MOSFET (Metal-Oxide-

Semiconductor FET)
Prof. Alexander Hoyo
MOSFET

MOSFET tipo Incremental
(Enriquecimiento)

Canal N

Canal P

MOSFET tipo Decremental

(Deplexión)

Canal N

Canal P
 MOSFET INCREMENTAL
Drenaje (D)
Sin Canal
N

Compuerta (G) P
Sustrato Sustrato (SS)

Metal
N

Fuente (S)
Dióxido de Silicio (SiO2)
 MOSFET INCREMENTAL

La base de material tipo P se le conoce como

sustrato (SS).

El sustrato (SS) se interconecta con el
terminal de la fuente (S).

La compuerta (G) esta aislada por un
dieléctrico (Dioxido de Silicio SiO2).

Entre el Drenaje (D) y la Fuente (S) no
existe un canal de Conducción.
 MOSFET INCREMENTAL

Con VDS positivo y sin polarización en VGS no
existe corriente entre el Drenaje y la Fuente:

ID=IS=0mA

Los electrones necesitan mucha energía

porque no existe un canal de conducción entre
D y S como ocurre el los JFET.
 MOSFET INCREMENTAL

La Compuerta (G) y el Sustrato (SS) forman
un Condensador de láminas paralelas con
Dióxido de Silicio como Dieléctrico.

Si se polariza VGS con un voltaje positivo, se

carga el condensador.

El Campo Eléctrico en el Condensador forma el

canal de conducción
 MOSFET INCREMENTAL

Si VGS > VT N
ID > 0
+
P
Sustrato VDS
+
_
VGS
_
N

IS = ID
 MOSFET INCREMENTAL

El Resultado que se obtiene es una
resistencia lineal controlada por la tensión
de entrada VGS.

Para VDS muy grandes el canal formado se

estrangula y la corriente permanece
constante.
 MOSFET INCREMENTAL

No se puede aplicar la ecuación de Shockley.

Si VGS >= VT

ID = k(VGS – VT)2

k  constante
VT  Voltaje Umbral
MOSFET INCREMENTAL
 SÍMBOLOS

MOSFET Incremental D
Canal P
G
Sustrato (SS)
S
conectado
internamente
al terminal de
Fuente (S)
D

MOSFET Incremental
Canal N G

S
 MOSFET DECREMENTAL
Drenaje (D)
Canal N
N

Compuerta (G) P
N Sustrato (SS)
Sustrato

Metal
N

Fuente (S)
Dióxido de Silicio (SiO2)
 MOSFET DECREMENTAL

Si existe un canal de conducción entre el
Drenaje (D) y la Fuente (S).

Funciona muy similar al JFET, se utiliza la

ecuación de Schokley.

Este dispositivo tiene una zona incremental.

MOSFET DECREMENTAL
D
N
VDS

SS
N P
G

VGS = 0V
N
S

ID=IS=IDSS
MOSFET DECREMENTAL

ID disminuye si se aumenta
negativamente VGS
 MOSFET DECREMENTAL

Modo Decremental

Si VGS es positivo

Modo
Incremental

Se aplica le
ecuación de
Shockley
 SÍMBOLOS

MOSFET Canal P D

G Sustrato (SS)
S conectado
internamente
al terminal de

MOSFET Canal N Fuente (S)
D

S
Referencias

Horenstein, Mark. Circuitos y
Dispositivos Microelectrónicos.

Malik, Norbert. Circuitos Electrónicos,

Análisis, Simulación y Diseño.

Boylestad, R. Electrónica, Teoría de

Circuitos.