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f(Concentracion de Impurezas)
µ
(Movilidad)
f(Tipo de Impurezas)
𝜇𝑀𝐴𝑋 − 𝜇𝑚𝑖𝑛
𝜇 = 𝜇𝑚𝑖𝑛 +
𝑁 𝛼
1+ 𝑁
𝑟
1
Dispersión de los 𝜇𝑝 𝑆𝑖 ∝ 𝑇 −2,2
portadores en la red
µ Xtalina 𝜇𝑛 ∝ 𝑇 −2,4
𝑆𝑖
(Movilidad)
Dispersión de los 3
𝑇 2
portadores en las 𝜇∝
impurezas 𝑁𝑙
2
Movilidad en semiconductores extrínsecos
3
Corriente por Difusión
• Los portadores libres dentro del semiconductor se mueven al azar con
una velocidad vth (velocidad térmica) que depende de la temperatura
• Cuando hay un gradiente espacial de concentración de portadores (en
un lugar del semiconductor hay una concentración mayor que en otra)
Difusión de huecos Difusión de electrones
x x
4
x x
Concentración Concentración
𝑝(𝑥) 𝑛(𝑥)
Movimiento Movimiento
de huecos de electrones
x x
𝑑𝑝(𝑥) 𝑑𝑛(𝑥)
𝐽𝑝 𝑥 ∝ 𝐽𝑛 𝑥 ∝
𝑑𝑥 𝑑𝑥
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• La constante de proporcionalidad entre la densidad de corriente por difusión
y el gradiente de concentración se llama “ Constante de Difusión [ D ]”
𝑑𝑝(𝑥) 𝑑𝑛(𝑥)
𝐽𝑝 𝑥 = −𝑞 𝐷𝑝 𝐽𝑛 𝑥 = 𝑞 𝐷𝑛
𝑑𝑥 𝑑𝑥
𝑝(𝑥) 𝑛(𝑥)
Movimiento Movimiento
de huecos de electrones
x x
Corriente de Corriente de
huecos electrones
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• Tanto la movilidad ( µ ) como la difusión ( D) son fenómenos estadísticos
termodinámicos (dependen de la temperatura y del movimiento aleatorio de
los portadores), por tanto se encuentran relacionados
𝐷 𝑘𝑇
RELACION DE EINSTEIN =
𝜇 𝑞
𝑘𝑇
= 𝑉𝑇 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑞
Corriente en los
semiconductores
𝑑𝑝 𝑥
𝐽𝑝 𝑥 = −𝑞 𝐷𝑝
𝑑𝑥
• Corriente por Difusión
𝑑𝑛 𝑥
𝐽𝑛 𝑥 = 𝑞 𝐷𝑛
𝐷𝑝 𝐷𝑛 𝑑𝑥
= = 𝑉𝑇
𝜇 𝑝 𝜇𝑛
8
Densidad total de Densidad de Densidad de
corriente de corriente por corriente por campo
huecos difusión eléctrico
𝐽𝑝 = 𝐽𝐷𝑝 + 𝐽𝜇𝑝
𝑑𝑝 𝑥
𝐽𝑝 = −𝑞𝐷𝑝 + 𝑞 𝑝 𝜇𝑝 𝐸
𝑑𝑥
Densidad total de Densidad de Densidad de
corriente de corriente por corriente por campo
electrones difusión eléctrico
𝐽𝑛 = 𝐽𝐷𝑛 + 𝐽𝜇𝑛
𝑑𝑛 𝑥
𝐽𝑛 = 𝑞𝐷𝑛 + 𝑞 𝑛 𝜇𝑛 𝐸 9
𝑑𝑥
Semiconductor Semiconductor
Metal Intrínseco Extrínseco
Electrones Electrones
Tipo de y o
Electrones
portadores Huecos Huecos
- Aumenta con T
para T bajas
Movilidad Disminuye con T Disminuye con T - Disminuye con T
para T normal
Campo Campo
Corriente Campo o o
Difusión Difusión
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ECUACION DE CONTINUIDAD
• Como la conductividad depende de la concentración de
portadores
• Para un semiconductor necesitamos calcular la variación de
concentración de portadores de cargas (huecos o electrones)
• Temporal 𝑛 𝑡 𝑜 𝑝(𝑡)
• La variación puede ser
• Espacial 𝑛 𝑥 𝑜 𝑝(𝑥)
• Generación
• Fenómenos que afectan la
• Recombinación
concentración
• Corriente
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Variación de concentración de minoritarios pn
𝑑𝑝𝑛
= Generación – Recombinación + Corriente entrante – Corriente saliente
𝑑𝑡
A
nn0 - ND
pn0 – ni2/ND Ip + dIp
Ip
Generac. Recomb
x
0 dx
Semiconductor tipo N con ND impurezas donadoras 12
𝑑𝐼𝑝 1 𝑑𝐽𝑝
= Densidad de huecos por segundo
𝑞 𝐴 𝑑𝑥 𝑞 𝑑𝑥
que salen del semiconductor
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 1 𝑑𝐽𝑝 𝑥
=𝑔−𝑅−
𝑑𝑡 𝑞 𝑑𝑥
𝑝𝑛0 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑𝑝 𝑥
𝑔= 𝑅= 𝐽𝑝 = 𝑞 𝑝𝑛 𝜇𝑝 𝐸 − 𝑞 𝐷𝑝
𝜏𝑝 𝜏𝑝 𝑑𝑥
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
APLICACIÓN DE LA ECUACION
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𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
=
𝑑𝑡 𝜏𝑝
SOLUCION
−𝑡 𝜏𝑝
𝑝𝑛 𝑡 = 𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛0 𝑒 + 𝑝𝑛0
Pn(0)
Δ𝑝𝑛 Pn(t)
pn0
t=0 t
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