, 2007.
[12] Xia et al., Q., “Memristor-
CMOS hybrid integrated
circuits for reconfigurable
logic”, Amer. Chem. Soc.,
Nano Lett., vol. 9, No. 10,
pp.3640–3645, Sep. 2009.
[13] Borghettil, J., Snider, G.
S., Kuekes, P. J., Yang, J.
J., Stewart, D. R.,
Williams, R. S.,
“Memristive switches
enable stateful logic
operations via material
implication” Nature Lett.,
vol. 464, No. 8, pp. 873–
876, Apr. 2010.
[14] Pershin, Y. V., Di Ventra,
M., “Practical approach to
programable analog
circuits with memristors”,
IEEE Trans. Circuits Syst.
I, vol. 57, No. 8, pp. 1857–
1864, Aug. 2010.
[15] Sah, M. P., Yang, C., Kim,
H., Chua, L. O.,