Miguel Sandoya Man Ging

Trabajo de Investigación
Estructura del Par Diferencial
Todo amplificador diferencial, sea cual sea cual sea su complejidad, está basado en una
estructura llamada par diferencial. El par diferencial está compuesto por los siguientes
elementos:

1. Dos transistores idénticos (o al menos, muy bien apareados) cuyos emisores (o

fuentes, si son FET) están conectados al mismo nodo. Pueden ser de cualquier tipo: NPN,
PNP, NMOS, PMOS, N-JFET, P-JFET, ...

2. El nudo donde se conectan los dos emisores/fuentes se drena (alimenta) por medio
de una fuente de corriente, IQ.

3. Las entradas del par diferencial, cuyas tensiones se restarán, son las bases/puertas de
los transistores.

4. Dos cargas se conectan a los colectores/drenadores de los transistores. Estas cargas

pueden ser simples resistencias o fuentes de corriente con elevada impedancia de
salida.

Par diferencial con carga resistiva

En este caso, se conecta al colector/drenador de cada transistor dos resistencias
exactamente iguales. Suele tomarse la salida como la diferencia de tensión entre los dos
colectores/drenadores.

Tecnología CMOS/Transistores JFET

Pueden darse cuatro posibilidades, mostradas en Fig. 8: Par NMOS (a), par PMOS (b),
par JFET de canal N (c) y par JFET de canal P (d). Las ecuaciones derivadas de un transistor
MOS son idénticas a las del JFET con la misma polaridad, cambiando la tensión umbral
por la tensión de pinch-off.
Miguel Sandoya Man Ging

Supondremos que VS es la tensión del nudo de fuente, común a ambos transistores. Es

fácil ver entonces que:

Par diferencial con carga activa

Estos pares se caracterizan por utilizar las dos ramas de un espejo de corriente como
cargas de los dos transistores del par diferencial. En general, estos dispositivos se
diseñan como transconductores, que convierten la tensión de entrada en corriente de
salida, tienen una ganancia extraordinariamente alta y no requieren de grandes valores
de resistencia para obtener una ganancia muy alta. Por ello, son muy populares al
diseñar circuitos integrados como amplificadores operacionales o comparadores. Por
otro lado, cuanto más eficaz sea la reflexión de corriente del espejo y cuanto mayor sea
su impedancia de salida, mejor característica tendrá el par diferencial.

Tecnología CMOS
La construcción de esta estructura es similar a la de con la salvedad de que los NPN se
reemplazan por NMOS y los PNP por PMOS.

Siendo VTH la tensión umbral de los transistores, β la trasconductancia, VC la tensión del

modo común y VS la tensión del nudo común a los dos terminales de fuente.
Miguel Sandoya Man Ging

Amplificador Clase A
Son amplificadores que consumen corrientes continuas altas de su fuente de
alimentación, independientemente de la existencia de señal en la entrada. Esta
amplificación presenta el inconveniente de generar una fuerte y constante cantidad de
calor, que ha de ser disipada. Esto provoca un rendimiento muy reducido, al perderse
una parte importante de la energía que entra en él.
Tiene una corriente de polarización igual a aproximadamente la mitad de la corriente de
salida máxima que pueden entregar. Los amplificadores de clase A a menudo consiste
en tres transistores de salida, conectado directamente un terminal a la fuente de
alimentación y el otro a la carga. Cuando no hay señal de entrada la corriente fluye
directamente del negativo al positivo de la fuente de alimentación, consumiéndose
potencia sin resultar útil.

Amplificador Clase B

Los amplificadores de clase B se caracterizan por tener intensidad casi nula a través de
sus transistores cuando no hay señal en la entrada del circuito. Ésta es la que polariza
los transistores para que entren en zona de conducción, por lo que el consumo es menor
que en la clase A, aunque la calidad es algo menor debido a la forma en que se transmite
la onda.
Los amplificadores de clase B tienen etapas de salida con corriente de polarización
infinita. Tienen una distorsión notable con señales pequeñas, denominada distorsión de
cruce por cero, porque sucede en el punto que la señal de salida cruza por su nivel de
cero volt a.c. y se debe justamente a la falta de polarización, ya que en ausencia de esta,
mientras la señal no supere el nivel de umbral de conducción de los transistores estos
no conducen.