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TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TUXTLA GUTIÉRREZ

MATERIA:
OPTOELECTRONICA

TEMA
Practica fotorresistencia

CATEDRÁTICO:
ING. AGUILAR VERA OSCAR EMMANUEL

ALUMNOS:
OCAÑA SANCHEZ RODRIGO ANDRES
DOMINGUEZ REYES JOSE ANGEL
SANTIAGO SOLORZANO SERGIO ALEXANDER
GOMEZ GOMEZ ULIVARI ALEXANDER
LOPEZ HERRERA LUIS DANIEL

TUXTLA GUTIÉRREZ, CHIAPAS. 11 DE FEBRERO DE 2019


Contenido

Introducción ......................................................................................................................................... 3
Fundamento Teórico .......................................................................................................................... 4
Metodología ......................................................................................................................................... 7
Conclusión ......................................................................................................................................... 13
Referencias bibliográficas ............................................................................................................... 14
Introducción

En esta práctica veremos la función que tiene un fotorresistor, que tipos hay, de que están
hechos y en que lo podemos aplicar. Este es un dispositivo sumamente útil en la vida del
hombre ya que gracias a este sistema se puede automatizar gran cantidad de luces, así
mismo se proporcionará los pasos que se siguieron para armar dicho circuito. Se pretende
justificar el conocimiento adquirido en clase con esta practica ya que gracias a dicho
conocimiento teórico es posible llevar esto a la práctica.
Fundamento Teórico

Ldr(Light dependet Resistor) o también conocido como fotorresistencia es un tipo de


resistencia que varía dependiendo de la luz que se emita en esta. Si la luz aumenta la
resistencia será menor en ella y si la luz disminuye mayor resistencia tendrá.

Todo está basado en el efecto fotoeléctrico en donde la acción de la radiación incidiendo


en el libera electrones de un material apoyado por su puesto por el sulfuro de cadmio o
sulfuro de plomo, dependiendo de la aplicación en la que se quiera utilizar se acudirá a
cualquiera de estos 2 tipos de fotorresistencias.

La fotorresistencia de sulfuro de cadmio es muy sensible ala la radiación luminosa visible,


las células de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su
resistencia fácilmente, son utilizadas con regularidad en el sector de la iluminación para el
apagado y el encendido del alumbrado público como los interruptores crepusculares,
presentes en las alarmas, en las cámaras fotográficas o en los medidores de luz.

La fotorresistencia de sulfuro de plomo en esta clase de material la fotorresistencia es


sensible únicamente a las radiaciones infrarrojas, las cuales pertenecen a la gama
infrarroja, son comunes entre las funciones de control de máquinas o en los procesos de
conteo y de detección de objetos.

Como hemos hablado antes debido con qué fin sea su aplicación, la precisión de estos
materiales sean fotosensibles, para su elaboración se requiere diferentes aleaciones de
materiales como el de sulfuro de talio, sulfuro de cadmio, sulfuro de plomo y seleniuro de
cadmio. Recalcando que por supuesto la selección y la combinación que se da entre los
materiales se encuentran condicionada con los propósitos del producto final que se busca.
Las características de estas:

 Respecto a los valores típicos que se van a poder identificar están entre 1M o más en
la oscuridad y de 100 con la luz brillante.
 En cuanto a la disipación máxima es de 50 mW-1W.
 El voltaje máximo es de 600V.
 La respuesta espectral.
 El tiempo típico de respuesta de este tipo de elemento se encuentra en orden a una
décima de segundo.

El transistor 2n222 es un transistor de silicio de baja potencia, que sirve para amplificación
lineal y/o conmutación de señales.

Las características de estas:

 Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)


 Corriente de colector constante 800mA (Ic)
 Potencia total disipada 500mW(Pd)
 Ganancia o hfe 35 mínima
 Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
 Encapsulado de metal TO-18
 Estructura NPN

Las resistencias son una oposición al paso de corriente y esta medido en ohmio (Ω).

Las características de estas:

 A mayor longitud mayor resistencia.


 A menor longitud, menor resistencia
 A mayor sección, menos resistencia.
 A menor sección, mayor resistencia
El LED (Light-Emitting Diode: ) como su propio nombre lo dice es un diodo emisor de luz.

Las características de estas:

 Tienen un ahorro energético más que otras fuentes de iluminación


 Contamina menos que una iluminación tradicional
 Tienen una vida más útil
 Son más sencillos de conectar
Metodología

Para poder hacer esta práctica de proyecto que es más bien un detector de obscuridad
usamos lo siguientes materiales:

 Una placa protoboard


 Un transistor 2n2222
 Un LED de cualquier color
 Una resistencia de 100kΩ
 Una resistencia de 220Ω
 Una fuente de alimentación de corriente directa de 3 v
 Cables

A continuación se muestra las conexiones a realizar con el diagrama en la figura 1

Figura 1 conexión del ldr


Teniendo ya el diagrama de conexión proseguiremos a conectarlos todos, con los
siguientes pasos

Paso 1: Meteremos el transistor al protoboard recordando que al conectarlo lo haremos


viendo hacia nosotros para poder diferenciar el emisor, base y colector como se muestra
en la figura 1.1

Figura 1.1 Guia del transistor

Paso 2: Conectaremos el Led de la parte negativa (la patita más pequeña) hacia la patita
del colector del transistor (la patita 3 del lado derecho) como se muestra en la figura 1.2.

Figura 1.2 Guía del Led


Paso 3: Procederemos a conectar el fotorresitor, esta no tiene polaridad así que
conectaremos una pata cualquiera, en este caso primero a la base (la pitita número 2 del
centro) del transistor y la otra pata del ldr lo conectaremos al emisor (la patita número uno
del izquierdo) del transistor.

Figura 1.3 Guía del Fotoresistor

Paso 4: Por consiguiente, conectaremos la resistencia de 100 kΩ a la base (la pitita


número 2 del centro) del transistor que también tiene conectado una patita del fotoresistor.
A continuación, se presenta como saber el valor de las resistencias de 4 bandas.

Figura 1.5 Guia de lectura de las resistencias


Las resistencias se leen de izquierda a derecha representando el primer digito como el valor
de la resistencia, el segundo nos da un digito, la tercera nos da la cantidad de ceros y el
último la tolerancia de esta. En este caso la resistencia que necesitáremos es de 100k y su
código de colores es café negro, amarillo y oro 5% de tolerancia

Figura 1.6 Bandas de colores para la resistencia de 100KΩ

Paso 5: La patita que sobra de la resistencia de 100 kΩ lo conectaremos a lado positivo de


la fuente de alimentación de corriente directa de 3v.

Paso 6: De la patita que sobro del led que es la parte positiva de esta conectaremos una
patita a la resistencia de 220Ω.

Figura 1.7 Bandas de colores para la resistencia de 220Ω


Paso 7: la patita que sobre de la resistencia de 220Ω lo conectaremos en la misma línea
del lado positivo de la fuente de alimentación de corriente directa de 3v, nos podemos
apoyar con cablecito para hacer esta conexión.

Paso 8: Cortamos un cablecito y lo ponemos en el emisor (la patita número uno del
izquierdo) del transistor que este a su vez está conectado una patita del fotorresitor.

Paso 9: El lado que sobre del cablecito lo mandamos a tierra (la parte negativa de la fuente
de alimentación de corriente directa de 3v).

Después de haber conectado todas las conexiones, nos queda como podemos apreciar en
la figura 1.8:

Figura 1.8 Conexión final

Para poder probar la práctica podemos ir a un lugar completamente obscuro e incidir luz en
él, en nuestro caso apagamos la luces de la cocina, y con el flash de un celular lo pusimos
encima del foto resistor como mostramos en la figura 1.9.
Podemos apreciar en la figura que la luz del flash esta prendida, en el cual los fotones de
la luz pasan al fotoresistor, el cual la resistencia es menor y esto hace que los electrones
salgan de su banda de conducción haciendo que el led no encienda. Por el contrario,
mostramos la figura 2.

Figura 2 Led encendido por la fotorresistencia

Como mencionamos en la figura 2 hay una ausencia de luz por parte del flash, en esta no
hay presencia de fotones de entrada en el ldr por lo que hay una causa de resistencia
mayor de electrones y por consiguiente los electrones atrapados en el foto resistor viajaran
al transistor, amplificando esta señal de entrada de electrones, mandándolo al led y
encendiendo directamente esta.
Conclusión

Como hemos visto en estas hojas, el fotorresisor es rigorosamente un dispositivo


importante hoy en día, ya que esta presente en la iluminación pública, donde posiblemente
podamos ampliarlo en una tv regulando la nitidez de esta.

Como ya sabemos que la resistencia es una propiedad de los materiales que


impide el flujo de la corriente eléctrica por él, entre mayor sea la resistencia, mayor ser la
oposición al flujo eléctrico.

Nuestra perspectiva era diferente después de meternos al fondo de este dispositivo porque
nos quedó más claro y pudimos resolver dudas que teníamos, y poder explicar de manera
resumida la ciencia que hay de tras de ella.

Ciertamente para que podamos darle una aplicación no es por si solo que se debe usar el
dispositivo, sino combinarlos con otros dispositivos para encontrarles una función
específica, en este caso al combinarlo con un amplificador de señal que fue el transistor
pudimos hacer una iluminación automática, que cuando sea de noche encienda una luz
que es el del led y cuando es de día el led se apague. Ya quedara de cualquier persona
leyente de este trabajo si quiere darle una aplicación nueva o mejorar la presencia del ldr.
Referencias bibliográficas

Prat viñas, Lluis Circuitos y dispositivos electrónicos, Fundamentos de electrónica, 6ta


edición, Universidad Politécnica de Catalunya, marzo de 1999

Hermosa, Antonio PRINCIPIOS DE ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA / VOL III / 2da


edición, editorial alfa omega, Barcelona 2014 reimpresión.

Abella Martín José maría, Martínez-Duart José M y Jiménez lidón juan José,
Optoelectrónica y comunicación óptica, editorial CSIC, España 1988

R. Stiglitz Martin y Callahan Julie Reliability and Degradation of Semiconductor Lasers and
LEDs MLA 8 th Edition) oct. 1992

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