PAGINA 47

Capítulo 3

Amplificadores de una etapa

La amplificación es una función esencial en la mayoría de circuitos analógicos (y en varios digitales.

Nosotros amplificamos una señal analógica o digital porque puede ser muy pequeña para conducir una
carga, superar el ruido de una etapa anterior o proveer niveles lógicos a un circuito digital. La
amplificación también juega un rol critico en sistemas de retroalimentación (capitulo 8).

En este capítulo, estudiaremos el comportamiento en baja frecuencia de los amplificadores CMOS de

una etapa. Analizando ambas, las características de gran señal y pequeña señal de cada circuito,
nosotros desarrollamos técnicas intuitivas y modelos que son útiles a la hora de entender sistemas más
complejos. Una parte importante del trabajo de un diseñador es usar aproximaciones apropiadas para
crear una imagen mental sencilla de un circuito complicado. La intuición obtenida hace posible formular
el comportamiento de la mayoría de circuitos por inspección en vez de cálculos extensos.

Siguiendo una breve revisión de conceptos básicos, en este capítulo se describen 4 tipos de
amplificadores: topologías de fuente-común, puerta común, seguidores de voltaje y configuraciones de
cascodo. En cada caso, comenzamos con un modelo simple y gradualmente añadimos un fenómeno de
segundo orden tal como modulación de longitud de canal y efecto cuerpo.

CONCEPTOS

La característica entrada-salida de un amplificador es por lo general una función no lineal (fig. 3.1) que
puede ser aproximada por un polinomio sobre un rango de señal.

La entrada y salida pueden se cantidades de corriente y voltaje. Para un rango lo suficientemente

angosto de x.

Donde α0 puede ser considerado el punto (parcial) de operación y α1 la ganancia de pequeña señal. Tan
largo como α1 x (t) << α0, el punto parcial es una perturbación despreciable, (3,2) proporciona una
 PAGINA 48

Aproximación y los términos de alto orden son insignificantes. En otras palabras. ∆y=α1∆x,

Indicando una relación lineal entre los incrementos a la entrada y la salida. Así como x (t) se incrementa
en magnitud, los términos de orden superior se manifiestan así mismos, guiando a una no linealidad y
necesitando un análisis en gran señal. Desde otro punto de vista, si la pendiente de la característica (la
ganancia incremental) varía con el nivel de señal, entonces el sistema es no lineal. Estos conceptos son
descritos en detalle en el capítulo 13.

Que aspectos del desempeño de un amplificador son importantes? En adición para la ganancia y
velocidad, parámetros tales como disipación de potencia, voltaje suministrado, linealidad, ruido, o
cambios de voltaje máximo pueden ser importantes. Además, las impedancias de entrada y salida
determinan como interactúa el circuito con etapas previas y siguientes. En práctica, la mayoría de estos
parámetros se intercambian unos con otros, haciendo el diseño un problema de optimización multa-
dimensional. Ilustrado en el “diseño de octágono analógico” de la fig. 3.2, tales intercambios, presentan
muchos desafíos en el diseño de amplificadores de alto desempeño, requiriendo intuición y experiencia
para llegar a un compromiso aceptable.

ETAPA MODO COMUN

3.2.1 Etapa modo común con carga resistiva

Por virtud de esta transconductancia, un MOSFET convierte variaciones de su voltaje fuente puerta en
una corriente de dreno en pequeña señal, la cual puede pasar a través de una resistencia para generar
un voltaje de salida. Mostrado en la fig. 3.3 (a), la etapa fuente común (CS) realiza tal operación.

PAGINA 49

Nosotros estudiamos el comportamiento del circuito en gran señal y pequeña señal. Nótese que la
impedancia de entrada del circuito es muy alta en frecuencias bajas.

Si el voltaje de entrada incrementa desde cero, M1 está apagado y VOUT = VDD [FIG 3.3 (b)]. Así como Vin
se aproxima a VTH, M1 inicia a encenderse, trazando una corriente desde RD y disminuyendo VOUT. Si VDD
no es excesivamente bajo, M1 se enciende in saturación y tenemos:

Donde la modulación de longitud de canal es despreciada. Con un mayor incremente en Vin, Vout cae más
y el transistor continua operando en saturación hasta que Vin supere a Vout por VTH [punto A en fig. 3.3
(b)]. Hasta este punto:

A partir del cual Vin1 – VTH y por lo tanto Vout puede calcularse.
Para Vin > Vin1, M1 está en la región de tríodo:

PAGINA 50

Si Vin es lo suficientemente alto para conducir a M1 en una región de tríodo profunda, Vout << 2(Vin - VTH)
y desde el circuito equivalente de la fig. 3.3 (c).

Ya que la transconductancia cae en la región de tríodo, nosotros usualmente aseguramos que Vout > Vin –
VTH. Operando a la izquierda del punto A en la fig. 3.3 (b). Usando (3.3) como las características de
entrada-salida y viendo la pendiente como la ganancia de pequeña señal, tenemos:

Este resultado puede derivarse directamente desde la observación que M1 convierte un cambio de
voltaje de entrada ∆Vin en un cambio de corriente de dreno gm∆Vin, por lo tanto un cambio de voltaje en
la salida -gmRD∆Vin. El modelo de pequeña señal de la fig. 3.3 (d) lleva el mismo resultado.

Aunque derivado para la operación de pequeña señal, la ecuación Av = -gmRD predice ciertos efectos si el
circuito sensa un cambio en gran señal. Desde que gm en sí mismo varia con la señal de entrada de
acuerdo con gm = µnCox(W/L)(VGS - VTH), la ganancia del circuito cambia substancialmente si la señal es
grande. En otras palabras, si la ganancia del circuito opera en modo de gran señal. La dependencia de la
ganancia sobre el nivel de señal lleva a una no linealidad (capitulo 13), usualmente un efecto poco
deseado.

Una respuesta clave acá es que para minimizar la no linealidad, la ecuación de ganancia debe ser una
función débil o unos parámetros de señal dependientes tales como gm. Nosotros presentamos varios
ejemplos de este concepto en este capítulo y en el capítulo 13.

Ejemplo 3.1
Bosqueje la corriente de dreno y la transconductancia de M1 de la fig. 3.3(a) como una función del
voltaje de entrada.

Solución

La corriente de dreno se vuelve relevante para Vin > VTH, eventualmente aproximándose a VDD/RD si Ron1
<< RD [fig. 3.4 (a)]. Ya que en saturación, gm= µnCox(W/L)(VGS - VTH), la transconductancia comienza a
crecer para Vin > VTH. En la región de tríodo µnCox(W/L)VDS, cayendo como Vin excede Vin1 [fig. 3.3(b)].

Como maximizamos la ganancia de voltaje de una etapa modo común? Escribiendo (3.10) como

PAGINA 51

Donde VRD denota la caída de voltaje a través de RD, tenemos

Así, la magnitud de Av puede incrementar al aumentar W/L o VRD o disminuyendo ID si los otros
parámetros son constantes. Es importante entender los intercambios resultantes de esta ecuación. Un
dispositivo más grande lleva a unas capacitancias más grandes del dispositivo y un VRD más alto limita el
cambio máximo de voltaje. Por ejemplo, si VDD - VRD = Vin – VTH, entonces M1 está al borde de la región de
tríodo, permitiendo solo cambios muy pequeños en la salida (y en la entrada). Si VRD se mantiene
constante e ID es reducido, entonces RD debe aumentar, de este modo llevando a una constante de
tiempo más grande en el nodo de salida. En otras palabras, como se nota en el diseño del octágono
analógico, el circuito exhibe cambios entre ganancia, ancho de banda y cambios de voltaje. Voltajes de
suministro más bajos ajustan más estos intercambios.

Para valores grandes de RD, el efecto de la modulación de longitud de canal en M1, se vuelve relevante.
Modificando (3.4) para incluir este efecto,

Tenemos

Usando la aproximación ID ≈ (1/2) µnCox(W/L)(VGS - VTH)2, obtenemos:

PAGINA 52

Por lo tanto:

Ya que λID ≈ 1/ro

El modelo de pequeña señal de la fig. 3.5 da el mismo resultado con mucho menos esfuerzo. Esto es ya
que gmV1(ro || RD) = - Vout y V1 = Vin, tenemos Vout/Vin = -gm(ro||RD). Nótese que, como se mencionaba en
el capítulo 1, Vin, V1 y Vout en esta figura denota cantidades de pequeña señal.

Ejemplo 3.2

Asumiendo M1 en la figura 3.6 está parcialmente en saturación calcule la ganancia de voltaje en

pequeña señal del circuito
Solución

Ya que I1 introduce una impedancia infinita, la ganancia está limitada por la resistencia de salida de M1:

Llamada la “ganancia intrínseca” de un transistor, esta cantidad representa la ganancia máxima de

voltaje que puede ser obtenida en un solo dispositivo. En la tecnología CMOS actual, gmro de
dispositivos de canal corto esta entre aproximadamente 10 y 30. Así, usualmente asumimos que
1/gm<<ro.

En la fig. 3.6, la ley de corrientes de Kirchhoff (KCL) requiere que ID1 = I1. Entonces, como puede Vin
cambiar la corriente de M1 si I1 es constante? Escribiendo la corriente de dreno total de M1 como

PAGINA 53

Notamos que Vin aparece elevado al cuadrado y Vout en forma lineal. Así como Vin incrementa, Vout
debe disminuir tal que el producto se mantenga constante. Sin embargo, podemos decir “ID1 incrementa
a medida que Vin incrementa” esta declaración simplemente se refiere a la parte cuadrática de la
ecuación.

3.2.2 etapa modo común (CS) con una carga conectada como diodo

En varias tecnologías CMOS, es difícil fabricar resistencias con valores controlados ajustados o un
tamaño físico razonable (capitulo 17), consecuentemente, se desea reemplazar RD en fig. 3.3(a) con un
transistor MOS.

Un MOSFET puede operar como una resistencia en pequeña señal si su puerta y dreno están conectados
[fig. 3.7(a)]. Llamado dispositivo “conectado como diodo” en analogía con su contraparte bipolar,
Esta configuración exhibe un comportamiento en pequeña señal similar a una resistencia de 2
terminales. Nótese que el transistor siempre va a estar en saturación porque el dreno y la puerta tienen
el mismo voltaje. Usando el equivalente en pequeña señal mostrado en fig3.7 (b) para obtener la
impedancia del dispositivo, escribimos V1 = Vx y Ix =Vx/ro + gmVx. Esta es, la impedancia del diodo
simplemente es igual a (1/gm)||ro ≈ 1/gm. Si el efecto cuerpo existe, podemos usar el circuito en fig. 3.8
para escribir V1 = -Vx, Vb1= Vx y sigue que:

PAGINA 54

Curiosamente, la impedancia vista en la fuente de M1 es más baja cuando el efecto cuerpo es incluido.

Una explicación intuitiva de este efecto es dejada como ejercicio para el lector.
Ahora estudiamos una etapa fuente común con una carga conectada como diodo (fig. 3.9). Para
despreciar la modulación de canal, (3.24 ) se sustituye en (3.10) para la impedancia de carga,

Cumpliendo

Donde η = gmb2/gm2. Expresando gm1 y gm2 en términos de dimensiones del dispositivo y corrientes de
polarización, tenemos

Y ya que ID1 = ID2

Esta ecuación revela una propiedad interesante: si la variación de η con el voltaje de salida es
despreciado, la ganancia es independiente de las corrientes y voltajes de polarización (siempre y cuando
M1 se mantenga en saturación). En otras palabras, mientras la señal de entrada y salida varíen, la
ganancia se mantiene relativamente constante, indicando que las características de entrada y salida son
relativamente lineales.
 PAGINA 55

El comportamiento lineal del circuito también puede confirmarse con un análisis de gran señal.
Despreciando la longitud de canal por simplicidad, tenemos en la fig3.9

Y por lo tanto

En consecuencia, si la variación de VTH2 con Vout es pequeña, el circuito exhibirá una característica de
entrada y salida lineal. La ganancia en pequeña señal también puede ser calculada restando ambos lados
con respecto a Vin.

En el cual, a la aplicación de la regla de la cadena δVTH2/δVin = (δVTH2/δVout)(δVout/δVin) = η(δVout/δVin) se

reduce a

Este es instructivo para estudiar las características generales de gran señal del circuito también. Pero
primero consideremos el circuito mostrado en fig. 3.10(a). Cuál es el valor final de Vout si I1 baja a cero?
Así como I1 disminuye, también lo hace la sobre marcha de M2. Así para un pequeño I1, VGS2 ≈ VTH2 y Vout
≈ VDD – VTH2. En realidad, la conducción por debajo del umbral en M2 eventualmente lleva a Vout a VDD si ID
se aproxima a cero, pero con niveles de corriente muy bajos, la capacitancia finita en el nodo de salida
ralentiza el camino desde VDD – VTH2 a VDD. Esto se ilustra en las formas de onda en el dominio del tiempo
en fig. 3.10(b). Por esta razón, en circuitos que tienen actividad de cambio frecuente, asumimos que Vout
se mantiene alrededor de VDD – VTH2 cuando I1 cae a valores pequeños.

Ahora regresamos al circuito de la fig. 3.9. graficado en la fig. 3.11 versus Vin, el voltaje de salida es igual
a VDD – VTH2 si Vin < VTH1. Para Vin > VTH1 Ec(3.30) se mantiene y Vout sigue una línea recta
aproximadamente. Así como Vin excede Vout + VTH1 (más allá del punto A) M1 entra en la región de tríodo
y sus características se vuelven no lineales.
La carga conectada como diodo de la fig. 3.9 puede ser implementada con un dispositivo PMOS
también. Como se muestra en la fig. 3.12, el circuito es libre del efecto cuerpo, proporcionando una
ganancia de voltaje en pequeña señal igual a:

Donde la longitud de canal es despreciada.

PAGINA 56

Las ecuaciones (3.28) y (3.33) indican que la ganancia de la etapa modo común con una carga conectada
como diodo es relativamente una función débil de las dimensiones del dispositivo. Por ejemplo, si
obtenemos una ganancia de 10, µn(W/L)1/[µp(W/L)2] = 100, implicando que con µn ≈ 2µp, debemos tener
(W/L)1 ≈ 50(W/L)2. En un sentido, una ganancia alta requiere un dispositivo con entrada “fuerte” y un
dispositivo de carga “débil”. En adición a la disproporcionabilidad de transistores largos o anchos (y por
lo tanto una carga larga o una capacitancia de carga), una alta ganancia se traduce en otro limitador
importante reduciéndolo en cambios de voltajes viables. Específicamente desde que en la fig. 3.12, ID1 =
|ID2|,

PAGINA 57

Revelando que

En el ejemplo de arriba, el voltaje de overdrive de M2 tiene que ser 10 veces más que M1. Por ejemplo,
con VGS1 – VTH1 = 200 mV, y |VTH2| = 0.7 V, tenemos que |VGS2| = 2.7 V, limitando severamente el cambio
en la salida. Este es otro ejemplo donde los intercambios sugeridos por el octágono de diseño analógico.
Nótese que, con las cargas conectadas como diodo, el cambio está ajustado por el voltaje de overdrive y
el voltaje de umbral. Esto es, incluso con una pequeña sobre marcha, en nivel de salida no puede
exceder VDD - |VTH|.

Una paradoja interesante surge si escribimos gm = µCox(W/L)(VGS - VTH). La ganancia de voltaje del circuito
entonces está dada por:

La ecuación (3.37) implica que Av es inversamente proporcional a |VGS2 – VTH2|. Se deja al lector resolver
las tendencias aparentemente opuestas sugeridas por (3.35) y (3.37).

Ejemplo 3.3

En el circuito de la fig. 3.13 M1 esta polarizado en saturación con una corriente de dreno igual a I1. La
corriente de fuente Is = 0.75I1 es añadida al circuito. Como se modifica (3.35) en este caso?

Solución

Ya que |ID2| = ID1/4, tenemos:

 PAGINA 58

Además

Cumpliendo

Así, para una ganancia de 10, la sobre marcha de M2 necesita ser solo 2.5 veces más que M1.
Alternativamente, para voltajes de overdrive dados, este circuito logra una ganancia 4 veces más que en
la etapa de la fig. 3.12. Intuitivamente, esto es porque para un |VGS2 – VTH| dado, si la corriente
disminuye, por un factor de 4, entonces (W/L)2 debe disminuir proporcionalmente y gm2 =
W
√2µ𝑝 C𝑜𝑥 ( L ) I𝐷2 es disminuida por el mismo factor.
2

Debemos mencionar que en la tecnología CMOS de hoy en día, la modulación de canal es bastante
significativa y más importante, el comportamiento de los transistores sale notablemente por la ley
cuadrada (capitulo 16). Así la ganancia en la etapa en la fig. 3.9 debe ser expresada como:

Donde gm1 y gm2 deben ser obtenidos como se describió en el capítulo 16.

3.2.3. Etapa fuente común con carga de fuente de corriente

En aplicaciones que requieren una gran ganancia de voltaje en una sola etapa, la relación Av=-gmRD
sugiere que incrementemos la impedancia de carga de la etapa de modo común. Con una resistencia o
un diodo conectado como carga, sin embargo, incrementar la resistencia de carga limita el cambio de
voltaje a la salida.

Una aproximación más práctica es por medio de remplazar la carga por una fuente de corriente.
Descrito brevemente en el ejemplo 3.2, el circuito resultante que se muestra en la figura 3.14, donde
ambos transistores operan en saturación. Desde que la impedancia vista a la salida sea igual a ro1||ro2, la
ganancia es:

La clave aquí es que la impedancia de salida y el |VDS| mínimo requerido de M2 es menos fuertemente
acoplado que el valor y caída de voltaje de una resistencia.

PAGINA 59

El voltaje |VDS2,min| = |VGS2 – VTH2| puede ser reducido a incluso algunos cientos de mili volts
simplemente incrementando el ancho de M2. Si ro no es lo suficientemente alto, la longitud y el ancho
de M2 pueden ser aumentados para adquirir un λ pequeño mientras mantiene el mismo voltaje de
overdrive. La penitencia es la alta capacitancia introducida en M2 en el nodo de salida.

Debemos resaltar que el voltaje de polarización a la salida del circuito en la figura 3.14 no está bien
definido. Así la etapa esta polarizada de forma segura solo si un lazo de retroalimentación fuerza a Vout a
un valor conocido (capitulo 8). El análisis de gran señal del circuito es dejado como ejercicio para el
lector.

Como se explicó en el capítulo 2, la impedancia de salida de los MOSTETs a una corriente de dreno dada
puede ser escalada al cambiar la longitud de canal, por ejemplo, para el primer orden λ α 1/L y por lo
tanto ro α L/ID. Desde que la ganancia de la etapa mostrada en la fig. 3.14 es proporcional a ro1||ro2,
suponer que transistores más largos dan una ganancia de voltaje más alta.
Consideremos M1 y M2 por separado. Si L1 es escalado por un factor α (>1), entonces W1 podría
necesitar un escalamiento proporcional también. Esto es porque, para una corriente de dreno dada, VGS1
– VTH1 α 1/√(𝑊/𝐿)1 , por ejemplo si W1 no es escalada, el voltaje de overdrive incrementa, limitando el
cambio de voltaje a la salida. También, desde que gm1 α √(𝑊/𝐿)1 , escalando mas solo L1, disminuyendo
gm1.

En aplicaciones donde estas situaciones no son importantes W1 puede mantenerse constante mientras
L1 incrementa. Así la ganancia intrínseca del transistor se puede escribir como:

Indicando que la ganancia incrementa con L porque λ depende más en L que en gm. También nótese que
gmro disminuye a la vez que ID incrementa.

Aumentando L2 mientras se mantiene W2 constante, incrementa ro2 y por lo tanto la ganancia de voltaje,
pero con el costo de un |VDS2| más alto requerido para mantener M2 en saturación.

3.2.4 etapa fuente común con carga de tríodo

Un dispositivo MOS operando en la región de tríodo se comporta como una resistencia y también sirve
como la carga en una etapa de fuente común. Ilustrado en la fig. 3.15, un circuito así polariza la puerta
de M2 a un nivel lo suficientemente bajo, asegurando que la carga este en la región de tríodo para todos
los cambios de voltaje a la salida.

PAGINA 60

Ya que:

La ganancia de voltaje puede ser fácilmente calculada.

El principal inconveniente de este circuito proviene de la dependencia de Ron2 sobre µnCox, Vb y VTHP. Ya
que µpCox y VTHP varía con el proceso y la temperatura y ya que generando un valor preciso para Vb
requiere una complejidad adicional, este circuito es difícil de usar. Cargas de tríodo, sin embargo,
consumen menos voltaje entonces hace dispositivos conectados como diodo porque en la fig. 3.15
Vout1,max = VDD, mientras en fig. 3.12 Vout1,max ≈ VDD - |VTHP|.

3.2.5 etapa modo común degenerado

En algunas aplicaciones, la dependencia de la ley cuadrada de la corriente de dreno sobre el voltaje de

overdrive introduce una no linealidad excesiva, deseando “ablandar” las características del dispositivo.
En la sección 3.2.2 notamos el comportamiento lineal de una etapa fuente común usando una carga
conectada como diodo. Alternativamente, como se describe en la fig. 3.16, esto puede lograrse si se
coloca un resistor “degenerado” en serie con la terminal de la fuente. Aquí a medida que Vin aumenta,
también lo hace ID y el voltaje cae a través de RS.

Esta es, una fracción de Vin que aparece a través de la resistencia en vez de el overdrive de la fuente-
puerta, así llevándonos a una variación más suave de ID. Desde otra perspectiva, intentamos hace la
ecuación de ganancia una función más débil de gm. Ya que Vout = -IDRD, la no linealidad del circuito surge
desde la dependencia no lineal de ID sobre Vin. Nótese que δVout/δVin = -(δID/Vin)RD y define la
transconductancia equivalente del circuito así como Gm =δID/δVin. Ahora asumiendo ID = f(VGS),
escribimos:

PAGINA 61

Ya que VG = Vin – IDRS, tenemos que δVGS/δVin = 1 - RSδID/δVin, obteniendo

Pero, δf/δVGS es la transconductancia de M1 y

La ganancia de voltaje en pequeña señal tmabien es igual a

El mismo resultado puede ser derivado usando el modelo de pequeña señal de la fig 3.16(b). la ecuacion
(3.49) intuye que a medida que RS aumenta, Gm se vuelve una funcion debil de gm y por lo tanto la
corrinete de dreno tambien. De hecho, para RS >> 1/gm, tenemos a Gm ≈ 1/RS por ejemplo ∆ID ≈∆RS,
indicando que la mayoria de los cambios en Vin aparecen a traves de RS. Decimos que la corriente de
dreno es una funcion linealizada del voltaje de entrada. La linealizacion es obtenida a costa de una
ganancia mas baja [y un ruido mas alto (capitulo 7)].

Para los siguientes calculos, es util determinar Gm en precencia del efecto cuerpo y la modulacion de
longitud de cana. Con la ayuda del circuito equivalente mostrado en la figura 3.17, reconocemos que la
corriente a traves de RS es igual a Iout, y por lo tanto, Vin = V1 + IoutRS. Sumando las corrientes en el nodo X
tenemos

Siguiendo que
 PAGINA 62

Ahora examinemos el comportamiento en gran señal de la etapa fuente común con RS = 0 y Rs ≠ 0. Para
Rs = 0, nuestra derivación en el capítulo 2 indica que ID y gm varían como se muestra en la fig. 3.18(a).
Para RS ≠ 0, el comportamiento al estar encendido es similar al de la fig. 3.18(a) porque en niveles de
corriente bajos, 1/gm >> Rs y por lo tanto Gm ≈ gm [fig. 3.18(b)].

A medida que el overdrive y también gm aumentan, el efecto de degeneración 1 + gmRS en (3.49) se

vuelve más significativo. Para valores más grandes de Vin (si M1 sigue en saturación), ID es
aproximadamente lineal y Gm se aproxima a 1/RS.

Ejemplo 3.4

Grafique la ganancia de voltaje en pequeña señal del circuito mostrado en la fig. 3.16 como una función
del voltaje de polarización de entrada

Solución

Usando los resultados derivados arriba, para la transconductancia equivalente de M1 y RS, tenemos la
gráfica mostrada en la fig. 3.19. Para un Vin ligeramente más grande que VTH, 1/gm >> RS y Av ≈ -gmRD
A medida que Vin aumenta, la degeneración se vuelve más relevante y Av = -gmRD/(1 + gmRS) para valores
grandes de Vin, Gm ≈ 1/RS y Av = -RD/RS. Sin embargo, si Vin > Vout + VTH, eso es RDID > VTH + VDD – Vin, M1
entra en la región de tríodo y Av cae.

La ecuación (3.51) puede ser reescrita como

PAGINA 63

Este resultado permite la formulación de la ganancia por inspección. Primero, examinemos el

denominador de (3.56) la expresión es igual a la combinación de las serias de la transconductancia
inversa del dispositivo y la resistencia implícita vista desde la fuente hasta la tierra. Llamamos el
denominador “la resistencia vista en el path de la fuente” porque como se muestra en fig. 3.20 si
desconectamos el terminal de debajo de RS desde la tierra y calculamos la resistencia vista “hacia
arriba” (mientras ponemos la entrada en cero), obtenemos RS + 1/gm.

Nótese que el numerador de (3.56) es la resistencia vista en el dreno, nosotros vemos la magnitud de la
ganancia como la resistencia vista en el nodo de dreno dividido por la resistencia total e el path de la
fuente. Este método simplifica el análisis de circuitos más complejos.

Ejemplo 3.5

Asumiendo λ = ϒ = 0, calcule la ganancia de pequeña señal del circuito mostrado en fig. 3.21 (a).
Solución

Nótese que M2 es un dispositivo conectado como diodo y simplificando el circuito mostrado en 3.21 (b),
usamos la regla de arriba para escribir:

PAGINA 64

Otra consecuencia importante de la degeneración de la fuente es el incremento de la resistencia de

salida de la etapa. Calculamos la resistencia de salida primero con la ayuda del circuito equivalente
mostrado en la Fig. 3.22. Nótese que está incluido el efecto cuerpo para llegar a un resultado más
general.

Ya que la corriente a través de RS es igual a IX, V1 = IXRS y la corriente que fluye a través de ro están dados
por IX-(gm + gmb)V1 = Ix + (gm + gmb)RSIx. Añadiendo el voltaje que cae a través de ro y RS, obtenemos
Seguido de

Por lo general (gm + gmb)ro >> 1, tenemos

Indicando que la resistencia de salida se ha incrementado por un factor de 1+ (gm + gmb)RS. Este es un
resultado importante y útil.

Para ganar más perspectiva, consideremos el circuito de la fig. 3.22 con RS = 0 y RS > 0.1. Cuando RS = 0,
entonces gmV1 = gmbVb1 = 0 e IX = Vx/ro. Por otra parte, si RS > 0, tenemos que IxRS > 0 y V1 < 0, obteniendo
un gmV1 y un gmbVbs negativo. Así la corriente proporcionada por Vx es menor que Vx/ro.

La relación en (3.60) y (3.62) también puede determinarse por inspección. Como se muestra en fig. 3.23
(a), aplicamos un voltaje en el nodo de salida, cambiando su valor por ∆V y medido por ∆I, primero
calculamos el cambio de voltaje a través de Rs. Al final dibujamos el circuito mostrado en fig. 3.23(b) y
notamos que la resistencia vista en la fuente de M1 es igual a 1/(gm + gmb) [Ec (3.24)], así llegando al
circuito equivalente en la fig. 3.23 (c)

PAGINA 65

El cambio de voltaje a través de Rs y por lo tanto es igual a

El cambio en la corriente es

Tal que

Con los desarrollos precedentes, ahora podemos calcular la ganancia de la etapa modo común
degenerado en este caso general, tomando en cuenta tanto el efecto cuerpo como la modulación de
canal. En el circuito equivalente descrito en la fig3.24, la corriente a través de Rs tiene que igualar la que
a traviesa RD, por ejemplo, -Vout/RD. Así, el voltaje de fuente con respecto a tierra (y la carga) es igual a
-VoutRS/RD y por lo tanto V1 = Vin + VoutRs/RD. La corriente a través de ro puede ser escrita como:

PAGINA 66

Ya que la caída de voltaje a través de ro y Rs debe sumar a Vout, tenemos

Resultando en
Para ganar más perspectiva en este resultado, reconocemos que los últimos tres términos en el
denominador, llamémoslo, RS + ro + (gm + gmb)Rsro, representa la resistencia de salida de un dispositivo
MOS degenerado por una resistencia RS, como vimos originalmente en (3.60). Reescribamos (3.71)
como:

Las 2 fracciones en (3.73) representan 2 parámetros importantes del circuito: el primero es idéntico al
de (3.55), por ejemplo, la transconductancia equivalente de un MOSFET degenerado y la segunda
muestra la combinación en paralelo de RD y RS + ro + (gm + gmb)RSro, por ejemplo la resistencia de salida
generala del circuito.

La discusión de arriba sugiere que en algunos circuitos puede ser más fácil calcular la ganancia siguiendo
el lema.

Lema. En un circuito lineal, la ganancia de voltaje es igual a –GmRout, donde Gm muestra una
transconductancia del circuito cuando la salida está conectada a tierra y Rout representa la resistencia
de salida del circuito cuando el voltaje de entrada es puesta a cero [fig. 3.25 (a)].

El lema se puede demostrar con la ayuda de la fig. 3.25 notando que la salida de un circuito lineal puede
modelarse con un equivalente de Norton. Esta es, el voltaje de salida es igual a –IoutRout e Iout puede ser
obtenido al medir la corriente en cortocircuito en la salida.

PAGINA 67

Definiendo Gm = Iout/Vin, tenemos que Vout = -GmVinRout. Este lema prueba ser útil si Gm y Rout se pueden
determinar por inspección.
Ejemplo 3.6

Calcular la ganancia de voltaje del circuito mostrado en la fig. 3.26. Asumir que I0 es ideal.

Solución

La transconductancia y la resistencia de salida de la etapa están dadas por las ecuaciones (3.55) y (3.60),
respectivamente, así:

Curiosamente, la ganancia de voltaje es igual a la ganancia intrínseca del transistor e independiente de

RS. Esto es porque si I0 es ideal, la corriente a través de Rs no puede cambiar y por lo tanto el voltaje en
pequeña señal a través de Rs es cero, así como si Rs fuera cero en sí misma.

3.3. Seguidor de voltaje

Nuestro análisis de la etapa modo común indica que, para obtener una ganancia de voltaje alta con un
voltaje suministrado limitado, la impedancia de carga debe ser tan grande como sea posible. Si una
etapa así lleva una baja impedancia de carga, entonces se debe colocar un “buffer” después del
amplificador para llevar la carga con un nivel de perdida de señal despreciable. El seguidor de voltaje
(también llamado la etapa “dreno común”) puede operar como un buffer de voltaje.

Ilustrado en la fig. 3.27(a), el seguidor de voltaje sensa la señal de la puerta y lleva la carga hacia la
fuente, permitiendo al voltaje de fuente que “siga” el voltaje de puerta.
 PAGINA 68

Comenzando con el comportamiento en gran señal, notamos que para Vin < VTH, M1 está apagado y Vout =
0. Así como Vin excede VTH, M1 se enciende en saturación (para valores típicos de VDD) e ID1 fluye a través
de RS [fig. 3.27(b)]. A medida que Vin incrementa más, Vout sigue la entrada con una diferencia (cambio
de nivel) igual a VGS. Podemos expresar las características de entrada y salida como:

Calculemos la ganancia de voltaje en pequeña señal restando ambos lados de (3.76) con respecto a Vin:

Ya que δVTH/δVin = ηδVout/δVin,

También notamos que

Consecuentemente

El mismo resultado se puede obtener más fácil con la ayuda del equivalente en pequeña señal del
circuito de la fig. 3.28 tenemos Vin – V1 = Vout, Vbs = -Vout, y gmV1 – gmbVout = Vout/RS.

PAGINA 69
Así, Vout/Vin = gmRs/[1 + (gm + gmb)Rs].

Graficado en la fig. 3.29 vs Vin, la ganancia de voltaje comienza desde cero para Vin ≈ VTH (que es gm ≈ 0) e
incrementa monótonamente. Así como la corriente de dreno aumenta, Av se aproxima a gm/(gm + gmb) =
1/(1 + η). Ya que η en sí mismo disminuye lentamente con Vout, Av eventualmente podría valer igual a
uno, pero para voltajes de carga fuente permitirles típicos, η se mantiene más grande que
aproximadamente 0.2.

Un resultado importante de (3.80) es que incluso si Rs = ∞, la ganancia de voltaje de un seguidor de

voltaje no es igual a uno. Regresaremos a este punto después. Nótese que M1 en la fig. 3.27 no entra a la
región de tríodo si Vin permanece debajo de VDD.

En el seguidor de tensión de la figura 3.27 la corriente de dreno de M1 depende del nivel de entrada. Por
ejemplo, si Vin cambia de 1.5V a 2V, ID puede aumentar por un factor de 2 y por lo tanto VSG – VTH por raíz
de 2, de este modo introduciendo una no linealidad en las características de entrada-salida. Para aliviar
este problema, la resistencia puede ser reemplazada por un seguidor de corriente como se muestra en
la fig. 3.30(a). El seguidor de corriente en sí mismo es implementado como un transistor NMOS
operando en la región de saturación [fig. 3.30(b)].

PAGINA 70
Ejemplo 3.7

Suponga en el seguidor de tensión de la fig. 3.30(a), (W/L)1 = 20/0.5, I1 = 200µA, VTH0 = 0.6V, 2ɸF = 0.7V,
µnCox = 50 µA/V2 y ϒ= 0.4 V2

(a) calcular Vout para Vin = 1.2 V

(b) si I1 esta implementado como M2 en la fig. 3.30(b), encuentre el valor mínimo de (W/L)2 para el cual
M2 se mantiene en saturación.

Solución

(a) ya que el voltaje de umbral de M1 depende de Vout, hacemos una simple iteración. Nótese que:

Primero asumimos que VTH ≈ 0.6 obteniendo Vout = 0.153V. Ahora calculamos un nuevo VTH como

Esto indica que Vout es aproximadamente 35mV menos que el calculado arriba. Por ejemplo, Vout ≈
0.119V.

(b) ya que el voltaje fuente dreno de M2 es igual a 0.119V, el dispositivo esta en saturación solo si (VGS -
VTH)2 ≤ 0.119V. Con ID = 200µA esto le da a (W/L)2 ≥ 283/0.5. Nótese la unión substancial de dreno y la
capacitancia superpuesta contribuida por M2 hasta el nodo de salida.

Para entender mejor los seguidores de tensión, calculamos la resistencia de salida en pequeña señal del
circuito en la fig. 3.31(a). Usando el circuito equivalente en la fig. 3.31(b) y teniendo en cuenta que V1 = -
Vx, escribimos
 PAGINA 71

Resultando en

Curiosamente, el efecto cuerpo disminuye la resistencia de salida en seguidores de voltaje. Para

entender porque, asuma en la fig. 3.31(c). Vx disminuye por ∆V así la corriente de dreno aumenta. Sin
efecto cuerpo, solo el voltaje de puerta fuente de M1 puede aumentar por ∆V. por otra parte, con
efecto cuerpo, el voltaje de umbral del dispositivo disminuye también. Así en (VGS - VTH)2 el primer
término aumenta y el segundo disminuye, resultando en un cambio significativo en la corriente de dreno
y por lo tanto en una baja impedancia de salida.

El fenómeno de arriba también puede ser estudiado con la ayuda del modelo en pequeña señal
mostrado en la fig. 3.22(a). Es importante notar que la magnitud del seguidor de corriente gmbVbs es
linealmente proporcional al voltaje a través de este.

Tal comportamiento se debe a que una simple resistencia igual a 1/gmb, llevando el modelo en pequeña
señal mostrado en la figura 3.32(b). La resistencia equivalente aparece en paralelo con la salida, así,
bajando la resistencia de salida en general. El lector puede observar que, sin 1/gmb, la resistencia de
salida es igual a 1/gmb, concluyendo que

Moldeando el efecto cuerpo por una resistencia, el cual solo es válido para seguidores de tensión,
también ayuda a explicar la ganancia de voltaje menor que uno mencionada en (3.80) para RS = ∞.

PAGINA 72

Como se muestra en
El equivalente de Thevenin de la fig. 3.33,

Para completar, también estudiamos el seguidor de tensión de la fig. 3.34(a) con modulación de canal
finita en M1 y M2. Desde el circuito equivalente en fig. 3.34(b), tenemos

PAGINA 73

Ejemplo 3.8

Calcule la ganancia de voltaje del circuito mostrados en la fig. 3.35

Solución

La impedancia vista en la fuente de M2 es igual a [1/(gm2 + gmb2)]||ro2. Así

Seguidores de voltaje muestran una alta impedancia de entrada y una impedancia de salida moderada,
pero con el costo de 2 desventajas: la no linealidad y la limitación del voltaje de umbral. Consideraremos
estos problemas en detalle.

Como se mencionó en relación a la figura 3.27(a), incluso si un seguidor de tensión esta polarizado por
una fuente de corriente ideal, su característica de entrada-salida muestra una no linealidad debido a la
dependencia no lineal de VTH sobre el voltaje de fuente. En tecnologías submicron, el ro del transistor
también cambia sustancialmente con VDS, así introduciendo variaciones adicionales en la ganancia de
pequeña señal del circuito (capitulo 16). Por esta razón, seguidores de tensión típicos sufren de varios
porcentajes de no linealidades.

La no linealidad debida al efecto cuerpo puede ser eliminada si la carga es unida a la fuente. Esto puede
ser posible solo para PFETs porque todos los NFETs comparten el mismo substrato. La fig. 3.36 muestra
un seguidor de tensión PMOS empleando 2 pozos-n separados para eliminar el efecto cuerpo de M1. Sin
embargo, la baja movilidad de los PFETs lleva a una impedancia de salida alta, en este caso más de la
que dispone su contraparte NMOS.

Seguidores de tensión también cambian el nivel de DC de la señal por VGS, de este modo consumiendo
un voltaje de umbral y limitando cambios de voltajes. Para entender este punto, considere el ejemplo
ilustrado en la fig. 3.37, una cascada de etapas modo común y un seguidor de tensión. Sin el seguidor de
tensión, el valor mínimo permitido de Vx debería ser igual a VGS1 – VTH1 (para que M1 se mantenga en
saturación). Con el seguidor de tensión, por otra parte, Vx debe ser mayor a VGS2 + (VGS3 – VTH3) así M3
estará en saturación. Para voltajes de overdrive comparables en M1 y M3, esto significa que el cambio
reducido en X es reducido por VGS2 por una cantidad substancial.

También es instructivo comparar la ganancia del seguidor de tensión y las etapas de fuente común
cuando la impedancia de carga es relativamente baja. Un ejemplo práctico es la necesidad de llevar una
terminación externa de 50-Ω en una configuración de alta frecuencia.

PAGINA 74
Como se muestra en la fig. 3.38(a), la carga puede ser conducida con una ganancia de voltaje general de

Por otra parte, como se describió en la fig. 3.38(b), la carga puede ser incluida como parte de un
seguidor de tensión proporcionando una ganancia de:

PAGINA 75
La diferencia clave entre estas 2 topologías en esta ganancia de voltaje posible por una corriente de
polarización dada. Por ejemplo, si 1/gm1 ≈ RL, entonces el seguidor de tensión muestra una ganancia de
al menos 0.5 mientras la etapa de modo común provee una ganancia cercana a la unidad. Así, los
seguidores de tensión no son conductores necesarios eficientemente.

Las desventajas de los seguidores de tensión, llamémoslo no linealidad debida al efecto cuerpo, el
consumo de voltaje de umbral debido al cambio de nivel, y pobre capacidad de conducción, limita el uso
de esta topología. Quizás la aplicación más común de los seguidores de tensión es en el cambio de nivel.

Ejemplo 3.9

(a) en el circuito de la fig. 3.39(a), calcular la ganancia de voltaje si C1 actúa como cortó en la frecuencia
de interés. Cuál es el máximo nivel de DC de la señal de entrada para el cual M1 se mantiene en
saturación?

(b) para acomodar un nivel de DC a la entrada cercano a VDD, el circuito es modificado como se muestra
en la fig. 3.39(b). Cuál es la relación entre los voltajes puerta fuente de M1 a M3 que garantice que M1
esté en saturación?

Solución

(a) la ganancia está dada por

Ya que Vout=VDD - |VGS2|, el nivel máximo permitido en Vin es igual a VDD - |VGS2| + VTH1.

(b) si Vin = VDD, entonces Vx = VDD – VGS3. Para que M1 este saturado, VDD – VGS3 – VTH1 ≤ VDD - |VGS2| y por
lo tanto VGS3 + VTH1 ≥ |VGS2|.