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Manual de Componentes y Circuitos Electrónicos Circuitos Fundamentales Amplificador Eléctrico PDF
Manual de Componentes y Circuitos Electrónicos Circuitos Fundamentales Amplificador Eléctrico PDF
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Curso adaptación a Ingeniería Electrónica.
1er cuatrimestre
1. 1
HORARIO 1er CUATRIMESTRE:
Martes, miércoles y jueves 13-14h; aula C22
Segundo cuatrimestre
PROFESORADO: MARTES 4.30-7.30 (no definitivas)
Prof. Juan Antonio Jiménez Tejada. Teoría, prácticas y problemas 1er
1 10-abr-12
Cuatr., prácticas laboratorio 2º Cuatr. (JAJT)
2 24-abr-12
Prof. Salvador Rodríguez Bolívar. Teoría, problemas, prácticas 2º
Cuatr. (SRB) 3 8-may-12
4 15-may-12
5 22-may-12
COMPONENTES Y CIRCUITOS ELECTRONICOS
PRIMER CUATRIMESTRE
Conceptos básicos:
Notación y tipo de señales.
Espectro de Fourier.
Componentes pasivos, parámetros característicos.
Concepto de amplificación e inversor lógico.
Herramientas de simulación de circuitos: SPICE
PRÁCTICA 1: Repaso conceptos circuitos pasivos: señal dc, ac, respuesta transitoria, diagrama de Bode, medida de
equivalente Thèvenin. Simulación con SPICE.
Amplificador operacional.
Modelo ideal. Configuraciones básicas (inversor, no inversor, sumador, derivador, integrador, diferencial).
Modelo real (ancho de banda-ganancia, slew-rate, tensión Offset, corrientes de polarización).
PRÁCTICA 2. Filtro paso alta con amplificador operacional real. Bode. Respuesta a señales de pulsos y triangulares a
distintas frecuencias.
Semiconductores en equilibrio.
Electrones de conducción, niveles energéticos, bandas de energía.
Impurificación, tipos de portadores de carga y de semiconductores.
Concepto de nivel de Fermi. Densidad de carga móvil y fija. Ecuación neutralidad.
Concepto corriente de arrastre (conductividad) y de difusión.
Diodos.
Funcionamiento de una unión pn. Curva I-V cualitativa.
Carga espacial: relación con tensión aplicada.
PRÁCTICA 3: Relación densidad de carga móvil con el nivel de Fermi y la temperatura. Relación carga espacial con la
tensión aplicada y dopado (estudio cualitativo).
Conducción en inversa.
Dispositivos basados en uniones.
Modelos de gran y pequeña señal.
PRÁCTICA 4. Circuitos básicos con diodos (respuesta transitoria permanente).
Aplicaciones no lineales con amplificador operacional.
Limitadores y comparadores.
Rectificadores.
Generadores de tramos.
Concepto de realimentación positiva.
PRÁCTICA 5. Detector de pico.
CRITERIOS DE EVALUACIÓN
PARA APROBAR LA ASIGNATURA SE HARÁ MEDIA ENTRE LAS NOTAS DE PRÁCTICAS, PROBLEMAS Y EXAMEN DE
ASIGNATURA SEGÚN EL PORCENTAJE QUE SE VE A CONTINUACIÓN
PRÁCTICAS
INDIVIDUALES
25%
EXAMEN ORAL DE PRÁCTICAS SEGÚN CALENDARIO
PROBLEMAS
INDIVIDUALES
OBLIGATORIOS
15%
EXAMENES ORALES DE PROBLEMAS
EXAMEN DE ASIGNATURA
60%
ACTIVIDADES PRÁCTICAS
LAS PRACTICAS Y PROBLEMAS PRESENTADOS FUERA DE PLAZO ESTARÁN PENALIZADOS. (Nota máxima de 10 puntos si
se entrega en plazo, hasta 7 puntos si se entrega dentro de una semana después, hasta 5 puntos pasado una semana y hasta 7 días antes del
examen oficial de cuatrimestre, “No Presentado” pasada esa fecha).
Guión obligatorio de una práctica por cuatrimestre asignada a cada estudiante por los profesores de prácticas. Plazo de entrega: hasta 14
días después de la finalización de la última sesión de prácticas.
EXÁMENES
Exámenes ordinarios: 1er parcial, 2º parcial-final, exámenes orales de actividades prácticas a lo largo del curso.
Examen de septiembre 2011: Examen de teoría, problemas y de prácticas. Se mantendrá la nota de problemas y de prácticas para la
convocatoria de Septiembre.
Examen de diciembre 2010: Examen de asignatura (75%) + prácticas de primer cuatrimestre (25%).
1. 4
SEÑALES ELÉCTRICAS.
CONCEPTOS BÁSICOS
Señal física Transductor Señal eléctrica
Teoremas Thevenin,
Procesamiento de señales eléctricas. Norton
Funciones más significativas:
•Amplificador (electrónica analógica)
•Inversor lógico (electrónica digital)
•Conversores A/D, D/A
Componentes
1. 5
Señal física: espectro de Fourier, suma de armónicos
∞ T
1
∑ce
Representación dominio Tiempo
f (t ) = n
jnω0t
, cn = ∫ f (t )e − jnω0t dt: señal periódica ω0 ≡ 2π / T
T0
↔ n =−∞
∞ ∞
1
Representación dominio Frecuencia. f (t ) = ∫ F (ω )e dω , F(ω ) = jωt
∫ f (t )e − jωt dt: señal arbitraria
−∞
2π −∞
Espectro discreto de la
onda cuadrada.
ω0=2π/T armónico fundamental.
AC
4V ⎛ 1 1 ⎞
V (t ) = ⎜ 0 + sen ( ω t ) + sen ( 3ω t ) + sen ( 5ωo t ) + ... ⎟ 1
T
c0 = ∫ f (t )dt = 〈 f (t )〉
π ⎝ o
3
o
5 ⎠ T 0
DC 1. 6
Notación señales. Fuente de alimentación DC.
Magnitudes dc ≡ I A , VC ;
Señal Salida procesada.
entrada (AC) Consumo de energía
Magnitudes ac ≡ ia (t ), vc (t )
Valor instantáneo total: iA (t ) = I A + ia (t ); vC (t ) = VC + vc (t )
Señales armónicas: ia (t ) = I a exp( j (wt + φa ))
Fasor: Ia = I a exp( jφa )
Valor "Root mean square": < V 2 (t ) >
Si V (t ) = Vo sin(ωt ) ⇒ Vo,rms = Vo / 2
Potencia instantanea: P(t ) = i(t )v(t ) = Im sin(ωt + φ )Vm sin(ωt )
T
1 1 1
Potencia media: Pa = P(t ) = ∫ P(t )dt = Vm,rms I m,rms cos φ = Vm Im cos φ = Re( I V )
*
T0 2 2
Notación fasorial ⇒ relación I-V en componentes pasivos ⇒
definición de impedancias ⇒ análisis de circuitos
Señal analógica:
Señal continua.
Toma cualquier valor.
Muestreo de una
señal continua
Señal discreta en
el tiempo (no tiene por
que ser digital)
Vmax
101
Cuantificación.
10 110
0
11
001
000
Codificación
100
...
...
00 111
1 100
010
01 011
Vmin
niveles
1
2
2
2
3
2
N
... 2 Señal digital:
D = b020 + b121 + ... + bN−12N−1 donde bi = 0/1 Toma dos valores.
Número binario: bN-1, bN-2,...,b1, b0
Niveles: 2N, (resolución, error de cuantificación)
1. 8
TEMA 1. COMPONENTES
ELECTRÓNICOS (I)
COMPONENTES PASIVOS
1. 9
COMPONENTES.
CLASIFICACIÓN.
• Componentes • Componentes
electrónicos: cumplen auxiliares.
funciones eléctricas. o Cables
o Resistores o Sistemas de interconexión
o Condensadores o Interruptores
o Inductores o Conmutadores
o Transformadores o Conectores
o Relés o Radiadores
o Diodos o Sistemas de refrigeración
o Transistores o Bastidores
o Circuitos integrados o Tornillos
1. 10
COMPONENTES
ELECTRÓNICOS
• Pasivos (no necesitan • Activos
polarización, I-V sencilla) o Diodos
o Resistores o Transistores
o Condensadores o Circuitos integrados
o Inductores
Fuente de alimentación DC.
1. 11
COMPONENTES PASIVOS
Componente Magnitud Valor Unidades
electrónico eléctrica
característica
Resistor Resistencia R Ω
Condensador Capacidad C F
Inductor Coeficiente de L H
autoinducción.
1. 12
Características comunes
1. 14
Limitaciones de funcionamiento
• Por temperatura:
o Temperatura ambiente
o Temperatura y tiempo soldadura
o Potencia disipada en componente
1. 15
Especificaciones y estándares
• Completas
• Veraces
• Normalizadas
o Condiciones de medida.
o Metodología.
o Terminología
o Estándares [UNE (E), DIN (D), UTE (F)]
1. 16
Comportamiento térmico.
Papl=Pdis+dEalm/dt Régimen estacionario: Papl=Pdis
θjc
θ jc ⎛ 30 C / W (TO99) ⎞
o
⎜ o ⎟ Rth=θjc+θca
silicio - cápsula ⎝ 4 C / W (TO 3) ⎠
θca
θ ca ⎛100 C / W (TO99) ⎞
o
⎜ ⎟
cápsula - ambiente o
⎝ 40 C / W (TO3) ⎠ T amb
θ ca
2 - 30 oC / W
con disipador
1. 17
Régimen no estacionario:
T amb
TC=RthPapl+Tamb+A·exp(-t/RthCth)
Constante de tiempo térmica, τth= RthCth
1. 18
Ejemplo:
T>> τth: t
ΔT=T-Tamb=PRth=(V2/R)Rth t
ΔT Τ>>τ th
T
=100oC, nivel alto R=100Ω
Rth=100 oC/W
= 0oC, nivel bajo τt h=0.1s
T
1. 19
RESISTORES FIJOS.
Clasificación por aspecto físico.
Tipo de resistor Construcción típica Aplicaciones y comentarios
1. 21
Códigos de resistores
• R: ohmio
• K: kilo
• M: Mega
• F: 1% tolerancia
• G: 2% tolerancia
• J: 5% tolerancia
• K: 10% tolerancia
• M: 20% tolerancia
1. 22
Códigos de resistores
Figures Tolerance Color
Multiplier Temp. Coeff.
1 10 1% 100 Brown
2 100 2% 50 Red
3 1K 15 Orange
4 10K 25 Yellow
Tolerance
5 100K 0.5% Green
6 1M 0.25% 10 Blue
7 10M 0.1% 5 Violet
8 1 Grey
9 White
1. 23
Comportamiento en frecuencia
Modelo real de resistor
C
R L
Ejercicio: a) Representar el módulo de la impedancia real del resistor
normalizada (|Z(jw)|/R) en función de la frecuencia, admitiendo que la
capacidad parásita es de 1 pF y la inductancia parásita L=1nH. Representarlo
para diferentes valores de R (100Ω, 1kΩ, 10kΩ, 100kΩ, 1MΩ. b) Buscar hojas
características de resistores donde se muestre el comportamiento en frecuencia
y determinar el valor de C y de L.
1. 24
RESISTORES VARIABLES.
+
VO
-
• Potenciómetro:
• Reostato: 9 Divisor de tensión.
9 R variable. 9 Corriente solo por
9 Toda la corriente por pista resistiva.
contacto central. 9 F(θ) ley de variación
-Lineal (salida fuente
R (θ ) = RT G (θ ), 0 < G (θ ) < 1 alimentación)
θ posición, -Logarítmica
RT resistencia entre terminales fijos (volumen salida
amplificador)
EO (θ ) = ET F (θ ) = ET β ,
0 < β = F (θ ) < 1
1. 25
Clasificación
• Por uso:
• Retoques de ajuste (envejecimiento componentes, “preset
potentiometers”, “trimming potentiometers”)
• Control (potenciómetro ajuste audio)
• Por construcción:
• Modo de accionar el cursor (una vuelta o multivuelta).
• Naturaleza pista conductora (similar a resistores fijos: bobinado, pista
continua)
Parámetros específicos
• Eléctricos:
• Resistencia mínima absoluta, resistencia terminal, relaciones de voltaje
mínimo y final, resistencia de contacto, corriente máxima por cursor,
ajustabilidad.
• Mecánicos:
• Ángulo mecánico de rotación, ángulo de conmutación, ángulo muerto
de rotación. 1. 26
RESISTORES NO LINEALES
• Resistores cuya I-V es no lineal.
• Tipos:
– Termistor (variación con temperatura)
– Varistor (variación con campo eléctrico)
– Sensores resistivos (variación con otras magnitudes
físicas: magnetorresistores, fotorresistores)
V
R est = = R( I )
• Resistencia estática I
dV d [ Rest ( I ) I ] dRest
• Resistencia dinámica Rdin = = =I + Rest
dI dI dI
1. 27
Termistores.
RT: valor a T
RN: valor a TN (temperatura nominal, 298K)
B (K): constante o variable con T: B(T)=B0(1+β(T-TN))
1. 28
Característica I-V. Disipación de potencia.
T − Tamb = Rth P
1 1
V B( − )
RthVI + Tamb TN
R= = RN e
I
10
298 K
323 K
Determinación de parámetros. 8 Im,Vm 348 K
373 K
Tensión (V)
T1
•B: cociente R(T1)/R(T2) 4
•Rth: (T1-T2)/ImVm 2
máxima o resistencia mínima. -0,02 0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18
Corriente (A)
Ejercicio: a) Calcular los valores de R298, R323, B, Rth, la resistencia mínima, y la temperatura
máxima del punto caliente a partir de las curvas de la figura. b) Generar una serie de curvas como la de
la figura a las mismas temperaturas para un NTC con los siguientes parámetros:
RN=5kΩ, TN=298 K, B=3800 K-1, Rth=100 K/W.
1. 29
Polarización.
Recta de carga. Punto de trabajo.
R
+ 10
Q1
Vi NTC V 8
Q2
recta de carga
Tensión (V)
6
- 4
Vi = IR + V
Q3
1 1
Q1, Q2, Q3: puntos de trabajo 2
V B( − )
RthVI + Tamb TN
Q1, Q3: puntos estables 0
= RN e
I
Q2: punto de trabajo inestable -0,02 0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18
Corriente (A)
Aplicaciones:
•Termometría (polarización baja potencia, automóvil).
•Retardo temporal (inercia térmica, τth=RthCth, t=0 R NTC Bobina relé
alta, t→∞ R baja).
•Compensación de componentes con coef. de
temperatura positivo.
1. 30
• “Positive temperature coefficient resistors” (PTC)
• Estructuras metálica multigrano. (BaTiO3)
• Curvas R(T) más modelos empíricos.
V 308 K
R = = Rref e BRthVI Rmax
I V
• Polarización similar a NTC.
• Aplicaciones
- Protección circuitos contra sobre corrientes (PTC en serie con circuito, motores)
I↑⇒T↑⇒R↑⇒I↓
- Calefactor
- Retardador (en paralelo con bobina relé)
- Termómetro.
1. 31
VARISTORES
• “Voltage dependent resistor” VDR
• Estructuras multigrano. Conducción limitada por fronteras de grano.
• Relación I-V no lineal, empírica
I R
I = kV α α >1
Vd
V = CI β β < 1
V
V 1
R = = V 1−α = CI β −1
Vd V
I k
• Barrera de grano
-> tensión de disparo
-> zona R(V)
1. 32
• Resistencias estática y dinámica:
V 1 1−α
R e st = = V = CI β −1
I k
dV
Rdin = = β CI β −1 = β R e st
dI
• Disipación de potencia (VefIef), problema no lineal:
V (t ) = Vo sin(ωt )
I = kV α = kVoα (sin(ωt ))α
T T
I ef = 1/ T ∫ I (t )dt = 1/ T ∫ k 2Vo 2α (sin(ωt )) 2α dt
2
0 0
1. 34
Especificaciones
1. 35
•Pérdidas (comportamiento ac)
Q(t ) = ∫ i (t )dt ⇒ C=
Q
=
∫ i(t )dt ⇒ i (t ) = C
dV (t )
V (t ) V (t ) dt
∫ V (t )i(t )dt = 0
0
⇒ no se disipa potencia
Rs
D = tan δ = = ω Rs Cs
1/ ωCs
Z c = Rs2 + (1/ ωCs ) 2 i δ
1. 36
Modelo alternativo: 1
I =V( + jωC p )
Rp
i
ωCp 1/ R p 1
D = tan δ = =
ωC p ω RpC p
1
δ
Rp Cp Pérdidas únicas, modelos equivalentes ⇒ = ω Rs Cs
ω RpC p
1
Z = ( + jωC p ) −1 = Rs + 1/( jωCs ) ⇒
v 1/Rp Rp
R p = Rs ( D 2 + 1) / D,
C p = Cs /(1 + D 2 )
En buen condensador D 1(∼ 10−3 ), C p ≈ Cs , R p ≈ Rs / D 2
Contactos
C
1. 37
Ejercicio: Buscar en las hojas características de un condensador sus parámetros L, Rc, Rp, C.
Representar |Z| y tanδ en función de la frecuencia
1000 1 103
módulo impedancia en función de f
Z
ij
100
Comportamiento
10 inductivo
Comportamiento 1
capacitivo 1
10 100 1 10
3
1 10
4
1 10
5
1 10
6
1 10
7
1 10
8
1 10
9
10 w
ij .
1 10
9
2 .π
frecuencia (Hz)
27.692285
tangente de pérdidas en función de f
100
10
tan(delta)
tandel 1
ij
0.1
0.01
3.475158 .10
3
3
1 10
3 4 5 6 7 8 9
10 100 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10
10 w
ij .
1 10
9
2 .π
frecuencia (Hz)
1. 38
Potencia disipada en condensador:
D2 1
Wac = Vac 2
D 2 + 1 Rs
si tan δ 1 ⇒ Rs 1/ ω Rs , Z ≈ 1/ ωCs , Wac = Vac 2ω 2Cs 2 Rs
• ω =0
Wdc =Vdc If =If 2 R I (corriente de fugas, resistencia de aislamiento)
• WT = Wdc + Wac = ∑ W f
f
1. 39
Tipos de condensadores:
•No polarizados
•De plástico (acetato de celulosa, poliéster, poliestireno, policarbonato,
polipropileno, teflón): aplicaciones normales, buenas prestaciones,
bajo precio.
•Cerámicos (tipo lenteja), óxidos metálicos: valor alto de εr, alta C
o Comportamiento estable con temperatura
o Comportamiento inestable con temperatura
•Otros: papel, vidrio, variables (de aplicaciones más específicas).
•Polarizados electrolíticos.
-Gran valor de la capacidad (tox pequeño)
-Uso de metales sobre los que se crece óxido si la corriente circula en
un sentido, en el otro sentido se descompone el óxido.
-Deficientes en cuanto a fugas, pérdidas, márgenes útiles de
frecuencia, tolerancias>50%
-Útiles en filtros paso banda en fuentes de alimentación
-Al2O3: εr=9, Ta2O5: εr=22
1. 40
Bibliografía:
•Juan A. López Villanueva, Juan A. Jiménez Tejada, ”Fundamentos de circuitos
para electrónica”, Universidad de Granada.
•J. Sangrador García et al. “Componentes electrónicos pasivos”. Universidad
Politécnica de Madrid.
1. 41
APÉNDICE.
Tierra
El término tierra (en inglés earth), como su nombre indica, se refiere al potencial de la superficie de la
Tierra.
El símbolo de la tierra en el diagrama de un circuito es:
Para hacer la conexión de este potencial de tierra a un circuito se usa un electrodo de tierra, que puede ser
algo tan simple como una barra metálica anclada el suelo, a veces humedecida para una mejor conducción.
Es un concepto vinculado a la seguridad de las personas, porque éstas se hallan a su mismo potencial por
estar pisando el suelo. Si cualquier aparato está a ese mismo potencial no habrá diferencia entre el aparato
y la persona, por lo que no habrá descarga eléctrica peligrosa.
Por último hay que decir que el potencial de la tierra no siempre se puede considerar constante,
especialmente en el caso de caída de rayos. Por ejemplo si ha caído un rayo a una distancia de 1 kilómetro,
la diferencia de potencial entre dos puntos separados por 10 metros será de más de 150 V.
Masa
La definición clásica de masa (en inglés ground) es un punto que servirá como referencia de
tensiones en un circuito (0 voltios). El problema de la anterior definición es que, en la práctica, esta tensión
varía de un punto a otro, es decir, debido a la resistencia de los cables y a la corriente que pasa por ellos,
habrá una diferencia de tensión entre un punto y otro cualquiera de un mismo cable.
Una definición más útil es que masa es la referencia de un conductor que es usado como retorno común de
las corrientes.
La masa y la tierra en un circuito no tienen porque tener la misma tensión. Incluso la forma de onda de la
masa respecto a la tierra puede ser variable, por ejemplo en un convertidor Buck.
El símbolo de la masa en un circuito es el siguiente (también es aceptable sin el rayado):
1. 42
APÉNDICE: El Relé
El Relé es un interruptor operado magnéticamente. Este se activa o desactiva (dependiendo de la conexión) cuando el
electroimán (que forma parte del Relé) es energizado (le damos tensión para que funcione). Esta operación causa que
exista conexión o no, entre dos o más terminales del dispositivo (el Relé).
Esta conexión se logra con la atracción o repulsión de un pequeño brazo, llamado armadura, por el electroimán. Este
pequeño brazo conecta o desconecta los terminales antes mencionados.
Ejemplo: Si el electroimán está activo jala el brazo (armadura) y conecta los puntos C y D. Si el electroimán se desactiva,
conecta los puntos D y E.
De esta manera se puede tener algo conectado, cuando el electroimán está activo, y otra cosa conectada, cuando está
inactivo
Es importante saber cual es la resistencia del bobinado del electroimán (lo que esta entre los terminales A y B) que activa
el relé y con cuanto voltaje este se activa.
Este voltaje y esta resistencia nos informan que magnitud debe de tener la señal que activará el relé y cuanta corriente se
debe suministrar a éste.
La corriente se obtiene con ayuda de la Ley de Ohm: I = V / R.
donde:
- I es la corriente necesaria para activar el relé
- V es el voltaje para activar el relé
- R es la resistencia del bobinado del relé
Ventajas del Relé:
- Permite el control de un dispositivo a distancia. No se necesita estar junto al dispositivo para hacerlo funcionar.
- El Relé es activado con poca corriente, sin embargo puede activar grandes máquinas que consumen gran cantidad de
corriente.
- Con una sola señal de control, puedo controlar varios Relés a la vez.
1. 43
TEMA 2. CIRCUITOS
FUNDAMENTALES.
CONCEPTOS BÁSICOS.
AMPLIFICADORES.
INVERSOR LÓGICO DIGITAL
2. 1
AMPLIFICADORES
Importante: linealidad vO(t)=AvvI(t), Av =Ganancia
No linealidad: distorsión
Ganancias:
vO
Ganancia de tensión: A v ≡ = A v e jφv 20log( A v )
vI
iO
Ganancia de corriente: A I ≡ = A I e jφI 20log( A I )
iI
PL i O vO
Ganancia de potencia: A P ≡ = 10log(A P )
PI iI vI
L− L+
≤ Vi ≤
AV AV
2. 3
Saturación del amplificador
Caso real: vO-vI no perfectamente lineal
Solución:
1. Elección de la región donde varía la señal en zona lineal (Polarización,
elección del punto de trabajo adecuado).
2. Amplitud de la señal ac pequeña.
Redefinición de ganancia:
dvO Δv O
Av ≡ ≈ (pequeña señal)
dv I enQ
Δv I
vO (t ) = VO + vo (t ) = VO + ΔvO (t )
En laboratorio medimos:
V(V)
V O(t)
VO
V I(t)
φV Vopp
Av = φV = φVo − φVI
VIpp
2. 4
Modelos de circuitos para amplificadores.
Ri
vi = v s
Ri + Rs
RL
v O = AVO vi
R L + RO
2. 5
2. 6
Respuesta en frecuencia de amplificadores.
Existencia de componentes Z=Z(ω) (ZC =1/jωC; ZL = jωL.) ⇒ AV= AV(ω) ¡No tiene
Función de transferencia T(ω)=vo/vi (ω)=|T(ω)|exp(jφV) sentido!
|vo|= |vi| |T(ω)|
φVo= φVi+ φV(ω) V(V)
V O(t)
VO
Vopp
En laboratorio medimos: V I(t) Av = φV = φVo − φVI
VIpp
t
φV
Diagrama de amplitudes
ω0 = Frecuencia de corte
Diagrama de fases
2. 8
Clasificación de los amplificadores según su respuesta en frecuencia.
(a) ¿Paso bajo?: ganancia plana + (b) Paso bajo: ganancia plana +
efectos condensadores (C internas efectos condensadores (C internas
limitan en alta frecuencia y las limitan en alta frecuencia y las
externas (C grande, acoplo) en baja. externas (C bajas en CIs) también.
Acoplamiento capacitivo. Acoplamiento directo
2. 10
Características Fundamentales de una Tecnología:
Vi
2.- Retardo en la Propagación:
t1 = Cambio en la entrada → t2 = Cambio en la salida;
Retardo ≡ t2 – t1. t
• Los transistores presentan un tiempo de
conmutación no nulo. Vo tpLH
tpHL
• Presencia de una capacidad en el nodo de salida que 50% 50%
hay que cargar y descargar hasta alcanzar los valores
VOH , VOL. t
2. 11
2. 12
Bibliografía:
2. 13
COMPONENTES
ELECTRÓNICOS (II)
COMPONENTES ACTIVOS
3. 1
Tema 3. Amplificadores operacionales (A.O.)
•Circuito integrado, complejo, más de 20 transistores.
•Comportamiento terminal ideal muy sencillo ⇒ elemento de circuito.
•Muchas aplicaciones: operaciones matemáticas, computación analógica.
Símbolo y terminales.
Advertencia: ±VPP corresponden a las
fuentes dc de valor ±15V o ±12V y no
suelen representarse.
Otros terminales: ajuste del Offset,
compensación en frecuencia, etc.
A.O. ideal. v+ vO
vO = A(v+ − v− )
RO = 0
v-
v+
-
+
vO ⇒ +
-
A(v +-v-)
Ri = ∞ (i+ = 0, i− = 0)
A → ∞ (ganancia en lazo abierto) v-
B → ∞ (ancho de banda)
Amplificador diferencial: Rechazo en modo común.
A → ∞ , vO finito ⇒ v+ = v− (cortocircuito virtual)
3. 2
Aplicaciones. Análisis de circuitos con A.O.
Configuración inversora.
R2
G ≡ vO / vI , ganancia en lazo cerrado.
R1
Análisis con A finita:
vI
- vO
vO = A(v + − v − ) = − Av ⎫ − +
R
⎪ − 2
( vi − v − ) = ( v− − vO ) ⎬ ⇒ G = vO = R1
⎪ vi 1⎛ R ⎞
R1 R2 ⎭ 1 + ⎜1 + 2 ⎟
A⎝ R1 ⎠
Análisis con A → ∞
v− ≈ v+ = 0 ⎫
⎪
(v − v )
i −
=
( v− − vO ) ⎬ ⇒ G = vO = − R2
⎪ vi R1
R1 R2 ⎭
R2
Válido para 1 + A
R1
Resistencia de entrada: Ri = vI / iI = R1 ; iI = (vI − v− ) / R1 = vI / R1
Resistencia de salida: RO = (vO / iO ) vI =0 = 0
3. 3
Z2
•Configuración inversora con impedancias.
Z1
VO ( s ) Z (s) -
=− 2 vI
vO
Vi ( s ) Z1 ( s ) +
•Integrador inversor. C
t
VO 1 1 R
RC ∫0
=− , vO (t ) = − vI (t )dt -
Vi sRC vI vO
+
VO 1
Respuesta en frecuencia: = , φ = +90o
Vi ω RC
Rf
•Integrador Miller: para evitar la saturación de la
salida si existe componente dc a la entrada R
C
-
v I(t) vO(t)
+
3. 4
•Derivador inversor.
VO dv (t )
= − sRC , vO (t ) = − RC I
Vi dt
V La amplitud aumenta con
Respuesta en frecuencia: O = ω RC , φ = −90o 20dB/dec o 6dB/oct.
Vi
Rf C
vI(t)
-
vO(t)
+
3. 5
•Sumador ponderado. •Amplificador No Inversor •Seguidor de Tensión
vO=vi. Se utiliza como
⎛ R2 ⎞
N
vi (t ) v O (t ) = ⎜ 1 + ⎟ v (t ) adaptador de impedancias.
v O (t ) = − R F ∑ ⎝ R1 ⎠ i (Amplificador Buffer)
i =1 Ri Ri=∞, RO=0.
Ri=∞ ya que Ii=0. Suponer A finita:
El A.O. nos permite realizar
diferentes “operaciones” ⎛ R2 ⎞
⎜1 + ⎟
matemáticas. vO ⎝ R1 ⎠
Computación analógica. G= =
vi 1⎛ R ⎞
1+ ⎜1 + 2 ⎟
A⎝ R1 ⎠
3. 6
•Amplificador diferencial.
Aplicando superposición:
R
v a =0 ⇒ vO1 = − 2 vb
R1
R4 R
v b =0 ⇒ vO 2 = va (1 + 2 )
R3 + R4 R1
R2 1 + R2 / R1
vO = − vb + va
R1 1 + R3 / R4
Salida diferencial: rechazo modo común.
vO = 0 cuando va = vb ⇒
R2 R4 R
= , vO = 2 (va − vb )
R1 R3 R1
R2
R1
Cálculo resistencia de entrada -
-
v2 − v1 = R1i + 0 + R3i v2-v1 +
+ vO
Sistema
Desventajas: baja Rin, mal ajuste de ganancia. Transductor
instrumentación
Solución: amplificador de instrumentación
Interferencia con tierra
común 1V. Eliminar
3. 7
•Amplificador de instrumentación.
v2 − v1 v1 − v3 ⎫
=
R R1 ⎪⎪
⎬⇒
v2 − v1 v4 − v2 ⎪
=
R R1 ⎪⎭
2R
( v4 − v3 ) = (v2 − v1 )( 1 + 1)
R
R
vO = 0 ( v4 − v3 )
R2
R0 ⎛ 2 R1 ⎞
vO = − ⎜1 + ⎟ ( v1 − v2 )
R2 ⎝ R ⎠
•Ri=∞.
•La ganancia la determina la primera etapa. R es un potenciómetro que permite fijar la
ganancia al valor deseado.
•La segunda etapa elimina el modo común. Su ganancia es unidad y las cuatro
resistencias se suelen elegir del mismo valor.
3. 8
•Efecto de la ganancia y ancho de banda finito.
El comportamiento real del A.O. difiere del ideal. La ganancia en lazo abierto
es finita y disminuye con la frecuencia.
Open-Loop-Gain A(f)
La ganancia dc es 105
A(f) disminuye 20dB/dec.
Comportamiento típico
de A.O. con compensación
interna
A0
A ( s) = ; A0 = 10 5 ω b = 2π × 10 rad / s
s
1+
ωb
ωt=A0ωb Ancho de banda de ganancia unidad.
Parámetro especificado en las hojas características.
3. 9
•Respuesta en Frecuencia para Lazo Cerrado. Configuración Inversora.
R2 R2
− −
vO R1 R1 ⎛ R ⎞
= = ; A0 >> ⎜1 + 2 ⎟
vi 1 ⎛ R2 ⎞ 1 ⎛ R2 ⎞ s ⎛ R2 ⎞ ⎝ R1 ⎠ R2
1+ ⎜ 1 + ⎟ 1 + ⎜ 1 + ⎟ + ⎜1 + ⎟
A⎝ R1 ⎠ A0 ⎝ R1 ⎠ A0ωb ⎝ R1 ⎠ R1
R -
− 2 vI vO
vO R1 AVO Aω R +
= = ; ω3dB = 0 b ; AVO = − 2
vi s ⎛ R2 ⎞ 1 + s +
R2 R1
1+ ⎜ 1 + ⎟ 1
A0ωb ⎝ R1 ⎠ ω3dB R1
El inversor presenta una respuesta paso-bajo con una única cte. de tiempo.
Producto Ganancia-Ancho de Banda ≡ AVOω3dB ≅ A0ωb = Cte.
Compromiso entre ganancia y ancho de banda.
•Configuración no Inversora.
⎛ R2 ⎞ ⎛ R2 ⎞ ⎛ R2 ⎞
⎜1 + ⎟ ⎜ 1 + ⎟ ⎜1 + ⎟
= ⎝
R1 ⎠ ⎝ 1 ⎠
=⎝
vO R R1 ⎠
≈
vi 1 ⎛ R2 ⎞ s ⎛ R2 ⎞ 1 + s
1 + ⎜1 + ⎟ 1 + ⎜1 + ⎟
A⎝ R1 ⎠ A0ωb ⎝ R1 ⎠ ω3dBb
⎛ R ⎞
A0 ⎜1 + 2 ⎟
⎝ R1 ⎠
3. 10
•Slew Rate (Rapidez de respuesta). Tiempo de subida. Efectos de gran señal.
Parámetro que define la máxima velocidad de respuesta de un A.O.
dvO
SR ≡
dt max
Vi ( s ) =
V
Suponer respuesta lineal del circuito. Vωt>SR
s
V 1 ⎛1 1 ⎞ −1
VO ( s ) = =V ⎜ − ⎟ ⎯⎯⎯⎯
Laplace
→
s 1+ s ⎝ s s + ωt ⎠
ωt
(
vO (t ) = V 1 − e − tωt )
dvO (t ) dvO (t ) ⎞
= V ωt e − tωt , ⎟ = V ωt
dt dt ⎠t =0
dvO
SR ≡
dt max
dvi
vi = V sen(ωt ); = ωV cos(ωt )
dt
vO = VOS (1 +
V OS -
VOS + vO )
+
-
+ R1
Soluciones prácticas:
3. 13
oCorrientes de polarización, IB, IOS
I B1 + I B 2
Input bias current: I B = ≈ 100nA
2
Input offset current: I OS = I B1 − I B 2 ≈ 10nA
Modelo:
I OS
−vO = (− I B + ) R2 − I B R2
IB
IOS/2
+ IB
IOS/2
+ 2
vO
IB
- R1
IB
-
R2
I
−( I B + OS ) R3
Solución: 2
I OS R3 I I R v
(I B + ) + ( OS − I B ) = −( I B + OS ) 3 − O
+
R3
2 R1 2 2 R2 R2
IB
vO I R R I
IOS/2
vO = −( I B + OS ) 3 ( 2 + 1) − ( OS − I B )
IB
- R2 2 R2 R1
si R3 = R2 // R1 ⇒
vO
2
I I
= −( I B + OS ) − ( OS − I B ) = − I OS
R2 2 2
R2
vO = − I OS R2
3. 14
Modelo completo del amplificador operacional
3. 15
Bibliografía:
•A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5ª ed.,Oxford University
Press, 2003.
3. 16
TEMA 4. DIODOS
4.1. Fundamento físico de los semiconductores.
4.2. Fundamento físico de la unión
semiconductora.Característica I-V.
4.3. Modelos de circuito.
4. 1. 1
4.1 Fundamento físico de los semiconductores.
1. ¿De que están hechos la mayoría de los dispositivos electrónicos?
SEMICONDUCTORES CRISTALINOS
2. ¿Quién participa en la corriente eléctrica? ELECTRONES,...
3. ¿Dónde se encuentran esos electrones? ESTADOS ELECTRÓNICOS
AGRUPADOS EN BANDAS DE ENERGÍA.
Átomo aislado Molécula Red periódica
Banda de conducción
EG
Banda de valencia
EC EC
Si
EC EC F>0 EG EV
EG T=0 K EG F.0 EG - Si Si Si
EV EV Semiconductor.
EV
Conducción por
Si 1
Aislante e- y huecos 2
Conducción por electrones No conducción
1 d 2E 2
E(k)= E( k 0 )+ 2
(k - k 0 ) + ..
2 dk
2 2
= ( k n - k min )
E n( k n )= E c + + ...
2 m*n
2 2
= kp
E p( k p )= E v + + ...
2m*p
4. 1. 3
8. ¿Se pueden conseguir semiconductores con n≠p? ¿Se puede aumentar la conductividad
intrínseca de un semiconductor?
AÑADIENDO IMPUREZAS. SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
n1 = p
EC - Ión fijo positivo Y Impureza donadora
Si n2 = N D+
- ED - n>p
Si P Si n = n1 + n2 - Caso de semiconductor tipo N
- electrones: mayoritarios.
Si EV - huecos: minoritarios
n = p + N D+
4. 1. 4
9. ¿Podemos definir cuándo un semiconductor en equilibrio tiene más energía que otro? En cuyo
caso habrá un flujo de partículas desde donde hay más energía a donde hay menos.
NIVEL O ENERGÍA DE FERMI.
1, E« E F
1 1
E E E
f(E) = E-EF
= , E = EF
C C C
1 + e KT 2
0, E» E F
E V E V E V
E c max Ev
n= ∫ g n (E)f(E)dE p= ∫ g p (E)(1 - f(E))dE
Ec E v min
4. 1. 5
Cálculo de la densidad de electrones y huecos en las situaciones más corrientes.
SEMICONDUCTORES NO DEGENERADOS (Ev<EF<Ec)
E c max →∞ ∞ Ev
∫
E- E F
∫ g n(E)f(E)dE ≈ ∫ c n(E - E c ) e
1
n= 2 -
KT dE p= g p(E)(1 - f(E))dE
Ec Ec E v min
≈ ∫c ( E - E ) e
Ev
E - Ec E- E F
u≡
1
p v 2
KT dE
KT -∞
∞
E c- E F E c- E F π Ev - E
∫u 2 e du = c n(KT )2 e
3 1 3
n = c n(KT ) 2 e - u≡
-u -
KT KT
0 2 KT
∞
E v- E F
∫u 2 e du
3 1
-u
p = c p(KT ) e 2
KT
EC − EF
− 0
KT
n = NC e EV − EF
3/ 2 KT
⎛ T ⎞ p = NV e
N c(T)= cte ⋅ T 2 = N c( 300 K) ⎜
3
⎟ 3/ 2
⎝ 300 ⎠ ⎛ T ⎞
NV (T)= cte ⋅ T 2 = NV ( 300 K) ⎜
3
⎟
Nc, NV=densidad efectiva de estados en la banda ⎝ 300 ⎠
de conducción y valencia respectivamente.
E
− G
np = N C (T)NV (T)e
KT
= ni 2 (Ley de acción
de masas)
4. 1. 6
Ejemplos de uso de las ecuaciones del semiconductor en equilibrio
E c - E Fi E v - E Fi
n = p ⇒ N ce- KT = N ve KT ⇒
-Hipótesis: a temperaturas de interés ND+.ND
E c + E v KT N v en casos prácticos ND>>ni Y n>>p
E Fi = + ln
2 2 Nc
-Ejemplo: ND=1016cm-3 en Si (((1ppm!!), T=300K
N c = 2.8 ⋅ 10 cm 3 ⎫
19 -
⎪ n=p+ND+. ND=1016cm-3
En Si, T = 300K : N v = 1.1 ⋅ 10 19 cm -3 ⎬ p=ni2/n=104cm-3
E G = 1.12eV ⎪⎭ p<<n pero p≠0
Ec-EF=KTln(Nc/n)=205.6meV
Ec + Ev Advertencia: a bajas temperaturas ND+≠ ND
⇒ E Fi ≈ - 12meV
2
-Ejercicio: Ec-ED=40meV. Calcular temperatura para
que ND+= ND/2
4. 1. 7
! Con impurezas aceptadoras p=n+NA- !Semiconductores parcialmente compensados.
Semiconductores tipo P y tipo N
-Grado de ocupación del nivel creado por las
impurezas: función de ocupación de Fermi-Dirac. si N +D > N -A ⇒ tipo N ; N +Deff = N +D - N -A
si N +D < N -A ⇒ tipo P; N -Aeff = N -A - N +D
- o
NA = 1 NA = 1
- -
N A 1 + e E AKTE F N A 1 + e E FKTE A • Ecuación de neutralidad general y
ecuaciones básicas de un semiconductor
-Hipótesis: a temperaturas de interés no degenerado en equilibrio:
NA- ≈ NA>>ni Y p>>n Y
p≈NA n ≈ ni2/NA
n + N -A = p + N +D
- Advertencia:( COMPROBAR SIEMPRE LAS EC − EF
−
HIPÓTESIS! KT
n = NC e
EV − EF
-Ejemplo: NA=1016cm-3 en Si , T=300K,
KT
EA-Ev=40meV p = NV e
p=n+NA- ≈ NA=1016cm-3
n=ni2/p=104cm-3 np = ni2
n<<p pero n≠0 -
EF-Ev=KTln(Nv/p)=181.4meV NA = 1
NA-=0.996 NA (99.6%) EC E A- E F
N A 1+ e KT
+
EF ND = 1
EA E -E
EV
N D 1+ e FKT D
4. 1. 8
11. TRANSPORTE DE ELECTRONES Y HUECOS. CONTRIBUCIONES A LA CORRIENTE.
• Aplicación de un campo eléctrico. • Existencia de un gradiente de
concentración de portadores.
dV(x) -
E(x) = - Y Flujo de portadores en sentido contrario
dx al gradiente
E c (x) = -qV(x) + cte
EC Y Corrientes de difusión de electrones y de
EFn huecos:
• Durante un vuelo libre
(Dn,Dp: coeficientes de difusión)
d
- qE(x) = = k n E(x) EV dn dp
dt J n = qD n J p = - qD p
dx dx
• Interrupciones del vuelo libre
(mecanismos de dispersión): • Corriente total.
- vibraciones de la red
- impurezas ionizadas
- defectos dn
- otros portadores, etc J n = qn μ n E + qD n
dx
• jn=qnvn vn: velocidad media de los portadores.
dp
• vn=μnE transporte óhmico J p = qp μ p E - qD p
μn: movilidad de los electrones dx
(depende de los mecanismos de dispersión, J = J n+ J p
"scattering")
Situaciones:
E Fn - E c E v - E Fp E - E E Fn - E Fp
- c v
np = N c e KT ⋅ N v e KT = N c N v e KT e KT
- Caso particular: desequilibrio de bajo nivel (los mayoritarios apenas se ven afectados)
a) TIPO N: b) TIPO P:
n ≈ N D , p = p 0 + δp, n0 ⋅ p 0 = n i2 p ≈ p 0 = N A , n = n0 + δn, n0 = n 2
i
ni2 , p0 =
ND NA
np - n i2 = N D ( p 0 + δp) - N D p 0 = N D δ p ⇒ np - n i2 = N A ( n0 + δn) - N A n0 = N A δ n ⇒
δp δn
U gr = - U gr = -
τp τn
- Si se mantiene el agente externo causante de la generación:
E
δp δn
U gr = G - ó U gr = G - EC
τp τn
EV
τn,τp: constantes de tiempo de recombinación.
• Entran por unidad de área x x+)x • Salen por unidad de área y tiempo:
y tiempo:
1 1 1 1 ∂J n
- J n (x) - J n(x + Δx) ≈ - J n(x) - Δx ⇒
q ∂x
q
)x q q
∂n 1 ⎛ 1 1 ∂J n ⎞ ⎛ δn ⎞ ∂n 1 ∂ J n n - n0
Δx = - J n(x) - ⎜ - J n(x) - Δx ⎟ + ⎜ G - ⎟ Δx ⇒ = +G -
∂t q ⎝ q q ∂x ⎠ ⎝ τn ⎠ ∂t q ∂x τn
• De forma similar para huecos:
∂p 1 ⎛1 1 ∂J p ⎞ ⎛ δ p⎞ ∂p 1 ∂J p p - p0
Δx = J p(x) - ⎜ J p(x)+ Δx ⎟ + ⎜ G - ⎟ Δx ⇒ =- +G -
∂t q ⎝ q q ∂x ⎠ ⎝ τp ⎠ ∂t q ∂x τp
x x
EJEMPLO: n′(x) = A e - Ln + B e Ln
n′
0=G-
τn
n′ = n′(0) = G τ n
4. 1. 13
APÉNDICE. Efecto Hall.
E E
v
B B v + q·E
-q·E - J EH
J EH
Campo Campo
resultante resultante
q·vvB
-q·vvB
Acumulación de Acumulación de
electrones huecos
F = -qE - qv ∧ B
4. 1. 14
APÉNDICE. Relaciones de Einstein
4. 1. 15
Bibliografía:
•http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/ Principles of Semiconductor
Devices Bart Van Zeghbroeck.
4. 1. 16
4.2. Fundamento físico de la unión semiconductora
• Unión PN en equilibrio. • Unión PN polarizada en directo.
Unión metalúrgica
N + - P
N + - P
Eint
1 2 2 1
I>0
Jdifusión
V
Jarrastre
EC EC
qRo EFn qV EFp
EF
EV EV
• Campo externo opuesto al interno
Y Disminución de este campo
1: zonas neutras Y Disminución carga que soporta el campo
2: zona de carga espacial (z.c.e.) Y Disminución zona de carga espacial
Ro: potencial barrera
(Ro=Vb) • Disminución de la barrera en al unión
Y Jdifusión>Jarrastre
Y CORRIENTE NETA (muy sensible al decrecimiento
de la barrera). 4. 2. 1
V
• Unión PN polarizada en inverso. • Característica I-V I = I s ( eV T - 1)
Jdifusión EC
Jarrastre EFp nKT KT
q(Ro+V) EV VT = , = 26mV (300K)
N + - P q q
qV
n: factor de idealidad, refleja situaciones no
EFn ideales:
I= 0
- generación recombinación en z.c.e. a bajas
V corrientes.
- alta inyección de portadores (caída de
potencial en z. neutra)
Campo externo del mismo signo que el interno
V
Y aumento neto del campo, aumento de la Directo : V > 0 V >> V T ⇒ I ≈ I s e
barrera VT
Y sólo participan los minoritarios en la corriente Inverso : V < 0 − V >>
V T ⇒ I ≈ I s cuando V → -∞
(corriente muy débil)
2 2
I = I s=α n i
+β n i
ND NA
I s α n i (T), I S se duplica cada 10 C
2 o
4. 2. 2
Análisis de una unión PN en inverso
qRo
-W1 0 W2
qVn P N
qVp - +
qψ 0 = E G - q V n - qV p
= E G - KT ln N c - KT ln N v
n p
N c N v ⇒ q = KT ln np VR
E G = KT ln ψ0
ni2 n i2
EFp
Ejemplo: Caso particular (dopados uniformes n=ND, p=NA):
ψ 0 = V T ln N D 2N A qVR
ni
• Condición de neutralidad q(Ro+VR) EC
0 W2 EFn
∫ - q N A (x)dx = ∫ q N D (x)dx EV
-W 1 0
Dopados uniformes : N A W 1 = N D W 2
4. 2. 3
• Relación anchura de la z.c.e. con la
qN D W 22 qN A W 12
barrera de potencial (R0+VR) ψ 0 + V R = V( W 2 ) - V(-W 1 )= +
εs 2 εs 2
- Ecuación de Poisson + condiciones de q ⎫
contorno en los extremos de la z.c.e. ψ 0 +V R = N DW 2( W 1 + W 2 ) xN A ⎪
2ε s ⎪
⎬
q
- Caso unidimensional y dopados ψ 0 +V R = N AW 1( W 1 + W 2 ) xN D ⎪
uniformes. 2ε s ⎪⎭
⎛ qN A ⎞
⎜ -W 1 < x < 0 ⎟ q
d 2 V(x) = - ρ (x) = ⎜ ε s ⎟ ( N A + N D )(ψ 0 + V R )= 2
W N AN D
2ε s
dx 2 ε s ⎜ qN D ⎟
⎜- 0 < x <W 2⎟ 2ε s N A + N D
⎝ εs ⎠ W = W 1 +W 2 = (ψ 0 + V R )
q N AN D
dV qN A ⎛ qN A ⎞
-W 1 < x < 0 = x + C 1 E(x) = -⎜⎜ x + C 1 ⎟⎟
dx εs ⎝ εs ⎠ 2ε s ψ 0 + V R 2ε s(ψ 0 + V R )
W 1= =
qN A ⎛ x 2 ⎞ q N AW N
V(x) = ⎜⎜ + W 1 x ⎟⎟ + C 2 q N A(1+ A )
εs ⎝ 2 ND
⎠
qN D ⎛ x 2 ⎞ 2ε s(ψ 0 + V R )
0 < x < W 2 ... V(x) = - ⎜⎜ - W 2 x ⎟⎟ + C 3 W 2=
εs ⎝ 2 ND
⎠ q N D(1+ )
NA
continuidad en x = 0 ⇒ C 2 = C 3
EJEMPLO: Sea una unión PN abrupta, NA=1015cm-3, ND=1016cm-3, 300K, VR=10V Y R0=638mV
W1=3.5μm, W2=0.35μm. Campo máximo: qN A 4 V
E max = - W 1 = -5.4 10
εs cm 4. 2. 4
Conducción en inversa. Mecanismos de ruptura.
ID (A)
• Diodo de unión:
Nótense las escalas
15 unión PN con terminales externos.
diferentes de las regiones
directa e inversa
10 Característica
directa
P N
-VZK 5
Ánodo Cátodo
-VZ -30 -20 -10 0
• Diodo Zéner:
Codo
Zener -0.5 -IZK0.5 1.0 1.5
VD (V)
diseñado para conducir en inversa
-1.0
-1.5 -IZT
-2.0
• Diodo Schottky:
Característica -2.5 unión metal semiconductor.
inversa
IZ (A)
4. 2. 6
•Fotodiodos* • Dispositivos basados en uniones
Dispositivos de dos terminales. Responden a la absorción de fotones.
gop =0
Ln W Lp V Corriente total:
I g1
R E ⎛ qV ⎞
g2 I = I 0 e − 1⎟ − I op
⎜ KT
⎜ ⎟
- Corriente en cortocircuito ⎝ ⎠
+ V
Aplicaciones: R E R E R
P N P N P N
I I I
+ V - - V + + V -
1er cuadrante 3º cuadrante 4o cuadrante
I·V>0 I·V>0 I·V<0
Fotodetector Célula solar
4. 2. 7
*“Solid state electronic devices” Ben G. Streetman and Sanjay Banerjee Upper Saddle River, NJ : Prentice Hall, 2000
• Dispositivos basados en uniones
•LEDS y láseres
Unión en directo.
Recombinación en zonas
EC -
neutras y z.c.e. EFn EFp
EV +
•Optoacoplador.
Ejemplo de sistema de comunicación óptica:
+
Par optoelectrónico: Láser o LED + fotodiodo
I I
Se puede intercalar información entre emisor y
receptor (CDs)
Perfecto aislamiento
-
4. 2. 8
Apéndice: El fotodetector
El fotodetector puede funcionar como célula fotovoltaica si no se le aplica tensión externa
tal y como se ve en la figura 1. Si incide luz sobre el diodo los pares electrón hueco generados son
acelerados por el campo eléctrico interno. Se crea por tanto una corriente, IL, que partiendo de la
zona P atraviesa la resistencia y llega a la N (o de la N a la P en el interior del diodo). Aparece una
diferencia de potencial en los extremos de la resistencia que polariza al diodo en directa. Esta
tensión da lugar a su vez a una corriente, ID, que circula por el diodo de la zona P a la N, es decir,
opuesta a la generada por iluminación. Estos dos mecanismos se pueden modelar por una fuente
de corriente de valor IL y un diodo en oscuridad por el que circula una corriente ID. La corriente que
circula por la resistencia es la diferencia de las dos, I=IL-ID, como se ve en la figura 2.
Modificando el valor de la resistencia externa se puede variar el valor de la corriente que
circula por ella, así como la diferencia de potencial que cae en sus extremos. Y por consiguiente la
potencia que se puede extraer de la célula. Existe un valor óptimo para la resistencia para el cual la
potencia es máxima y por tanto el rendimiento es mayor. La relación I-V típica de una célula
fotovoltaica se puede ver en la figura 3.
4. 2. 9
Apéndice: No idealidades en el diodo
Corriente generación-recombinación. Idif
n· p = ni2 exp(qV / KT )
-En directa hay una recombinación de EC -
portadores en la zona de carga espacial n ≈· p ≈ ni exp(qV / 2 KT ) Irec
EFn EFp
y por tanto no llegan a las zonas cn c p NT ( np − n 2
i ) EV
neutras. Para mantener la misma U= +
cn (n + n1 ) + c p ( p + p1 ) I=Idif+Irec
relación campo-carga en la unión y que
llegue la misma corriente de difusión cn c p NT n ( exp(qV / KT ) − 1)
2
≈
i
4. 2. 11
4.3. Modelos de circuito.
• Análisis de circuitos con diodos I
R VD VD
I = I S ( e V T - 1) ≈ I S e V T
V
+ R
V = IR + V D
V I I = -V D +
V
VD R R -1/R
Solución: punto de intersección
- (punto de operación, polarización...) VD
V I
VD
-
V( VD Si V>Vγ V=IR + Vγ
V( rd
- En directo,
Vd > Vγ
-VZ VD
-IIZminI
R
+ Rr (. 4)
I -No conducción,
1/rZ V VD -VZ < Vd < Vγ
Hipérbola de máxima
dispación de potencia
-IIZmaxI -
VZ rZ
-En inverso,
Vd < VZ
4. 3. 2
• Modelo de pequeña señal
rd CT Cd
Y
• Resistencia dinámica rd:
-1 -1
⎛ dI ⎞ ⎛ d V ⎞ VT
rd = ⎜ ⎟ ≈⎜ I S eV T ⎟ =
⎝ dV ⎠ ⎝ dV ⎠ I
• Capacidades:
1) Polarización directa
dQ d d V τ
Cd = = (τ T I 0 e V T ) = T I
dV dV VT
I = Qd / τ T , τ T = L2p / D p : tiempo de tránsito
4. 3. 3
2) Polarización inversa. Carga dominante: carga fija en z.c.e.
⎫ C j0
- Unión abrupta ⎪ - Unión lineal C j= 1
⎪ ⎛ VD ⎞3
⎪ ⎜1 - ⎟
dQ dQ dW 1 ⎪ ⎜ ψ ⎟
CT ≡ C j = = ⎝ 0⎠
dV R dW 1 dV R ⎪
⎪⎪
⎬ C j0
dQ = AqN AdW 1 - Unión cualquiera C j = , VD < 0
1⎪
m
⎛ VD⎞
⎛ ⎞2⎪ ⎜1 - ⎟
⎜ ⎟ ⎪ ⎝ ψ0⎠
dW 1 ⎜ ε ⎟ ⎪ C j ≈ 2C j 0 , VD > 0
s
=
dV R ⎜ ⎛ NA⎞ ⎟ ⎪
⎜ 2 qN A⎜ 1+ ( ψ
⎟ 0 VR ⎟ ⎪
+ )
⎝ ⎝ ND⎠ ⎠ ⎪⎭
1
⎛ qε s N A N D ⎞ 2 1
C j = A⎜ ⎟
⎝ 2( N A + N D ) ⎠ ψ 0 +V R
=
ε sA
W
1
⎛ qε s N A N D ⎞ 2 1 C j0
Si V D ≡ -V R C j = A⎜ ⎟ =
⎝ 2( N A + N D ) ⎠ ψ 0 -V D VD
1-
ψ0
4. 3. 5
Bibliografía:
•A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5ª ed.,Oxford University
Press, 2003.
• http://deyte.ugr.es
• K.V. Shalimova, Física de los semiconductores, Mir, 1975
•Bart Van Zeghbroeck. Principles of Semiconductor Devices
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/
4. 3. 6
Tema 5. Aplicaciones: Funciones analógicas no lineales.
• Puente de Diodos
E1 − Vγ
vx >> 0 D2 y D3 on; vO = R0 ≡ EA
R1 + R0
− E2 + Vγ
vx << 0 D1 y D4 on; vO = R0 ≡ EB
R2 + R0
EB ≤ vx ≤ EA vO = vx
5. 1
• Circuitos comparadores con diodos Zener
vI > 0, vO = −VZ
vI < 0, vO = +VD
vI > 0, vO = −(VD + VZ 2 )
vI < 0, vO = VZ 1 + VD
5. 3
Limitador de propósito general
RF
D 1 y D 2 o ff v0 = − v1
R1
RB RA ⎤
e1 = E 1 + v0 ⎥
RA + RB RA + RB
⎥
RC RD ⎥
e2 = − E 2 + v0 ⎥
RC + RD RC + RD ⎦
D 1 c o n d u ce c u a n d o e1 = − Vγ
⎧⎪ V γ E1 v ⎫⎪
v0 = −( R F R B ) ⎨ + + 1 ⎬
⎪⎩ R A R B RA R 1 ⎭⎪
D 2 co n d u ce cu a n d o e2 = + Vγ
⎧⎪ V γ E2 v ⎫⎪
v0 = ( RC R F ) ⎨ + − 1 ⎬
⎪⎩ R C R D RD R 1 ⎭⎪
5. 4
Limitador de propósito general (II)
5. 5
RF
Q1 y Q2 off v 0 = − v
R1 1
RB RA ⎤ RC RD ⎤
v B2 = − E2 + v0
v B1 = E 1
R A + RB
+ v0
R A + RB ⎥ RC + R D R D + RC ⎥
⎥ ⎥
RF ⎥ RF ⎥
v0 = − v1 v1 > 0 ⎥ v0 = − v1 v1 < 0 ⎥
R1 ⎦ R1 ⎦
E1 v1 ⎛ 1 1 ⎞ E2 V1 ⎛ 1 1 ⎞
+ + v BE ⎜ + ⎟ − + v BE ⎜ + ⎟
R A ( 1 + β)R1 ⎝ R A RB ⎠ R D ( 1 + b)R1 ⎝ RC R D ⎠
v 0= v 0=
1 1 1 1
+ +
R B ( 1 + β)R F RC ( 1 + b)R F
5. 6
Limitador de propósito general (III)
v0,vA
v0=v A vA V Z5+V γ
v0
V Z5+V γ E+
Slope = -RF/R1 Caso: Slope = -R F/R 1 Caso:
VZ5+Vγ<E+ VZ5+Vγ>E+
VZ6+Vγ<E- VZ6+Vγ>E-
v1 v1 El puente conduce
El puente conduce
cuando vO=vA. No
-(VZ6+V γ) siempre (vO=vA) E-
conduce cuando
-(V Z6+V γ)
vO≠vA.
5. 7
• Circuitos rectificadores Problemas: 12.46 al 12-56 Sedra-Smith
v1 > 0 va = −V γ v0 = 0 D1 off D2 on
RF
v1 < 0 v0 = − v1 D1 on D2 off
R1
5. 8
Rectificadores de media Onda (Voltímetro)
1 V pico R2 RF
ωmin ⇒ vO =
CF RF π R1 R3
D1 Limitador en paralelo ⎛R R ⎞
S1 = − ⎜ F + F ⎟ ;
⎝ 2 R1 R3 ⎠
⎛ R R ⎞
S3 = − ⎜ F + F ⎟
⎝ 2 R2 R3 ⎠
D2 ⎛R R R ⎞
S2 = − ⎜ F + F + F ⎟
⎝ 2 R1 2 R2 R3 ⎠
⎛R RF ⎞
Limitador en serie S1 = − ⎜ F + ⎟;
D1 ⎝ R2 R5 ⎠
⎛R ⎞
S2 = − ⎜ F ⎟;
⎝ R5 ⎠
D2 ⎛R R ⎞
S3 = − ⎜ F + F ⎟
⎝ R1 R5 ⎠ 5. 10
• Amplificadores logarítmicos. Amplificador logarítmico básico.
Este circuito presenta una
Función logarítmica dependencia muy fuerte frente a
variaciones de temperatura.
R
vI - vO
+
vI −qvO
= I = I s exp( )
R nKT
v
vO = − nKT ln( I ), vI > 0
RI S
v1 ⎛ qv3 ⎞ ⎫
= I C1 = αF I ES exp⎜ − ⎟ ⎪
R5 ⎝ kT ⎠ ⎪ I C1 R3v1 ⎛ qv ⎞
⎬ ⇒ = = exp⎜ − 5 ⎟
v2 ⎛ q(v5 − v3 ) ⎞ ⎪ I C2 R5v2 ⎝ kT ⎠
= I = αF I ES exp⎜ ⎟
R3 C2 ⎝ kT ⎠ ⎪⎭
R2 kT ⎛ R3v1 ⎞ ⎛ K2v1 ⎞
v5 = v0 = − ln⎜ ⎟ ⇒ v0 = −K1 ln⎜ ⎟
R1 + R2 q ⎝ R5v2 ⎠ ⎝ v2 ⎠
⎛ R1 ⎞ kT R3
donde K1 = ⎜1 + ⎟ y K2=
⎝ R2 ⎠ q R5
5. 12
• Amplificadores antilogarítmicos. Amplificador antilogarítmico
Función antilogarítmica
R
vI - vO
+
vO −qvI
− = I = I s exp( )
R nKT
−qvI
−vO = RI s exp( ), vI > 0
nKT
v2 ⎛q ⎛ R2 ⎞⎞ ⎫
I C1 = = αF I ES exp⎜ ⎜ v1 − v3 ⎟ ⎟ ⎪
R3 ⎝ kT ⎝ R1 + R2 ⎠⎠ ⎪
Símbolo asociado al diagrama de bloque. ⎬
v0 ⎛ qv3 ⎞ ⎪
I C2 = = αF I ES exp⎜ − ⎟ ⎪
v1 R5 ⎝ kT ⎠ ⎭
vO = K1v2 exp(− K 2 v1 )
IC 2 v0 R3 ⎛ qv R2 ⎞
vO = K1v2 10 − K 2 v1 = = exp ⎜ − 1 ⎟
v2 vO IC1 v2 R5 ⎝ kT R1 + R2 ⎠
→ vO = K1v2 exp ( −K2 v1 )
R5 q R2
donde K1 = y K2 =
R3 kT R1 + R2
5. 13
Aplicaciones de los amplificadores logarítmicos:
Generadores de función.
Exponencial
División en
un cuadrante
Multiplicación
en un cuadrante
Operador general
mulipropósito
5. 14
Multiplicadores analógicos. Aplicaciones.
5. 15
Generadores de Señal. Circuito generador de señales cuadradas (vS) y triangulares (vT).
vT vS
+ =I
R1 R2
⎧⎪I > 0 V0 ( A2 ) = −Vγ I ( R = 100k ) < 0
vS = ⎨
⎪⎩I < 0 V0 ( A2 ) = +Vγ I ( R = 100k ) > 0
vO(A2) ⎧ vS − Vγ Vγ 15 + Vγ
I
⎪⎪ I > 0 = + vS =VH >> 0
2 100 3.2
R1 ⎨
⎪I < 0 Vγ + 15 + Vγ = −Vγ − vS v =V << 0
⎪⎩ 100 3.2 2
S L
t
1 vS t
RC ∫0
vT = − vS dt = − + vT ( 0 )
R2 RC
vT = Señal triangular
R1 ⎛ −1 1 ⎞
T = ΔV RC ⎜ + ⎟
R2 ⎝ VL VH ⎠
R
vT = − 1 vS ΔV = (VH − VL )
R2
5. 16
• Multivibrador biestable Problemas: 12.24 al 12-29 Sedra-Smith
Característica para
Vi crecientes
⎧ R1 ⎫
L
⎪ + R +R = VTH ⎪
Circuito Biestable R1 ⎪ ⎪
v+ = vO =⎨
1 2
⎬
R1 + R2 ⎪ R1
L− = VTL ⎪
⎩⎪ R1 + R2 ⎭⎪
5. 17
Carácter no inversor.
vI − v+ v+ − vO
=
R1 R2
vO 1 1
vI = R1 ( − + v+ ( + ))
R2 R1 R2
− R1 − R1
VTH = L− ; VTL = L+ ;
R2 R2
5. 18
Bibliografía:
•J.V. Wait, L.P. Huelsman, G.A. Korn “Introducción al amplificador
operacional. Teoría y aplicaciones”, Ed. Gustavo Gili, S.A.
•A.S. Sedra y K.C. Smith, "Microelectronics Circuits", 5ª ed.,Oxford University
Press, 2003.
5. 19