Física Cuántica

Sólidos III. Electrones en sólidos.

José Manuel López y Luis Enrique González

Universidad de Valladolid

Curso 2004-2005 – p. 1/59

MODELO DE DRUDE
• Thomson descubrió el electrón en 1897
• Tres años más tarde Drude propuso su modelo
teórico para la conducion térmica y eléctrica en
metales.
• Un metal se aproxima por un gas de electrones
encerrados en el interior del volumen
macroscópico del metal.
• Debe existir otro tipo de partículas cargadas
positivamente y que Drude supuso inmóviles.
• Se puede aplicar a este "gas" la teoría de los
gases.

Curso 2004-2005 – p. 2/59

• Entre dos choques consecutivos los electrones se
mueven sin influencia de los otros electrones y las
partículas positivas inmóviles. La aproximación
de suponer que los electrones se mueven sin
influencias de los otros electrones se conoce
como la aproximación de electrones
independientes, la suposición de la no influencia
de los "iones" se conoce como la aproximación
de electrones libres
• Las colisiones, en el modelo de Drude, son
eventos instantáneos que alteran la velocidad del
electrón de forma abrupta.

Curso 2004-2005 – p. 3/59

• La probabilidad de que un electrón sufra una
colisión por unidad de tiempo es 1/τ donde τ se
conoce como tiempo de relajación, tiempo de
colisión o tiempo libre medio.
• En el modelo de Drude el tiempo de colisión se
supone independiente de la la velocidad o
posición del electrón.
• Durante el tiempo τ los electrones recorren una
distancia l = vo τ , llamada recorrido libre medio.
vo es la velocidad electrónica promedio.
• Los electrones adquieren el equilibrio térmico
solamente por medio de colisiones.

Curso 2004-2005 – p. 4/59

Conductividad eléctrica de un metal
El modelo de Drude permite explicar la ley de Ohm y
se puede estimar, dentro del modelo, la resistividad de
un conductor,
1 ne2 τ
=σ=
ρ m
siendo n la densidad de electrones. A partir de esta
relación se puede obtener el tiempo de relajación τ ,
puesto que la resistividad es una magnitud medible
experimentalmente. A temperatura ambiente resulta
ser del orden de 10−15 − 10−14 s. Vease Tabla 1.3

Curso 2004-2005 – p. 5/59

Curso 2004-2005 – p. 6/59
En tiempos de Drude es totalmente natural estimar la
velocidad a partir del principio clásico de
equipartición de la energía, lo que nos lleva a una
velocidad vo de 107 cm/sg y a un camino libre medio
de 1-10 Å(del orden de la distancia interatómica).
Sin embargo, medidas experimentales realizadas
sobre materiales cuidadosamente preparados se
pueden conseguir caminos libres medios del orden de
centimetros, lo que significa que los electrones no
"rebotan" en los iones como supone Drude.

Curso 2004-2005 – p. 7/59

Conductividad térmica de un metal
El mayor exito del modelo de Drude fue la
explicación de la ley empirica de Wiedemann y Franz
(1853), que establece que la razón entre la
conductividad térmica y eléctrica de un metal es
directamente proporcional a la temperatura con una
constante de proporcionalidad universal. Vease Tabla
1.6
A partir del modelo de Drude se obtiene:
1 2
κ = vo cv τ
3
siendo cv el calor específico electrónico.

Curso 2004-2005 – p. 8/59

Curso 2004-2005 – p. 9/59
Aplicando la estadística clásica ( 12 mvo2 = 23 kB T , cv = 32 nkB ) se
obtiene  2
κ 3 kB
=
σT 2 e
en total acuerdo con la citada ley.
El valor de la constante es de 1.11 × 10−8 watios ohm/K2 , que es
del orden de la mitad de los valores experimentales.

Casualmente, Drude se equivocó en la deducción de la

conductividad eléctrica encontrando la mitad del resultado
correcto, con lo cual el valor de κ/σT obtenido era el doble, es
decir 2.22 × 10−8 watios-ohm/K2 , en acuerdo excelente con el
experimento.
Curso 2004-2005 – p. 10/59
MODELO DE SOMMERFELD
Drude utilizó la estadistica de Maxwell-Boltzmann (la
única conocida en la época) para determinar las
propiedades electricas y térmicas del gas de
electrones. Esta estadistica predice una contribución
de 32 kB por electrón al calor especifico que está en
total desacuerdo con los resultados experimentales
(100 veces menos). Este hecho fue inexplicable
durante un cuarto de siglo, hasta que Pauli propuso el
principio de exclusión para electrones en átomos.
Sommerfeld intuyó que este principio debería
aplicarse a los electrones del gas, es decir, que la
estadística que debia usarse era la de Fermi-Dirac.

Curso 2004-2005 – p. 11/59

El estado fundamental de un gas de
electrones
Empezaremos examinando el estado fundamental de
un gas de electrones, que es el que correspondería a
una temperatura T=0 K, y veremos que a temperatura
ambiente este gas de electrones no difiere
apreciablemente del gas a T=0 K.
Consideremos N electrones (≡ 1023 ) encerrados en un
volumen V.
• Electrones libres

• Electrones sin interacción

• Calculamos los niveles posibles y colocamos los

electrones de acuerdo con el principio de
exclusión de Pauli.
• Consideremos un cubo de lado L
Curso 2004-2005 – p. 12/59
Ecuación de Schrodinger:
~2 2
− ∇ Ψ = EΨ
2m
La solución es
1 i~k~r ~2 k 2
Ψ=√ e E(k) =
V 2m

El factor √1V garantiza que la función de onda está

normalizada.

Curso 2004-2005 – p. 13/59

Condiciones de contorno
• Sólido infinito ⇒ V −→ ∞, esta no es la
situación más real.
• Sólido finito muy grande (comparado con el
tamaño atómico), la solución para el interior del
mismo no "verá" las paredes

Ψ(x, y, z + L) = Ψ(x, y, z) 
Ψ(x, y + L, z) = Ψ(x, y, z)
Ψ(x + L, y, z) = Ψ(x, y, z)


⇓
condiciones de Born-von-Karman
Curso 2004-2005 – p. 14/59
En nuestro caso en concreto

ei(kx x+ky y+kz z) = ei(kx x+ky y+kz (z+L)) 


ei(kx x+ky y+kz z) = ei(kx x+ky (y+L)+kz z) ⇒ eikx L = eiky L = eikz L = 1

ei(kx x+ky y+kz z) = ei(kx (x+L)+ky y+kz z)



z complejo ⇒ ez = 1 ⇒ z = 2πni, siendo n un entero.

kx L = 2πnx , ky L = 2πny , kz L = 2πnz nx , ny , nz = 0, ±1, ±2, · · ·

2π 2π 2π ~ 2π 2π 2π
kx = nx ky = ny kz = nz ⇒ k = ( nx , ny , nz )
L L L L L L
Cuantización

Curso 2004-2005 – p. 15/59

¿Cuantos puntos están contenidos en una
región de volumen Ω del espacio-k?
Si la región es muy grande una muy buena
aproximación es el volumen de la región dividido por
el volumen por punto en el espacio-k.
Ω ΩV
2π 3 =
(L) (2π)3

por tanto la densidad de puntos (número de puntos por

unidad de volumen) será:
V
8π 3

Curso 2004-2005 – p. 16/59

N electrones (≡ 1023 ) independientes ⇒ el estado
fundamental se forma colocando estos electrones en
los niveles más bajos de energía que queden libres, es
decir, el primero en ~k = 0 .... así hasta completar una
esfera de radio kF que corresponde a la enegía del
último electrón ǫF : ǫF = ~2 kF2 /2m.
ǫF es el nivel (o energía) de Fermi y kF el vector de
onda de Fermi
El número total de vectores ~k permitidos será:
4 3 V kF3 V
( πkF ) ( 3 ) =
3 8π 6π 2
Curso 2004-2005 – p. 17/59
Dado que para cada valor de ~k permitido podemos
colocar dos electrones, para acomodar N electrones
necesitaremos llegar hasta
kF3 V
N =2 2
6π
Si tenemos N electrones en un volumen V (densidad
electrónica n=N/V) el estado fundamental de este gas
de electrones se obtiene ocupando todos los niveles
para k menor que kF y dejando desocupados todos los
niveles de k mayor que kF , donde kF está dado por la
condición
kF3
n= 2
3π Curso 2004-2005 – p. 18/59
 • La esfera de radio kF se llama esfera de Fermi
• La superficie de la esfera (superficie que separa
los niveles ocupados de los no ocupados a T=0)
se llama superficie de Fermi
• Otras magnitudes de Fermi (momento, velocidad,
....)
Todas estas cantidades pueden medirse
experimentalmente.

Curso 2004-2005 – p. 19/59

 F (~k).
P
A menudo aparecen magnitudes de la forma ~k
En el espacio-k el volumen por punto vale
∆~k = 8π 3 /V por tanto es útil escribir:
V
F (~k) = 3 F (~k)∆~k .
X X
8π
~k ~k

En el límite en que ∆~k → 0, es decir, cuando

V → ∞, podemos sustituir la suma por la integral
Z ~
1 X
~ dk ~
lim F (k) = 3
F (k)
V →∞ V 8π
~k
Curso 2004-2005 – p. 20/59
La energía del estado fundamental será la suma:
X ~2 k 2
E=2 .
2m
k<kF
Aplicando la relación anterior:
2 2 2 5
E 1 k 1 k
Z
~ ~
= 3 d~k = 2 F
V 4π k<kF 2m π 10m
La energía por electrón será:
E 3 3
= ǫF = kB TF
N 5 5
donde TF es la temperatura de Fermi.
Curso 2004-2005 – p. 21/59
Curso 2004-2005 – p. 22/59
Propiedades térmicas del gas de elec-
trones
Para que la distribución de Fermi-Dirac y el llenado de niveles a
T = 0 sean consistentes entre sí es necesario que el potencial
químico a esa temperatura sea igual a la energía de Fermi.

lim µ = ǫF
T →0

A T 6= 0 se tiene µ 6= ǫF pero la diferencia es muy pequeña para

casi todas las temperaturas de interés (incluyendo temperatura
ambiente). Esta diferencia, a pesar de ser pequeña, tiene
importantes consecuencias, por ejemplo en el cálculo del calor
específico electrónico.

Curso 2004-2005 – p. 23/59

Recordemos que la distribución de Fermi-Dirac nos daba la
probabilidad de ocupación de un nivel ǫ
1
f (ǫ) =
e(ǫ−µ)/kB T + 1
La energía del gas de electrones a temperatura T será la suma de
las energías de los niveles multiplicadas por su ocupación media,
que será dos veces (por el spin) la probabilidad dada por f :
2 2
~ k
ǫ(~k)2f (ǫ(~k)) ~
X
E= con ǫ(k) =
2m
~k

X de µ, que a su vez está determinado por la

Esta energía depende
condición N = 2f (ǫ(~k))
~k
Curso 2004-2005 – p. 24/59
  
∂E/V
El calor específico por otra parte es cv = .
∂T V
Por tanto, para calcularlo primero hemos de obtener µ en función
de T y n = N/V , sustituir esto en la expresión anterior de la
energía y finalmente hacer la derivada respecto a T .
Las ecuaciones son (pasando al límite V → ∞)
 Z ~ Z ∞ 2
 dk dk k
E/V = ǫ(k)f (ǫ(k)) = ǫ(k)f (ǫ(k)) =



 4π 3 π 2

 Z ∞ 0


 = dǫg(ǫ)ǫf (ǫ)
0





 Z ∞

 N/V = dǫg(ǫ)f (ǫ)


0

Curso 2004-2005 – p. 25/59

donde hemos hecho un cambio de variable de integración y
definido la densidad de estados
r  1/2
m 2mǫ 3n ǫ
g(ǫ) = 2 2 2
=
~π ~ 2 ǫF ǫF
Las integrales son complicadas dada la expresión de f (ǫ). Su
forma sin embargo difiere de la correspondiente a T = 0 en una
zona alrededor de ǫ = µ de anchura aproximada kB T . Por tanto
la dependencia de las integrales con la temperatura puede
calcularse de manera aproximada desarrollando los integrandos
en serie de Taylor entorno a ǫ = µ (expansión de Sommerfeld) y
quedandose solo con el primer término.
π2 2
Resultado en este caso ⇒ cv = g(ǫF )kB T
3 Curso 2004-2005 – p. 26/59
Conductividades electrica y térmica
Ha de usarse la estadística de F-D en lugar de la de
M-B en los promedios. Esto implica que la “velocidad
promedio" utilizada en el modelo de Drude debe ser la
velocidad de Fermi vF lo cual afecta al recorrido libre
medio, que queda aproximadamente multiplicado por
10, y que el calor específico que aparece en la
conductividad térmica debe ser el recien obtenido.
Haciendo las cuentas resulta que
κ π 2 kB 2
= ( ) = 2.44 × 10−8 watios-ohm/K2
σT 3 e
en acuerdo excelente con el experimento.

Curso 2004-2005 – p. 27/59

ALGUNOS MISTERIOS DEL MODELO DE
ELECTRONES LIBRES

Curso 2004-2005 – p. 28/59

ALGUNOS MISTERIOS DEL MODELO DE
ELECTRONES LIBRES
• ¿Qué determina el número de electrones de
conducción? ... Elementos polivalentes ...

Curso 2004-2005 – p. 28/59

ALGUNOS MISTERIOS DEL MODELO DE
ELECTRONES LIBRES
• ¿Qué determina el número de electrones de
conducción? ... Elementos polivalentes ...
• ¿Cómo es posible que algunos sólidos evidencien
experimentalmente (efecto Hall) conducción
eléctrica por cargas positivas?

Curso 2004-2005 – p. 28/59

ALGUNOS MISTERIOS DEL MODELO DE
ELECTRONES LIBRES
• ¿Qué determina el número de electrones de
conducción? ... Elementos polivalentes ...
• ¿Cómo es posible que algunos sólidos evidencien
experimentalmente (efecto Hall) conducción
eléctrica por cargas positivas?
• ¿Por qué hay sólidos no metálicos? ... O
dependiendo de la estructura (C) ...

Curso 2004-2005 – p. 28/59

ELECTRONES EN UN PO-
TENCIAL PERIODICO.
TEOREMA DE BLOCH Y BANDAS DE
ENERGIA.
El potencial que sienten los electrones en un sólido
presenta todas las simetrías de la red que define su
estructura. La más importante de todas es la
traslacional, que implica que el potencial es periódico
con la periodicidad de la red.
~ = V (~r)
V (~r + R) ~ ∈ red real
∀R
Esto tiene importantes implicaciones en las funciones
de onda y autovalores electrónicos en un sólido.

Curso 2004-2005 – p. 29/59

Teorema de Bloch
En primer lugar enunciamos el Teorema de Bloch:
Las funciones de onda de un electrón en un sólido
pueden escribirse de la forma
i~k~r
ψn~k (~r) = e un~k (~r)

siendo un~k (~r) una función que presenta la

~ = u ~ (~r)
periodicidad de la red un~k (~r + R) nk
~ i~k R
~
Alternativamente, ψ ~ (~r + R) = e ψ ~ (~r)
nk nk

Se trata por tanto de ondas planas, cuya amplitud está

modulada por una función con la periodicidad de la
red ⇒ es suficiente estudiarla en una celda unidad.
Curso 2004-2005 – p. 30/59
En cuanto a los vectores de onda ~k tambien es suficiente
considerar que están en la primera zona de Brillouin. Si no lo
estuviera podríamos siempre encontrar un vector G ~ ∈ red
recíproca tal que ~k = ~k ′ + G
~ con ~k ′ en la primera zona de
Brillouin. Dado que exp[iG ~ R]
~ = 1 para todos los vectores de las
redes real y recíproca se ve que si la forma de Bloch de la
función de onda es válida para ~k tambien lo es para ~k ′ .
Para cada valor de ~k la función de onda ψ se obtiene resolviendo
la ecuación de Schrödinger, que se traduce en una ecuación para
la función de Bloch u, que habrá que resolver en una celda
unidad y con condiciones de contorno periódicas
~ = u(~r). Esta ecuación tendrá una serie de autovalores
u(~r + R)
ǫn~k y n simplemente nos los indexa.
Curso 2004-2005 – p. 31/59
Bandas de energía
En la ecuación para u el vector ~k aparece como un
parámetro y por tanto las funciones de onda y los
autovalores variarán con ~k de manera continua, lo cual
suele expresarse escribiendo los autovalores como
ǫn (~k). Además ésta función debe ser periódica con la
periodicidad de la red recíproca, ǫn (~k + G)
~ = ǫn (~k).
Continua + periodica ⇒ acotada, es decir hay un valor
máximo y uno mínimo ⇒ cada n define una banda de
energía. El conjunto de todas las bandas de energía
nos da la estructura de bandas del sólido.

Curso 2004-2005 – p. 32/59

 Imponiendo condiciones de Born-von-Karman a un
sólido formado por N = N1 N2 N3 celdas primitivas,
siendo Ni el número de celdas en la dirección del
vector ~ai , es facil demostrar que el número de vectores
~k permitidos es precisamente N , es decir, el número
de celdas primitivas del cristal, y que la densidad de
puntos en el espacio recíproco es V /8π 3 exactamente
igual que en el caso de los electrones libres.
Estado fundamental
Se obtiene llenando las bandas de energía con los
electrones disponibles (2 por nivel) en orden creciente
de energías. Como resultado podemos encontrar los
siguientes casos:
Curso 2004-2005 – p. 33/59
Curso 2004-2005 – p. 34/59
• Existe una última banda llena y una primera
banda vacía separadas por un intervalo de
energías (gap). Si el gap es grande comparado
con la energía térmica (kB T ) el sistema es un
aislante. Si el gap es comparable con la energía
térmica el sistema es un semiconductor.
• La última banda ocupada no está completamente
llena, o bien existe un solapamiento grande entre
la “última llena" y la “primera vacía". El sistema
es un metal.
• Existe un solapamiento muy pequeño entre la
ultima banda llena y la primera vacía. En este
caso el sistema es un semimetal.
Curso 2004-2005 – p. 35/59
Curso 2004-2005 – p. 36/59
Origen de las bandas de energía
Atomo ⇒ niveles energéticos atómicos (1s, 2s, 2p, etc).

Curso 2004-2005 – p. 37/59

Origen de las bandas de energía
Atomo ⇒ niveles energéticos atómicos (1s, 2s, 2p, etc).
Molécula diatómica ⇒ los niveles electrónicos que a separación
infinita coincidían con los atómicos, pero degenerados, se
separaban en 2 niveles distintos al disminuir la distancia, debido
fundamentalmente al solapamiento entre los orbitales.

Curso 2004-2005 – p. 37/59

Origen de las bandas de energía
Atomo ⇒ niveles energéticos atómicos (1s, 2s, 2p, etc).
Molécula diatómica ⇒ los niveles electrónicos que a separación
infinita coincidían con los atómicos, pero degenerados, se
separaban en 2 niveles distintos al disminuir la distancia, debido
fundamentalmente al solapamiento entre los orbitales.
Butadieno ⇒ los orbitales pz de los 4 átomos de C, que a
separación infinita tendrían la misma energía, se desdoblaban en
4 niveles moleculares.

Curso 2004-2005 – p. 37/59

Origen de las bandas de energía
Atomo ⇒ niveles energéticos atómicos (1s, 2s, 2p, etc).
Molécula diatómica ⇒ los niveles electrónicos que a separación
infinita coincidían con los atómicos, pero degenerados, se
separaban en 2 niveles distintos al disminuir la distancia, debido
fundamentalmente al solapamiento entre los orbitales.
Butadieno ⇒ los orbitales pz de los 4 átomos de C, que a
separación infinita tendrían la misma energía, se desdoblaban en
4 niveles moleculares.
Sólido ⇒ los niveles atómicos que corresponden a una
separación infinita entre los N átomos se desdoblan en N
niveles, dando lugar a las bandas de energı́a. Ası́ en principio
podremos asignar una banda al nivel atómico 1s, otra banda al
2s, etc.
Curso 2004-2005 – p. 37/59
La anchura de la banda dependerá de la distancia de equilibrio de
la red (separación entre los átomos) y será mayor para los
niveles altos en energía que para los más bajos, debido a que el
solapamiento de los orbitales correspondientes será mayor.
Si la anchura de la banda es muy grande puede solapar con la
banda anterior ⇒ banda tipo sp.

Curso 2004-2005 – p. 38/59

Conducción electrica, movimiento semiclásico,
masa efectiva
Si consideramos un electrón descrito por un paquete
de ondas centrado en un vector ~k de la primera zona
de Brillouin y con dispersión ∆~k pequeña comparada
con el tamaño de la propia primera zona de Brillouin,
resulta que podemos definir la velocidad de dicho
electron como la velocidad de grupo asociada al
paquete de ondas:

1 ∂ǫn (~k)
~v =
~ ∂~k
Esta sería la velocidad que en la teoría de Bloch debe
asociarse a cada electrón a la hora de calcular la
corriente eléctrica.
Curso 2004-2005 – p. 39/59
Es fácil demostrar que sumando la contribución de
todos los electrones de una banda n que se encuentre
completamente ocupada, el resultado para la corriente
es nulo. En otras palabras, los electrones que están en
bandas llenas son “inertes". Esto permite determinar
el número de portadores: son aquellos que estan en
bandas parcialmente ocupadas.

Curso 2004-2005 – p. 40/59

Si un sólido tiene todas las bandas llenas o vacías
entonces no conducirá la electricidad. Teniendo en
cuenta que el número de niveles por cada banda es 2
veces el número de celdas primitivas del cristal, está
claro que si el número de electrones por celda
primitiva es impar necesariamente ha de haber bandas
ocupadas sólo parcialmente y el sistema será
conductor. Por tanto, condición necesaria para que un
sistema no sea conductor es tener un número de
electrones par por celda primitiva (No es condición
suficiente porque el solapamiento de bandas puede
producir bandas parcialmente ocupadas ...)

Curso 2004-2005 – p. 41/59

Supongamos un electrón sometido a una fuerza
externa. El trabajo realizado por la fuerza durante un
intervalo de tiempo δt será
~ ∂ǫ(~k)
F
δǫ = F~ δ~r = F~
~ v δt = δt
~ ∂ ~k
Por otra parte
∂ǫ(~k) ~
δǫ = δk
∂~k
Entonces (ecuación semiclásica del movimiento del
electrón):
d~k
~ = F~
dt
Curso 2004-2005 – p. 42/59
De manera similar, si derivamos respecto del tiempo
la ecuación que define la velocidad de grupo y
aplicamos la ecuación semiclásica del movimiento
obtenemos:
d~v 1d 1 d~k 1 2 ~ ~
= ~ 2 ~
∇~k ǫ(k) = ∇~k ǫ(k) = 2 ∇~k ǫ(k)F
dt ~ dt ~ dt ~
que tiene la forma “fuerza = masa aceleracion" si
identificamos
1 1 2 ~
∗
= 2 ∇~k ǫ(k)
m ~

Curso 2004-2005 – p. 43/59

A esta masa m∗ se la denomina masa efectiva
electrónica, y depende de la banda que se esté
considerando y tambien de ~k en general. Para
electrones libres (ǫ = ~2 k 2 /2m) la masa efectiva es
igual a la masa del electron pero para electrones en
una red periódica m∗ puede tomar cualquier valor,
incluso negativo, lo cual ocurre habitualmente en la
zona superior de las bandas.

Curso 2004-2005 – p. 44/59

Huecos
Consideremos una banda que tiene ocupados todos
sus estados excepto uno, asociado un vector de onda
~ke . Si la banda estuviera completamente llena el valor
que podría asignarse a toda la banda sería cero. Por
tanto con todos los estados ocupados excepto ~ke
podemos asignar a la banda un vector de onda −~ke .
Supongamos que aplicamos un campo eléctrico
externo. Todos los electrones de la banda se moverán
según su ecuación semiclásica del movimiento,
F~e = ~d~k/dt

Curso 2004-2005 – p. 45/59

 Por ejemplo, si la fuerza correspondiente es hacia la
izquierda, el electron que ocupa el estado
inmediatamente a la derecha de ~ke pasará a ocupar
éste y así sucesivamente, mientras que los electrones
que ocupaban estados inicialmente a la izquierda de
~ke igualmente se moverán hacia la izquierda, dejando
libre el estado inmediatamente a la izquierda de ~ke . Es
como si el estado desocupado se hubiera desplazado
hacia la izquierda como consecuencia de la fuerza
aplicada. Es importante notar que el vector de onda
total que se puede asignar a la banda, que era
inicicalmente −~ke se habrá por tanto desplazado
hacia la derecha.
Curso 2004-2005 – p. 46/59
La situación se puede describir más facilmente
diciendo simplemente que tenemos un hueco en la
banda, al cual asignamos un vector de onda ~kh = −~ke
y que se mueve según la ecuación semiclásica
~d~kh /dt = −F~e , siendo F~e la fuerza que actuaría
sobre un electrón. Pero esta fuerza es la misma que
sufriría una partícula identica a un electron pero con
carga positiva. Por tanto si asociamos al hueco una
carga contraria en signo a la del electron podremos
escribir su ecuación semiclásica del movimiento como
~d~kh /dt = F~h , siendo F~h la fuerza que sufre el hueco.

Curso 2004-2005 – p. 47/59

Utilizando argumentos análogos se puede asignar al
hueco una energía, medida desde el tope de la banda,
ǫh (~kh ) = −ǫe (~ke ) y una masa efectiva m∗h = −m∗e .
Recordando que la m∗e cerca del tope de la banda
suele ser negativa resulta que la correspondiente masa
del hueco cerca del tope de la banda será
habitualmente positiva.

Curso 2004-2005 – p. 48/59

Resumiendo un hueco es simplemente la ausencia de
un electron en una banda, pero todo puede describirse
como si tuviera una entidad física, con masa efectiva
igual a la negativa de la del electron, carga igual a la
del electron pero de signo positivo, vector de onda
contrario al del electron que falta y energía que crece
hacia abajo de la banda.
Evidentemente los huecos contribuyen a la corriente
electrica (son equivalentes a una banda que no está
totalmente llena) y de hecho su contribución es muy
importante no solo en semiconductores sino tambien
en algunos metales.

Curso 2004-2005 – p. 49/59

Semiconductores intrinsecos y
extrinsecos
Hemos comentado que un semiconductor es un sólido
en el que existe un gap de energías entre la última
banda ocupada (de valencia) y la primera desocupada
(de conducción) que no es muy grande comparado
con la energía térmica kB T .
Esto implica que la agitación térmica puede excitar
algunos electrones que pasan de la banda de valencia
a la de conducción.
Interpretandolo de otra manera, la agitación térmica
crea huecos en la banda de valencia y electrones en la
de conducción (en un número igual).

Curso 2004-2005 – p. 50/59

Al aumentar la temperatura evidentemente aumentará
el número de electrones y de huecos y por tanto la
densidad de portadores y consecuentemente
aumentará la conductividad electrica del sistema.
Esta dependencia de σ(T ) es justamente contraria a la
que se tiene en un metal, en el cual la densidad de
portadores es constante, pero al aumentar T las
vibraciones de la red aumentan (se crean más
fonones) con lo cual los choques aumentan y τ
disminuye, disminuyendo por tanto σ al aumentar T .

Curso 2004-2005 – p. 51/59

Este tipo de semiconductores, con concentraciones
iguales de electrones y huecos se llaman
semiconductores intrínsecos. Tambien se pueden
construir semiconductores extrínsecos en los cuales la
concentracion de uno de los dos tipos de portadores es
mayor que la de otro, dando lugar a semiconductores
de tipo n (más electrones) o de tipo p (más huecos).
Estos se pueden construir añadiendo impurezas
(envenenando, en ingles doping, en espanglish
dopando) al sistema.

Curso 2004-2005 – p. 52/59

Para el silicio (valencia 4) podemos por ejemplo añadir
impurezas de arsénico (valencia 5) que crean niveles (o bandas
muy estrechas) muy cerca del fondo de la banda de conducción
que albergan los electrones extra debidos a la mayor valencia del
arsénico. Estos niveles están tan cerca de la banda de conducción
que la energía térmica básicamente los vacía completamente y
los electrones pasan a la banda de conducción ⇒ semiconductor
extrínseco de tipo n.
Si en cambio añadimos impurezas de boro (valencia 3) lo que
ocurre es que se crean niveles (bandas muy estrechas) vacíos
muy cerca de la banda valencia del silicio, con lo cual la
agitación térmica básicamente los llena todos, dejando los
correspondientes huecos en la banda de valencia ⇒
semiconductor extrínseco de tipo p. Curso 2004-2005 – p. 53/59
La union pn (diodo)
Juntemos un semiconductor tipo p que tiene una alta
concentración de huecos (p) con un semiconductor
tipo n con alta concentración de electrones (n).
Contacto ⇒ difusión de huecos hacia el lado n y de
electrones hacia el lado p.
Efectos:
• En la zona cerca del contacto se recombinan
electrones y huecos formando una región vacía de
portadores.
• El lado p queda cargado negativamente y el lado
n queda cargado positivamente, creando una
barrera de potencial y un campo eléctrico de n a p
que inhibe la difusión, hasta que se alcanza una
situación de equilibrio.
Curso 2004-2005 – p. 54/59
Fotodiodos, células fotovoltaicas

Si en la zona vacía de portadores un fotón de la

energía adecuada es absorbido entonces puede crearse
un par electrón-hueco, el electrón es empujado hacia
el lado n y el hueco hacia el lado p por el campo
eléctrico existente en esa zona, dando lugar a una
cierta corriente eléctrica desde n hacia p.
Este es el funcionamiento básico de los fotodiodos y
las células fotovoltaicas. Curso 2004-2005 – p. 55/59
Corrientes en una unión pn
Consideraremos sólo las debidas a los huecos, el caso
de los electrones es completamente análogo.
• de recombinación. Si en la zona n se produce una
recombinación e-h entonces p disminuye y hace
posible una difusión de huecos desde p a n. Esta
corriente Ir está dificultada por la barrera de
potencial.
• de generación térmica. En la zona n la excitación
térmica puede crear pares e-h, y los huecos
generados son empujados por E ~ hacia la zona p.
Esta corriente Ig solo depende básicamente de la
temperatura.
En el equilibrio Ig + Ir = 0. Curso 2004-2005 – p. 56/59
Polarización directa
Si conectamos una diferencia de potencial externa V
con el polo positivo en el lado p ocurre lo siguiente:
• Los huecos de la zona p son empujados hacia n y
los electrones de n hacia p, reduciendo de esta
manera la zona vacía de portadores.
• La barrera de potencial disminuye.

¿Qué ocurre con las corrientes?

• Ig no varía (depende sólo de T). Ig = Ig (V = 0)

• Ir aumenta ≈ en un factor relacionado con la

comparación entre la energía electrostática
ganada debido al potencial externo (eV ) y la
energía térmica (kB T ). Ir = Ir (V = 0)eeV /kB T
Resultado neto: corriente de p a n. Curso 2004-2005 – p. 57/59
Polarización inversa
Si conectamos una diferencia de potencial externa V
con el polo positivo en el lado n ocurre lo contrario:
• La zona vacía de portadores se hace mayor.

• La barrera de potencial aumenta.

¿Qué ocurre con las corrientes?

• Ig no varía (depende sólo de T). Ig = Ig (V = 0)

• Ir disminuye. Ir = Ir (V = 0)e−eV /kB T

Resultado neto: corriente de n a p, pero muy pequeña
(practicamente sólo la de generación térmica).

Curso 2004-2005 – p. 58/59

Característica V-I para un diodo
Tomando V como negativo si colocamos polarización
inversa, y sumando las corrientes debidas a los
electrones el resultado final para la corriente puede
escribirse como
 eV 
I = Is e kB T − 1

Curso 2004-2005 – p. 59/59